專利名稱：制造影像傳感器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造影像傳感器的方法。
背景技術(shù)：
圖10所示為現(xiàn)有影像傳感器的一制造流程，其制程主要是在一基板80上規(guī)劃出多個(gè)矩陣形式排列的封裝基板81，各封裝基板的每一側(cè)邊均開設(shè)一長條狀的分隔槽82，以形成各封裝基板81的區(qū)塊，此基板80包含有金屬層，并以光罩蝕刻方式(Etching)形成多條接線(Lead)83，各分隔槽82開設(shè)時(shí)即對(duì)應(yīng)各接線的位置分別設(shè)置一半圓孔821，如圖11所示，經(jīng)金屬鍍層后使封裝基板頂?shù)酌娴慕泳€電性連接。接著將一格柵狀的罩板9黏著于基板80上，該罩板9具有呈矩陣排列的多個(gè)窗口91，各窗口91分別對(duì)正于各封裝基板81的中央部分，使格柵狀的罩板91局部覆蓋各分隔槽82兩側(cè)的封裝基板81，而后進(jìn)行影像傳感器晶粒(Chip)7上片及打線；再以一玻璃板6封蓋罩板上方，沿各封裝基板81的分隔槽82邊緣切割形成單一的影像傳感器，而被切割后的格柵狀罩板便形成各影像傳感器的框壩92。
在前述的制造方法中，由于罩板9是被以黏膠黏著覆蓋于各分隔槽82兩側(cè)的封裝基板81上，而為提高罩板9與各封裝基板81黏著的可靠度，而經(jīng)常不當(dāng)?shù)倪^量使用黏膠，以致時(shí)有黏膠溢入半圓孔821中的情況發(fā)生。
此類影像傳感器表面黏著于電路板時(shí)，主要是靠焊錫在半圓孔821產(chǎn)生爬錫現(xiàn)象，如圖12所示，以保證焊接接合導(dǎo)電的可靠性，但是，前述溢入半圓孔的黏膠A會(huì)導(dǎo)致焊接時(shí)接合導(dǎo)電可靠性不佳的問題，使得影像傳感器焊接在電路板后成為不合格品。
而罩板與封裝基板的結(jié)合方式，除了前述的黏著結(jié)合的外，亦有部分業(yè)者采用以射出成型方式直接在基板上形成框壩的制法。此種制法為了要避免射料溢入在各預(yù)定的封裝基板81A側(cè)邊外緣，必須將封裝基板面積加大，如圖13所示，使外接線83A側(cè)邊外緣與框壩91A之間預(yù)留間距，但是加大封裝基板面積使得影像傳感器的封裝體積略大，因而仍有加以改進(jìn)的必要。
再者，各封裝基板81B會(huì)在各內(nèi)接腳831B所圍繞的區(qū)域中央設(shè)置鍍金的一個(gè)晶座(Die pad)84B供設(shè)置的影像傳感器晶粒進(jìn)行接地，如圖14所示，然而將該晶座84B鍍金的成本較高。因此有業(yè)者將整面式的晶座改進(jìn)成棋盤式的晶座84C，如圖15所示，以減少鍍金面積來降低成本。然而，棋盤式的晶座84C會(huì)產(chǎn)生空格841C，空格841C部分無法提供影像傳感器晶粒接地，換言之，棋盤式的晶座84C會(huì)限制接地位置，進(jìn)而影響影像傳感器晶粒內(nèi)部的電路布局，故而棋盤式的晶座設(shè)計(jì)仍有加以改進(jìn)的必要。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有影像傳感器的制造方法存在的上述缺點(diǎn)，本發(fā)明提供一種制造影像傳感器的方法，其是以多個(gè)未貫穿封裝基板的盲孔(或碗孔)來取代現(xiàn)有技術(shù)中的貫穿形半圓孔，以避免框壩成形的黏著黏膠溢膠或塑料射出時(shí)需預(yù)留間距，并使外接線側(cè)邊的盲孔可供爬錫，提升影像傳感器制造品質(zhì)及貼裝的可靠度，并由方框形的晶座設(shè)計(jì)可大幅減少鍍金的面積，以達(dá)到降低制造成本的功效。