專利名稱：一種防止旁瓣被刻蝕轉(zhuǎn)移到襯底的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種接觸孔處理工藝中防止旁瓣被刻蝕轉(zhuǎn)移到襯底的方法。
背景技術(shù)：
在先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝中，PSM(移相掩膜)的使用越來越廣泛。尤其在接觸孔光刻方面，Attenuated PSM-弱化移相掩膜(或稱HalfTone Mask，意為半調(diào)膜)已經(jīng)成為0.18um及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)中通用的解決方案。但由于Attenuated PSM在非接觸孔區(qū)域也有6％(或8％)的透光率，在正?？妆黄爻鰜淼耐瑫r(shí)，Side lobe(旁瓣，或稱Dimple，酒窩，指正常孔點(diǎn)陣對(duì)角線交叉處版圖上沒有但曝光后出現(xiàn)的小孔)也會(huì)出現(xiàn)，并且在刻蝕過程被轉(zhuǎn)移到襯底，導(dǎo)致不該開孔的地方孔被開出，制約了工藝窗口。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提出一種可防止光刻后出現(xiàn)的旁瓣被刻蝕轉(zhuǎn)移到襯底的方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是，在接觸孔光刻后、刻蝕前增加一步烘烤，充分利用光刻膠經(jīng)烘烤升溫后具有流動(dòng)的特性，通過選擇優(yōu)化的烘烤溫度及時(shí)間來控制光刻膠流動(dòng)的程度，達(dá)到填平旁瓣而不影響正常孔的目的。可有效控制旁瓣效應(yīng)，防止旁瓣孔因?yàn)楣饪棠z被刻透而轉(zhuǎn)移到襯底上。光刻膠烘烤溫度的范圍可控制在140℃~160℃，光刻膠烘烤時(shí)間的范圍可控制在20秒~120秒。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)剖面圖，其工藝流程為(a)第一步孔光刻，光刻后正?？着赃叧霈F(xiàn)旁瓣；(b)第二步孔刻蝕，刻蝕后旁瓣被轉(zhuǎn)移到襯底。
圖2為本發(fā)明技術(shù)剖面圖，其工藝流程為(a)第一步孔光刻，光刻后正?？着赃叧霈F(xiàn)旁瓣；(b)第二步烘烤，烘烤后光刻膠發(fā)生輕微流動(dòng)將旁瓣填平而對(duì)正常孔影響很小或沒有影響；(c)第三步孔刻蝕，由于旁瓣已被烘烤填平，不會(huì)被刻蝕轉(zhuǎn)移到襯底。
附圖標(biāo)號(hào)1為光刻膠、2為介質(zhì)、3為襯底。
具體實(shí)施例方式
參見圖2，在現(xiàn)有技術(shù)工藝流的孔光刻后增加一次烘烤，充分利用光刻膠升溫后流動(dòng)的特性，通過選擇優(yōu)化的烘烤溫度及時(shí)間來控制光刻膠流動(dòng)的程度，達(dá)到填平旁瓣而不影響正?？椎哪康?。為保證正?？仔蚊?，具體的烘烤溫度及時(shí)間取決于光刻膠的種類及厚度，以及旁瓣深度，也與刻蝕工藝有關(guān)。作為具體實(shí)施方案，可選用ESCAP光刻膠，烘烤溫度可控制在140-160℃，較好的溫度為150℃左右，烘烤時(shí)間可控制在20-120秒，較好的時(shí)間為40-80秒。
本發(fā)明充分利用了光刻膠升溫后流動(dòng)的特性，通過選擇優(yōu)化的烘烤溫度及時(shí)間來控制光刻膠流動(dòng)的程度，達(dá)到填平旁瓣而不影響正?？椎哪康?。
權(quán)利要求
1.一種防止旁瓣被刻蝕轉(zhuǎn)移到襯底的方法，其特征在于在接觸孔光刻后、刻蝕前增加一步烘烤，并通過調(diào)整光刻膠烘烤溫度和時(shí)間來控制光刻膠流動(dòng)的程度，以填平旁瓣而不影響正?？住?br> 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于上述光刻膠烘烤溫度的范圍在140℃~160℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于上述光刻膠烘烤時(shí)間的范圍在20秒~120秒。
全文摘要
在先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝中，移相掩膜的使用越來越廣泛。尤其在接觸孔光刻方面，弱化移相掩膜已經(jīng)成為0.18μm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)中通用的解決方案。但與弱化移相掩膜伴生的旁瓣往往在刻蝕過程中被轉(zhuǎn)移到襯底，導(dǎo)致不該開孔的地方孔被開出，制約了工藝窗口。本發(fā)明通過光刻膠回流防止旁瓣被刻蝕轉(zhuǎn)移到襯底。其方法是在接觸孔光刻后刻蝕前加一步烘烤，并控制合適的烘烤溫度和時(shí)間使得光刻膠發(fā)生流動(dòng)，從而將旁瓣填平，使旁瓣不因膠被刻透而轉(zhuǎn)移到襯底上。
文檔編號(hào)H01L21/027GK1547241SQ20031010945
公開日2004年11月17日 申請(qǐng)日期2003年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月16日
發(fā)明者肖慧敏 申請(qǐng)人:上海華虹(集團(tuán))有限公司, 上海集成電路研發(fā)中心有限公司