專利名稱：非互易性電路裝置和通信裝置的制作方法
背景技術(shù)：
1.發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及非互易性電路裝置，尤其，涉及諸如隔離器之類的非互易性電路裝置，用于微波波段和包括這種非互易性電路裝置的通信裝置。
2.有關(guān)技術(shù)的描述在諸如便攜式電話之類的移動通信裝置中，一般使用諸如隔離器或環(huán)形器之類的非互易性電路裝置，只在一個方向上發(fā)送信號而不允許在相反方向上傳遞信號。
一般，這種非互易性電路裝置包括永久磁鐵、永久磁鐵向其施加固定磁場的中心電極組件以及放置永久磁鐵和中心電極組件的金屬盒。
如在

圖12中所示，日本未審查專利申請公布第2002-76711號揭示了一種中心電極組件201，它包括塊狀微波鐵氧體231、中心電極221到223、絕緣薄膜226、側(cè)電極(通孔電極)224以及接地電極225。
把三對中心電極221到223放置在鐵氧體23 1的表面231a(一個極的表面)上，并且把絕緣薄膜226放置在中心電極的各個相鄰對之間。在鐵氧體231的各個轉(zhuǎn)角上，用鐵氧體231的側(cè)表面231c上提供的側(cè)電極224與每個中心電極221到223的兩個端子的每一個連接。把每個中心電極221到223的一個端子通過側(cè)電極224電氣連接到實質(zhì)上放置在整個下表面231b上的接地電極225上。連接到各個中心電極221到223的另一個端子的側(cè)電極定義端口P1、P2和P3。利用端口P1、P2和P3把中心電極組件201連接到外部電路。通過間隙228使端口P1、P2和P3中的每一個與接地電極225隔離。
用諸如銀之類的導(dǎo)電材料通過絲網(wǎng)印或其它合適的方法來構(gòu)成中心電極221到223。形成側(cè)電極224如下。首先，形成通過鐵氧體231的孔，致使孔從鐵氧體231的上表面延伸到下表面。然后把導(dǎo)電膏填充在通孔中或在每個通孔的內(nèi)壁形成電鍍薄膜(plated film)。最后，把每個通孔在它的中心處切升。
在鐵氧體231上除了外圍區(qū)域之外的幾乎整個表面231a上通過絲網(wǎng)印或其它合適的方法用玻璃或其它合適的材料來構(gòu)成絕緣薄膜226，致使相互交叉的中心電極221到223通過絕緣薄膜226而相互絕緣。因為提供絕緣薄膜226只是使中心電極221-223的各個層相互絕緣，所以在形成中心電極221-223的圖案時可以接受較大的對準容差。因此，通常絲網(wǎng)印技術(shù)得到的對準正確度是足夠的。
然而，在日本未審查專利申請公布第2002-76711號中揭示的中心電極組件201中，在鐵氧體231的表面231a上提供的中心電極221到223具有較小的均勻的厚度，因此，如在圖13中的圓圈中所示，側(cè)電極224和對應(yīng)的中心電極221-223是通過較小的接觸面積而相互連接的。這導(dǎo)致較差的連接可靠性。
為了避免上述問題，已經(jīng)建議增加整個中心電極221到223的厚度，致使中心電極221到223可以通過增加的接觸面積與對應(yīng)的側(cè)電極224連接。然而，通過絲網(wǎng)印來增加整個中心電極221到223的厚度是有困難的。此外，增加整個中心電極221到223的厚度導(dǎo)致中心電極組件201的總厚度增加，因此不可能滿足減少中心電極組件201的厚度的要求。
發(fā)明概述為了克服上述問題，本發(fā)明的較佳實施例提供一種非互易性電路裝置，該電路裝置的中心電極和側(cè)電極之間的連接可靠性具有極大的改進，但是其厚度沒有增加。本發(fā)明的另一個較佳實施例提供包括這種非互易性電路裝置的一種通信裝置。
