專利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種包括有機電致發(fā)光器件的顯示裝置及其制造方法，其中每個電致發(fā)光器件包括有機發(fā)光層。
背景技術：
利用有機材料電致發(fā)光(在下文稱之為EL)的有機電致發(fā)光器件包括由位于下部電極和上部電極之間的有機空穴輸送層和有機發(fā)光層的疊層組成的有機層，并且該有機電致發(fā)光器件作為在低電壓直流驅動時可以高輝度發(fā)光的發(fā)光器件已經被引起注意。
使用該有機EL器件的有源矩陣型顯示裝置(即，有機EL顯示器)包括在襯底上的每個像素處設置的薄膜晶體管。有機EL裝置被形成在層間絕緣膜上以便覆蓋薄膜晶體管。有機EL器件包括處于與薄膜晶體管相連接的狀態(tài)下的、基于每個像素構圖的下部電極，圍繞下部電極的中心部分同時露出作為像素開口的中心部分的絕緣膜，位于像素開口中的下部電極上并被絕緣膜隔開的有機層，以及用于覆蓋有機層的上部電極。在這些組成部分中，上部電極是例如被形成為覆蓋多個像素的固態(tài)印刷類膜，以及用作多個像素之間的上部公共電極。
在有源矩陣型顯示裝置中，為了保證有機EL器件的數(shù)值孔徑，將該顯示裝置構造為所謂頂部發(fā)光型結構是有效可行的，其中光是從與襯底相對側發(fā)出的。因而，為了確保透光性能，需要將上部電極變薄，這樣會升高電阻值，因而容易產生電壓降。
鑒于這個問題，已經提出一種結構，其中，在像素開口之間的絕緣膜上形成由高導電性金屬材料形成的輔助布線，并且上部電極與該輔助電極相連，因而阻止了上部電極中的電壓降。輔助布線可以被形成為構成覆蓋像素開口間部分的絕緣膜上的肋的部件的一部分，例如下面給出的專利文獻1中所示。在形成絕緣膜之后，在氣相淀積有機層的步驟中，其上安裝有氣相淀積掩模的部分就是該肋(參見專利文獻1)。而且，已經提出一種結構，其中輔助布線由與下部電極相同的層組成，并且有機層被單獨地形成在每個下部電極上(參見下面給出的專利文獻2)。
專利文獻1日本專利特開NO.2001-195008(第4頁和圖1)專利文獻2日本專利特開NO.2002-318556然而，專利文獻1示出的結構中，在具有輔助布線的顯示裝置中，形成了一個用于形成輔助布線的特殊層，導致該顯示裝置中層結構的復雜化。此外，需要形成輔助布線的額外步驟，這樣會導致制造顯示裝置的步驟數(shù)增加。
層結構的復雜化和制造步驟數(shù)的增加會導致產品價格和顯示器的制造成本增加，并且由于增加制造步驟數(shù)所帶來的麻煩而導致了產量的降低。
此外，專利文獻2所示的結構中，輔助布線由與下部電極相同的層組成，有機層獨立地形成在下部電極上，并且為了使得相鄰的有機層不相互重疊而必須擴大像素開口之間的間隔。這樣妨礙了像素集成度的提高和顯示性能精度的提高。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種顯示裝置及其制造方法，在該顯示裝置中，與有機EL器件的上部電極相連的輔助布線可以在不會使層結構復雜化和不增加步驟數(shù)的情況下形成，并且可以高清晰地顯示。
為了達到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個方案，提供一種顯示裝置，其中基于襯底上的每個像素對多個下部電極進行構圖，并且以與下部電極絕緣的方式配置輔助布線。下部電極和輔助電極由相同的層構成。此外，在襯底上形成絕緣膜，該絕緣膜具有露出下部電極中心部分的像素開口和到達輔助布線的連接孔。而且，以覆蓋像素開口底部并且具有在相鄰像素之間相互部分重疊的末端部分的方式對在下部電極上的有機層構圖，還提供用于覆蓋有機層的上部電極。上部電極通過在有機層之間的絕緣膜中形成的連接孔與輔助布線連接。
