專利名稱：芯片盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種芯片盤(chip tray)，且特別是有關(guān)一種具有相對的凹槽及平臺的芯片盤。
(2)背景技術(shù)在半導(dǎo)體制程上，主要可分成集成電路設(shè)計(integrated circuit design，IC design)、晶片制程(wafer fabrication)、晶片測試(testing)、晶片切割及芯片封裝(chip packaging)等步驟。在以集成電路設(shè)計為基準(zhǔn)下，硅晶片可以經(jīng)由一連串的晶片制程而形成一具有電氣特性的晶片。接著，將對晶片上的每個芯片(chip)進(jìn)行電性測試。例如，在檢測頭裝上金線所制成的細(xì)如毛發(fā)的探針(probe)，并與芯片上的接點(pad)接觸，以測試其電氣特性，不合格的芯片會被標(biāo)上記號。然后，晶片將被切割成單顆獨(dú)立的芯片，并將好的芯片置放于芯片盤(chip tray)中，以送給封裝廠進(jìn)行芯片封裝動作，即將切割出來的芯片包入封裝材質(zhì)之中。
請同時參照圖1A～1C，圖1A是傳統(tǒng)的芯片盤的俯視圖，圖1B是圖1A的芯片盤的仰視圖，圖1C是沿著圖1A的剖面線1C-1C’所視的芯片盤的剖面圖。在第1A～1C圖中，芯片盤10至少包括一本體部12及四個平臺18，本體部12具有相對的一本體部頂面12a及一本體部底面12b。本體部頂面12a具有數(shù)個整齊排列的置晶槽14，每一置晶槽14用以置放一芯片16。例如，圖1A的最左邊那一行的置晶槽14置放有數(shù)個芯片16。其中，置晶槽14的開口大小必須大于芯片16的底面積，這樣芯片16方可置放進(jìn)去。另外，這四個平臺18是配置于本體部底面12b的四個角落上，用以作為芯片盤10被一機(jī)臺吸真空而抓持時的吸住點。
芯片盤10通常以塑料射出成型的方式來完成。由于平臺18及本體部頂面12a之間的結(jié)構(gòu)厚度較厚，導(dǎo)致本體部12的平臺附近的部分結(jié)構(gòu)于芯片盤10被射出成型后將會產(chǎn)生不規(guī)則的變形現(xiàn)象，造成本體部正面12a及平臺18的表面的不平整。當(dāng)機(jī)臺吸真空以抓持不平整的平臺18時，芯片盤10將會呈現(xiàn)傾斜而不平整的狀態(tài)，導(dǎo)致芯片16在被抓出于芯片盤10外或被置放于芯片盤10上的過程中產(chǎn)生對位錯誤的現(xiàn)象，芯片16很容易被刮傷。另外，置晶槽14的深度一般都會大于芯片16的厚度，當(dāng)灰塵或異物掉落在置晶槽14中時，芯片16的頂面將會高過置晶槽14的開口，導(dǎo)致芯片16非常容易被刮傷。
(3)發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的目的就是提供一種芯片盤。其凹槽相對于平臺的設(shè)計，可以減少平臺及本體部頂面之間的結(jié)構(gòu)厚度，而避免本體部的平臺附近的部分結(jié)構(gòu)于芯片盤被射出成型后產(chǎn)生變形的現(xiàn)象，且防止平臺的表面產(chǎn)生不平整的現(xiàn)象。
為實現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明一方面的一種芯片盤，至少包括一本體部及一平臺。本體部具有相對的一本體部頂面及一本體部底面，本體部頂面具有一置晶槽及一凹槽，置晶槽用以置放一芯片。平臺是配置于本體部底面上，平臺是與凹槽相對。
為實現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明另一方面的一種芯片盤，至少包括一本體部及四平臺。本體部具有相對的一本體部頂面及一本體部底面，本體部頂面具有一置晶槽及一凹槽，置晶槽用以置放一芯片。本體部頂面的四角落是各具有一凹槽，四平臺是配置于本體部底面的四角落上，此四平臺是與此四凹槽相對。
為實現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明又一方面的一種芯片盤，至少包括一本體部及一平臺。本體部具有相對的一本體部頂面及一本體部底面，本體部頂面具有一置晶槽及一凹槽，置晶槽用以置放一芯片。凹槽是位于本體部頂面的中心處，平臺是配置于本體部底面的中心處，平臺是與凹槽相對。