本發(fā)明的較佳實施例提供一種非互易性電路裝置，它包括中心電極組件，所述中心電極組件包括鐵氧體、多個中心電極和放置在鐵氧體表面上的多層結(jié)構(gòu)中的多層絕緣薄膜，以及在鐵氧體的側(cè)表面上提供的多個側(cè)電極，其中在鐵氧體表面上提供的每個中心電極的每個端部所具有的厚度大于每個中心電極的其它部分的厚度，并且把每個中心電極的每個厚的端部連接到對應(yīng)的側(cè)電極上。
最好通過在絕緣薄膜的外圍部分中提供的對應(yīng)開口(凹入部分)中填充導(dǎo)電材料來確定每個中心電極的每個厚的端部。更具體地，最好通過在端部的上表面上的絕緣薄膜中提供的對應(yīng)開口(凹入部分)中填充導(dǎo)電材料來增加鐵氧體表面上多層結(jié)構(gòu)的底層中的中心電極的每個端部的厚度。最好通過在端部的下表面上的絕緣薄膜中提供的對應(yīng)開口(凹入部分)中填充導(dǎo)電材料來增加鐵氧體表面上多層結(jié)構(gòu)的頂層中的中心電極的每個端部的厚度。最好，由光敏導(dǎo)電材料構(gòu)成中心電極，并由光敏絕緣材料構(gòu)成絕緣薄膜。
在根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的結(jié)構(gòu)中，使每個中心電極通過中心電極的加厚的端部與對應(yīng)的側(cè)電極相連接，為的是增加它們之間的接觸面積。另一方面，除了端部之外的每個中心電極的其它部分的厚度是不增加的。因為向下增加頂層中的中心電極的端部的厚度，所以中心電極組件的總厚度沒有增加。
本發(fā)明的另一個較佳實施例提供一種通信裝置，它包括具有上述特征的非互易性電路裝置，因此，具有改進的連接可靠性和減少的厚度。
在本發(fā)明的較佳實施例中，如上所述，通過中心電極的加厚的端部得到中心電極和對應(yīng)的側(cè)電極之間的連接，致使連接具有增加的接觸面積。另一方面，除了端部之外的每個中心電極的其它部分的厚度是不增加的。因為向下增加頂層中的中心電極的端部的厚度，所以中心電極組件的總厚度沒有增加。因此，根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的非互易性電路裝置和通信裝置的連接可靠性具有較大的改進，但是裝置的總厚度沒有增加。
從下面連同附圖的較佳實施例的說明，本發(fā)明的上述和其它單元、特征、特性、步驟和優(yōu)點將變得更加清楚。
附圖簡述圖1是根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的非互易性電路裝置的分解透視圖；圖2是圖1所示一例中心電極的制造過程的平面圖；圖3是接在圖2所示過程之后的一個過程的平面圖；圖4是接在圖3所示過程之后的一個過程的平面圖；圖5是接在圖4所示過程之后的一個過程的平面圖；圖6是接在圖5所示過程之后的一個過程的平面圖7是接在圖6所示過程之后的一個過程的平面圖；圖8A、8B和8C是示出中心電極的端部和側(cè)電極之間的連接的垂直截面圖；圖9是圖1中示出的多層襯底的分解透視圖；圖10是圖1所示的非互易性電路裝置的等效電路的電路圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明的另一個較佳實施例的通信裝置的方框圖；圖12是根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的中心電極組件的外形的透視圖；以及圖13是示出根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的中心電極的端部和側(cè)電極的連接的垂直截面圖。
較佳實施例的詳述下面參考非互易性電路裝置和通信裝置的較佳實施例，并結(jié)合附圖來進一步詳細描述本發(fā)明。