在具有上述結構的顯示裝置中，與上部電極相連接的輔助布線由與下部電極相同的層組成，而不是由附加層組成。因而，通過連接輔助布線可以降低上部電極的電阻，并且不會使顯示裝置的層結構復雜化。此外，在該結構中，有機層的末端部分在相鄰像素之間相互部分重疊，以保證在使其底部完全被圖案化的有機層覆蓋的像素開口的間距小型化時，上部電極可以和在有機層之間的輔助電極連接。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方案，提供一種制造顯示裝置的方法，它是一種制造具有上述結構的顯示裝置的方法，其特征在于以下工序。首先，對在襯底上形成的導電膜進行構圖，由此形成了與像素分別相對應的多個下部電極和與下部電極相絕緣的輔助布線。接下來，在襯底上形成具有用于露出下部電極中心部分的像素開口和到達輔助布線的連接孔的絕緣膜。然后，以覆蓋像素開口底部并且具有在相鄰像素之間相互部分重疊的末端部分的方式構圖地形成有機層。接下來，形成覆蓋有機層并通過有機層之間的連接孔連接到輔助布線的上部電極。
在上述制造方法中，輔助布線是在用于構圖地形成下部電極的同一步驟中形成的，到達輔助布線的連接孔與用于露出下部電極中心部分的像素開口同時形成，并且上部電極被形成為通過連接孔與輔助布線連接。因而，得到一種顯示裝置，其中在不增加步驟數(shù)的情況下將上部電極連接到輔助布線上。此外，有機層被構圖形成為處于覆蓋像素開口底部并具有在相鄰像素之間相互部分重疊的末端部分的狀態(tài)，從而，可以使其底部完全被圖案化有機層覆蓋的像素開口的間距最小化。除此之外，由于上部電極與有機層的未重疊部分間的輔助布線相連接，因而就不必要為了該連接而蝕刻有機層。
根據(jù)本發(fā)明中的顯示裝置及其制備方法，連接上部電極的輔助布線是由在用于形成下部電極的同一步驟中形成的同一層組成的。因而，可以在不使層結構和制造顯示裝置步驟復雜的情況下，獲得通過與輔助布線連接使上部電極的電阻降低的、具有小像素間距的顯示裝置。結果是，可以以低成本和高產量獲得具有高清晰度顯示的顯示裝置，其中通過阻止上部電極的電壓降而保持良好的顯示性能。


通過下面的說明和所附權利要求并結合附圖，使本發(fā)明的上述以及其它的目的、特征和優(yōu)點變得清楚，在附圖中圖1為用于說明根據(jù)本發(fā)明第一實施例的顯示裝置的基本部分的截面圖；圖2A-2C為用于說明根據(jù)第一實施例制造顯示裝置的方法的截面工序圖(NO.1)；
圖3A-3C為用于說明根據(jù)第一實施例制造顯示裝置的方法的截面工序圖(NO.2)；圖4A-4C為用于說明根據(jù)本發(fā)明第二實施例的顯示裝置的圖；圖5為用于說明根據(jù)第二實施例的顯示裝置的其它構造的平面圖；以及圖6A-6C是用于表示根據(jù)第二實施例制造顯示裝置的方法的截面工序圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在，下面參考附圖對根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置和及其制造方法進行詳細地說明。
<顯示裝置1>
圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的顯示裝置的基本部分的截面圖，顯示了顯示裝置中顯示區(qū)的大體構造。圖中示出的顯示裝置1是有源矩陣型顯示裝置，其中將有機EL器件安排成發(fā)光器件。
顯示裝置1包括在襯底3上的每個像素處的薄膜晶體管(此后稱之為TFT)4。在其上形成有TFT4的襯底3上，形成與TFT4的源極/漏極相連的布線5，以及以覆蓋布線5的方式形成平坦化絕緣膜7。TFT4并不局限于所示的底部柵極型，也可以是頂部柵極型，并且它的柵電極與掃描電路相連接。
在平坦化絕緣膜7上的每個像素開口A的部分處，形成由下部電極9、有機層11和上部電極13的疊層組成的有機EL器件15。具體地，在本實施例中的顯示裝置1中，在形成有機EL器件15處的像素開口A之間形成輔助布線9a，該輔助布線9a由與下部電極9相同的層組成。像素開口A是在覆蓋下部電極9的絕緣膜17中形成的開口部分。
這里，對構成有機EL器件15的下部電極9進行構圖，使其處于通過在平坦化絕緣膜7中形成的以及大于像素開口A的連接孔7a與鋁布線5連接的狀態(tài)中。
將由與下部電極9相同的層構成的輔助布線9a以網(wǎng)狀形式連續(xù)地安置在例如以矩陣形式設置在襯底3上的像素開口A之間，而且對其構圖，使其處于與下部電極9絕緣的狀態(tài)。
用絕緣膜17將下部電極9和輔助布線9a的外圍覆蓋，以露出下部電極9的中心部分，并且用于露出下部電極9的中心部分的絕緣膜17的開口部分是像素開口A。絕緣膜17具有像素開口A和到達輔助布線9a的連接孔17a。連接孔17a被設置在所需要的位置上，并且不必要與每個像素開口A對應形成。
有機層11是基于每個像素開口A而構圖形成的，以便覆蓋由絕緣膜17限定的像素開口A中露出的下部電極的上側。
上部電極13被設置為處于完全覆蓋有機層11的上側和通過在絕緣膜17中形成的連接孔17a與輔助布線9a連接的狀態(tài)。上部電極13可以作為固態(tài)印刷類膜而設置在襯底3的上方，或者以由多個像素共享的方式基于多個部分被構圖形成。
同時，顯示裝置1包括在襯底上基于每個像素形成的TFT4。因而，從與襯底3一側相對的上部電極13一側發(fā)光的預部發(fā)光型對于確保有機EL器件的數(shù)值孔徑是有益的。在這種情況，襯底3并不局限于由透明材料構成。
當顯示裝置1是頂部發(fā)光型時，優(yōu)選形成高度反光金屬材料如鋁(Al)、銀(Ag)、銀(Ag)基合金和鉻(Cr)的下部電極9，從而將發(fā)射的光反射到上部電極13一側。特別地，優(yōu)選使用銀(Ag)或銀合金，因為可以反射更多的發(fā)射光。
在這種情況下，為了使下部電極9的表面平坦化，也可以采用雙層結構，其中在金屬材料層上設置具有良好表面平整性和透光性的導電性氧化物材料層。導電性氧化物材料層也作為防止高度反光金屬材料層尤其是銀(Ag)的氧化的阻擋層。
此外，還可以采用三層結構，其中在金屬材料層下面提供作為基底的導電性氧化物材料層，該層作為用于平坦化絕緣膜7的緊密接觸層(closecontact layer)，由此在導電性氧化物材料層間夾著金屬材料層。
下部電極9可以用作陽極或陰極，因此根據(jù)下部電極9是作為陽極還是作為陰極來選擇具有適當功函數(shù)的材料。例如，當下部電極9作為陽極使用的時候，具有大功函數(shù)的材料被用作與有機層11相接觸的最上層的空穴注入層。因而，當下部電極9具有兩層結構或三層結構時，具有大功函數(shù)和良好透光性的銦氧化物如ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)和IZO(Indiumzinc Oxide，氧化銦鋅)用作構成最上層的導電性氧化物材料層。此外，ITO或IZO也用作作為金屬材料層和平坦化絕緣膜7之間的緊密接觸層的導電性氧化物材料層。
