專利名稱：通過電化學(xué)蝕刻生產(chǎn)鈮或鉭成型物件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在含有氫氟酸的蝕刻水溶液中，通過陽極蝕刻用結(jié)構(gòu)化的光致抗蝕劑掩蔽膜復(fù)蓋的金屬來生產(chǎn)鈮或鉭的成型物件的方法，從而可獲得成型物件。
在電容器的生產(chǎn)中，經(jīng)常使用基于鈮或鉭的陽極。這些電極常常是由特別形狀的所說金屬的片材所組成，往其上借助例如篩網(wǎng)印花法施敷含有鈮粉或鉭粉的漿料。這些漿料然后被置于燒結(jié)步驟，于是形成了牢固地連接到鈮或鉭的成型物件上的燒結(jié)體。
所需的鈮或鉭的成型物件可以從適當(dāng)厚度的鈮或鉭的片材上蝕刻出來。
已知鈮和鉭可以通過等離子體方法和其它物理方法以及通過濕的化學(xué)方法被蝕刻。不過在這些物理方法中，蝕刻速率是很低的。這樣，像生產(chǎn)成型物件所需要的一些數(shù)十微米厚度的結(jié)構(gòu)，用這些方法就不能夠在可以接受的時間內(nèi)生產(chǎn)出來。為實施物理蝕刻方法所需要的設(shè)備和單元操作的高費用可以被提出作為進(jìn)一步的缺點。
因此從經(jīng)濟地開支來看，只有用濕的化學(xué)方法來從鈮或鉭材蝕刻出成型物件。純化學(xué)方法和電化學(xué)方法兩者都是合適的。在蝕刻過程之前，要把一種光敏性抗蝕劑，即所謂光致抗蝕劑，施敷到要被蝕刻的鈮或鉭層上。通過適當(dāng)曝光，光致抗蝕劑可被結(jié)構(gòu)化。然后，例如可通過洗出，把要發(fā)生蝕刻過程的部位的光致抗蝕劑除去，從而使它下面的鈮或鉭層與這些部位中的蝕刻溶液進(jìn)行接觸。沒有除去光致抗蝕劑的鈮或鉭層區(qū)域因為受到這種涂布物的保護(hù)而不會被蝕刻溶液進(jìn)攻。
不需要由光致抗蝕劑產(chǎn)生掩蔽膜的方法，諸如ECM(電化學(xué)機加工)和相應(yīng)的微型方法EMM(電化學(xué)微型機加工)也是已知的。在這些方法中，工件預(yù)定部份的選擇性溶解作用是通過把適當(dāng)形狀的陰極很緊密地靠近工件而達(dá)成的。在工件和陰極之間數(shù)十微米厚度的空隙內(nèi)，通過強有力的蝕刻劑供料可以達(dá)到很高的電流密度和因此產(chǎn)生高蝕刻速率，并實際上產(chǎn)生垂直蝕刻的邊緣。前提是可獲得陰極形式的合適工具，它必須對上述應(yīng)用中的蝕刻具有極強的耐受性。這類工具是由昂貴材料各別制造的，從而很費錢。這也適用于產(chǎn)生必需的強電流所需的裝置。
對于鈮和鉭的無電濕化學(xué)蝕刻，一般地描述有氫氟酸或氟化物與其它酸類和氧化添加劑、主要是硝酸所形成的混合物。這種氧化劑除其它作用以外，具有防止氣體氫氣形成的任務(wù)，后者可負(fù)面地影響包含光致抗蝕劑的掩蔽膜在金屬上的粘附。
金屬鈮和鉭具有密實的、牢固地附著、化學(xué)性很惰性的氧化物層，因而不溶于通常的酸類中，只有氫氟酸是例外，這種氧化物層也使它不可能以可重現(xiàn)的方式建立起電化學(xué)電位，從而在文獻(xiàn)中可以找到很不相同的有關(guān)數(shù)據(jù)。然而，從熱力學(xué)數(shù)據(jù)估算的鈮和鉭的標(biāo)準(zhǔn)電位基本上在負(fù)的范圍內(nèi)、緊靠-1伏處。這樣，這些金屬就可以純粹化學(xué)地溶解在氫氟酸中而無需加入氧化劑，但是產(chǎn)生的氫的超電壓卻阻礙了溶解作用，從而也阻礙了化學(xué)蝕刻過程。
