專利名稱:制絨電池片表面多孔硅高效自動(dòng)清除裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種制絨電池片表面多孔硅高效自動(dòng)清除裝置：包括藥箱，純水箱，堿液箱，去多孔硅液工作池，備液池，純水清水池，去多孔硅溶液過(guò)濾處理池，藥液預(yù)加熱器，藥氣、液配制自動(dòng)控制器，純水預(yù)加熱器，純水加入自動(dòng)控制器，去多孔硅液過(guò)濾處理池，堿液預(yù)加熱器，堿液配制自動(dòng)控制器，備液恒溫加熱器，備液恒溫冷卻器，去多孔硅工作池液位自動(dòng)控制器，去多孔硅池溶液濃度自動(dòng)控制器，去多孔硅工作池溶液流量自動(dòng)控制器，機(jī)械手，去多孔硅浸洗時(shí)間控制器，純水清洗噴淋頭，純水清洗噴林管，純水恒壓恒溫裝置，去多孔硅工作池溢流口，工作參數(shù)顯示屏，操作臺(tái)，換液導(dǎo)流口，廢純水排流口，廢去多孔硅溶液池，廢純水池。
【專利說(shuō)明】
制絨電池片表面多孔硅高效自動(dòng)清除裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實(shí)用新型涉及一種制絨電池片表面多孔硅高效自動(dòng)清除裝置，尤其涉及一種自動(dòng)控制程度高，高效率徹底去除多晶硅片制絨后表面多孔硅的自動(dòng)裝置，屬于太陽(yáng)能光伏技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]目前我國(guó)晶體硅太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)技術(shù)已經(jīng)非常成熟，其中絨面制備及清洗是晶體硅太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)過(guò)程中非常重要的工藝技術(shù)工序，直接影響電池片的Uoc.1sc等重要電性能參數(shù)和外觀。使用常規(guī)的制絨后清洗設(shè)備時(shí)，均采用人工控制且在常溫下KOH溶液去除制絨后多晶硅片表面產(chǎn)生的多孔硅。由于所有設(shè)備不設(shè)置任何可以控制藥劑量、堿液濃度、清洗液溫度、壓力、流量以及復(fù)用液過(guò)濾處理液體循環(huán)等裝置，因而清洗液的各項(xiàng)數(shù)據(jù)隨著人為操作及環(huán)境的變化而變化，所有工作要素均處于不受控或人工自由控制狀態(tài)，從而嚴(yán)重制約了此工序工藝技術(shù)的制程控制能力。由于藥液配制氣泡的變化，清洗液濃度的變化，以及清洗液壓力、流量循環(huán)的變化，特別是清洗液溫度隨著環(huán)境的變化等一系列不標(biāo)準(zhǔn)、不確定因素導(dǎo)致溶液化學(xué)活性及反應(yīng)速率較低和活性經(jīng)常變化不穩(wěn)定，最終造成去除多孔硅效果不佳、不穩(wěn)定，效率低下，產(chǎn)量低，質(zhì)量不穩(wěn)定，碎片率高，成本較高，操作員工勞動(dòng)強(qiáng)度大，工作環(huán)境差，不安全。使用常規(guī)的制絨后清洗多孔硅設(shè)備時(shí)，為確保表面多孔硅的去除效果好，使電池片燒結(jié)后可形成良好的鋁背場(chǎng)，獲得較高的Uoc和Lsc，傳統(tǒng)的清洗在常溫及無(wú)任何自動(dòng)控制情況下只能使用KOH溶液的人工調(diào)配方法，必然增加溶液濃度和延長(zhǎng)浸洗時(shí)間來(lái)改善清洗效果，但仍不能使絨面深處的多孔硅徹底去除干凈，同時(shí)也增加了此過(guò)程的晶片碎片率，不僅增加了成本，而且效率低下，產(chǎn)量提不高，質(zhì)量不保證，還有工作環(huán)境和勞動(dòng)強(qiáng)度以及安全生產(chǎn)難以改善。