專利名稱：埋入式溝槽電容器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)元件(memory device)的制造方法，特別涉及一種用于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的埋入式溝槽電容器(buried trench capacitor)及其制造方法。
背景技術(shù)：
當(dāng)半導(dǎo)體進(jìn)入深次微米(Deep Sub-Micron)的制作工藝時(shí)，元件的尺寸逐漸縮小，對(duì)以往的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)而言，也就是代表作為電容器的空間愈來愈小。另一方面，由于計(jì)算機(jī)應(yīng)用軟件的逐漸龐大，因此所需的存儲(chǔ)器容量也就愈來愈大，對(duì)于這種尺寸變小而存儲(chǔ)器容量卻需要增加的情形，原有的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的電容器的制造方法必須有所改變，以符合趨勢(shì)所需。
一般而言，增加電容器儲(chǔ)存電荷能力的方法有很多種，例如通過增加電容器的面積，使整個(gè)儲(chǔ)存在電容器內(nèi)的電荷數(shù)量增加。而尋找新的存儲(chǔ)電容器結(jié)構(gòu)及其制造方法，以便在存儲(chǔ)電容器所占的平面縮小的情況下，仍維持所需的電容值將是目前組件集成度不斷增加情況下所欲達(dá)到的目標(biāo)之一。
目前有一種具有高儲(chǔ)存電荷能力且稱為“溝槽電容器”的電容器已被廣泛應(yīng)用在存儲(chǔ)元件中，其制作工藝如圖1A至圖1G所示。
圖1A至圖1G是公知的一種溝槽電容器的制造流程剖面示意圖。請(qǐng)先參照?qǐng)D1A，公知的制作方式是先提供基底100，并在此基底100上形成一層墊氧化層101以及一層氮化硅層103。然后，用墊氧化層101與氮化硅層103作為蝕刻掩模(mask)，而在基底100中形成溝槽110。接著，在深溝槽110下半部周圍的基底100中形成埋入電極區(qū)102后，再在深溝槽110表面覆蓋一層電容介電層(capacitor dielectric)104。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1B，在深溝槽110中形成第一導(dǎo)電層106a，此第一導(dǎo)電層106a存在于深溝槽110的下半部。然后，除去未被第一導(dǎo)電層106a覆蓋的電容介電層104。
隨后，請(qǐng)參照?qǐng)D1C，利用次常壓化學(xué)氣相沉積制作工藝(sub-atmosphericchemical vapor deposition，SACVD)在第一導(dǎo)電層106a上的溝槽110中形成一層氧化層108后，進(jìn)行退火制作工藝(anneal process)，使其致密化。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D1D，回蝕刻氧化層108，利用非等向性蝕刻制作工藝，移除氮化硅層103表面與第一導(dǎo)電層106a上的氧化層108，以暴露第一導(dǎo)電層106a表面，從而形成電容器中的領(lǐng)氧化層(collar oxide)108a。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D1E，在溝槽110中形成一層第二導(dǎo)電層106b，并使第一導(dǎo)電層106a與第二導(dǎo)電層106b電性連接。然后，除去部分第二導(dǎo)電層106b，使其頂面低于基底100頂面。
隨后，請(qǐng)參照?qǐng)D1F，除去第二導(dǎo)電層106b以上所裸露出的領(lǐng)氧化層108a，再在溝槽110上部中形成一埋入式帶(buried strap，BS)112。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1G，在溝槽110中填滿一第三導(dǎo)電層106c，再除去部分第三導(dǎo)電層106c，使其頂面低于基底100頂面。