這樣，作為一條規(guī)律，鈮和鉭的化學(xué)蝕刻就只能應(yīng)用于要蝕刻的層的厚度僅有數(shù)微米的情況。這樣薄的層仍可以在可接受的時間內(nèi)被完全蝕刻。幾秒的蝕刻時間已經(jīng)足夠，因此作為一條規(guī)律要施敷到要蝕刻的鈮或鉭層上的普通光致抗蝕劑不會受到進(jìn)攻。
US-A-4,266,008描述了超導(dǎo)電路的生產(chǎn)。為此目的，光敏性材料的掩蔽膜被施敷到厚度為0.5至5微米的薄的鈮膜片上，然后借助蝕刻水溶液來蝕刻鈮薄膜上未被掩蔽膜復(fù)蓋的部份。蝕刻溶液含有按重量計8.5至9.0％的硝酸，按重量計11.5至12％的硫酸以及按重量計12.25至12.75％的氫氟酸。用這種蝕刻溶液在10秒內(nèi)可將0.5微米厚的鈮層完全蝕刻。
JP 56081680 A也公開了一種蝕刻鈮的方法。它提議用按重量計5至15％的HF，按重量計2至6％的NH4F，按重量計10至20％的HCl和按重量計3至9％的HNO3。
M.Khler在“tzverfahren für die Mikrotechnik”(微型工程的蝕刻方法)(1998年Wiley VCH-Verlag出版，第306頁)中描述了一種蝕刻溶液，它是由0.66摩爾/升(NH4)2S2O8、0.27摩爾/升NH4F、0.11摩爾/升檸檬酸和1.43摩爾/升HNO3所組成的。這一蝕刻方法是在50℃的溫度條件下實施的。
在“Metallographisches，Keramographisches，plastographisches tzen”(金屬相、陶瓷相、塑料相的蝕刻，Gebr.Borntraeger Verlag出版，第六版，斯圖加特，1994年，第99頁)一書中，G.Petzow提供了有關(guān)用一種蝕刻溶液對鈮及其合金進(jìn)行微型蝕刻的信息，該溶液不含氟化合物。這種蝕刻溶液是由等份量的水、按重量計30％強度的過氧化氫和按重量計32％強度的氨溶液的混合物組成的，并且想要在其沸點使用。因為這樣一種混合物僅能短時間穩(wěn)定存在，特別是在其沸點，因此它不適宜于借助蝕刻來生產(chǎn)鈮和鉭的成型物件。
這兩種金屬鈮和鉭不僅可以用氫氟酸來蝕刻，也可以用強堿性溶液來蝕刻，然而所有已知的光致抗蝕劑對強堿溶液都不夠穩(wěn)定。因此堿性蝕刻劑不適宜用于化學(xué)機加工。又由于高的酸濃度并需要加入氧化劑這種明顯的困難，用純粹的化學(xué)方法來生產(chǎn)鈮和鉭的成型物件也不是很有前途的。
原則上，在電化學(xué)蝕刻中是不需要氧化劑的。然而，G.Petzow在“Metallographisches，Keramographisches，plastographischestzen”(金屬相、陶瓷相、塑料相的蝕刻，Gebr.Borntraeger Verlag出版，第6版，斯圖加特，1994年，第99頁)一書中為這樣的方法指定了一種混合物，這是由17份按重量計強度為65％的HNO3，17份按重量計強度為40％的HF和66份水所組成的。按照G.Petzow，蝕刻是用相對Pt電極為10至30伏特的電壓來實施的。在鈮的電化學(xué)蝕刻中，在陽極溶解于HF中的情況下沒有描述過鈍化現(xiàn)象，后者會在某些金屬在一些蝕刻劑中的情況下發(fā)生。相反，在鉭的電化學(xué)蝕刻中，當(dāng)電流密度大于1安培/分米2時會形成一層H2TaF7，該層阻礙了鉭的進(jìn)一步溶解并增高了浴電壓。
所描述的濕化學(xué)方法的一個缺點是，所用的蝕刻溶液對光致抗蝕劑掩蔽膜的加強進(jìn)攻，這會妨礙厚度遠(yuǎn)大于10微米的鈮和鉭層的斷裂。然而，例如對于鈮和鉭陽極的生產(chǎn)來說，卻需要具有相應(yīng)厚度的成型物件。一個進(jìn)一步的缺點是在使用上述蝕刻溶液時會使單晶暴露，這將導(dǎo)致在蝕刻部份形成很粗糙的表面。