第一較佳實施例(1到10)圖1是根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的非互易性電路裝置的分解透視圖。在這個特定的較佳實施例中，非互易性電路裝置1最好是集總恒定隔離器。如在圖1中所示，集總恒定隔離器最好包括包含上金屬外殼4和下金屬外殼8的金屬外殼、包含永久磁鐵9、鐵氧體20和中心電極21到23的中心電極組件13以及多層襯底30。
上金屬外殼4實質(zhì)上具有盒子的形狀，它包括頂部部分4a和四個側(cè)面部分4b。下金屬外殼8包括底部部分8a和右側(cè)面和左側(cè)面部分8b。為了提供磁路，最好由諸如軟鐵之類的鐵磁材料來構(gòu)成上金屬外殼4和下金屬外殼8，并且在它們的表面上鍍復(fù)銀、銅或其它合適的材料。
中心電極組件13包括實質(zhì)上具有矩形塊的形狀的微波鐵氧體20以及在微波鐵氧體20的上表面上提供的三組中心電極21到23，致使中心電極21到23通過絕緣層(圖1中未示出)以約120°角相互交叉。在這第一較佳實施例中，每個中心電極21到23包括兩行電極。
例如，可以制造中心電極組件13如下。首先，如在圖2中所示，通過印刷光敏厚膜在大小約4×4英寸的鐵氧體母襯底20的上表面的每個單位面積S中形成一組中心電極22的圖案。注意，將通過沿圖2中點劃線L表示的切割線把鐵氧體母襯底20分割成面積S(一般具有1到3毫米的大小)的中心電極組件。
在光敏厚膜印刷中，通過絲網(wǎng)印或其它合適的方法在鐵氧體母襯底20的實質(zhì)上整個表面上均勻地涂復(fù)光敏導(dǎo)電膏到特定厚度。然后使紫外線通過光掩模圖案照射(曝光)光敏導(dǎo)電薄膜。此后，通過噴射弱堿性溶液使光敏導(dǎo)電薄膜暴露，致使蝕刻了光敏導(dǎo)電薄膜的未曝光部分(顯影)，從而形成中心電極22。然后烘干中心電極22，為的是得到具有約10微米厚度(典型值)的最終的中心電極22。
此后，使用絲網(wǎng)印或其它合適的方法，在鐵氧體母襯底20的實質(zhì)上整個表面上涂復(fù)光敏絕緣膏，致使用光敏絕緣膏覆蓋了中心電極22，并使光敏絕緣膏干燥。然后使紫外線通過光掩模圖案照射(曝光)光敏絕緣薄膜。此后，通過噴射弱堿性溶液使光敏絕緣薄膜暴露，致使蝕刻了光敏絕緣薄膜的未曝光部分(顯影)，從而形成具有開口(凹入部分)50a的絕緣薄膜50，如在圖3中所示。然后烘干絕緣薄膜50，為的是得到具有約20微米厚度(典型值)的最終的絕緣薄膜50。使每個中心電極22的每個端子暴露在開口(凹入部分)50a中的一個開口中。
此后，在鐵氧體母襯底20的實質(zhì)上整個表面上均勻地涂復(fù)光敏導(dǎo)電膏到特定厚度，并使光敏導(dǎo)電膏干燥。在這個涂復(fù)過程中，光敏導(dǎo)電膏完全填充了每個開口(凹入部分)50a。然后使紫外線通過光掩模圖案照射(曝光)光敏導(dǎo)電薄膜。此后，通過噴射弱堿性溶液使光敏導(dǎo)電薄膜暴露，致使蝕刻了光敏導(dǎo)電薄膜的未曝光部分(顯影)，從而同時形成中心電極21和填充電極24a和24b。在這個過程中，在安排中心電極22的端部的各個開口(凹入部分)50a中形成填充電極24a，并且在安排中心電極23的端部的絕緣薄膜50上形成填充電極24b。
烘干中心電極21和填充電極24a和24b，從而得到兩者都具有約10微米厚度(典型值)的中心電極21和填充電極24b以及具有約30微米厚度的填充電極24a。在絕緣薄膜50的表面上形成中心電極21和填充電極24b，以及在暴露在開口(凹入部分)50a中的各個中心電極22的頂部形成填充電極24a。注意，形成中心電極21和填充電極24a和24b，致使它們的上表面實質(zhì)上具有相等的高度。