由前述制作工藝可知，欲完成溝槽電容器需經(jīng)過多道步驟，特別是由多層導(dǎo)電層所構(gòu)成的上電極更需要反復(fù)進(jìn)行導(dǎo)電層的沉積、平坦化以及退后(recession)等制作工藝。因此，如何簡(jiǎn)化這種溝槽電容器的結(jié)構(gòu)與制作工藝將是未來發(fā)展的重點(diǎn)之一。另外，因?yàn)轭I(lǐng)氧化層具有防止在垂直寄生組件(vertical parasitic device)上漏電的功用，所以其厚度及長(zhǎng)度無法隨組件縮小，因而妨礙組件往更小型化的發(fā)展。再者，由于領(lǐng)氧化層是利用次常壓化學(xué)氣相沉積制作工藝形成的，所以其會(huì)占據(jù)溝槽的空間，使得后續(xù)填入導(dǎo)電層時(shí)有不易填入的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是在提供一種埋入式溝槽電容器的領(lǐng)氧化層的制造方法，可降低領(lǐng)氧化層占據(jù)溝槽的空間，以利后續(xù)導(dǎo)電層的填入制作工藝。
本發(fā)明的再一目的就是在提供一種埋入式溝槽電容器的制造方法，可簡(jiǎn)化制作工藝并能使組件往更小型化發(fā)展。
本發(fā)明的另一目的是提供一種埋入式溝槽電容器，可降低領(lǐng)氧化層占據(jù)溝槽的空間，以利于導(dǎo)電層的填入，并利于組件的小型化發(fā)展。
本發(fā)明提出一種埋入式溝槽電容器的領(lǐng)氧化層的制造方法，包括先在一基底中形成一溝槽，再在溝槽下部的表面形成一層第一掩模層。接著，進(jìn)行一道如自匱乏原子層沉積(self starved atomic layer deposition，ALD)的制作工藝，以便在第一掩模層以外的部分溝槽表面形成一層第二掩模層，其中第二掩模層與第一掩模層在溝槽側(cè)壁相距一端距離，而暴露出溝槽側(cè)壁的部分基底。隨后，進(jìn)行如硅局部氧化(local oxidation of silicon，LOCOS)的熱氧化制作工藝，以便在溝槽側(cè)壁暴露的部分基底形成一層領(lǐng)氧化層。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的制造方法，上述關(guān)于埋入電極區(qū)暴露出的溝槽表面形成第一掩模層的步驟，例如在溝槽表面先形成一材質(zhì)層，再在溝槽內(nèi)形成一光致抗蝕劑層，再除去部分光致抗蝕劑層，以暴露出埋入電極區(qū)以上的部分材質(zhì)層，接著移除暴露出的部分材質(zhì)層。另外，硅局部氧化制作工藝后可將第一掩模層與第二掩模層除去。
本發(fā)明再提出一種埋入式溝槽電容器的制造方法，包括先在一基底中形成一溝槽，再在溝槽下部的基底中形成一埋入電極區(qū)，再在埋入電極區(qū)暴露出表面形成一第一掩模層。接著，進(jìn)行一道如自匱乏原子層沉積的制作工藝，以便在第一掩模層以外的部分溝槽表面形成一第二掩模層，其中第二掩模層與第一掩模層在溝槽側(cè)壁相距一段距離，而暴露出溝槽側(cè)壁的部分基底。隨后，進(jìn)行如硅局部氧化的熱氧化制作工藝，以便在溝槽側(cè)壁暴露的部分基底形成一領(lǐng)氧化層，再除去第一掩模層與第二掩模層。然后，在溝槽表面形成一電容介電層，再在溝槽內(nèi)形成一第一導(dǎo)電層，使第一導(dǎo)電層的頂面低于領(lǐng)氧化層的頂部，其中第一導(dǎo)電層是作為電容器的上電極，之后除去暴露出的電容介電層。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的制造方法，上述的在埋入電極區(qū)暴露出的溝槽表面形成第一掩模層的步驟，例如在溝槽表面先形成一材質(zhì)層，再在溝槽內(nèi)形成一光致抗蝕劑層，再除去部分光致抗蝕劑層，以暴露出埋入電極區(qū)以上的部分材質(zhì)層，接著移除暴露出的部分材質(zhì)層。另外，本發(fā)明的制造方法也可在除去暴露出的電容介電層后在領(lǐng)氧化層上的溝槽周圍的基底中形成一埋入式帶，再在溝槽中填滿一第二導(dǎo)電層。