這樣，本發(fā)明的一個目的是提供一種蝕刻鈮和鉭的成型物件的方法，它不會有所說的缺點并且特別是允許生產(chǎn)厚度大于50微米的成型物件。
這一目的是通過在一種蝕刻溶液中電化學(xué)處理鈮和鉭而達(dá)成的，該蝕刻溶液除氫氟酸以外還含有一種水溶性的聚合物，并且在蝕刻過程中來建立具體的電化學(xué)條件。
這樣，本發(fā)明涉及一種生產(chǎn)鈮和鉭的成型物件的方法，它是通過在含有氫氟酸的蝕刻水溶液中用電化學(xué)方法蝕刻復(fù)蓋著結(jié)構(gòu)化的光致抗蝕劑掩蔽膜的鈮或鉭的片材，蝕刻是在這樣的電化學(xué)條件下實施的，即把占絕對蝕刻電流5-10％的平均變異的噪音電流疊加到產(chǎn)生的蝕刻電流上，并且蝕刻溶液中含有一種水溶性的聚合物。
令人驚奇地，在這些條件下，在所有沒有被光致抗蝕劑復(fù)蓋的部份都獲得均勻的蝕刻速率，并且產(chǎn)生平滑的蝕刻表面。蝕刻劑對光致抗蝕劑的進(jìn)攻是如此微小，以致它能經(jīng)受住整個蝕刻過程而沒有任何損傷。這樣，蝕刻就可以沒有問題地在較長時間實施，例如，可以實施長達(dá)20分鐘，從而使，例如，厚度約70微米的鈮或鉭的片材也能被完全地蝕刻。
按照本發(fā)明，這種蝕刻溶液中含有一種水溶性的聚合物。這里，被理解為是水溶性的聚合物是指那些在20℃的溫度下可以溶解形成至少100克/升濃度的聚合物。例如，聚乙二醇、聚乙二醇醚和它們的取代衍生物，諸如，例如，TritonX-100和聚丙二醇可被提及作為合適的水溶性聚合物。優(yōu)選使用的水溶性聚合物是聚乙二醇。
在本發(fā)明的方法中，可以使用的聚乙二醇所具有的平均摩爾質(zhì)量Mw至少應(yīng)為100克/摩爾，到最高的可用的約35,000克/摩爾的摩爾質(zhì)量，但仍保持在水中的溶解度的聚乙二醇。優(yōu)選使用具有平均摩爾質(zhì)量為300至1000克/摩爾的聚乙二醇。
水溶性聚合物的最佳濃度依賴于聚合物的平均摩爾質(zhì)量和溫度，以及蝕刻溶液中的進(jìn)一步的組份。在蝕刻溶液中水溶性聚合物優(yōu)選存在的濃度為大約200至800克/升，特別優(yōu)選400至600克/升。
用于本發(fā)明方法中的蝕刻水溶液包含氫氟酸。在蝕刻溶液中氫氟酸的濃度基于純HF計算優(yōu)選100至500克/升，特別優(yōu)選150至300克/升。
進(jìn)一步，氟氫化銨(NH4)HF2可有益地加入到這種蝕刻溶液中，氟氫化銨的濃度優(yōu)選為10至100克/升，特別優(yōu)選30至60克/升。這樣要以讓蝕刻溶液在其它方面不改變蝕刻性質(zhì)的條件下使用要長的時間。
升高蝕刻溶液的溫度也會有益地影響蝕刻過程。溫度增高會導(dǎo)致更快的蝕刻速率，它等價于縮短蝕刻過程的時間，從而也縮短了光致抗蝕劑被置于應(yīng)力下的時間。這樣，蝕刻過程中蝕刻溶液的溫度優(yōu)選在40至60℃，但蝕刻也可以在5至70℃這整個溫度范圍內(nèi)來實施。
通過機械方法，諸如，例如，攪拌方法，或借助循環(huán)泵來循環(huán)，或吹入一種氣體等來攪拌蝕刻溶液，可增加蝕刻速率并在整個被蝕刻的表面改善蝕刻過程的均勻性。這樣，蝕刻溶液優(yōu)選通過機械方法來攪拌，或者吹入空氣或者一種對于鈮或鉭片材以及對蝕刻溶液都是惰性的氣體。


圖1顯示在電化學(xué)蝕刻生產(chǎn)鈮或鉭成型物件的蝕刻過程中，電化學(xué)蝕刻電流與時間的函數(shù)關(guān)系。