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種制造影像傳感器的方法，其特征在于，其步驟如下其是將一基板規(guī)劃成多個(gè)矩陣形式排列的封裝基板區(qū)域，該基板兩面分別定義為一頂面與一底面，以光罩蝕刻方式在基板的頂、底面的金屬層分別形成多條內(nèi)接線與外接線，各封裝基板對(duì)應(yīng)外接線部位分別鉆設(shè)一盲孔或碗孔，并以每一封裝基板側(cè)邊邊界為盲孔中心，各封裝基板的各內(nèi)接線與外接線分別借由一鉆設(shè)的貫通孔連通，各盲孔與各貫通孔中鍍?cè)O(shè)一金屬層，且每一外接線均通過貫通孔中的金屬層而與一內(nèi)接線成電性連通；借由前述步驟形成的基板，各封裝基板區(qū)域頂面形成框壩，再分別黏著影像傳感器晶粒后用一玻璃板封蓋，最后沿各封裝基板每一側(cè)邊邊界切割，以制造出影像傳感器。
前述的制造影像傳感器的方法，其中所述形成框壩是一具有多個(gè)窗口的格柵狀罩板黏著于基板上，使各封裝基板的內(nèi)接線暴露于罩板的窗口內(nèi)，以由該罩板在各封裝基板上形成一框壩。
前述的制造影像傳感器的方法，其中所述形成框壩是將蝕刻形成多條內(nèi)、外接線的基板置于模具中，而以射出成型方式直接在各封裝基板上形成框壩。
前述的制造影像傳感器的方法，其中所述各封裝基板上所鉆設(shè)的貫通孔的位置，是落在各內(nèi)接線與外接線范圍位于框壩下方。
前述的制造影像傳感器的方法，其中所述各封裝基板頂面在多條內(nèi)接線所圍繞的區(qū)域中央形成一晶座，該晶座是呈一方框形態(tài)，供影像傳感器晶粒四周任一方位接地。
本發(fā)明還可采用如下技術(shù)方案一種制造影像傳感器的方法，其特征在于，其是將一基板規(guī)劃成多個(gè)矩陣形式排列的封裝基板區(qū)域，該基板兩面分別定義為一頂面與一底面，以光罩蝕刻方式在基板的頂、底面的金屬層分別形成多條內(nèi)接線與外接線，各封裝基板對(duì)應(yīng)外接線部位分別鉆設(shè)一盲孔，并以每一封裝基板側(cè)邊邊界為盲孔中心，各封裝基板的各內(nèi)接線與外接線分別通過一鉆設(shè)的貫通孔連通，并在各盲孔與各貫通孔中鍍?cè)O(shè)一金屬層，每一外接線均通過貫通孔中的金屬層與一內(nèi)接線成電性連通；借由前述步驟形成的基板，先沿各封裝基板每一側(cè)邊邊界切割成單一封裝基板，再在各封裝基板頂面形成框壩，并分別黏著影像傳感器晶粒后用一玻璃板封蓋，以制造出影像傳感器。
前述的制造影像傳感器的方法，其中所述形成框壩是將一框壩黏著于基板上，該框壩具有一窗口，使各封裝基板的內(nèi)接線暴露于框壩的窗口內(nèi)。
前述的制造影像傳感器的方法，其中所述形成框壩是將蝕刻形成多條內(nèi)、外接線的封裝基板置于模具中，而以射出成型方式直接在各封裝基板上形成框壩。
前述的制造影像傳感器的方法，其中所述各封裝基板上所鉆設(shè)的貫通孔的位置，是落在各內(nèi)接線與外接線范圍位于框壩下方。
前述的制造影像傳感器的方法，其中所述各封裝基板頂面在多條內(nèi)接線所圍繞的區(qū)域中央形成一晶座，該晶座是呈一方框，供影像傳感器晶粒四周任一方位接地。
本發(fā)明可提升影像傳感器制造品質(zhì)及貼裝的可靠度，并由方框形的晶座設(shè)計(jì)可大幅減少鍍金的面積，以達(dá)到降低制造成本的功效。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。
圖1是本發(fā)明的制造流程圖。
圖2是本發(fā)明基板仰視圖，顯示外接線及盲孔。
圖3是本發(fā)明基板結(jié)合框壩后的俯視圖。
圖4是本發(fā)明基板完成封裝的結(jié)構(gòu)剖視圖。
圖5是本發(fā)明影像傳感器焊接于一電路板示意圖。
圖6是本發(fā)明第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖視圖。