為進(jìn)一步說明本發(fā)明的上述目的、結(jié)構(gòu)特點和效果，以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述。
(4)
圖1A是傳統(tǒng)的芯片盤的俯視圖。
圖1B是圖1A的芯片盤的仰視圖。
圖1C是沿著圖1A的剖面線1C-1C’所視的芯片盤的剖面圖。
圖2A是依照本發(fā)明的實施例一的芯片盤的俯視圖。
圖2B是圖2A的芯片盤的仰視圖。
圖2C是沿著圖2A的剖面線2C-2C’所視的芯片盤的剖面圖。
圖3是圖2C的置晶槽的槽底還具有一底部凹槽時的狀態(tài)的剖面圖。
圖4A是依照本發(fā)明的實施例二的芯片盤的俯視圖。
圖4B是圖4A的芯片盤的仰視圖。
圖4C是沿著圖4A的剖面線4C-4C’所視的芯片盤的剖面圖。
圖4D是沿著圖4A的剖面線4D-4D’所視的芯片盤的剖面圖。
(5)具體實施方式
實施例一請同時參照圖2A～2C，圖2A是依照本發(fā)明的實施例一的芯片盤(chiptray)的俯視圖，圖2B是圖2A的芯片盤的仰視圖，圖2C是沿著圖2A的剖面線2C-2C’所視的芯片盤的剖面圖。在圖2A～2C中，芯片盤210至少包括一本體部212及四個平臺218，本體部212具有相對的一本體部頂面212a及一本體部底面212b。本體部頂面212a具有數(shù)個置晶槽214，每一置晶槽214用以置放一芯片216，置晶槽214的開口大小是大于芯片216的底面積。例如，圖2A的最左邊那一行的置晶槽214置放有數(shù)個芯片216。其中，四平臺218是配置于本體部底面212b的四角落上，用以作為芯片盤210被一機(jī)臺吸真空而抓持時的吸住點。
本發(fā)明特別在本體部頂面212a的四角落各設(shè)計一凹槽220，且每一凹槽220與每一平臺218相對，可以減少平臺218及本體部頂面212a的間的結(jié)構(gòu)厚度，而避免本體部212的四個角落的結(jié)構(gòu)于芯片盤210被射出成型后產(chǎn)生變形的現(xiàn)象，以維持本體部頂面212a的平整度。并且，更可防止平臺218的表面產(chǎn)生不平整的現(xiàn)象。這樣，當(dāng)機(jī)臺吸真空且抓持平臺218時，芯片盤210將會維持其平整度，避免芯片216在被抓出于芯片盤210外或被置放于芯片盤210上的過程中產(chǎn)生對位誤差的情況，防止芯片216因?qū)ξ徊粶?zhǔn)產(chǎn)生被刮傷損壞的現(xiàn)象。
如圖3所示，本發(fā)明亦可在置晶槽214的槽底中設(shè)計一底部凹槽222，底部凹槽222的開口大小是小于芯片216的底面積，使得芯片216置放于置晶槽214中時封閉底部凹槽222的開口。本發(fā)明的底部凹槽222可以作為容納灰塵或異物用的緩沖空間，避免灰塵或異物將芯片216墊高，并降低芯片216被刮傷的機(jī)會。
實施例二請同時參照圖4A～4D，圖4A是依照本發(fā)明的實施例二的芯片盤的俯視圖，圖4B是圖4A的芯片盤的仰視圖，圖4C及圖4D分別是沿著圖4A的剖面線4C-4C’及4D-4D’所視的芯片盤的剖面圖。在圖4A～4D中，芯片盤410至少包括一本體部412及一平臺418，本體部412具有相對的一本體部頂面412a及一本體部底面412b。本體部頂面412a具有數(shù)個置晶槽414，每一置晶槽414用以置放一芯片416，置晶槽414的開口大小是大于芯片416的底面積。例如，圖4A的最左邊那一行的置晶槽414置放有數(shù)個芯片416。其中，平臺418是配置于本體部底面412b的中心處，用以作為芯片盤410被一機(jī)臺吸真空而抓持時的吸住點。
本發(fā)明特別在本體部頂面412a的中心處設(shè)計一凹槽422，且凹槽422與平臺418相對，可以減少平臺418及本體部頂面412a的間的結(jié)構(gòu)厚度，而避免本體部412的中心處的結(jié)構(gòu)于芯片盤410被射出成型后產(chǎn)生變形的現(xiàn)象，且防止平臺418的表面產(chǎn)生不平整的現(xiàn)象。此外，本發(fā)明還可在置晶槽414的槽底中設(shè)計一底部凹槽，以避免灰塵或異物將芯片416墊高，并降低芯片416被刮傷的機(jī)會。
