專利名稱:一種非晶硅微晶硅復(fù)合型太陽能電池的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種非晶硅微晶硅復(fù)合型太陽能電池，涉及太陽能電池領(lǐng)域，包括由上而下層疊設(shè)置的透明導(dǎo)電玻璃基板、透明導(dǎo)電膜、非晶硅頂電池、微晶硅底電池和背板，所述非晶硅頂電池包括P型摻雜層一、非晶硅緩沖層、非晶硅本征層和N型摻雜層一，所述微晶硅底電池包括P型摻雜層二、微晶硅緩沖層、微晶硅本征層和N型摻雜層二，所述透明導(dǎo)電玻璃基板內(nèi)設(shè)有非晶硅納米線陣列，所述P型摻雜層一和P型摻雜層二均由有氫沉積層和無氫沉積層組成，所述背板包括背電極層和封裝層，該種非晶硅微晶硅復(fù)合型太陽能電池可以在調(diào)整原有生產(chǎn)工藝后，提高太陽能電池的穩(wěn)定性，提高了光電轉(zhuǎn)換效率且降低成本，值得推廣。
【專利說明】
一種非晶硅微晶硅復(fù)合型太陽能電池
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及太陽能電池領(lǐng)域，具體涉及一種非晶硅微晶硅復(fù)合型太陽能電池。【背景技術(shù)】
[0002]隨著能源短缺現(xiàn)象的日益嚴(yán)重，對(duì)新能源開發(fā)的需求也逐漸增加，太陽能作為清潔能源，在未來有著相對(duì)較大的應(yīng)用需求，目前市面上的非晶硅太陽能電池由于非晶硅材料的特有屬性，衰退效應(yīng)較強(qiáng)，因而限制其在太陽能電池中的應(yīng)用，市面上亟需一種新型的太陽能電池以代替?zhèn)鹘y(tǒng)太陽能電池，以期提高其電池穩(wěn)定性和光電轉(zhuǎn)化效率?！緦?shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種非晶硅微晶硅復(fù)合型太陽能電池，以解決現(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)致的上述多項(xiàng)缺陷。
[0004]—種非晶硅微晶硅復(fù)合型太陽能電池，包括由上而下層疊設(shè)置的透明導(dǎo)電玻璃基板、透明導(dǎo)電膜、非晶硅頂電池、微晶硅底電池和背板，所述非晶硅頂電池包括P型摻雜層一、非晶硅緩沖層、非晶硅本征層和N型摻雜層一，所述微晶硅底電池包括P型摻雜層二、微晶硅緩沖層、微晶硅本征層和N型摻雜層二，所述透明導(dǎo)電玻璃基板內(nèi)設(shè)有非晶硅納米線陣列，所述P型摻雜層一和P型摻雜層二均由有氫沉積層和無氫沉積層組成，所述背板包括背電極層和封裝層。
[0005]優(yōu)選的，所述透明導(dǎo)電玻璃基板具體為一種設(shè)有氧化錫前電極薄膜的氧化錫基板。
[0006]優(yōu)選的，所述背電極層包括氧化鋅層和金屬鋁層。
[0007]優(yōu)選的，所述P型摻雜層一為10-15nm，所述非晶娃緩沖層為5-10nm，所述非晶娃本征層為100_200nm，所述N型慘雜層一為20_40nm〇[00〇8] 優(yōu)選的，所述P型摻雜層二為5-10nm，所述非晶娃緩沖層為5-10nm，所述非晶娃本征層為80-150nm，所述N型摻雜層二為15_30nm 〇
[0009]本實(shí)用新型的有益效果:該種非晶硅微晶硅復(fù)合型太陽能電池，通過該種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，通過非晶硅和微晶硅材料和不同的光學(xué)效應(yīng)，進(jìn)行科學(xué)的組合，設(shè)置成由非晶硅材料組成的頂電池和微晶硅材料組成的底電池，充分發(fā)揮了兩種材料的作用，形成底電池電流限制，提高了太陽能電池的工作過程中的穩(wěn)定性，通過非晶硅納米線的陣列的聚光特性，提高了光線的入射效率，從而提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，而通過有氫沉積層和無氫沉積層的設(shè)置可以提高沉積效率，進(jìn)一步穩(wěn)定該太陽能電池，值得推廣，所述透明導(dǎo)電玻璃基板具體為一種設(shè)有氧化錫前電極薄膜的氧化錫基板，使用氧化錫基板可以充分發(fā)揮氧化錫材料的透明導(dǎo)線性，優(yōu)于普通的透明玻璃或者透明塑料，所述背電極層包括氧化鋅層和金屬鋁層，采用一般生產(chǎn)工藝中的背電極層組裝形式，縮減生產(chǎn)成本，加快生產(chǎn)效率，所述P型摻雜層一為15nm，所述非晶娃緩沖層為8nm，所述非晶娃本征層為150nm，所述N型摻雜層一為30nm，所述P型摻雜層二為10nm，所述非晶娃緩沖層為5nm，所述非晶娃本征層為lOOnm，所述 N型摻雜層二為20nm，通過合理的組合方式，可以生產(chǎn)出穩(wěn)定高效的太陽能電池?！靖綀D說明】

[0010]圖1為本實(shí)用新型所述的一種非晶硅微晶硅復(fù)合型太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2為本實(shí)用新型所述的一種非晶硅微晶硅復(fù)合型太陽能電池的截面剖視圖。
[0012]其中:1 一透明導(dǎo)電玻璃基板，2—透明導(dǎo)電膜，31 —P型摻雜層一，32—非晶硅緩沖層，33—非晶娃本征層，34—N型慘雜層一，41 一P型慘雜層二，41 一微晶娃緩沖層，43—微晶硅本征層，44 一 N型摻雜層二，51—氧化鋅層，52—金屬鋁層，6—封裝層，7—非晶硅納米線陣列，311 —有氫沉積層，312—無氫沉積層?！揪唧w實(shí)施方式】