圖7是本發(fā)明第三實(shí)施例的制造流程圖。
圖8是本發(fā)明第三實(shí)施例焊接于一電路板示意圖。
圖9是本發(fā)明第四實(shí)施例基板結(jié)合框壩后的俯視圖。
圖10是現(xiàn)有影像傳感器制造方法的流程圖。
圖11是現(xiàn)有基板底表面形成接線圖。
圖12是現(xiàn)有影像傳感器焊接于一電路板示意圖。
圖13是現(xiàn)有影像傳感器以射出成型框壩的結(jié)構(gòu)剖視圖。
圖14是現(xiàn)有影像傳感器基板上整面式晶座的平面示意圖。
圖15是現(xiàn)有影像傳感器基板上棋盤式晶座的平面示意圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖1至圖5，圖中所示為本發(fā)明所選用的實(shí)施例結(jié)構(gòu)。
請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)施例的制造影像傳感器的方法，其包括下列步驟一、基板制作是將一具有金屬層的基板10規(guī)劃成多個(gè)矩陣形式排列的封裝基板11區(qū)域，該基板10兩面分別定義為一頂面101與一底面102，并以光罩蝕刻方式使基板10的頂、底面101、102的金屬層分別形成多條內(nèi)接線15、外接線12與位于頂面101中央部分的晶座16，各封裝基板對(duì)應(yīng)外接線部位分別鉆設(shè)一盲孔(或碗孔)13，并以每一封裝基板側(cè)邊邊界為盲孔中心，各封裝基板的各內(nèi)接線與外接線間分別借由一鉆設(shè)的貫通孔14連通。在本實(shí)施例中，各封裝基板11上所鉆設(shè)的貫通孔14的位置，是位于各內(nèi)接線15與外接線12遠(yuǎn)離盲孔13的一段，并于各盲孔13與各貫通孔中鍍?cè)O(shè)一金屬層，且每一外接線12均通過貫通孔中的金屬層而與一內(nèi)接線15成電性連通。
二、形成框壩本實(shí)施例所采用的形成框壩的方式是以黏著方式為例說明。其將一格柵狀的罩板2黏著于基板10上，該罩板2具有矩陣排列的多個(gè)窗口21，各窗口21分別對(duì)正于各封裝基板11的中央部分，如圖3所示，使各內(nèi)接線15暴露于罩板2的窗口21內(nèi)，使該罩板在各封裝基板上形成一框壩20。
三、晶粒黏著將影像傳感器晶粒3黏著于各封裝基板上，使影像傳感器晶粒3四周任一方位的接地腳(圖中未示)與晶座16接地，并進(jìn)行打線連接至各內(nèi)接腳15。
四、封裝用一玻璃板4封蓋于罩板上，以將影像傳感器晶粒3封裝于基板與玻璃板4之間，如圖4所示。
五、切割將罩板2、玻璃板4及基板10沿各封裝基板邊界切割，以生產(chǎn)出單一的影像傳感器。
由于本發(fā)明在形成框壩的步驟時(shí)，基板10尚未被分割，且基板上各預(yù)定封裝基板11區(qū)域的邊界也沒有任何通空的孔洞，因此形成框壩步驟中所使用的黏膠不會(huì)有溢漏至基板10底面102的現(xiàn)象發(fā)生。
而各封裝基板內(nèi)、外接線15、12借助貫通孔14相導(dǎo)通，在切割步驟時(shí)，沿著各封裝基板11邊界切割，而將各盲孔13對(duì)切，使得鍍?cè)O(shè)于盲孔13金屬層成為外接線12的側(cè)邊，此一側(cè)邊可在影像傳感器焊接于電路板時(shí)確實(shí)供爬錫附著，如圖5所示，使得影像傳感器的各個(gè)外接線12均能確實(shí)與電路板有效接觸導(dǎo)通，如此一來，便可達(dá)到提高影像傳感器在表面黏著時(shí)的可靠度。