在蝕刻之前，要把含有光致抗蝕劑的掩蔽膜施敷到要被蝕刻的金屬上?？墒褂闷胀ㄊ惺鄣墓庵驴刮g劑。如果金屬的涂布是通過把它從液體抗蝕劑中拉出來的方法實施，則對于掩蔽物粘附在金屬上是有益的；干燥以后，可在升高的溫度下使掩蔽膜熟化。
按照本發(fā)明，鈮和鉭的蝕刻是在這樣的電化學(xué)條件下實施的，即在這種條件下有強的噪音電流被疊加到蝕刻電流上。被連接作為陽極的要被蝕刻的金屬的電化學(xué)勢可以通過，例如，評估試驗性蝕刻來選擇，從而在只有少量噪音的初始相之后，即可把強的噪音疊加到得到的蝕刻電流上。這里強的噪音應(yīng)被理解為是意指占絕對蝕刻電流大約5至10％的噪音。
電化學(xué)條件可以通過，例如，恒電位調(diào)節(jié)蝕刻電位或手動調(diào)節(jié)蝕刻電流的方法來確認(rèn)。
待蝕刻的鈮和鉭片材的電化學(xué)勢，可以在蝕刻過程中通過調(diào)節(jié)恒電位儀對參比電極的電位來進(jìn)行，所述參比電極在蝕刻容器中緊靠著鈮或鉭片材的表面。
然而有益地，蝕刻也可以不用直接測量和調(diào)節(jié)蝕刻電勢來達(dá)成，而是用可控制的直流電源來達(dá)成，后者比恒電位儀更為經(jīng)濟。為此目的，首先在試驗底物上用恒電位儀和參比電極決定最佳地進(jìn)行蝕刻過程時的電流-時間曲線。然后通過直流電源來調(diào)節(jié)電流，使得電流-時間曲線與前面測定的最佳曲線相適應(yīng)。
最好是，測定的電流-時間曲線也被用來確立停止蝕刻過程的時間。依賴于蝕刻結(jié)構(gòu)和要達(dá)到的蝕刻深度，曲線會有特征的形狀，從該曲線并基于經(jīng)驗性地對試驗性蝕刻曲線的評估，即可辨認(rèn)出各個所需的終態(tài)。
小的成型物件可以比較大的數(shù)量同時地由鈮或鉭的片材經(jīng)濟地蝕刻，只要這樣來設(shè)計光致抗蝕劑掩蔽膜，使得小的成型物件之間的機械和電氣的連接，通過在分開的窄條中狹窄的光致抗蝕劑接合區(qū)，一直保持到蝕刻過程的結(jié)束。然后在蝕刻之后進(jìn)行機械的分離。
鈮或鉭的片材(要被蝕刻的所需成型物件即從它制得)最好是這樣浸漬在蝕刻溶液中，使得沒有被光致抗蝕劑復(fù)蓋、結(jié)合著成型物件并在蝕刻過程中溶解的窄條相對垂直位置以45°±5°的角度排列。
在本發(fā)明方法的一個具體實施方案中，除為了分離所需的結(jié)構(gòu)以外，一種或多種試驗區(qū)域被應(yīng)用于在光致抗蝕劑掩蔽膜中的要被蝕刻的金屬。所說的試驗區(qū)域可能具有不同的部份結(jié)構(gòu)，就像也會存在于成型物件的一些結(jié)構(gòu)中的情況那樣，例如交會點、接合區(qū)和直的窄條。試驗區(qū)域相對于垂直位置的排列可以變化。在一個試驗系列中，確立了為所需最佳蝕刻結(jié)果的條件并決定了試驗區(qū)域的蝕刻狀態(tài)。隨后的蝕刻過程即可以很簡單的方式、在最佳的時間，即一旦達(dá)到前面確立的試驗區(qū)域的狀態(tài)時立即終止。這一狀態(tài)可以例如，用光學(xué)方法決定。
本發(fā)明進(jìn)一步涉及鈮或鉭的成型物件，它們可用本發(fā)明的方法獲得，并且以其光滑和沒有毛口的邊緣而在機械方面不同于已生產(chǎn)過的成型物件。
下面要參照實施例更詳盡地說明本發(fā)明，這些實施例是打算使人們更容易地理解本發(fā)明的原理，而不應(yīng)限制本發(fā)明。