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)提供一種能按標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置成自動(dòng)控制、尚效率、低成本，徹底去除晶娃片制域后表面多孔娃去除裝置，從而提尚表面多孔硅去除率，電池片電性能、電池片外觀質(zhì)量，降低清洗碎片率，大幅提高工作效率，提高生產(chǎn)產(chǎn)量，降低勞動(dòng)強(qiáng)度，改善工作環(huán)境，提高工作安全系數(shù)，降低生產(chǎn)成本，提高并穩(wěn)定電池片各項(xiàng)指標(biāo)質(zhì)量。本實(shí)用新型實(shí)施后提高效率近5倍，每條流水線節(jié)約員工5名，提高產(chǎn)量5倍，降低藥劑及用堿等成本40%以上，降低碎片率1.3%，操作現(xiàn)場(chǎng)空氣大幅改善，操作危險(xiǎn)系數(shù)極大降低。
[0004]本實(shí)用新型解決上述問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為:一種制絨電池片表面多孔硅高效自動(dòng)清除裝置，它主要包括藥箱，純水箱，堿液箱，去多孔硅工作液池，備液池，純水清洗池，混液池，純水清洗噴淋頭，純水清洗噴淋管，去多孔硅池溢流口，廢去多孔硅液池和廢純水池，所述藥箱與混液池之間設(shè)置有藥液預(yù)熱器和藥氣液配制自動(dòng)控制器，所述純水箱與混液池之間設(shè)置純水預(yù)加熱器和純水加入自動(dòng)控制器，所述堿液箱與混液池之間設(shè)置堿液預(yù)加熱器和堿液配制自動(dòng)控制器，所述備液池中間設(shè)置了備液恒溫加熱器和備液恒溫冷卻器;且備液池與去多孔硅液池之間設(shè)置了去多孔硅工作池液位自動(dòng)控制器和去多孔硅工作池溶液濃度自動(dòng)控制器以及去多孔硅工作池溶液流量自動(dòng)控制器，通過(guò)去多孔硅池液位、濃度、流量數(shù)顯計(jì)自動(dòng)控制去多孔硅工作池液位，機(jī)械手在抓晶片花籃放置池中時(shí)保持上平面下5cm，堿濃度9.15%，氣液流量0.35-0.75m3/h;確保在上述溫度、濃度、流量和液位標(biāo)準(zhǔn)下浸洗去多孔硅時(shí)間為28秒，所述純水箱與純水清洗池之間設(shè)置有純水恒溫恒壓裝置和純水清洗噴淋管，在所述純水清洗噴淋管上設(shè)置有若干組純水清洗噴淋頭，通過(guò)自動(dòng)數(shù)顯溫度計(jì)、壓力計(jì)進(jìn)行溫度壓力自動(dòng)按恒溫、恒壓標(biāo)準(zhǔn)要求控制，其中溫度設(shè)定60°C，壓力設(shè)定0.5MPa ；通過(guò)恒溫60 °C，恒壓0.5MPa純水噴淋清洗時(shí)間為95秒，在所述去多孔硅液工作池的底部設(shè)置第一換液導(dǎo)流口，在所述備液池的底部設(shè)置第二換液導(dǎo)流口，且上述二導(dǎo)流口均與廢去多孔硅液池相連，在所述純水清洗池底部設(shè)置排流管與廢純水池相連。
[0005]所述去多孔硅工作液池與備液池之間設(shè)置去多孔硅液過(guò)濾處理池，所述去多孔硅工作液池側(cè)面設(shè)置有去多孔硅池溢流口，由去多孔硅工作液池溢出的去硅液通過(guò)溢流口流出，并經(jīng)過(guò)去多孔硅液過(guò)濾處理池后流入備液池回收利用。
[0006]在所述去多孔硅工作液池與純水清洗池之中設(shè)置機(jī)械手。
[0007]所述藥氣液配制自動(dòng)控制器、純水加入自動(dòng)控制器堿液配制自動(dòng)控制器、去多孔硅工作池液位自動(dòng)控制器、去多孔硅工作池溶液濃度自動(dòng)控制器，備液池恒溫自動(dòng)控制器以及去多孔硅工作池溶液流量自動(dòng)控制器分別與操作臺(tái)相連，由操作臺(tái)進(jìn)行參數(shù)控制，并且在操作臺(tái)上設(shè)置有工作參數(shù)顯示屏和去多孔硅浸洗時(shí)間控制器，分別用來(lái)顯示各個(gè)控制器的參數(shù)狀態(tài)和控制浸洗時(shí)間。