本發(fā)明另提出一種埋入式溝槽電容器，包括一基底、一領(lǐng)氧化層、一埋入電極區(qū)、一第一導(dǎo)電層以及一電容介電層，其中基底中具有一溝槽。領(lǐng)氧化層是位于部分溝槽表面并部分埋置在基底中，而埋入電極區(qū)是位于領(lǐng)氧化層下的溝槽周圍的基底中，其中埋入電極區(qū)是作為電容器的下電極。第一導(dǎo)電層則是位于領(lǐng)氧化層的頂面以下的溝槽內(nèi)，其中第一導(dǎo)電層是作為電容器的上電極，而電容介電層是位于第一導(dǎo)電層與埋入電極區(qū)及領(lǐng)氧化層之間。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述的埋入式溝槽電容器，上述的結(jié)構(gòu)更包括一埋入式帶與一第二導(dǎo)電層，其中埋入式帶是位于領(lǐng)氧化層上的溝槽周圍的基底中，而第二導(dǎo)電層是位于溝槽中的第一導(dǎo)電層上。
本發(fā)明因?yàn)橄壤醚谀訉⒉糠譁喜郾砻娓采w住，再利用硅局部氧化制作工藝形成領(lǐng)氧化層，因此可在氧化層形成后直接在溝槽中形成作為上電極的導(dǎo)電層，進(jìn)而簡(jiǎn)化制作工藝。同時(shí)，因?yàn)轭I(lǐng)氧化層是用硅局部氧化制作工藝所形成的，所以會(huì)有部分領(lǐng)氧化層是埋置在基底中，因而可擴(kuò)大位于領(lǐng)氧化層之間導(dǎo)電層的截面積。再者，由于領(lǐng)氧化層占據(jù)溝槽的空間較公知技術(shù)制作的領(lǐng)氧化層所占的空間小，因此有利于后續(xù)導(dǎo)電層的填入。
為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文結(jié)合具體實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1A至圖1G是公知一種溝槽電容器的制造流程剖面示意圖。
圖2A至圖2J是依照本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例的埋入式溝槽電容器的制造流程剖面示意圖。
附圖標(biāo)號(hào)說明100，200基底101，201墊氧化層102，202埋入電極區(qū)103，203氮化硅層104，214，214a電容介電層106a，106b，106c，216，220導(dǎo)體層108氧化層108a，212領(lǐng)氧化層110，210溝槽112，218埋入式帶204，204a，208掩模層
205區(qū)域206光致抗蝕劑層具體實(shí)施方式
圖2A至圖2J是依照本發(fā)明中的一優(yōu)選實(shí)施例的埋入式溝槽電容器的制造流程剖面示意圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D2A，本實(shí)施例是先在基底200中形成一溝槽210，其制作工藝?yán)缡窃诨?00上依序形成一層墊氧化層201以及一層氮化硅層203。圖案化墊氧化層201與氮化硅層203后，用墊氧化層201與氮化硅層203作為蝕刻掩模(mask)，在基底200中形成溝槽210。在基底200中蝕刻出溝槽210的方法，例如是干式蝕刻法。之后，在溝槽210下部的基底200中形成一埋入電極區(qū)202，其是作為電容器的下電極。而形成埋入電極區(qū)202的步驟例如先在溝槽210中形成共形的摻雜絕緣層(未繪出)，其材質(zhì)譬如是砷硅玻璃(arsenic silicate glass，ASG)。然后，除去接近溝槽210上部的部分摻雜絕緣層，再進(jìn)行一退火制作工藝(anneal process)，使該摻雜絕緣層中的摻質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)入基底200中，以形成埋入電極區(qū)202，最后除去剩余的摻雜絕緣層。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2B～圖2D，在埋入電極區(qū)202暴露出的溝槽210表面形成一第一掩模層204a，其詳細(xì)步驟例如是先在基底200上與溝槽210表面形成一層材質(zhì)層204(亦為掩模層)，其形成方法之一例如是低壓化學(xué)氣相沉積制作工藝(low pressure CVD，LPCVD)，且此材質(zhì)層204譬如是氮化層。然后，在圖2C中顯示出在溝槽210內(nèi)形成一層光致抗蝕劑層206，再除去部分光致抗蝕劑層206，以暴露出埋入電極區(qū)202以上的部分第一掩模層204。之后如圖2D所示，以光致抗蝕劑層206為掩模，移除暴露出的部分第一掩模層204，以留下第一掩模層204a遮蔽溝槽210下半部，然后完全除去殘留的光致抗蝕劑層206。