專利名稱：消除金屬導電層的靜電使蝕刻完全的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
在制造晶圓的制程中，正電荷靜電會累積在金屬導電層上而產(chǎn)生位能的障壁，當圓孔或溝槽愈小時，該金屬導線層上的氮化層將難以蝕刻完全，本發(fā)明消除金屬導電層的靜電使蝕刻完全的方法能消除累積在金屬導電層的正電荷靜電，使圓孔或溝槽底部的氮化層蝕刻完全。
背景技術(shù)：
公知半導體在電漿蝕刻的制程中，有一些蝕刻不完全的情況發(fā)生；該蝕刻不完全的情況是由于金屬導電層上的正電荷靜電累積所造成。舉一例來說(如圖1所示)，公知一金屬導電層1a通常位于一氧化物層5a上方；一氮化層2a以電漿氣相沉積法沉積在該金屬導電層1a的上方，該金屬導電層1a在電漿氣相沉積法的制程中，或是經(jīng)由干燥的空氣磨擦，會有一正電荷靜電11a累積于該金屬導電層1a的情形發(fā)生；該正電荷靜電11a在該金屬導電層1a上形成一位能障壁使帶正電的若干個蝕刻離子4a很難進入一氟硅玻璃3a旁的一圓孔或溝槽31a的底部(尤其當圓孔或溝槽愈小時)，故該蝕刻離子4a很難和該氮化層3a進行蝕刻反應，因而造成蝕刻不全的現(xiàn)象，如此會造成晶圓制程中良率的下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種消除金屬導電層的靜電使蝕刻完全的方法，可在晶圓制程中，消除金屬導電層上所累積的正電荷靜電，使位于圓孔或溝槽底部的氮化層能完全被蝕刻，而提升制造晶圓的良率。
本發(fā)明提供一種消除金屬導電層的靜電使蝕刻完全的方法，其步驟包括；a·將一氮化層沉積在一金屬導電層上；b·將一氟硅玻璃沉積在該氮化層上，且該氟硅玻璃中開設若干個圓孔或溝槽；c·將一高氣壓低密度(isotropic)電漿所產(chǎn)生的若干個自由電子撞擊該金屬導電層；及d·用若干個蝕刻離子將該圓孔或溝槽底部的該氮化層蝕刻。
綜上所述，本發(fā)明消除金屬導電層的靜電使蝕刻完全的方法，能解決晶圓制程中，金屬導電層帶有靜電所造成的蝕刻不全的問題，進而達到蝕刻完全及提升制造晶圓的良率。
為能更進一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細內(nèi)容與附圖，茲舉一較佳可行的實施例并配合圖式詳細說明如后，相信對本發(fā)明的目的、特征與優(yōu)點，當可由此得一深入且具體的了解。


圖1為公知金屬導電層的靜電讓圓孔或溝槽底部的氮化層蝕刻不完全的示意圖。
圖2為本發(fā)明消除金屬導電層的靜電使蝕刻完全的方法的步驟流程圖。
圖3為本發(fā)明消除金屬導電層的靜電使蝕刻完全的方法讓圓孔或溝槽底部的氮化層蝕刻完全的示意圖。
符號說明〔公知〕1a 金屬導電層 31a 圓孔或溝槽11a正電荷靜電 4a蝕刻離子2a 氮化硅層 5a氧化物層3a 氟硅玻璃〔本發(fā)明〕1 金屬導電層 31圓孔或溝槽11正電荷靜電 4 蝕刻離子2 氮化硅層5 氧化物層3 氟硅玻璃具體實施方式
本發(fā)明消除金屬導電層的靜電使蝕刻完全的方法，其步驟(如圖2所示)包括a·將一金屬導電層1(如銅層)沉積在一氧化層5上，之后將一氮化層2(如氮化硅層)沉積在該金屬導電層1上；b·再將一氟硅玻璃3沉積在該氮化層2上，并在該氟硅玻璃3上開設若干個圓孔或溝槽31，該圓孔或溝槽31的底部即是該氮化層2；c·將一高氣壓低密度電漿所產(chǎn)生的若干個自由電子撞擊該金屬導電層1，用以中和該金屬導電層1上的一正電荷靜電11，使該金屬導電層1具電中性或具有若干個帶負電荷的自由電子；及d·用若干個帶正電的蝕刻離子4(如帶正電的氟化物離子)將該圓孔或溝槽31底部的該氮化層2蝕刻，此時該帶正電的蝕刻離子4會很容易進入該圓孔或溝槽31的底部，而將該圓孔或溝槽31底部的該氮化層2完全蝕刻(如圖3所示)，之后再將多余的該蝕刻離子及蝕刻反應產(chǎn)生的氣體用一幫浦抽出。
綜上所述，本發(fā)明消除金屬導電層的靜電使蝕刻完全的方法，能解決晶圓制程中，金屬導電層帶有靜電所造成的蝕刻不全的問題，進而達到蝕刻完全及提升制造晶圓的良率。
本方法可廣泛用于各種沉積植布材料的蝕刻，如氮化層可為須蝕刻的第一植布層，氟硅玻璃可為具被覆功能的第二植布層，而第一植布層與第二植布層可為性質(zhì)功能相近的各種材料。
權(quán)利要求
1.一種消除金屬導電層的靜電使蝕刻完全的方法，其步驟包括a.將一第一植布層沉積在一金屬導電層上；b.將一第二植布層沉積在該第一植布層上，且該第二植布層中開設若干個圓孔或溝槽；c.將一高氣壓低密度電漿所產(chǎn)生的若干個自由電子撞擊該金屬導電層；及d.用若干個蝕刻離子將該圓孔或溝槽底部的該第一植布層蝕刻。
2.如權(quán)利要求1所述的消除金屬導電層的靜電使蝕刻完全的方法，其中該步驟a中還包括一將該金屬導電層沉積在一氧化層上的步驟。
3.如權(quán)利要求1所述的消除金屬導電層的靜電使蝕刻完全的方法，其中該步驟d中還包括一將多余的該蝕刻離子及蝕刻反應產(chǎn)生的氣體用一幫浦抽出的步驟。
4.如權(quán)利要求1所述的消除金屬導電層的靜電使蝕刻完全的方法，其中該第一植布層為氮化層，且該氮化層以電漿氣相沉積法沉積在該金屬導電層上。
5.如權(quán)利要求4所述的消除金屬導電層的靜電使蝕刻完全的方法，其中該氮化層為一氮化硅層。
6.如權(quán)利要求1所述的消除金屬導電層的靜電使蝕刻完全的方法，其中該金屬導電層為一銅層，且該第二植布層為氟硅玻璃。
7.如權(quán)利要求1所述的消除金屬導電層的靜電使蝕刻完全的方法，其中該若干個蝕刻離子為若干個帶正電的氟化物離子。
全文摘要
本發(fā)明消除金屬導電層的靜電使蝕刻完全的方法，其步驟包括a.將一氮化層沉積在一金屬導電層上；b.將一氟硅玻璃沉積在該氮化層上，且該氟硅玻璃中開設若干個圓孔或溝槽；c.將一高氣壓低密度電漿所產(chǎn)生的若干個自由電子撞擊該金屬導電層；及d.用若干個蝕刻離子將該圓孔或溝槽底部的該氮化層蝕刻。如此，可在晶圓制程中，消除金屬導電層上所累積的正電荷靜電，使位于圓孔或溝槽底部的氮化層能完全被蝕刻。
文檔編號H01L21/321GK1635614SQ20031012291
公開日2005年7月6日 申請日期2003年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月29日
發(fā)明者吳漢明, 宋偉基, 邢國強, 古其發(fā) 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司