[0008]所述多孔硅液過(guò)濾處理池內(nèi)設(shè)多層過(guò)濾網(wǎng)及石英砂層。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0010]本實(shí)用新型分別在藥箱，純水箱和堿液箱與混液池連通之間設(shè)置了配制量自動(dòng)控制裝置和預(yù)加熱器，從而可按照科學(xué)設(shè)定的藥劑量，堿液量和純水量配比標(biāo)準(zhǔn)比例自動(dòng)控制配制，可節(jié)約藥劑0.83%，堿1.85%，可節(jié)約成本40%以上，每班節(jié)省配藥時(shí)間2小時(shí)，省人工5名，而且配制過(guò)程處于封閉狀態(tài)，防止了廢氣的外溢而污染工作場(chǎng)合空氣，防止了人工配制不小心藥劑、堿液傷著人體情況發(fā)生;還可按照設(shè)定溫度分別對(duì)藥液、堿液和純水進(jìn)行自動(dòng)加溫后進(jìn)入混液池。備液池中的去多孔硅清洗溶液經(jīng)混液池充分混合并產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)加熱與冷卻二套恒溫裝置，使去多孔硅清洗溶液既附合最適應(yīng)的48°C溫度指標(biāo)又附合各項(xiàng)配比指標(biāo)與9.15%濃度，成為具有高化學(xué)活性，高化學(xué)反應(yīng)速率的去多孔硅清洗溶液，達(dá)到浸洗時(shí)間從原來(lái)的45秒減少到28秒，且清除多孔硅從原來(lái)的清除率95%提升至99.7%，且由于時(shí)間短而降低碎片率1.3%，達(dá)到0.2%。備用池連通去多孔硅工作池中間分別設(shè)置了去多孔硅工作池液位控制器，濃度及流量自動(dòng)控制器，根據(jù)設(shè)定鼓泡液氣流量0.35-0.75m3/h，純水流量5-8L/min，晶硅片葉面浸沒(méi)至5cm液位，濃度9.15%，溫度48°(:等最合理適應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)，不再需要人工去調(diào)正和中途停機(jī)添加處理，機(jī)械手設(shè)置成自動(dòng)控制速度以及清洗時(shí)間，其中化學(xué)藥液浸洗設(shè)定時(shí)間為28秒，比現(xiàn)有技術(shù)45秒節(jié)約17秒，純水箱與純水噴淋清洗池連通，中間設(shè)置恒溫恒壓自動(dòng)控制裝置和若干噴淋頭，噴淋頭對(duì)應(yīng)機(jī)械手位置，純水設(shè)定溫度60 0C，改變了以往常溫狀態(tài)，壓力0.5MPa，時(shí)間95秒，比現(xiàn)有技術(shù)125秒節(jié)約30秒，由于溫水而提高了清洗效率，減少了清洗時(shí)間，且節(jié)約純水量23%以上；去多孔硅工作液池與備液池連通中設(shè)置去多孔硅液過(guò)濾處理池，使去多孔硅氣液通過(guò)雜質(zhì)過(guò)濾和液氣處理后再進(jìn)入備液池反復(fù)利用，提高液氣利用率60%以上，大幅度降低了成本，延長(zhǎng)利用時(shí)間達(dá)16小時(shí)換液一次，比現(xiàn)有技術(shù)10小時(shí)延長(zhǎng)6小時(shí)，每班減少因換液停機(jī)時(shí)間平均I小時(shí)。本實(shí)用新型通過(guò)一系列創(chuàng)新合理適應(yīng)的設(shè)置使去多孔硅清除工序過(guò)程，均處于最適應(yīng)合理的自動(dòng)控制中，不但提高了清除多孔硅效果4.7%和提高工作效率5倍，節(jié)省員工5名(每臺(tái)套)，還節(jié)約了此工序成本40%以上，降低了碎片率2.3%，單臺(tái)套產(chǎn)量提高5倍，同時(shí)也減輕了勞動(dòng)強(qiáng)度，改善了工作環(huán)境，提高了工作安全保障，而且不損害機(jī)械設(shè)備的使用壽命。
【附圖說(shuō)明】

[0011]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖
[0012]其中:
[0013]藥箱I
[0014]純水箱2
