專利名稱：嵌位二極管結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種適用于半導(dǎo)體集成電路及分離元器件的嵌位二極管結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在EEPEOM或者Flash電路中，為了保證有效的檫寫次數(shù)與保存時(shí)間，需要對(duì)電壓泵的升壓值進(jìn)行精確控制?，F(xiàn)有技術(shù)中通常采用穩(wěn)壓電路來(lái)實(shí)現(xiàn)，這種做法的問(wèn)題是該控制電路的面積過(guò)大，特別是對(duì)于小容量的存儲(chǔ)器問(wèn)題尤為突出。另外，一般的二極管都存在較大的隨時(shí)間特性偏移問(wèn)題，即其嵌位電壓會(huì)隨使用時(shí)間偏移。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種嵌位二極管結(jié)構(gòu)，它可使電壓控制電路的面積大幅度縮小，減小二極管擊穿電壓(BV)的時(shí)間依存性，工藝上易于實(shí)現(xiàn)，成本低。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明嵌位二極管結(jié)構(gòu)是，在Pwell或Nwell上形成擴(kuò)散區(qū)，該擴(kuò)散區(qū)與隔離氧化區(qū)(Field)分離，并用定義的硅化物阻擋區(qū)(SB)將其從電路上完全隔離開(kāi)。
由于采用上述結(jié)構(gòu)，通過(guò)定義有源區(qū)的范圍和硅化物阻擋區(qū)，使二極管擴(kuò)散區(qū)與隔離氧化區(qū)分離，從而改善二極管的特性。解決了普通反向二極管作為器件使用時(shí)的時(shí)間劣化問(wèn)題。在普通邏輯工藝中，通過(guò)追加一次光刻(在有硅化物阻擋區(qū)的工藝中無(wú)需追加)的情況下即可實(shí)現(xiàn)用二極管取代穩(wěn)壓電路(BGR)，不僅能夠滿足對(duì)電壓泵的升壓值進(jìn)行精確控制，更重要的是大大減小了電路面積。


圖1是本發(fā)明在Pwell中形成嵌位二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明在Nwell中形成嵌位二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
如圖1所示，本發(fā)明在Pwell中形成的嵌位二極管結(jié)構(gòu)是，在Pwell中形成擴(kuò)散區(qū)N+，該擴(kuò)散區(qū)N+與隔離氧化區(qū)(Field)1分離，并利用硅化物阻擋區(qū)3(Silicide block)將其從電路上完全隔離開(kāi)。
如圖2所示，本發(fā)明在Nwell中形成的嵌位二極管結(jié)構(gòu)是，在Nwell中形成擴(kuò)散區(qū)P+，該擴(kuò)散區(qū)P+與隔離氧化區(qū)(Field)1分離，并利用硅化物阻擋區(qū)3(Silicide block)將其從電路上完全隔離開(kāi)。
在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)，普通二極管的反向擊穿電壓在加持續(xù)偏壓時(shí)，反向擊穿電壓值(BV)將會(huì)發(fā)生漂移。這一劣化現(xiàn)象主要發(fā)生在有源區(qū)與場(chǎng)區(qū)(Field)的接合部。解決這一問(wèn)題成為利用二極管對(duì)EEPEOM或者Flash電路電壓泵的升壓值進(jìn)行精確控制的關(guān)鍵。本發(fā)明通過(guò)定義有源區(qū)的范圍和硅化物阻擋區(qū)，使二極管擴(kuò)散區(qū)域與隔離氧化區(qū)分離，從而改善二極管的特性。
本發(fā)明具有以下顯著優(yōu)點(diǎn)1)使電壓控制部分電路面積顯著縮小，二極管設(shè)計(jì)面積通常為穩(wěn)壓電路面積的1/100以下。2)通過(guò)采用二極管擴(kuò)散區(qū)域與隔離氧化區(qū)的隔離，可以大大減小二極管BV的時(shí)間依存性，甚至可以忽略。3)在集成電路工藝中非常易于實(shí)現(xiàn)。
權(quán)利要求
1.一種嵌位二極管結(jié)構(gòu)，在Pwell或Nwell上形成擴(kuò)散區(qū)，其特征在于該擴(kuò)散區(qū)與隔離氧化區(qū)分離，并利用定義的硅化物阻擋區(qū)將其從電路上完全隔離開(kāi)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種嵌位二極管結(jié)構(gòu)，在Pwell或Nwell上形成擴(kuò)散區(qū)，該擴(kuò)散區(qū)與隔離氧化區(qū)分離，并用硅化物阻擋區(qū)將其從電路上完全隔離開(kāi)。本發(fā)明可使電壓控制電路的面積大幅度縮小，減小二極管擊穿電壓(BV)的時(shí)間依存性，工藝上易于實(shí)現(xiàn)，成本低。適用于半導(dǎo)體集成電路及分離元器件，在EEPEOM或者Flash電路中可以取代穩(wěn)壓電路(BGR)。
文檔編號(hào)H01L29/861GK1627540SQ200310109238
公開(kāi)日2005年6月15日 申請(qǐng)日期2003年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月10日
發(fā)明者徐向明, 李平梁 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司