實施例實施例1用涂布著3-4微米厚的抗蝕劑XAR P 5900/4(柏林Allresist GmbH生產(chǎn))作掩蔽物、通過普通光刻工藝提供70微米厚、面積為100×100毫米2的鈮片材，通過以恒定速度把金屬片材從液體抗蝕劑中抽出以使其兩面均被抗蝕劑所涂布。用100微米寬的不含抗蝕劑的窄條把一些成型物件標(biāo)記在金屬片材的一面，這些窄條以直角相互排列。這些窄條每隔5毫米間距就有200微米寬的間隔，5毫米間距內(nèi)保持被抗蝕劑所復(fù)蓋。蝕刻之前，掩蔽膜在強制循環(huán)烘箱中于150℃熟化60分鐘。
蝕刻是在對氫氟酸有耐受力的聚丙烯容器中實施的，帶有掩蔽的鈮片材處于垂直位置、與具有同樣尺寸的鉑電極相距2厘米并使鉑電極面向這一電極的已經(jīng)結(jié)構(gòu)化的一面。沒有被抗蝕劑復(fù)蓋的結(jié)構(gòu)窄條和結(jié)合各別成型物件的窄條被排列成對垂直位置形成45°角度。蝕刻容器中包含400毫升按質(zhì)量計為50％的氫氟酸、600毫升摩爾質(zhì)量為400克/摩爾的聚乙二醇和50克氟氫化銨NH4·HF2的組成的混合物。溶液的溫度為45℃。在蝕刻容器中還存在對氫氟酸有耐受性的參比電極，它相對于標(biāo)準(zhǔn)氫電極的電化學(xué)電位為203毫伏。鈮片材、鉭電極和參比電極被電連接到普通恒電位儀的輸出端，鈮片材被連接成工作電極。在鈮電極上加上相對于參比電極為1800毫伏的電位，并用普通方法記錄得到的蝕刻電流對時間的函數(shù)關(guān)系。以這種方法獲得的電流-時間圖形見附圖1，它呈現(xiàn)出最初置入的電流噪音，接著是稍具斜率的平穩(wěn)期以及較尖銳地下降部份。后者在曲線的終端再次彎曲而顯示出較平坦的區(qū)域。在這時停止蝕刻，洗滌掩蔽膜、干燥、然后用剝離器除去它。
在沒有被抗蝕劑復(fù)蓋的窄條區(qū)域，金屬已被蝕刻直通到對面、并具有63微米的橫向切口。通過蝕刻和橫向地結(jié)合成型物件形成的面積具有平滑的表面，并且松脆地形成邊緣。通過破碎其余連接的接合部即可分離出成型的物件。
實施例2實施例2相應(yīng)于實施例1，成型物件被標(biāo)記在鈮片材的兩面上的抗蝕劑掩蔽膜中、兩面標(biāo)記相一致，并使用兩個相對的互相電連接的電極。這樣使蝕刻所需時間減至一半、即切割時間也只需一半。
實施例3(供比較的實施例)這一實施例相應(yīng)于實施例1和2，所用電位相對于參比電極為1200毫伏。電流-時間曲線上沒有顯示出大量噪音，并且代替電流值的降落，在數(shù)分鐘后發(fā)生電流大幅增加。蝕刻停止以后除去掩蔽膜，鈮片材并未被蝕刻到貫穿到對面的程度，被蝕刻的表面很粗糙，也沒有松脆地形成邊緣。最初被掩蔽膜復(fù)蓋的部份通過蝕刻卻受到了廣泛地進(jìn)攻。
實施例4這一實施例相應(yīng)于實施例1和2，鈮片材被浸漬在蝕刻容器中，使不含抗蝕劑的窄條被水平和垂直地排列。蝕刻以后，在垂直的窄條中金屬已被蝕刻貫穿到對面，而水平的窄條則仍然包含金屬殘余。
實施例5這一實施例相應(yīng)于實施例4，在蝕刻過程中通過攪拌方法使蝕刻溶液強有力地機械攪拌。在沒有被抗蝕劑復(fù)蓋的窄條中，金屬已被蝕刻貫穿到對面并有60微米的橫向切口。通過蝕刻以及橫向地結(jié)合成形物件形成的面積具有光滑的表面并且松脆地形成邊緣。
實施例6這一實施例相應(yīng)于實施例4，在蝕刻過程中通過吹入細(xì)小氣泡形式的空氣使蝕刻溶液被強有力地機械攪拌。在沒有被抗蝕劑復(fù)蓋的窄條中，金屬已被蝕刻貫穿到對面并有58微米的橫向切口。通過蝕刻和橫向地結(jié)合成型物件形成的面積具有光滑的表面和松脆地形成的邊緣。
實施例7這一實施例相應(yīng)于實施例1和2，直流電源用來代替恒電位儀，它被這樣控制，使電流曲線相應(yīng)于實施例1中的電流曲線。結(jié)果相應(yīng)于實施例1中得到的結(jié)果。