[0015]堿液箱3
[0016]去多孔硅液工作池4
[0017]備液池5
[0018]純水清洗池6
[0019]去多孔硅液過(guò)濾處理池7
[0020]藥液預(yù)加熱8
[0021]藥液配制自動(dòng)控制器9
[0022]純水預(yù)加熱器10
[0023]純水加入自動(dòng)控制器11
[0024]混液池12
[0025]堿液預(yù)加熱器13
[0026]堿液配置自動(dòng)控制器14
[0027]備液恒溫加熱器15
[0028]備液恒溫冷卻器16
[0029 ]去多孔硅工作池液位自動(dòng)控制器17
[0030]去多孔硅工作溶液濃度自動(dòng)控制器18
[0031 ]去多孔硅工作溶液流量自動(dòng)控制器19
[0032]機(jī)械手20
[0033]去多孔硅浸洗時(shí)間自動(dòng)控制器21
[0034]純水清洗噴淋頭22
[0035]純水清洗噴淋管23
[0036]純水恒壓恒溫裝置24
[0037]去多孔硅工作池溢流口 25
[0038]工作數(shù)據(jù)顯示屏26
[0039]操作臺(tái)27
[0040]第一換液導(dǎo)流口28[0041 ]第二換液導(dǎo)流口 29
[0042]廢純水排流口 30
[0043]廢去多孔硅液池31
[0044]廢純水池32。
【具體實(shí)施方式】
[0045]以下結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0046]本實(shí)用新型涉及一種制絨電池片表面多孔硅高效自動(dòng)清除裝置，主要包括藥箱I，純水箱2，堿液箱3，去多孔硅工作液池4，備液池5，純水清洗池6，混液池12，機(jī)械手20，純水清洗噴淋頭22，純水清洗噴淋管23，去多孔硅池溢流口 25，廢去多孔硅液池31和廢純水池32ο
[0047]所述藥箱I與混液池12之間設(shè)置有藥液預(yù)熱器8和藥氣液配制自動(dòng)控制器9，通過(guò)數(shù)顯自動(dòng)加溫計(jì)和流量計(jì)自動(dòng)控制溫度及流量，使藥液配制能按最佳合理適應(yīng)比例自動(dòng)配制且預(yù)加溫達(dá)45 °C。
[0048]所述純水箱2與混液池12之間設(shè)置純水預(yù)加熱器10和純水加入自動(dòng)控制器11，通過(guò)數(shù)顯自動(dòng)加溫計(jì)和流量計(jì)自動(dòng)控制溫度及流量，使去多孔硅溶液純水能按最佳適應(yīng)合理比例自動(dòng)加入且預(yù)加溫達(dá)45°C。
[0049]所述堿液箱3與混液池12之間設(shè)置堿液預(yù)加熱器13和堿液配制自動(dòng)控制器14，通過(guò)數(shù)顯自動(dòng)加溫計(jì)和流量計(jì)自動(dòng)控制溫度及流量，使去多孔硅溶液堿濃度能按9.15%，最佳適應(yīng)合理比例自動(dòng)控制加入，且預(yù)加溫達(dá)45 °C。
[0050]所述備液池5中間設(shè)置了備液恒溫加熱器15和備液恒溫冷卻器16;且備液池5與去多孔硅液池之間設(shè)置了去多孔硅工作池液位自動(dòng)控制器17和去多孔硅工作池溶液濃度自動(dòng)控制器18以及去多孔硅工作池溶液流量自動(dòng)控制器19，通過(guò)數(shù)顯自動(dòng)加溫計(jì)，冷卻計(jì)來(lái)自動(dòng)控制備用池去多孔硅溶液達(dá)到恒溫48°C，這最佳合理最適應(yīng)去多孔硅溫度;通過(guò)去多孔硅池液位、濃度、流量數(shù)顯計(jì)自動(dòng)控制去多孔硅工作池液位在機(jī)械手抓晶片花籃放置池中時(shí)保持上平面下5cm，堿濃度9.15%，氣液流量0.35-0.75m3/h;確保在上述溫度、濃度、流量和液位標(biāo)準(zhǔn)下浸洗去多孔硅時(shí)間為28秒，節(jié)約17秒，去多孔硅率達(dá)99.7%，提高4.7%，碎片率降低1.3%，達(dá)到0.2%，且節(jié)約藥劑量0.83%，節(jié)約堿液1.85%，在工作途中不再需要人為不停地進(jìn)行加藥劑、加堿、加水等調(diào)正。