此后，使用絲網(wǎng)印或其它合適的過程，在鐵氧體母襯底20的實質(zhì)上整個表面上涂復(fù)光敏絕緣膏，致使用光敏絕緣膏覆蓋了中心電極21和填充電極24a和24b，并使光敏絕緣膏干燥。然后使紫外線通過光掩模圖案照射(曝光)光敏絕緣薄膜。此后，通過噴射弱堿性溶液使光敏絕緣薄膜暴露，以致蝕刻了光敏絕緣薄膜的未曝光部分(顯影)，從而形成具有開口(凹入部分)51a、51b、和51c的絕緣薄膜51，如在圖5中所示。烘干絕緣薄膜51。這里，在開口(凹入部分)51a中之一的左半部分中暴露每個中心電極21的一個端子，并且在該開口(凹入部分)51a的右半部分中暴露填充電極24a中之一。以及，在每個開口(凹入部分)51b的左半部分中暴露填充電極24a中之一，并且在該開口(凹入部分)51b的右半部分中暴露每個中心電極21的另一個端子。在每個開口(凹入部分)51c中暴露填充電極24b。
此后，在鐵氧體母襯底20的實質(zhì)上整個表面上均勻地涂復(fù)光敏導(dǎo)電膏到特定厚度，并使光敏導(dǎo)電膏干燥。在這個涂復(fù)過程中，光敏導(dǎo)電膏完全填充了開口(凹入部分)51a、51b和51c。然后，使紫外線通過光掩模圖案照射(曝光)光敏導(dǎo)電薄膜。此后，通過噴射弱堿性溶液使光敏導(dǎo)電薄膜暴露，致使蝕刻了光敏導(dǎo)電薄膜的未曝光部分(顯影)，從而同時形成中心電極23和填充電極25a、25b和25c。在如上所述的過程中，每個填充電極25a包括開口(凹入部分)51a的右半部分和處于開口(凹入部分)51b的左半部分中。即，在放置中心電極22的兩個端子的位置處形成填充電極25a。另一方面，每個填充電極25b包括開口(凹入部分)51a的左半部分和處于開口(凹入部分)51b的右半部分中。即，在放置中心電極21的兩個端子的位置處形成填充電極25b。在安排中心電極23的兩個端子的開口(凹入部分)51c中之一中形成填充電極25c。
烘干中心電極23和填充電極25a、25b和25c，以得到具有約20微米厚度(典型值)的最終中心電極23，具有約30微米厚度(典型值)的填充電極25a和25c以及具有約20微米厚度的填充電極25b。在絕緣薄膜51的表面上形成中心電極23，并在開口(凹入部分)51a的右半部分或開口(凹入部分)51b的左半部分中暴露的各個填充電極24a的上面形成填充電極25a。在開口(凹入部分)51a的左半部分或開口(凹入部分)5 1b的右半部分中暴露的各個中心電極21的上面形成填充電極25b，并且在開口(凹入部分)51c中暴露的填充電極24b的上而形成填充電極25c。注意，形成中心電極23和填充電極25a到25c，致使它們的上表面處于近似相同的高度。
在上述處理中，在中心電極21到23、填充電極24a、24b、25a、25b和25c以及絕緣薄膜50彼此的上面相繼形成它們。然后通過絲網(wǎng)印、濺射、蒸發(fā)、結(jié)合、電鍍或其它合適的技術(shù)，在鐵氧體母襯底20的下表面上形成折疊電極26(圖1)。
沿通過點劃線表示的切割線切割鐵氧體母襯底20，從而把鐵氧體母襯底20分割成獨立的中心電極組件。例如，可以使用激光或通過切成小塊來執(zhí)行切割。如在圖7中所示，在完成切割之后，在通過切割過程得到的每個鐵氧體塊20的四個側(cè)表面上形成側(cè)電極27。因此，如上所述，本發(fā)明提供中心電極組件13的優(yōu)良的大批量生產(chǎn)方法。
在中心電極組件13中，在鐵氧體20的實質(zhì)上整個表面上形成絕緣薄膜50和51，致使中心電極21到23是相互電氣絕緣的。在絕緣薄膜50和1的外圍部分，在放置各個中心電極21到23的端子的位置處形成開口(凹入部分)50a、51b和51c。在開口(凹入部分)50a、51a、51b和51c中，形成填充電極24a、24b、25a、或25c。使用這些填充電極24a、24b、25a、25b和25c，使每個中心電極21到23(它們連接到對應(yīng)的側(cè)電極27)的兩個端子的厚度相對于中心電極21到23的其它部分的厚度有所增加。
