專利名稱:真空滅弧室中的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開的真空滅弧室中的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu)，包括聚磁環(huán)，聚磁環(huán)上設(shè)置有凹槽，凹槽包括一個(gè)完全切斷的斷槽以及多個(gè)等距離間隔設(shè)置的上凹槽和下凹槽。本實(shí)用新型的真空滅弧室中的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu)解決了現(xiàn)有的聚磁環(huán)由于渦流造成了磁場(chǎng)滯后并且對(duì)真空開關(guān)的開端會(huì)造成不良影響的缺點(diǎn)。本實(shí)用新型的真空滅弧室中的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu)增強(qiáng)了磁場(chǎng)強(qiáng)度，特別是對(duì)增強(qiáng)電極邊緣磁場(chǎng)強(qiáng)度具有非常重要的作用，同時(shí)使磁場(chǎng)分布得更加均勻，還大大減小聚磁環(huán)上的渦流，這樣可以降低磁場(chǎng)滯后，保證真空開關(guān)的順利開斷。
【專利說明】真空滅弧室中的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于真空滅弧室【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種真空滅弧室中的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]真空滅弧室普遍采用杯狀縱向磁場(chǎng)電極結(jié)構(gòu)，縱向磁場(chǎng)可以使集聚型電弧擴(kuò)散開來，這樣可以防止觸頭表面的局部嚴(yán)重?zé)g，從而保證開斷順利進(jìn)行。但是，杯狀電極產(chǎn)生的縱向磁場(chǎng)大小能否使電弧擴(kuò)散，與電極產(chǎn)生的縱向磁場(chǎng)強(qiáng)度的大小有很大的關(guān)系，杯狀電極結(jié)構(gòu)中的聚磁環(huán)，其作用就是提高磁場(chǎng)強(qiáng)度，同時(shí)還使磁場(chǎng)分布更加均勻，確保集聚型電弧擴(kuò)散開來，成為擴(kuò)散型電弧。而現(xiàn)有的聚磁環(huán)雖然起到了增強(qiáng)磁場(chǎng)強(qiáng)度和使磁場(chǎng)分布均勻的作用，但是由于結(jié)構(gòu)所限會(huì)形成較大的渦流以及磁場(chǎng)滯后，導(dǎo)致磁場(chǎng)不能及時(shí)發(fā)揮作用，也就不能及時(shí)使集聚型電弧轉(zhuǎn)化為擴(kuò)散型電弧，這對(duì)真空滅弧室的開斷是非常不利的，同時(shí)渦流還會(huì)在聚磁環(huán)中產(chǎn)生鐵磁損耗，對(duì)真空滅弧室也是不利的。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種真空滅弧室中的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu)，解決了現(xiàn)有的聚磁環(huán)由于渦流造成了磁場(chǎng)滯后并且對(duì)真空開關(guān)的開斷會(huì)造成不良影響的缺點(diǎn)。
[0004]本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是:真空滅弧室中的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu)，包括聚磁環(huán)，聚磁環(huán)上設(shè)置有凹槽。
[0005]本實(shí)用新型的特點(diǎn)還在于，凹槽包括多個(gè)等距離間隔設(shè)置的上凹槽和下凹槽，凹槽還包括一個(gè)完全切斷的斷槽。
[0006]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型的真空滅弧室中的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu)解決了現(xiàn)有的聚磁環(huán)由于渦流造成了磁場(chǎng)滯后并且對(duì)真空開關(guān)的開斷會(huì)造成不良影響的缺點(diǎn)。本實(shí)用新型的真空滅弧室中的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu)增強(qiáng)了磁場(chǎng)強(qiáng)度，特別是對(duì)增強(qiáng)電極邊緣磁場(chǎng)強(qiáng)度具有非常重要的作用，同時(shí)使磁場(chǎng)分布得更加均勻，還大大減小聚磁環(huán)上的渦流，這樣可以降低磁場(chǎng)滯后，保證真空開關(guān)的順利開斷。

