專利名稱：硅片imd cmp后成膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造工藝方法，尤其是涉及一種硅片IMD CMP后成膜方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷提高，出現(xiàn)了多層布線技術(shù)，它使得器件大小及線寬不斷縮小，大大提高了半導(dǎo)體器件的集成度。但多層布線的出現(xiàn)，導(dǎo)致了硅片表面出現(xiàn)了較大的段差，凹凸不平，造成了金屬配線不良及后序光刻對(duì)焦上的困難。為了解決這一問(wèn)題，引入了CMP(化學(xué)機(jī)械平面化)工藝。它是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械研磨拋光的作用，使硅片表面的凹凸不平趨于平坦化，而IMD CMP(金屬層間介質(zhì)層化學(xué)機(jī)械平面化)工藝，就是利用該方法，使硅片上的金屬配線間的絕緣層氧化膜變得平坦，提高了集成電路產(chǎn)品的質(zhì)量。在IMD CMP工藝中，由于CMP設(shè)備的研磨速率變動(dòng)較大，而且在CMP之前成長(zhǎng)IMD的設(shè)備存在作業(yè)腔間差，造成了CMP工程后殘膜經(jīng)常會(huì)超出規(guī)格，而傳統(tǒng)工藝在CMP工程后采用固定的PCO(成長(zhǎng)氧化膜)成長(zhǎng)條件，使得必須通過(guò)返工將殘膜的厚度修正到規(guī)格范圍內(nèi)，才能保證之后的VIA(接觸孔)刻蝕厚度的穩(wěn)定性。這樣不但延長(zhǎng)了產(chǎn)品的生產(chǎn)周期，同時(shí)也增加了CMP設(shè)備和PCO設(shè)備的負(fù)荷率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提出一種縮短硅片生產(chǎn)周期，使硅片金屬配線間的絕緣層氧化膜平坦化，從而提高集成電路產(chǎn)品質(zhì)量的成膜方法。
本發(fā)明的上述目的是通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的根據(jù)硅片IMD CMP后殘膜的厚度，自動(dòng)選擇相應(yīng)的PCO成膜條件。
所述的自動(dòng)選擇相應(yīng)的PCO成膜條件是根據(jù)CMP殘膜厚度與之后PCO不同成膜量條件相對(duì)應(yīng)的表格完成的。
和現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果1、由于自動(dòng)選擇相應(yīng)的PCO成膜條件，使得產(chǎn)品生產(chǎn)周期變短；2、保證經(jīng)PCO成膜后的氧化膜厚度基本處于同一水平，使得VIA刻蝕相對(duì)穩(wěn)定，提高了產(chǎn)品質(zhì)量。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述。
在硅片IMD CMP后，根據(jù)CMP后殘膜厚度，自動(dòng)選擇相應(yīng)的PCO(成長(zhǎng)氧化膜)成膜條件。即CMP之后殘膜厚度若較厚，則選擇成膜量較少的PCO條件；若CMP之后殘膜厚度偏薄，則選擇相應(yīng)的成膜量較多的PCO(成長(zhǎng)氧化膜)條件。從而辨證經(jīng)PCO成膜后的氧化膜基本處于同一水平，使得VIA(接觸孔)刻蝕相對(duì)穩(wěn)定。
具體而言，在硅片IMD CMP后，對(duì)PCO成膜條件進(jìn)行細(xì)分，分別與某一特定范圍內(nèi)的CMP殘膜厚度相對(duì)應(yīng)，制成一張表格。如下表


例如產(chǎn)品規(guī)格為PCO成長(zhǎng)后氧化膜厚度中心值為8000。當(dāng)一產(chǎn)品經(jīng)CMP后殘膜厚度為4100，則由APC(高級(jí)進(jìn)程控制)系統(tǒng)，根據(jù)表格自動(dòng)選擇條件為C的成長(zhǎng)量為4000的PCO成長(zhǎng)條件。
在制作產(chǎn)品工藝流程中，將CMP研磨后的膜厚測(cè)定工序設(shè)置為原工程，將之后的氧化膜成長(zhǎng)工序設(shè)置為目標(biāo)工程。即在膜厚測(cè)定數(shù)據(jù)未得到時(shí)，該氧化膜成長(zhǎng)工序的作業(yè)條件為未知；當(dāng)膜厚測(cè)定正常結(jié)束后，根據(jù)膜厚值，從事先設(shè)定的對(duì)應(yīng)表格中選擇相應(yīng)的成長(zhǎng)條件，并修改該工序的作業(yè)條件，從而實(shí)現(xiàn)根據(jù)不同殘膜厚度成長(zhǎng)不同的氧化膜，保證成長(zhǎng)后的膜厚值在同一水平。
權(quán)利要求
1.一種設(shè)置硅片IMD CMP后成膜方法，其特征在于根據(jù)硅片IMD CMP后殘膜的厚度，自動(dòng)選擇相應(yīng)的PCO成膜條件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種設(shè)置硅片IMD CMP后成膜方法，其特征在于所述的自動(dòng)選擇相應(yīng)的PCO成膜條件是根據(jù)CMP殘膜厚度與之后PCO不同成膜量條件相對(duì)應(yīng)的表格完成的。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了硅片IMD CMP后成膜方法，旨在提供一種縮短硅片生產(chǎn)周期，使硅片金屬配線間的絕緣層氧化膜平坦化，從而提高集成電路產(chǎn)品質(zhì)量的方法。其技術(shù)方案的要點(diǎn)是根據(jù)硅片IMD CMP后殘膜的厚度，自動(dòng)選擇相應(yīng)的PCO成膜條件。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1632928SQ20031012268
公開(kāi)日2005年6月29日 申請(qǐng)日期2003年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月24日
發(fā)明者殷建斐, 張震宇, 蔡晨 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司