更具體地說，如在圖8A中所示，通過在鐵氧體20的上表面上的多層結(jié)構(gòu)的底層中的中心電極22的端部的上表面上的各層絕緣薄膜50和51中的開口(凹入部分)50a和51a中形成填充電極24a和25a，使在底層中的中心電極22的兩個端部(例如，圖7中通過圓圈A表示的區(qū)域)加厚。即，在中心電極22的兩個端子處，向上增加約70微米(典型值)的厚度，這個厚度大于中心電極22其它部分的約10微米(典型值)的厚度。結(jié)果，中心電極22通過比根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的接觸面積大至少3倍的接觸面積與對應(yīng)的側(cè)電極27電氣連接。
與此類似，如在圖8B中所示，通過在第二層中的中心電極21的端部的上表面上的絕緣薄膜51中的開口(凹入部分)51b中形成填充電極25b而使第二層中的中心電極21的兩個端部(圖7中通過圓圈B表示的區(qū)域)加厚。即，在中心電極21的兩個端子處，向上增加約40微米(典型值)的厚度，這個厚度大于中心電極21其它部分的約10微米(典型值)的厚度。結(jié)果，中心電極21通過比根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的接觸面積大至少2倍的接觸面積與對應(yīng)的側(cè)電極27電氣連接。
進一步，如在圖8C中所示，通過在頂層中的中心電極23的下表面上的絕緣薄膜51中的開口(凹入部分)51c中形成填充電極24b和25c而使鐵氧體20的上表面上的頂層(第三層)中的中心電極23的兩個端子(例如，圖7中通過圓圈C表示的區(qū)域)加厚。即，在中心電極23的兩個端子處，向下增加約40微米(典型值)的厚度，這個厚度大于中心電極23其它部分的約10微米(典型值)的厚度。結(jié)果，中心電極23通過比根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的接觸面積大至少約2倍的接觸面積與對應(yīng)的側(cè)電極27電氣連接。
注意，除了端部之外，每個中心電極21到23的厚度與傳統(tǒng)技術(shù)的厚度相似或相同。此外，因為在頂層中的中心電極23的每個端子的厚度是向下增加的，所以端部所增加的厚度不增加中心電極組件13的總厚度。
在中心電極組件13中，可以使用在不同層之間提供杰出對準正確度的光敏厚膜印刷方法來形成具有復(fù)雜圖案的中心電極21到23和絕緣薄膜50和51。因為執(zhí)行母襯底的一層對一層的對準，所以不管中心電極組件的大小而得到杰出的對準正確度。因此，不象傳統(tǒng)方法那樣通過把金屬箔繞在鐵氧體上來制造中心電極組件，在根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的方法中，中心電極組件是容易制造的，甚至當(dāng)減小個別中心電極組件的大小時。
因此，制造了一種中心電極組件13，在中心電極21到23和對應(yīng)的側(cè)電極27之間的連接可靠性方面，這種中心電極組件13具有較大的改進。
注意，在這個第一較佳實施例中，由于絕緣薄膜50和51具有與鐵氧體20的大小近似相同的尺寸，所以光敏厚膜印刷過程是容易執(zhí)行的。此外，因為在鐵氧體的邊緣處沒有彎曲側(cè)電極27，所以在鐵氧體邊緣處的側(cè)電極27上沒有機械應(yīng)力的影響，這進一步改進了隔離器1的可靠性。然而，絕緣薄膜51和51不需要具有與鐵氧體20一樣的大小。
如在圖9中所示，多層襯底30包括介質(zhì)片41(它包含中心電極連接電極P1到P3)、接地連接電極31、通孔18、以及介質(zhì)片42(它包含都提供于介質(zhì)片42的表面上的熱-側(cè)電容器電極71a到73a、電路電極17和終端電阻器R)、包含熱-側(cè)電容器電極71b到73b的介質(zhì)片44、每個包括接地電極74的介質(zhì)片43和45、輸入終端電極14、輸出終端電極15以及接地終端電極16。