實施例8這一實施例相應(yīng)于實施例1，一些具有不同部份結(jié)構(gòu)的試驗區(qū)域(它們也存在于成型物件的結(jié)構(gòu)情況中)諸如交會區(qū)、接合區(qū)和直的窄條，可以像成型物件那樣在相同的方向上，也可以具有更大或更小的尺寸，并且可以連續(xù)變化的尺寸形成楔形，被額外地應(yīng)用于在抗蝕刻劑掩蔽膜中的要被蝕刻的金屬上。進(jìn)一步，這種試驗結(jié)構(gòu)相對于垂直位置的方向可被改變。在一個試驗系列中，測定了與最佳蝕刻結(jié)果相關(guān)連的試驗區(qū)域的蝕刻狀態(tài)，并且在進(jìn)一步蝕刻過程中，當(dāng)試驗區(qū)域的這一狀態(tài)通過光學(xué)觀測被辨認(rèn)出來時立即停止蝕刻工藝。
實施例9這一實施例相應(yīng)于實施例8，使用了一些像描述過的那種試驗結(jié)構(gòu)，所說的這些結(jié)構(gòu)同時地、并且和要被蝕刻的工件電連接，在和所說的工件其它方面完全相同的條件下被蝕刻，并從蝕刻浴中取出以便觀測。在一個試驗系列中，測定了與最佳蝕刻結(jié)果相關(guān)連的試驗區(qū)域的蝕刻狀態(tài)，并且在進(jìn)一步的蝕刻過程中，當(dāng)試驗區(qū)域的這一狀態(tài)通過光學(xué)觀測被辨認(rèn)出來時立即停止蝕刻工藝。
權(quán)利要求
1.一種生產(chǎn)鈮和鉭的成型物件的方法，它是通過在含有氫氟酸的水溶液中用電化學(xué)方法蝕刻由結(jié)構(gòu)化的光致抗蝕劑掩膜復(fù)蓋的鈮或鉭的片材，其特征為蝕刻是在如下的電化學(xué)條件下實施的，即把占絕對蝕刻電流5-10％的平均變異的噪音電流疊加到產(chǎn)生的蝕刻電流上，并且蝕刻溶液含有一種水溶性的聚合物。
2.權(quán)利要求1的方法，其特征為該聚合物是平均摩爾質(zhì)量Mw至少為100克/摩爾的聚乙二醇。
3.權(quán)利要求1或2的方法，其特征蝕刻溶液所含聚合物的濃度為200至800克/升。
4.權(quán)利要求1至3中任意一項的方法，其特征為蝕刻溶液所含氫氟酸的濃度為100至500克/升。
5.權(quán)利要求1至4中任意一項的方法，其特征為蝕刻溶液含有10至100克/升的氟氫化銨。
6.權(quán)利要求1至5中任意一項的方法，其特征為在蝕刻過程中蝕刻溶液的溫度為5至70℃。
7.權(quán)利要求1至6中任意一項的方法，其特征為蝕刻溶液要通過機械方法攪拌或者吹入空氣或一種對被蝕刻的鈮或鉭片材以及對于蝕刻溶液是惰性的氣體。
8.權(quán)利要求1至7中任意一項的方法，其特征為被蝕刻的鈮或鉭片材的電化學(xué)電位是通過相對于存在于蝕刻容器中的參比電極的恒電位儀來調(diào)節(jié)的，所述參比電極是緊靠鈮或鉭片材表面的。
9.按權(quán)利要求1至8可獲得的鈮或鉭的成型物件。
全文摘要
一種生產(chǎn)鈮或鉭的成型物件的方法，它是通過在含有氫氟酸的水溶液中用電化學(xué)方法蝕刻覆蓋著結(jié)構(gòu)化的光致抗蝕劑掩蔽物的鈮或鉭的板材，蝕刻是在這樣的電化學(xué)條件下實施的，即把強的噪音電流疊加到蝕刻電流上并且蝕刻溶液中包含一種水溶性的聚合物。
文檔編號H01G9/00GK1521288SQ20031012313
公開日2004年8月18日 申請日期2003年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月20日
發(fā)明者M·戈特施林, J·勒菲爾霍爾茨, M·阿爾伯特, G·薩多斯基, , M 戈特施林, 嗨夠, 貧 舳 申請人:H.C.施塔克股份有限公司