[0013]為使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。
[0014]如圖1和圖2所示，一種非晶硅微晶硅復(fù)合型太陽能電池，包括由上而下層疊設(shè)置的透明導(dǎo)電玻璃基板1、透明導(dǎo)電膜2、非晶硅頂電池、微晶硅底電池和背板，所述非晶硅頂電池包括P型摻雜層一 31、非晶硅緩沖層32、非晶硅本征層33和N型摻雜層一 34,所述微晶硅底電池包括P型摻雜層二41、微晶硅緩沖層42、微晶硅本征層43和N型摻雜層二44,所述透明導(dǎo)電玻璃基板1內(nèi)設(shè)有非晶硅納米線陣列7,所述P型摻雜層一 31和P型摻雜層二41均由有氫沉積層311和無氫沉積層312組成，所述背板包括背電極層和封裝層6。該種非晶硅微晶硅復(fù)合型太陽能電池，通過該種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，通過非晶硅和微晶硅材料和不同的光學(xué)效應(yīng)，進(jìn)行科學(xué)的組合，設(shè)置成由非晶硅材料組成的頂電池和微晶硅材料組成的底電池，充分發(fā)揮了兩種材料的作用，形成底電池電流限制，提高了太陽能電池的工作過程中的穩(wěn)定性，通過非晶硅納米線陣列7的聚光特性，提高了光線的入射效率，從而提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，而通過有氫沉積層311和無氫沉積層312的設(shè)置可以提高沉積效率，進(jìn)一步穩(wěn)定該太陽能電池，值得推廣。
[0015]在本實(shí)施例中，所述透明導(dǎo)電玻璃基板1具體為一種設(shè)有氧化錫前電極薄膜的氧化錫基板，使用氧化錫基板可以充分發(fā)揮氧化錫材料的透明導(dǎo)線性，優(yōu)于普通的透明玻璃或者透明塑料，所述背電極層包括氧化鋅層5和金屬鋁層6,采用一般生產(chǎn)工藝中的背電極層組裝形式，縮減生產(chǎn)成本，加快生產(chǎn)效率，所述P型摻雜層一 31為15nm，所述非晶硅緩沖層 32為8nm，所述非晶娃本征層33為150nm，所述N型摻雜層一34為30nm，所述P型摻雜層二41為 10nm，所述非晶娃緩沖層42為5nm，所述非晶娃本征層43為100nm，所述N型摻雜層二44為 20nm，通過合理的組合方式，可以生產(chǎn)出穩(wěn)定高效的太陽能電池。
[0016]基于上述，本實(shí)用新型可以通過非晶硅和微晶硅材料和不同的光學(xué)效應(yīng)，設(shè)置成由非晶硅材料組成的頂電池和微晶硅材料組成的底電池，充分發(fā)揮了兩種材料的作用，提高了太陽能電池的工作過程中的穩(wěn)定性，通過非晶硅納米線的陣列的聚光特性，提高了光電轉(zhuǎn)換效率，值得推廣。[〇〇17]由技術(shù)常識(shí)可知，本實(shí)用新型可以通過其它的不脫離其精神實(shí)質(zhì)或必要特征的實(shí)施方案來實(shí)現(xiàn)。因此，上述公開的實(shí)施方案，就各方面而言，都只是舉例說明，并不是僅有的。所有在本實(shí)用新型范圍內(nèi)或在等同于本實(shí)用新型的范圍內(nèi)的改變均被本實(shí)用新型包含。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種非晶硅微晶硅復(fù)合型太陽能電池，其特征在于，包括由上而下層疊設(shè)置的透明 導(dǎo)電玻璃基板、透明導(dǎo)電膜、非晶硅頂電池、微晶硅底電池和背板，所述非晶硅頂電池包括P 型摻雜層一、非晶硅緩沖層、非晶硅本征層和N型摻雜層一，所述微晶硅底電池包括P型摻雜 層二、微晶硅緩沖層、微晶硅本征層和N型摻雜層二，所述透明導(dǎo)電玻璃基板內(nèi)設(shè)有非晶硅 納米線陣列，所述P型摻雜層一和P型摻雜層二均由有氫沉積層和無氫沉積層組成，所述背 板包括背電極層和封裝層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非晶硅微晶硅復(fù)合型太陽能電池，其特征在于:所述透明 導(dǎo)電玻璃基板具體為一種設(shè)有氧化錫前電極薄膜的氧化錫基板。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非晶硅微晶硅復(fù)合型太陽能電池，其特征在于:所述背電 極層包括氧化鋅層和金屬鋁層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非晶硅微晶硅復(fù)合型太陽能電池，其特征在于:所述P型 摻雜層一為l〇-15nm，所述非晶娃緩沖層為5-10nm，所述非晶娃本征層為100-200nm，所述N 型摻雜層一為20-40nm〇5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種非晶硅微晶硅復(fù)合型太陽能電池，其特征在于:所述P型 摻雜層二為5-10nm，所述非晶娃緩沖層為5-10nm，所述非晶娃本征層為80-150nm，所述N型 摻雜層二為15_30nm。
【文檔編號(hào)】H01L31/054GK205723579SQ201620366899
【公開日】2016年11月23日
【申請(qǐng)日】2016年4月27日
【發(fā)明人】魏國禎
【申請(qǐng)人】南安市高捷電子科技有限公司