例如，可以制造多層襯底30如下。用低溫?zé)Y(jié)介質(zhì)材料構(gòu)成介質(zhì)片41到45，這些材料包括作為主要成分的Al2O3，以及作為次要成分的SiO2、SrO、CaO、PbO、Na2O、K2O、MgO、BaO、CeO2以及B2O3中之一。
使用在多層襯底30結(jié)塊的溫度處(約1000℃以下)不會結(jié)塊的一種材料來提供收縮防止片46，用于在多層襯底30燒結(jié)期間防止多層襯底30的徑向收縮(在X-Y方向上)。收縮防止片46的例子是氧化鋁粉末和穩(wěn)定二氧化鋯的混合物。例如，片41到46的厚度是在約10微米到約200微米的范圍內(nèi)。
通過絲網(wǎng)印或其它合適的方法在片41到46上形成電極P1到P3、14到17、31、71a到73a、71b到73b以及74。電極P1到P3等的材料例子為Ag、Cu和Ag-Pd，它們中的每一種都可以與介質(zhì)片41到45同時燒結(jié)。
通過絲網(wǎng)印或其它合適的方法在介質(zhì)片42的表面上形成終端電阻器R。電阻器的材料的例子是金屬陶瓷、碳和和釕。
形成用于信號傳送的通孔18，首先通過激光束加工或沖孔在介質(zhì)片41到45上形成孔，然后把導(dǎo)電膏填充在孔中。一般，對于導(dǎo)電膏，使用與電極P1到P3所采用的材料相同的材料(Ag、Cu、Ag-Pd等)。
在接地電極74和電容器電極71a、71b、72a、72b、73a和73b之間形成匹配電容器C1、C2和C3，其中每個匹配電容器包括放置在接地電極74和各個電容器電極之間的介質(zhì)片42到44。使用匹配電容器C1到C3、終端電阻器R、電極P1到P3、17和31以及信號通孔18在多層襯底30中形成電路。
使介質(zhì)片41到45一片放在另一片上面，以形成多層結(jié)構(gòu)，并把收縮防止片46放置在所產(chǎn)生的多層結(jié)構(gòu)的上面和下面(在圖9中沒有示出放在上面的收縮防止片)。此后，對多層結(jié)構(gòu)進行燒結(jié)。在燒結(jié)之后，通過超聲波清洗或濕磨除去未結(jié)塊的收縮防止材料，從而得到如圖1所示的最終多層襯底30。
在多層襯底30中，在多層襯底30的下表面上提供輸入端電極14、輸出端電極15以及接地端電極16。通過信號通孔18把輸入端電極14電氣連接到電容器電極71a和7 1b，并且通過另外的信號通孔18把輸出端電極15電氣連接到電容器電極72a和72b。把接地端電極16電氣連接到電路電極17和接地電極74。通過涂復(fù)Ag、Ag-Pd或Cu的導(dǎo)電膏并且進行烘干而在各個輸入和輸出端14和15上形成凸緣形狀的厚膜電極。
裝配按上述方法制造的部件如下。如在圖1中所示，通過黏合劑把永久磁鐵9結(jié)合到上金屬外殼4的天花板上。在多層襯底30上安裝中心電極組件13，并且進行焊接，致使把每個中心電極21到23的一個端子連接到中心電極連接電極P1、P2或P3，并把每個中心電極21到23的另一個端子連接到接地連接電極31。按有效的方法在包括多層襯底30的母襯底上執(zhí)行焊接，以把中心電極21到23連接到連接電極P1、P2、P3和31。
把多層襯底30放置在下金屬外殼8的下面部分8a上，并把在片45的后表面上提供的接地端電極16焊接到下面部分8a，從而把多層襯底30固定在下金屬外殼8上，并把接地端電極16電氣連接到下金屬外殼8。這樣得到優(yōu)良的接地連接，因此得到隔離器1的杰出的電氣特征。
此后，通過焊接使下金屬外殼8的側(cè)面部分8b和上金屬外殼4的側(cè)面部分4b相互連接，為的是得到完整的金屬外殼，它的功能如同接地端、磁軛(yoke)和電磁屏蔽。即，金屬外殼形成圍繞永久磁鐵9、中心電極組件13和多層襯底30的磁路。從永久磁鐵9把恒定磁場施加于鐵氧體20。圖10是隔離器1的等效電路。