從前面的說明看出，用作陽極的下部電極9以及輔助布線9a的結構的例子包括三層結構，其中由銀(Ag)形成的金屬材料層夾在由ITO形成的導電性氧化物材料層之間。
此外，有機層11具有一個包括至少一個發(fā)光層的疊層結構，該疊層結構例如是通過從陽極一側開始按順序連續(xù)層疊空穴注入層、發(fā)光層、電子輸送層和電子注入層等形成的。
此外，當顯示裝置1是頂部發(fā)光型時，上部電極13是由透光性材料形成的，并且為了獲得好的光導出效率，上部電極13優(yōu)選形成足夠小的膜厚。當下部電極9是陽極時，上部電極13就用作陰極。因而，當上部電極13是具有包括兩層或更多層的多層結構時，與有機層11相接觸的最下層13a由具有小的功函數(shù)的材料形成，例如，鎂-銀(Mg∶Ag)合金。此外，上層13b利用具有優(yōu)異透光性能的導電材料如IZO和ITO而形成。
與上述相反，當顯示裝置1是從襯底3一側導出發(fā)射光的透光型時，襯底3和下部電極9由透光性材料形成。另一方面，上部電極13由高度反光性材料形成。
在具有上述結構的顯示裝置1中，與上部電極13相連接的輔助布線9a由與下部電極9相同的層構成，而不是由附加層構成。這樣就可以通過連接輔助布線9a而電氣上降低上部電極13的電阻，并且不會使顯示裝置1的層結構復雜化。因而，即使因為顯示裝置1是從上部電極13一側導出發(fā)射光的頂部發(fā)光型而要求上部電極13透光和減少上部電極13的膜厚，也可以降低上部電極13的電阻，而不會使層結構復雜，并且因而阻止了上部電極13的電壓降。因此，可以維持顯示裝置高水平的顯示性能。
<制造方法1>
下面，在圖2A-2C和圖3A-3C示出的工序圖的基礎上，沿著制造順序對具有上述結構的顯示裝置的制造方法的一個例子和顯示裝置詳細結構的一個特定例子進行說明。
首先，如圖2A所示，在襯底3例如玻璃襯底上形成TFT4和與TFT4的源/漏區(qū)連接的布線5。
其后，如圖2B所示，在襯底3上形成平坦化絕緣膜7，以整平由于形成TFT4和布線5而在襯底3的表面?zhèn)壬袭a生的凹凸部分。在這種情況下，例如，采用旋涂法將正型感光性聚酰亞胺涂覆到襯底3上，然后使用曝光設備進行圖形曝光，用光僅照射布線5的上部，然后通過葉片型顯影設備進行顯影。接下來，在干凈的烘焙爐中進行真實烘焙，以使聚酰亞胺亞胺化(imidizing)(環(huán)化)。這樣就形成了具有到達布線5的連接孔7a的平坦化絕緣膜7。當形成布線5時所產生的粗糙度(凹出和凸陷)例如大約為1.0μm時，平坦化絕緣膜7形成的膜厚大約為2.0μm。
接下來，如圖2C所示，在平坦化絕緣膜7上形成下部電極9和輔助布線9a，這里，例如，下部電極9作為陽極而形成。在這種情況下，首先，采用直流濺射法，在平坦化絕緣膜7上形成膜厚為約20nm的導電性氧化物材料(例如，ITO)膜，用于構成緊密接觸層。接下來，采用DC濺射法，形成膜厚度大約為100nm的金屬材料(例如，Ag)膜。然后，采用DC濺射法，在金屬材料層上形成膜厚度大約為10nm的導電性氧化物材料(例如，ITO)膜，用于構成阻擋層、空穴注入層和平坦化層。