當(dāng)然，本發(fā)明仍存在許多例子，其間僅細(xì)節(jié)上的變化，例如形成框壩的方式除了前述的黏著方式外，亦可采用射出成型的方式，其是基板置于模具(圖中未標(biāo))中，而以射出成型方式直接在各封裝基板上形成框壩。而由于基板上各封裝基板的邊界沒有任何通空的孔洞，因此可將相鄰的封裝基板的框壩設(shè)計(jì)成相連的形態(tài)，再在切割步驟時(shí)切割分離。如此，便不需如現(xiàn)有技術(shù)一般，借由加大封裝基板面積，來保持外接線側(cè)邊外緣與框壩間的距離。因此，本發(fā)明的制造方法與現(xiàn)有的射出成型形成框壩的方式相比，更能提高產(chǎn)品品質(zhì)與縮減封裝體積。
當(dāng)然，本發(fā)明仍存在許多例子，其間僅細(xì)節(jié)上的變化。請(qǐng)參閱圖6，其是本發(fā)明的第二實(shí)施例的剖視結(jié)構(gòu)圖，其中各封裝基板11A上所鉆設(shè)的貫通孔14A的位置，是落在各內(nèi)接線15A與外接線12A范圍位于框壩20A下方，如此亦可達(dá)到與前述第一實(shí)施例相同的功效。
再請(qǐng)參閱圖7，其是本發(fā)明第二實(shí)施例的流程示意圖，其中，基板制作完成后先沿各封裝基板11B每一側(cè)邊邊界的盲孔(或碗孔)13B切割成單一封裝基板11B，再在各封裝基板11B頂面形成框壩20B，再分別黏著影像傳感器晶粒3B，最后用一玻璃板4B封蓋，以制造出影像傳感器。
以本實(shí)施例的方法制成的影像傳感器，即便因黏著框壩20B時(shí)使用黏膠不當(dāng)，而發(fā)生黏膠溢出至封裝基板11B側(cè)邊的現(xiàn)象，也會(huì)因?yàn)槊た?3B僅于封裝基板11B的底部內(nèi)凹，因此溢出的黏膠不會(huì)漫延至附著在盲孔13B表面的金屬，因此，影像傳感器焊接時(shí)，爬錫仍能與附著在盲孔13B表面的金屬焊固，如圖8所示，而能保持焊接的可靠度。
由前述各實(shí)施例的說明可知，本發(fā)明的各實(shí)施例以相同的基板制作方法，搭配不同的框壩形成方式或于不同的程序中進(jìn)行切割步驟，均可提高影像傳感器表面黏著時(shí)的可靠度。
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D9所示，其是本發(fā)明第三實(shí)施例的基板結(jié)合框壩后的俯視圖，在本實(shí)施例中，是在光罩蝕刻過程中，在封裝基板11C頂面多條內(nèi)接線15C所圍繞的區(qū)域中央形成一晶座16C，該晶座16C是呈一方框的形態(tài)。由于影像傳感器晶粒的接地腳都被設(shè)置于影像傳感器晶粒底面的外圍部分，因此，本發(fā)明將晶座16C設(shè)計(jì)成方框形態(tài)可方便地供影像傳感器晶粒四周任一方位接地，如此一來，便能在不影響影像傳感器晶粒內(nèi)部的電路布局的前題下，借由方框形的晶座16C設(shè)計(jì)來大幅減少鍍金的面積，以達(dá)到降低制造成本的功效。
權(quán)利要求
1.一種制造影像傳感器的方法，其特征在于，其步驟如下其是將一基板規(guī)劃成多個(gè)矩陣形式排列的封裝基板區(qū)域，該基板兩面分別定義為一頂面與一底面，以光罩蝕刻方式在基板的頂、底面的金屬層分別形成多條內(nèi)接線與外接線，各封裝基板對(duì)應(yīng)外接線部位分別鉆設(shè)一盲孔或碗孔，并以每一封裝基板側(cè)邊邊界為盲孔中心，各封裝基板的各內(nèi)接線與外接線分別借由一鉆設(shè)的貫通孔連通，各盲孔與各貫通孔中鍍?cè)O(shè)一金屬層，且每一外接線均通過貫通孔中的金屬層而與一內(nèi)接線成電性連通；借由前述步驟形成的基板，各封裝基板區(qū)域頂面形成框壩，再分別黏著影像傳感器晶粒后用一玻璃板封蓋，最后沿各封裝基板每一側(cè)邊邊界切割，以制造出影像傳感器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造影像傳感器的方法，其特征在于所述形成框壩是一具有多個(gè)窗口的格柵狀罩板黏著于基板上，使各封裝基板的內(nèi)接線暴露于罩板的窗口內(nèi)，以由該罩板在各封裝基板上形成一框壩。