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D2E，進(jìn)行一道如自匱乏原子層沉積(self starved atomiclayer deposition，ALD)的制作工藝，以便在第一掩模層204a以外的部分溝槽210表面形成一層第二掩模層208，其中第二掩模層208與第一掩模層204a在溝槽210側(cè)壁相距一距離，而暴露出溝槽210側(cè)壁的部分基底200(即區(qū)域205)，其中自匱乏原子層沉積制作工藝?yán)缡窍韧ㄈ氚还柰轭惖臍怏w到溝槽210表面，以形成一硅單層(未繪出)在溝槽210表面，再通入包含一氮?dú)獾臍怏w到硅單層的表面，以形成材質(zhì)為氮化硅的第二掩模層208。由于自匱乏原子層沉積的特點(diǎn)在于沉積層只會(huì)在高寬比(aspect ratio)大的溝槽210頂部附近形成，而不會(huì)沉積在整個(gè)溝槽210表面。因此，熟習(xí)該項(xiàng)技術(shù)者應(yīng)可理解本發(fā)明可以通過控制自匱乏原子層沉積制作工藝的參數(shù)來控制第二掩模層208的形成位置。
隨后，請(qǐng)參照?qǐng)D2F，進(jìn)行如硅局部氧化(local oxidation of silicon，LOCOS)的熱氧化制作工藝，以在暴露出的溝槽210表面的區(qū)域205形成領(lǐng)氧化層212。之后可接著完成電容器的制作。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2G，去除第一掩模層204a與第二掩模層208(請(qǐng)見圖2F)，再在溝槽210表面形成一電容介電層(capacitor dielectric)214，例如是氧化硅/氮化硅/氧化硅堆棧層(ONO)或氮化硅/氧化硅堆棧層(NO)。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2H，在溝槽210內(nèi)形成一層第一導(dǎo)電層216，使第一導(dǎo)電層216的頂面低于領(lǐng)氧化層212的頂部，其中第一導(dǎo)電層216的材質(zhì)譬如摻雜多晶硅，且此第一導(dǎo)電層216是作為電容器的上電極。而前述第一導(dǎo)電層216的制作可以是先在基底200上形成一導(dǎo)電層填滿溝槽210，再利用如化學(xué)機(jī)械研磨制作工藝將溝槽210以外的導(dǎo)電層磨除，接著利用蝕刻制作工藝除去部分導(dǎo)電層，以使第一導(dǎo)電層216的頂面低于領(lǐng)氧化層212的頂部。
之后，請(qǐng)參照?qǐng)D2I，去除暴露出的電容介電層214，以保留位于第一導(dǎo)電層216與埋入電極區(qū)202及領(lǐng)氧化層212之間的電容介電層214a。接著，還可選擇性地在領(lǐng)氧化層212上的溝槽210周圍的基底200中形成一埋入式帶(buried strap，BS)218。
然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2J，在溝槽210中填滿一層第二導(dǎo)電層220，再除去部分第二導(dǎo)電層220，其中第二導(dǎo)電層220的材質(zhì)例如是摻雜多晶硅。
而本發(fā)明所提出的埋入式溝槽電容器則同樣可參照?qǐng)D2J，其中至少包括基底200、領(lǐng)氧化層212、埋入電極區(qū)202、第一導(dǎo)電層216以及電容介電層214a，其中基底200中具有溝槽210。領(lǐng)氧化層212是位于部分溝槽210表面并部分埋置在基底200中，而埋入電極區(qū)202是位于領(lǐng)氧化層212下的溝槽210周圍的基底200中，其中埋入電極區(qū)202是作為電容器的下電極。第一導(dǎo)電層216則是位于領(lǐng)氧化層212的頂面以下的溝槽210內(nèi)，其中第一導(dǎo)電層216是作為電容器的上電極，而電容介電層214a是位于第一導(dǎo)電層216與埋入電極區(qū)202及領(lǐng)氧化層212之間。此外，本圖中的埋入式溝槽電容器還可包括一埋入式帶218位于領(lǐng)氧化層212上的溝槽210周圍的基底200中，還有一層第二導(dǎo)電層位于溝槽210中的第一導(dǎo)電層214a上并與其電性相連。