順便說一下，作為緊密接觸層形成的導電性氧化物材料層僅需要具有能夠緊密接觸的膜厚即可，并且當導電性氧化物材料是ITO時，薄膜的厚度為5-100nm。而且，金屬材料層僅需要是可加工的和不會透光的，并且當金屬材料是銀時，形成的厚度為50-500nm。此外，用于構成阻擋層、空穴注入層和平坦化層的導電性氧化物材料層被形成為3-50nm的膜厚度，這與工藝限制相對應。
接下來，通過使用由常用的光刻技術形成的抗蝕劑圖形作為掩模而進行蝕刻，由此對金屬材料層和導電性氧化物材料層進行構圖。借此將通過連接孔7a與布線5連接的下部電極9設置成與每個像素部分相對應的矩陣形式，并且在下部電極9之間形成輔助電極9a。
順便說一下，在形成的下部電極9和輔助布線9a具有兩層結構的情況下，通過DC濺射法形成膜厚度大約為150nm的金屬材料層(例如，Ag)，然后形成膜厚度為大約10nm的ITO層，并且對這些層進行構圖。
此后，如圖3A所示，形成具有像素開口A和連接孔17a的絕緣膜17。在這里，首先，例如通過CVD法形成膜厚度約為1.0μm的二氧化硅(SiO2)膜。然后，通過使用由常用的光刻技術形成的抗蝕劑圖形作為掩模而進行蝕刻，由此，對二氧化硅膜進行構圖。在這個例子中，在如下條件下進行蝕刻，即被蝕刻的側壁為錐形。結果是，得到具有用于露出下部電極9中心部分的像素開口A和到達輔助電極9a的連接孔17a的、由二氧化硅膜組成的絕緣膜17。順便說一下，絕緣膜17并不局限于二氧化硅膜。
接下來，如圖3B所示，構圖地形成有機層11，使其具有覆蓋在像素開口A的底部處露出的下部電極9的形狀。在這里，利用設置在絕緣膜17的上方且與絕緣膜17相對的氣相淀積掩模31，采用低分子量有機材料，通過氣相淀積進行膜成形。氣相淀積掩模31具有與形成有有機層11的區(qū)域相對應的開口部分31a。此外，為了將有機層11形成為確保覆蓋住在像素開口A內部露出的下部電極9，將氣相淀積掩模31設計成開口部分31a在像素開口A周圍的絕緣膜17的側壁上重疊以及下部電極9的露出部分被完全露出，如從氣相淀積掩模31一側的平面圖所看到的。
通過利用氣相淀積掩模31的氣相淀積進行成膜工藝，形成有機層11，其包括從下部電極9一側按順序形成的例如由4，4`，4″-三(3-甲基苯基苯胺)-三苯胺(MTDATA)形成的空穴注入層、由二(N-萘基)-N-苯基聯(lián)苯胺(α-NPD)形成的空穴輸送層以及由8-醌鋁絡合物(Alq3)形成的發(fā)光層。
這種情況下，將構成有機層11的重0.2g的各種材料放入用于電阻加熱的舟中，并且將舟固定在真空氣相淀積裝置中的預定電極上。當氣相淀積室內抽真空達到約0.1×10-4Pa時，對舟依次施加電壓，因此多種有機材料依次地氣相淀積以形成膜。作為空穴注入層的MTDATA的膜厚大約為30nm，作為空穴輸送層的α-NPD的膜厚大約為20nm，以及作為發(fā)光層的Alq3的膜厚大約為30nm。
順便說一下，在由氣相淀積成膜的情況下，通過將氣相淀積掩模31安裝在絕緣膜17上，可以維持氣相淀積掩模31和襯底3之間的預定間隔。
然后，如圖3C所示，形成上部電極13，其覆蓋有機層11和絕緣膜17的上側，以及通過在絕緣膜17中形成的連接孔17a與輔助布線9a相連接。這里，首先，通過共氣相淀積(co-vapor deposition)，在襯底3的整個表面上形成用于構成陰極的Mg-Ag膜，作為上部電極13的下層13a。
這種情況下，將0.1g Mg和0.4gAg放入舟中，并將舟固定到真空氣相淀積裝置中的預定電極上。接下來，在氣相淀積室抽真空達到約0.1×10-4Pa之后，對每個舟施加電壓，從而Mg和Ag共同氣相淀積在襯底3上。例如，Mg和Ag的成膜速度之間的比率設定為約9∶1，形成膜厚約為10nm的膜。