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造影像傳感器的方法，其特征在于所述形成框壩是將蝕刻形成多條內(nèi)、外接線的基板置于模具中，而以射出成型方式直接在各封裝基板上形成框壩。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造影像傳感器的方法，其特征在于所述各封裝基板上所鉆設(shè)的貫通孔的位置，是落在各內(nèi)接線與外接線范圍位于框壩下方。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造影像傳感器的方法，其特征在于所述各封裝基板頂面在多條內(nèi)接線所圍繞的區(qū)域中央形成一晶座，該晶座是呈一方框形態(tài)，供影像傳感器晶粒四周任一方位接地。
6.一種制造影像傳感器的方法，其特征在于，其是將一基板規(guī)劃成多個(gè)矩陣形式排列的封裝基板區(qū)域，該基板兩面分別定義為一頂面與一底面，以光罩蝕刻方式在基板的頂、底面的金屬層分別形成多條內(nèi)接線與外接線，各封裝基板對(duì)應(yīng)外接線部位分別鉆設(shè)一盲孔，并以每一封裝基板側(cè)邊邊界為盲孔中心，各封裝基板的各內(nèi)接線與外接線分別通過一鉆設(shè)的貫通孔連通，并在各盲孔與各貫通孔中鍍?cè)O(shè)一金屬層，每一外接線均通過貫通孔中的金屬層與一內(nèi)接線成電性連通；借由前述步驟形成的基板，先沿各封裝基板每一側(cè)邊邊界切割成單一封裝基板，再在各封裝基板頂面形成框壩，并分別黏著影像傳感器晶粒后用一玻璃板封蓋，以制造出影像傳感器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造影像傳感器的方法，其特征在于所述形成框壩是將一框壩黏著于基板上，該框壩具有一窗口，使各封裝基板的內(nèi)接線暴露于框壩的窗口內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造影像傳感器的方法，其特征在于所述形成框壩是將蝕刻形成多條內(nèi)、外接線的封裝基板置于模具中，而以射出成型方式直接在各封裝基板上形成框壩。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造影像傳感器的方法，其特征在于所述各封裝基板上所鉆設(shè)的貫通孔的位置，是落在各內(nèi)接線與外接線范圍位于框壩下方。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造影像傳感器的方法，其特征在于所述各封裝基板頂面在多條內(nèi)接線所圍繞的區(qū)域中央形成一晶座，該晶座是呈一方框，供影像傳感器晶粒四周任一方位接地。
全文摘要
一種制造影像傳感器的方法，其是將一基板規(guī)劃成多數(shù)矩陣形式排列的封裝基板，而基板的底面于各封裝基板的每一側(cè)邊邊界對(duì)應(yīng)接線的部位分別鉆設(shè)一盲孔或碗孔，且各封裝基板頂、底面的接線部位間分別鉆設(shè)一貫通孔，并于各盲孔與各貫通孔中鍍?cè)O(shè)一金屬層，而后進(jìn)行形成框壩、黏著影像傳感器晶粒、封蓋以及沿各封裝基板邊界位置切割等步驟，使盲孔被對(duì)切形成外接線的側(cè)邊以供爬錫有效附著。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1547247SQ20031010714
公開日2004年11月17日 申請(qǐng)日期2003年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月28日
發(fā)明者王鴻仁 申請(qǐng)人:王鴻仁