【附圖說明】

[0007]圖1是本實(shí)用新型的真空滅弧室中的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0008]圖2是圖1的A-A向剖視圖。
[0009]圖中，1.聚磁環(huán)，2.凹槽，21.上凹槽，22.下凹槽，23.斷槽。

【具體實(shí)施方式】
[0010]下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0011]本實(shí)用新型提供的真空滅弧室中的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu)如圖1及圖2所示，包括聚磁環(huán)1，聚磁環(huán)I上設(shè)置有凹槽2。
[0012]凹槽2包括多個(gè)等距離間隔設(shè)置的上凹槽21和下凹槽22，凹槽2還包括一個(gè)完全切斷的斷槽23。
[0013]真空滅弧室中，聚磁環(huán)的作用是提高磁場(chǎng)強(qiáng)度，同時(shí)還使電極部分的磁場(chǎng)分布更加均勻，目的是在足夠大、且均勻的磁場(chǎng)強(qiáng)度下，確保集聚型電弧擴(kuò)散開來，成為擴(kuò)散型電弧，防止因電弧集聚引起的局部觸頭嚴(yán)重?zé)g，從而保證開斷順利進(jìn)行。但是現(xiàn)有的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu)，由于沒有設(shè)置凹槽2，在其表面會(huì)形成較大的渦流及磁場(chǎng)滯后，導(dǎo)致磁場(chǎng)不能及時(shí)發(fā)揮作用，也就不能使集聚型電弧轉(zhuǎn)化為擴(kuò)散型電弧，這對(duì)真空滅弧室的開斷是非常不利的，同時(shí)渦流還會(huì)在聚磁環(huán)中產(chǎn)生鐵磁損耗，對(duì)開關(guān)也是非常不利的?；诖?，在聚磁環(huán)上開了足夠數(shù)量的凹槽2，通過聚磁環(huán)I上設(shè)置的多個(gè)上凹槽21、下凹槽22還有斷槽23將聚磁環(huán)分成足夠數(shù)量的各小部分，并且各部分的連接交替分布在兩端，僅有很小的部分連接在一起，這樣可以在保證聚磁環(huán)I整體結(jié)構(gòu)的前提下盡可能地制造電流路徑上的障礙，這樣做大大阻止了渦流的形成，減小了鐵磁損耗以及磁場(chǎng)滯后時(shí)間，保證真空開關(guān)的順利開斷。
[0014]通過上述方式，本實(shí)用新型的真空滅弧室中的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu)解決了現(xiàn)有的聚磁環(huán)由于渦流造成的磁場(chǎng)滯后以及鐵磁損耗，防止了其對(duì)真空開關(guān)的開斷造成不良影響的缺點(diǎn)。本實(shí)用新型的真空滅弧室中的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu)增強(qiáng)了磁場(chǎng)強(qiáng)度，特別是對(duì)增強(qiáng)電極邊緣磁場(chǎng)強(qiáng)度具有非常重要的作用，同時(shí)使磁場(chǎng)分布得更加均勻，還大大減小聚磁環(huán)上的渦流，這樣可以降低鐵磁損耗以及磁場(chǎng)滯后時(shí)間，保證真空開關(guān)的順利開斷。
【權(quán)利要求】
1.真空滅弧室中的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括聚磁環(huán)(1)，聚磁環(huán)(I)上設(shè)置有凹槽⑵。2.如權(quán)利要求1所述的真空滅弧室中的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽(2)包括多個(gè)等距離間隔設(shè)置的上凹槽(21)和下凹槽(22)，所述凹槽(2)還包括一個(gè)完全切斷的斷槽(23)。
【文檔編號(hào)】H01H33-664GK204303665SQ201420771645
【發(fā)明者】張玉珍, 畢冬麗 [申請(qǐng)人]陜西寶光真空電器股份有限公司