第二較佳實施例(圖11)下面描述根據(jù)本發(fā)明的通信裝置的較佳實施例。在這個特定較佳實施例中，作為例子，通信裝置是便攜式電話。
圖11是便攜式電話120的RF(射頻)部分的電路方框圖。如在圖11中所示，便攜式電話120的RF部分包括天線122、雙工器123、發(fā)射隔離器131、發(fā)射功率放大器132、發(fā)射級間帶通濾波器133、發(fā)射混頻器134、接收功率放大器135、接收級間帶通濾波器136、接收混頻器137、壓控振蕩器(VCO)138以及本地帶通濾波器139。
在這個便攜式電話120中，提供根據(jù)上述第一較佳實施例的凸緣式恒定隔離器1作為發(fā)射隔離器131。隔離器1的使用產(chǎn)生了可靠性具有較大改進的便攜式電話120。
其它較佳實施例本發(fā)明不限于上述特定的較佳實施例。相反，各種修改是可能的，不偏離本發(fā)明的精神和范圍。例如，根據(jù)本發(fā)明的非互易性電路裝置不限于隔離器，而是還可以把本發(fā)明應(yīng)用于其它類型的非互易性電路裝置，諸如環(huán)形器或耦合器。
此外，不限于圖8B或8C所示的結(jié)構(gòu)，而是，可以在放置中心電極21到23的端部的位置處在絕緣層50中形成開口(凹入部分)。既然是這樣，中心電極21到23的端部的厚度可以等于圖8A中示出的中心電極22的端部的厚度。
此外，不但可以把本發(fā)明應(yīng)用于3-端口非互易性電路裝置，而且還可以應(yīng)用于2-端口非互易性電路裝置。在2-端口非互易性電路裝置的情況中，在上述例子中的多層結(jié)構(gòu)的第二層中的中心電極變成在頂層中的中心電極。因此，既然是這樣，通過在第二層中的中心電極的端部的下表面上的絕緣薄膜的開口(凹入部分)中形成填充電極而使第二層中的中心電極的端部加厚。
本發(fā)明不限于上述較佳實施例中的每一個較佳實施例，在權(quán)利要求書說明的范圍內(nèi)，各種修改都是可能的。在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)包括通過適當(dāng)?shù)亟M合每個不同的較佳實施例中揭示的技術(shù)特征而得到的一個實施例。
權(quán)利要求
1.一種非互易性電路裝置，其特征在于，它包括中心電極組件，所述中心電極組件包括鐵氧體、限定所述鐵氧體表面上提供的多層結(jié)構(gòu)的多個中心電極和多層絕緣薄膜，以及提供在所述鐵氧體側(cè)表面上的多個側(cè)電極；其中在所述鐵氧體表面上提供的多個中心電極中的每一個的每個端部具有比多個中心電極中的每一個的其它部分的厚度大的厚度，并且把多個中心電極中的每一個中心電極的每個較厚的端部連接到對應(yīng)的側(cè)電極。
2.如權(quán)利要求1所述的非互易性電路裝置，其特征在于，所述多個中心電極中的每一個的每個較厚的端部是由填充在所述絕緣薄膜的外圍部分中提供的多個開口中對應(yīng)的一個開口中的導(dǎo)電材料構(gòu)成的。
3.如權(quán)利要求2所述的非互易性電路裝置，其特征在于，通過在所述端部的上表面上的絕緣薄膜中形成的多個開口中對應(yīng)的一個開口中填充的導(dǎo)電材料來增加所述鐵氧體表面上的多層結(jié)構(gòu)的底層中中心電極的每一端部的厚度。
4.如權(quán)利要求3所述的非互易性電路裝置，其特征在于，通過在所述端部的下表面上的絕緣薄膜中形成的多個開口中的對應(yīng)的一個開口中填充的導(dǎo)電材料來增加所述鐵氧體表面上的多層結(jié)構(gòu)的頂層中的多個中心電極的每一端部的厚度。
5.如權(quán)利要求1所述的非互易性電路裝置，其特征在于，由光敏導(dǎo)電材料構(gòu)成所述中心電極。