順便說一下，通過氣相淀積成膜工藝來形成有機層11和上部電極13的下層13a，因此，在同一氣相淀積室中連續(xù)進行這些成膜過程。然而應當注意的是，當有機層11的氣相淀積成膜完成之后，在進行上部電極13的下層13a的氣相淀積成膜時，將氣相淀積掩模(31)從襯底3的上側除去。
然后，如圖1所示，在上部電極13的下層13a上形成上部電極13的最上層13b。最上層13b是由透明導電膜組成，并且由DC濺射法形成。這里，舉一個例子，作為最上層13b，在室溫下形成的膜厚度為約200nm時，In-Zn-O基透明導電膜顯示出良好的導電性。
通過上述工藝，得到具有參考圖1的上述結構的顯示裝置1。
根據(jù)上述制備方法，如參照圖2C的說明，輔助布線9a是在形成下部電極9的同一步驟中形成的。此外，如有關圖3A的說明，到達輔助布線9a的連接孔17a是在形成絕緣膜17中的像素開口A的同一步驟中形成的。然后，如有關圖3C和圖1的說明，上部電極13被形成為覆蓋有機層11并通過連接孔17a與輔助布線9a相連。因此，可以獲得輔助布線9a與上部電極13相連接的顯示裝置，即有關圖1所描述的顯示裝置1，而不會增加步驟。
通過前面的說明，可以降低包括與上部電極13連接的輔助布線9a的顯示裝置的制造成本，并且通過減少制造步驟數(shù)量而取得較高的產量。
<顯示裝置2>
圖4A是根據(jù)第二實施例的顯示裝置中的顯示區(qū)域的概括平面視圖；圖4B是沿圖4A中X-X`線截取的截面圖；以及圖4C是沿圖4A中Y-Y`線的截面圖。在這些圖中顯示的根據(jù)第二實施例的顯示裝置1`與根據(jù)第一實施例中參考圖1所說明的顯示裝置的區(qū)別在于覆蓋像素開口A底部的有機層11被構圖形成為具有在相鄰像素之間相互部分重疊的末端部分。其它方面與第一實施例相同，在此省略其說明。
例如，有機層11是用于發(fā)出藍光的有機層11B、發(fā)出綠光的有機層11G和用于發(fā)出紅光的有機層11R，它們以覆蓋像素開口A的方式依次排列。這些有機層11B、11G和11R被設置成它們的末端部分在水平方向(X-X`方向)上設置的像素開口A之間相互重疊。另一方面，在垂直方向(Y-Y`方向)上設置的像素開口A之間，有機層11B、11G和11R并不相互重疊，并且在有機層11B、11G和11R之間形成間隔。
這里，例如，沿著以網(wǎng)狀形式連續(xù)放置在像素開口A之間和設置在水平方向(X-X`方向)上的像素開口A之間的輔助布線9a，形成在絕緣膜17中以便到達輔助布線9a的連接孔17a被形成為凹槽形狀，輔助布線9的上側被有機層11B、11G和11R覆蓋。另一方面，在垂直方向(Y-Y`方向)上設置的像素開口A之間，在覆蓋下部電極9的絕緣膜17中形成的連接孔17a的部分從有機層11B、11G和11R中暴露出來。因此，在垂直方向(Y-Y`方向)上設置的像素開口A之間的連接孔17a部分處，上部電極13(在平面視圖中省略)和輔助布線9a相互連接。
具有上述結構的顯示裝置1`具有與參考圖1所說明的根據(jù)第一實施例的顯示裝置1相同的效果，并且還可以使其底部完全被有機層11B、11G和11R覆蓋的像素開口A的間距小型化，這歸因于有機層11B、11G和11R的末端部分在相鄰的像素開口A之間相互部分重疊的這種結構。而且，由于11B、11G和11R僅部分地重疊，所以在有機層11B、11G和11R沒有相互重疊的部分之間，上部電極13可以與輔助布線9a相連接。因而，可以得到上部電極的電阻被電學上降低以及像素間距小的顯示器。因此，阻止了上部電極的電壓降，從而可以維持良好的顯示性能，并且可以獲得高清晰的顯示。