綜上所述，本發(fā)明的特點(diǎn)包括先利用掩模層將部分溝槽表面覆蓋住，再利用硅局部氧化制作工藝形成領(lǐng)氧化層，因此可在氧化層形成后直接在溝槽中形成作為上電極的導(dǎo)電層，從而簡(jiǎn)化制作工藝。
同時(shí)，因?yàn)橛霉杈植垦趸谱鞴に囁纬傻念I(lǐng)氧化層會(huì)有部分是埋置在基底中，故可降低領(lǐng)氧化層占據(jù)溝槽的空間，使其不影響領(lǐng)氧化層在垂直寄生組件(vertical parasitic device)上漏電的功用，所以本發(fā)明的電容器可往更小型化發(fā)展。
再者，由于領(lǐng)氧化層占據(jù)溝槽的空間較公知技術(shù)制作的領(lǐng)氧化層所占的空間小，因此有利于后續(xù)導(dǎo)電層的填入。
雖然本發(fā)明已將優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許改動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種埋入式溝槽電容器的領(lǐng)氧化層的制造方法，包括提供一基底，在該基底中形成有一溝槽；在該溝槽下部的表面形成一第一掩模層；進(jìn)行一自匱乏原子層沉積制作工藝，以便在該第一掩模層以外的部分該溝槽表面形成一第二掩模層，該第二掩模層與該第一掩模層在該溝槽側(cè)壁相距一段距離，而暴露出該溝槽側(cè)壁的部分該基底；進(jìn)行一熱氧化制作工藝，以便在該溝槽側(cè)壁暴露的部分該基底形成一領(lǐng)氧化層；
2.如權(quán)利要求1所述的埋入式溝槽電容器的領(lǐng)氧化層的制造方法，其中進(jìn)行該硅局部氧化制作工藝之后還包括除去該第一掩模層與該第二掩模層。
3.如權(quán)利要求1所述的埋入式溝槽電容器的領(lǐng)氧化層的制造方法，其中該自匱乏原子層沉積制作工藝包括通入包括一硅烷類的氣體到該溝槽表面，以形成一硅單層在該溝槽表面；以及通入包括一氮?dú)獾臍怏w到該硅單層的一表面。
4.如權(quán)利要求3所述的埋入式溝槽電容器的領(lǐng)氧化層的制造方法，其中該第二掩模層的材質(zhì)包括氮化硅。
5.如權(quán)利要求1所述的埋入式溝槽電容器的領(lǐng)氧化層的制造方法，其中在該溝槽下部的表面形成該第一掩模層的步驟包括在該溝槽表面形成一材質(zhì)層；在該溝槽內(nèi)形成一光致抗蝕劑層；除去部分該光致抗蝕劑層，以暴露出該埋入電極區(qū)以上的部分該材質(zhì)層；以及移除暴露出的部分該材質(zhì)層。
6.如權(quán)利要求5所述的埋入式溝槽電容器的領(lǐng)氧化層的制造方法，其中在移除暴露出的部分該材質(zhì)層的步驟后還包括完全除去殘留的該光致抗蝕劑層。
7.如權(quán)利要求5所述的埋入式溝槽電容器的領(lǐng)氧化層的制造方法，其中在該溝槽表面形成該材質(zhì)層的方法包括低壓化學(xué)氣相沉積制作工藝。
8.如權(quán)利要求1所述的埋入式溝槽電容器的領(lǐng)氧化層的制造方法，其中該第一掩模層包括氮化層。
9.一種埋入式溝槽電容器的制造方法，包括在一基底中形成一溝槽；在該溝槽下部的該基底中形成一埋入電極區(qū)，該埋入電極區(qū)是作為一下電極；在該埋入電極區(qū)暴露出的該溝槽表面形成一第一掩模層；進(jìn)行一自匱乏原子層沉積制作工藝，以便在該第一掩模層以外的部分該溝槽表面形成一第二掩模層，該第二掩模層與該第一掩模層在該溝槽側(cè)壁相距一端距離，而暴露出該溝槽側(cè)壁的部分該基底；進(jìn)行一熱氧化制作工藝，以便在該溝槽側(cè)壁暴露的部分該基底形成一領(lǐng)氧化層；除去該第一掩模層與該第二掩模層；在該溝槽表面形成一電容介電層；在該溝槽內(nèi)形成一第一導(dǎo)電層，使該第一導(dǎo)電層的頂面低于該領(lǐng)氧化層的頂部，該第一導(dǎo)電層是作為一上電極；以及去除暴露出的該電容介電層。
10.如權(quán)利要求9所述的埋入式溝槽電容器的制造方法，其中該自匱乏原子層沉積制作工藝包括通入包含一硅烷類的氣體到該溝槽表面，以形成一硅單層在該溝槽表面；以及通入包含一氮?dú)獾臍怏w到該硅單層的一表面。
11.如權(quán)利要求10所述的埋入式溝槽電容器的制造方法，其中該第二掩模層的材質(zhì)包括氮化硅。