[0051]所述純水箱2與純水清洗池6之間設(shè)置有純水恒溫恒壓裝置24和純水清洗噴淋管23，在所述純水清洗噴淋管23上設(shè)置有若干組純水清洗噴淋頭22，通過(guò)自動(dòng)數(shù)顯溫度計(jì)、壓力計(jì)進(jìn)行溫度壓力自動(dòng)按恒溫、恒壓標(biāo)準(zhǔn)要求控制，其中溫度設(shè)定60°C，壓力設(shè)定0.5MPa;通過(guò)恒溫60 °C，恒壓0.5MPa純水噴淋清洗時(shí)間為95秒，節(jié)約30秒，節(jié)約純水23%以上。
[0052]所述去多孔硅工作液池4與備液池5之間設(shè)置去多孔硅液過(guò)濾處理池7，所述去多孔硅工作液池4側(cè)面設(shè)置有去多孔硅池溢流口 25，由去多孔硅工作液池4溢出的去硅液通過(guò)溢流口流出，并經(jīng)過(guò)去多孔硅液過(guò)濾處理池7后流入備液池5回收利用，去多孔硅液過(guò)濾處理池7內(nèi)設(shè)多層過(guò)濾網(wǎng)及石英砂層，通過(guò)過(guò)濾處理后的去多孔硅溶液再循環(huán)使用?？梢匝娱L(zhǎng)使用時(shí)間至16小時(shí)換液一次，比原來(lái)1小時(shí)換液一次延長(zhǎng)使用時(shí)間6小時(shí)，提高使用率60%，減少了因換液停機(jī)時(shí)間班均I小時(shí)。
[0053]在所述去多孔硅工作液池4與純水清洗池6之間設(shè)置機(jī)械手20，用于自動(dòng)抓取電池片，可以提高操作的安全性，同時(shí)在所述去多孔硅液工作池4的底部設(shè)置第一換液導(dǎo)流口
28 ο
[0054]在所述備液池5的底部設(shè)置第二換液導(dǎo)流口 29，且上述二導(dǎo)流口均與廢去多孔硅液池31相連，在所述純水清洗池6底部設(shè)置排流管30與廢純水池32相連。
[0055]所述藥氣液配制自動(dòng)控制器9、純水加入自動(dòng)控制器11、堿液配制自動(dòng)控制器14、去多孔硅工作池液位自動(dòng)控制器17、去多孔硅工作池溶液濃度自動(dòng)控制器18、備液恒溫加熱器15、備液恒溫冷卻器16以及去多孔硅工作池溶液流量自動(dòng)控制器19分別與操作臺(tái)27相連，由操作臺(tái)27進(jìn)行參數(shù)控制，并且在操作臺(tái)27上設(shè)置有工作參數(shù)顯示屏26和去多孔硅浸洗時(shí)間控制器21，分別用來(lái)顯示各個(gè)控制器的參數(shù)狀態(tài)和控制浸洗時(shí)間。
[0056]綜上幾方面所述，本實(shí)用新型通過(guò)一系列創(chuàng)新科學(xué)合理適應(yīng)的設(shè)置，使該工序整個(gè)流程均處于合理自動(dòng)控制中，通過(guò)最合理最具適應(yīng)性的要素控制，提高了工序流程自動(dòng)化程度，單套設(shè)備節(jié)給員工5名，提高產(chǎn)量5倍;通過(guò)加溫、控溫、流量、壓力、濃度、液位的自動(dòng)適應(yīng)性控制，最大限度地提高了去多孔硅溶液的化學(xué)活性和化學(xué)反應(yīng)速率，不僅提高了去除多孔硅的效率達(dá)99.7%，碎片率降至0.2%，確保了電池片的高、穩(wěn)定質(zhì)量，而且節(jié)約該工序生產(chǎn)成本原材料成本40%以上；同時(shí)減輕了員工勞動(dòng)強(qiáng)度，提升了工作環(huán)境質(zhì)量，確保了安全生產(chǎn)，確保了產(chǎn)品質(zhì)量的提升和總成本的下降。