在前述中，已經描述了將有機層11B、11G和11R設置成其末端僅在水平方向(X-X`方向)上設置的像素開口A之間相互重疊的這種構造。然而，如圖5的平面視圖所示，有機層11B、11G和11R可以在水平方向(X-X`方向)和垂直方向(Y-Y`方向)上設置的像素開口A之間相互重疊，因為在部分相鄰設置的有機層11B、11G和11R之間存在間隔P。在這種情況，在間隔P中實現(xiàn)上部電極(在圖中省略)和輔助布線9a之間的連接。
<制造方法2>
接下來，將在圖6A-6C所示的制造工序圖的基礎上，對制造具有上述結構的顯示器的方法進行說明。
首先，如圖6A所示，執(zhí)行在根據(jù)第一實施例的制造方法中的步驟，直到參考圖3所描述的步驟，借此在其上設有下部電極9和輔助布線9a的平坦化絕緣膜7上形成具有像素開口A和連接孔17a的絕緣膜17。在這種情況下，在氮氣(N2)氣氛下進行烘焙，然后對襯底進行氧氣(O2)等離子體預處理。
此后，在維持真空的同時將工件送入藍色有機層的氣相淀積室。在該氣相淀積室中，對準用于藍色的氣相淀積掩模61B，并且順序地氣相淀積用于形成空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層和電子輸送層的材料，因此形成發(fā)藍光的有機層11B。此時，有機層的總膜厚是例如70nm。
下一步，在維持真空的同時將工件送入綠色有機層的氣相淀積室。在該氣相淀積室中，如圖6B所示，對準用于綠色的氣相淀積掩模61G，并且順序地氣相淀積用于形成空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層和電子輸送層的材料，因此形成發(fā)綠光的有機層11G。此時，有機層的總膜厚是例如110nm。
接下來，在維持真空的同時將工件送入紅色有機層的氣相淀積室。在該氣相淀積室中，如圖6C所示，對準用于紅色的氣相淀積掩模61R，并且順序地氣相淀積用于形成空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層和電子輸送層的材料，因此形成發(fā)紅光的有機層11R。此時，有機層的總膜厚是例如150nm。
在每個有機層11B、11G和11R的圖案形成過程中，采用氣相淀積法使用低分子量有機材料來執(zhí)行成膜工藝。進行氣相淀積致使有機層11B、11G和11R在像素開口A之間相互部分重疊，以及在像素開口A之間的部分區(qū)域中，在有機層11B、11G和11R形成一個間隔。
此后，采用與第一實施例中參考圖3C和圖1所描述的相同方式形成上部電極13。
根據(jù)上述的制備方法，與根據(jù)第一實施例的制備方法一樣，采用與形成下部電極9相同的步驟形成輔助布線9a。因此，與根據(jù)第一實施例的制備方法一樣，可以減少顯示器的制造成本，并且通過減少制造步驟數(shù)量而獲得高產量。除此之外，在有機層11B、11G和11R的圖案形成過程中，進行氣相淀積致使有機層11B、11G和11R在像素開口A之間相互重疊，以及在像素開口A之間的部分區(qū)域處的有機層11B、11G和11R之間形成間隔，并且，從而得到具有參考圖4A-4C和圖5所描述的結構的顯示裝置1`。
本發(fā)明并不局限于上述的實施例的情況。本發(fā)明的范圍是由所附權利要求所限定，并且所有落入權利要求等同范圍內的變動和改進也是本發(fā)明所包含的范圍。