本發(fā)明上述實施例所揭露的芯片盤，其凹槽相對于平臺的設(shè)計，可以減少平臺及本體部頂面的間的結(jié)構(gòu)厚度，而避免本體部的平臺附近的部分結(jié)構(gòu)于芯片盤被射出成型后產(chǎn)生變形的現(xiàn)象，且防止平臺的表面產(chǎn)生不平整的現(xiàn)象。此外應(yīng)注意的是，平臺雖可為機(jī)臺吸真空而抓持時的吸住點，但并不限定于此功能，其也可能為結(jié)構(gòu)或制程考慮，而機(jī)臺吸真空抓持的吸住點也不限定必須使用所有的平臺，其也可能僅使用一平臺作為抓持時的吸住點。
雖然本發(fā)明已參照當(dāng)前的具體實施例來描述，但是本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，以上的實施例僅是用來說明本發(fā)明，應(yīng)理解其中可作各種變化和修改而在廣義上沒有脫離本發(fā)明，所以并非作為對本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實質(zhì)精神范圍內(nèi)，對以上所述實施例的變化、變形都將落在本發(fā)明權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種芯片盤，至少包括一本體部，具有相對的一本體部頂面及一本體部底面，該本體部頂面具有一置晶槽及一凹槽，該置晶槽用以置放一芯片；以及一平臺，是配置于該本體部底面上，該平臺是與該凹槽相對。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片盤，其特征在于該平臺是配置于該本體部底面的一角落上，且該凹槽是配置于該本體部頂面的一角落上，該凹槽是與該平臺相對。
3.如權(quán)利要求1所述的芯片盤，其特征在于該平臺是配置于該本體部底面的中心處，且該凹槽是配置于該本體部頂面的中心處，該凹槽是與該平臺相對。
4.如權(quán)利要求1所述的芯片盤，其特征在于該置晶槽的開口大小是大于該芯片的底面積。
5.如權(quán)利要求4所述的芯片盤，其特征在于該置晶槽的槽底還具有一底部凹槽，該底部凹槽的開口大小是小于該芯片的底面積。
6.一種芯片盤，至少包括一本體部，具有相對的一本體部頂面及一本體部底面，該本體部頂面具有一置晶槽，該置晶槽用以置放一芯片，該本體部頂面的四角落各具有一凹槽；以及四平臺，是配置于該本體部底面的四角落上，該四平臺是與該四凹槽相對。
7.如權(quán)利要求6所述的芯片盤，其特征在于該置晶槽的開口大小是大于該芯片的底面積。
8.如權(quán)利要求7所述的芯片盤，其特征在于該置晶槽的槽底還具有一底部凹槽，該底部凹槽的開口大小是小于該芯片的底面積。
9.一種芯片盤，至少包括一本體部，具有相對的一本體部頂面及一本體部底面，該本體部頂面具有一置晶槽及一凹槽，該置晶槽用以置放一芯片，該凹槽是位于該本體部頂面的中心處；以及一平臺，是配置于該本體部底面的中心處，該平臺是與該凹槽相對。
10.如權(quán)利要求9所述的芯片盤，其特征在于該置晶槽的開口大小是大于該芯片的底面積。
11.如權(quán)利要求10所述的芯片盤，其特征在于該置晶槽的槽底還具有一底部凹槽，該底部凹槽的開口大小是小于該芯片的底面積。
全文摘要
一種芯片盤，至少包括一本體部及一平臺。本體部具有相對的一本體部頂面及一本體部底面，本體部頂面具有一置晶槽及一凹槽，置晶槽用以置放一芯片。平臺是配置于本體部底面上，平臺是與凹槽相對。其凹槽相對于平臺的設(shè)計，可以減少平臺及本體部頂面之間的結(jié)構(gòu)厚度，而避免本體部的平臺附近的部分結(jié)構(gòu)于芯片盤被射出成型后產(chǎn)生變形的現(xiàn)象，且防止平臺的表面產(chǎn)生不平整的現(xiàn)象。
文檔編號H01L21/68GK1610088SQ20031010290
公開日2005年4月27日 申請日期2003年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月22日
發(fā)明者鄭百盛 申請人:奇景光電股份有限公司