[0057]除上述實(shí)施例外，本實(shí)用新型還包括有其他實(shí)施方式，凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術(shù)方案，均應(yīng)落入本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種制絨電池片表面多孔硅高效自動(dòng)清除裝置，其特征在于:它主要包括藥箱(I)，純水箱(2)，堿液箱(3 )，去多孔硅液工作池(4)，備液池(5)，純水清洗池(6 )，混液池(12 )，純水清洗噴淋頭(22)，純水清洗噴淋管(23)，去多孔硅池溢流口(25)，廢去多孔硅液池(31)和廢純水池(32)，所述藥箱(I)與混液池(12)之間設(shè)置有藥液預(yù)熱器(8)和藥氣液配制自動(dòng)控制器(9)，所述純水箱(2)與混液池(12)之間設(shè)置純水預(yù)加熱器(10)和純水加入自動(dòng)控制器(11)，所述堿液箱(3)與混液池(12)之間設(shè)置堿液預(yù)加熱器(13)和堿液配制自動(dòng)控制器(14)，所述備液池(5)中間設(shè)置了備液恒溫加熱器(15)和備液恒溫冷卻器(16);且備液池(5)與去多孔硅液池之間設(shè)置了去多孔硅工作池液位自動(dòng)控制器(17)和去多孔硅工作池溶液濃度自動(dòng)控制器(18)以及去多孔硅工作池溶液流量自動(dòng)控制器(19);所述去多孔硅液工作池(4)中設(shè)置抓晶片花籃機(jī)械手(20)、能定時(shí)且自動(dòng)清洗，所述純水箱(2)與純水清洗池(6)之間設(shè)置有純水恒溫恒壓裝置(24)和純水清洗噴淋管(23)，在所述純水清洗噴淋管(23)上設(shè)置有若干組純水清洗噴淋頭(22)，在所述去多孔硅液工作池(4)的底部設(shè)置第一換液導(dǎo)流口(28)，在所述備液池(5)的底部設(shè)置第二換液導(dǎo)流口(29)，且上述二導(dǎo)流口均與廢去多孔硅液池(31)相連，在所述純水清洗池(6 )底部設(shè)置排流管(30 )與廢純水池(32 )相連。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制絨電池片表面多孔硅高效自動(dòng)清除裝置，其特征在于:所述去多孔硅液工作池(4)與備液池(5)之間設(shè)置去多孔硅液過(guò)濾處理池(7)，所述去多孔硅液工作池(4)側(cè)面設(shè)置有去多孔硅池溢流口(25)，由去多孔硅液工作池(4)溢出的硅液通過(guò)溢流口流出，并經(jīng)過(guò)去多孔硅液過(guò)濾處理池(7)后流入備液池(5)回收利用。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制絨電池片表面多孔硅高效自動(dòng)清除裝置，其特征在于:在所述去多孔硅液工作池(4)與純水清洗池(6)之中設(shè)置機(jī)械手(20)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制絨電池片表面多孔硅高效自動(dòng)清除裝置，其特征在于:所述藥氣液配制自動(dòng)控制器(9)、純水加入自動(dòng)控制器(11)、堿液配制自動(dòng)控制器(14)、去多孔硅工作池液位自動(dòng)控制器(17)、去多孔硅工作池溶液濃度自動(dòng)控制器(18)以及去多孔硅工作池溶液流量自動(dòng)控制器(19)分別與操作臺(tái)(27)相連，由操作臺(tái)(27)進(jìn)行參數(shù)控制，并且在操作臺(tái)(27)上設(shè)置有工作參數(shù)顯示屏(26)和去多孔硅浸洗時(shí)間控制器(21)，分別用來(lái)顯示各個(gè)控制器的參數(shù)狀態(tài)和控制浸洗時(shí)間。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種制絨電池片表面多孔硅高效自動(dòng)清除裝置，其特征在于:所述多孔硅液過(guò)濾處理池(7)內(nèi)設(shè)多層過(guò)濾網(wǎng)及石英砂層。
【文檔編號(hào)】C30B33/10GK205723581SQ201620196736
【公開(kāi)日】2016年11月23日
【申請(qǐng)日】2016年3月15日
【發(fā)明人】趙楓, 趙雅, 趙衛(wèi)東, 朱廣和, 費(fèi)春燕, 趙霞, 王燕, 李向華
【申請(qǐng)人】江蘇東鋆光伏科技有限公司