權利要求
1.一種顯示裝置，包括基于每個像素在襯底上被構圖的多個下部電極；由與所述下部電極相同的層構成并以與所述下部電極相絕緣的方式設置的輔助布線；形成在所述襯底上的絕緣膜，所述絕緣膜具有用于露出所述下部電極中心部分的像素開口以及達到所述輔助布線的連接孔；被構圖成處于覆蓋所述像素開口的底部的狀態(tài)的有機層；以及覆蓋所述有機層并通過所述連接孔與所述輔助布線連接的上部電極。
2.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其中所述襯底包括覆蓋具有用于驅動所述像素的薄膜晶體管的薄膜晶體管襯底的層間絕緣膜，并且每個所述下部電極通過在所述層間絕緣膜中形成的連接孔與每個所述薄膜晶體管連接。
3.根據(jù)權利要求2所述的顯示裝置，其中所述有機層被構圖成處于覆蓋所述像素開口的所述底部并具有在相鄰像素之間相互部分重疊的末端部分的狀態(tài)下，并且所述上部電極覆蓋所述有機層并且通過所述有機層之間的所述連接孔與所述輔助布線連接。
4.根據(jù)權利要求3所述的顯示裝置，其中所述下部電極具有三層結構。
5.根據(jù)權利要求4所述的顯示裝置，其中每個所述下部電極包括夾在導電性氧化物材料層之間的反射性金屬材料層。
6.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其中所述上部電極是透光性的。
7.根據(jù)權利要求4所述的顯示裝置，其中所述下部電極由反光性材料形成。
8.一種制造顯示裝置的方法，包括如下步驟對在襯底上形成的導電膜進行構圖，由此形成分別與像素相對應的多個下電極和與所述下部電極絕緣的輔助布線，在所述襯底上形成具有用于露出所述下部電極中心部分的像素開口和達到所述輔助布線的連接孔的絕緣膜，構圖地形成覆蓋所述像素開口的底部并具有在相鄰像素之間相互部分重疊的末端部分的有機層，并且形成覆蓋所述有機層并通過所述有機層之間的所述連接孔與所述輔助布線連接的上部電極。
9.根據(jù)權利要求8所述的制造顯示裝置的方法，其中在構圖地形成所述有機層的步驟中，以覆蓋所述像素開口的所述底部并具有在相鄰像素之間相互部分重疊的所述末端部分的方式對所述有機層進行構圖，并且在形成所述上部電極的步驟中，所述上部電極被形成以便覆蓋所述有機層并通過所述有機層之間的所述連接孔與所述輔助布線連接。
10.根據(jù)權利要求9所述的制造顯示裝置的方法，其中在構圖地形成所述有機層的步驟中，使用掩模進行氣相淀積。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種顯示裝置及其制造方法，該裝置包括根據(jù)每個像素在襯底上構圖的多個下部電極，由與下部電極相同的層構成并以與下部電極相絕緣的方式設置的輔助布線，形成在襯底上的、具有用于露出下部電極中心部分的像素開口以及到達輔助布線的連接孔的絕緣膜，被構圖以便覆蓋像素開口的底部和具有在相鄰像素之間相互部分重疊的端部的有機層，以及被形成以便覆蓋有機層并通過有機層之間的連接孔連接到輔助布線的上部電極。其中與有機EL器件的上部電極相連的輔助布線可以在不會使層結構復雜化和不增加步驟數(shù)的情況下形成，并且可以高清晰地顯示。
文檔編號H01L23/52GK1535085SQ20031011477
公開日2004年10月6日 申請日期2003年12月11日 優(yōu)先權日2002年12月11日
發(fā)明者佐藤千代子, 山田二郎, 郎, 之, 平野貴之, 一, 橫山誠一 申請人:索尼公司