6.如權(quán)利要求1所述的非互易性電路裝置，其特征在于，由光敏絕緣材料構(gòu)成所述絕緣薄膜。
7.如權(quán)利要求1所述的非互易性電路裝置，其特征在于，進一步包括金屬外殼，所述金屬外殼包括下金屬外殼和上金屬外殼，所述下金屬外殼具有底部部分和右側(cè)面和左側(cè)面部分，而所述上金屬外殼具有頂部部分和四個側(cè)面部分。
8.如權(quán)利要求1所述的非互易性電路裝置，其特征在于，每個所述較厚的端部具有約40微米的厚度。
9.如權(quán)利要求1所述的非互易性電路裝置，其特征在于，所述多層結(jié)構(gòu)進一步包括在多層結(jié)構(gòu)的上表面和下表面中至少一個上提供的至少一個防收縮片。
10.如權(quán)利要求1所述的非互易性電路裝置，其特征在于，由從包括Ag、Cu和Ag-Pd的一組材料中選擇出來的材料來構(gòu)成所述多個中心電極中的每一個中心電極。
11.如權(quán)利要求1所述的非互易性電路裝置，其特征在于，所述鐵氧體是微波鐵氧體。
12.一種通信裝置，它包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的非互易性電路裝置。
13.一種制造非互易性電路裝置的中心電極組件的方法，其特征在于，所述方法包括下列步驟在鐵氧體母襯底的表面上交替形成中心電極和絕緣薄膜，用以形成多層結(jié)構(gòu)，在所述多層結(jié)構(gòu)中，通過多個絕緣薄膜中的各層絕緣薄膜，使所述多個中心電極相互絕緣；在所述多個絕緣薄膜的每一個中多個中心電極中各中心電極的端部所處的位置上形成一個開口；用電極材料填充每個開口以形成填充電極，以便電氣連接到多個中心電極中的各個中心電極；以及把所述鐵氧體母襯底切割成獨立的中心電極組件；其中在所述鐵氧體母襯底的表面上提供的多個中心電極中的每一個的每個端部所具有的厚度大于所述多個中心電極中的每一個的其它部分的厚度，并且把多個中心電極中的每一個的每個較厚的端部連接到對應(yīng)的所述填充電極。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，通過印刷光敏厚膜、用紫外線通過光掩模而使光敏厚膜曝光，以及噴射堿性溶液從而蝕刻所述光敏厚膜的非曝光部分，來形成多個中心電極，從而形成多個中心電極。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述切割的步驟包括在所述填充電極的中心位置處切割所述鐵氧體母襯底而使之在各個中心電極組件的每一個的至少一個側(cè)表面上形成側(cè)電極的步驟。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述每一個厚端部具有約40微米的厚度。
17.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，進一步包括在所述鐵氧體母襯底上形成防收縮片的步驟。
全文摘要
一種非互易性電路裝置和具有非互易性電路裝置的一種通信裝置，在所述非互易性電路裝置中，通過在底層中的中心電極的端部的上表面上的第一和第二絕緣薄膜中的開口中形成填充電極而使鐵氧體表面上的多層電極結(jié)構(gòu)的底層中的每個中心電極的每個端部加厚。通過在第二層中的中心電極的端部的上表面上的第二絕緣薄膜中的開口中形成填充電極而使第二層中的每個中心電極的每個端部加厚。通過在頂層中的中心電極的端部的下表面上的第二絕緣薄膜中的開口中形成填充電極而使頂層(第三層)中的每個中心電極的每個端部加厚。
文檔編號H01P1/383GK1507106SQ20031012259
公開日2004年6月23日 申請日期2003年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月12日
發(fā)明者米田真一 申請人:株式會社村田制作所