12.如權(quán)利要求9所述的埋入式溝槽電容器的制造方法，其中在該埋入電極區(qū)暴露出的該溝槽表面形成該第一掩模層的步驟包括在該溝槽表面形成一材質(zhì)層；在該溝槽內(nèi)形成一光致抗蝕劑層；除去部分該光致抗蝕劑層，以暴露出該埋入電極區(qū)以上的部分該材質(zhì)層；以及移除暴露出的部分該材質(zhì)層。
13.如權(quán)利要求12所述的埋入式溝槽電容器的制造方法，其中在移除暴露出的部分該材質(zhì)層的步驟后還包括完全去除殘留的該光致抗蝕劑層。
14.如權(quán)利要求12所述的埋入式溝槽電容器的制造方法，其中在該溝槽表面形成該材質(zhì)層的方法包括低壓化學(xué)氣相沉積制作工藝。
15.如權(quán)利要求9所述的埋入式溝槽電容器的制造方法，其中該第一掩模層包括氮化層。
16.如權(quán)利要求9所述的埋入式溝槽電容器的制造方法，其中該第一導(dǎo)電層的材質(zhì)包括摻雜多晶硅。
17.如權(quán)利要求9所述的埋入式溝槽電容器的制造方法，其中該電容介電層包括氧化硅/氮化硅/氧化硅堆棧層或氮化硅/氧化硅堆棧層。
18.如權(quán)利要求9所述的埋入式溝槽電容器的制造方法，其中形成該埋入電極區(qū)的步驟包括在該溝槽中形成共形的一摻雜絕緣層；除去該領(lǐng)氧化層頂部以上的該摻雜絕緣層；以及進(jìn)行一退火制作工藝，使該摻雜絕緣層中的摻質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)入該基底中，以形成該埋入電極區(qū)。
19.如權(quán)利要求18所述的埋入式溝槽電容器的制造方法，其中進(jìn)行該退火制作工藝之后還包括除去剩余的該摻雜絕緣層。
20.如權(quán)利要求18所述的埋入式溝槽電容器的制造方法，其中該摻雜絕緣層的材質(zhì)包括砷硅玻璃。
21.如權(quán)利要求9所述的埋入式溝槽電容器的制造方法，其中除去暴露出的該電容介電層的步驟后還包括在該領(lǐng)氧化層上的該溝槽周圍的該基底中形成一埋入式帶；在該溝槽中填滿一第二導(dǎo)電層；以及除去部分該第二導(dǎo)電層。
22.如權(quán)利要求21所述的埋入式溝槽電容器的制造方法，其中該第二導(dǎo)電層的材質(zhì)包括摻雜多晶硅。
23.一種埋入式溝槽電容器，包括一基底，該基底中具有一溝槽；一領(lǐng)氧化層，位于部分該溝槽表面并部分埋置在該基底中；一埋入電極區(qū)，位于該領(lǐng)氧化層下的該溝槽周圍的該基底中，其中該埋入電極區(qū)是作為一下電極；一第一導(dǎo)電層，位于該領(lǐng)氧化層的頂面以下的該溝槽內(nèi)，其中該第一導(dǎo)電層是作為一上電極；以及一電容介電層，位于該第一導(dǎo)電層與該埋入電極區(qū)及該領(lǐng)氧化層之間。
24.如權(quán)利要求23所述的埋入式溝槽電容器，更包括一埋入式帶，位于該領(lǐng)氧化層上的該溝槽周圍的該基底中；以及一第二導(dǎo)電層，位于該溝槽中的該第一導(dǎo)電層上。
25.如權(quán)利要求24所述的埋入式溝槽電容器，其中該第二導(dǎo)電層的材質(zhì)包括摻雜多晶硅。
26.如權(quán)利要求23所述的埋入式溝槽電容器，其中該第一導(dǎo)電層的材質(zhì)包括摻雜多晶硅。
27.如權(quán)利要求23所述的埋入式溝槽電容器，其中該電容介電層包括氧化硅/氮化硅/氧化硅堆棧層或氮化硅/氧化硅堆棧層。
全文摘要
一種埋入式溝槽電容器及其制造方法。其方法系在溝槽下部的基底中形成一埋入電極區(qū)，再在埋入電極區(qū)暴露出的表面形成第一掩模層。之后，進(jìn)行自匱乏原子層沉積制作工藝，以便在第一掩模層以外的溝槽表面形成第二掩模層。隨后，進(jìn)行熱氧化制作工藝，以便在溝槽表面的暴露出的區(qū)域形成一領(lǐng)氧化層，再將第一與第二掩模層除去。然后，在溝槽表面形成一電容介電層。接著，在低于領(lǐng)氧化層頂部的溝槽內(nèi)形成一第一導(dǎo)電層，再除去暴露出的電容介電層。由于本發(fā)明先制作領(lǐng)氧化層再填入導(dǎo)電層，所以可簡(jiǎn)化制作工藝。
文檔編號(hào)H01L21/8242GK1630064SQ200310122360
公開日2005年6月22日 申請(qǐng)日期2003年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月19日
發(fā)明者徐生旭, 陳錫杰, 陳全基 申請(qǐng)人:茂德科技股份有限公司