專利名稱：等離子腐蝕室及使用其的等離子腐蝕系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及殘留在半導體晶片的圓周端部的膜質(zhì)和微粒的清洗，更詳細地講，是一種等離子腐蝕室及使用其的等離子腐蝕系統(tǒng)，可以通過等離子腐蝕的方法將殘留于晶片圓周端部的膜質(zhì)及在其周圍堆積的微粒徹底除去。
背景技術(shù)：
在晶片表面堆積膜質(zhì)的模型階段中，晶片的圓周端部生成不需要的膜質(zhì)，因此，用等離子腐蝕晶片上面的干洗工序中，因腐蝕產(chǎn)生的副產(chǎn)物(By-Product)未被完全排出，在晶片的圓周端部的上面到側(cè)面以及底面堆積，以微粒形式殘留。
即，等離子腐蝕后的晶片，如圖12所示，晶片91的圓周邊緣到側(cè)面以及底面連續(xù)地堆積微粒93，并向平臺95和晶片91之間侵入。
通常，在晶片的圓周端部，在沒有變成半導體芯片的部分殘留的膜質(zhì)和微粒(以下簡稱微粒)，在后續(xù)的半導體工序中，由于有在半導體芯片處引起深刻損傷的因素，所以必須將其除去。
在晶片的圓周端部，上述堆積微?？梢杂脻裣捶ㄈコ?，但該方法對清洗后的半導體有新的不良影響因素，清洗后的殘存的溶液有很強的反應(yīng)性，以對環(huán)境有害的公害物質(zhì)殘留，對其處理并不容易。
日本特開平07-142449號公開的是對在上述晶片的圓周端部殘存的微粒用等離子進行腐蝕的裝置。
示例裝置是向相對晶片的圓周邊緣配置的上下部電極之間噴入反應(yīng)氣體，一面通過等離子進行腐蝕，一面向上部電極的中央部噴入穩(wěn)定性氣體，如上所述生成的等離子可以侵入晶片的內(nèi)側(cè)。
但是，因上述裝置向相對晶片的上部電極一側(cè)附加射頻，而不向晶片上附加自給偏壓，所以腐蝕速度變慢，工序時間變長。
而且，腐蝕只在晶片的圓周邊緣的上面進行，在其側(cè)面至底面堆積的微粒不會完全被除去。
本發(fā)明的目的是提供一種等離子腐蝕室，在利用等離子腐蝕室腐蝕把在晶片圓周端部堆積的膜質(zhì)和微粒去除的情況下，可以在晶片的圓周邊緣的上面至側(cè)面、底面連續(xù)完全地進行高效率的腐蝕。
本發(fā)明的其他目的是提供一種等離子腐蝕系統(tǒng)，為使上述用新方式的等離子腐蝕室可適用于半導體生產(chǎn)工序，在短時間內(nèi)可以處理大量的晶片。

發(fā)明內(nèi)容
為實現(xiàn)上述目的的本發(fā)明的等離子腐蝕室，由以下部分構(gòu)成設(shè)置經(jīng)由室的內(nèi)部配置的平臺向晶片附加射頻(Radio-Frequency)的陰極；在上述平臺的外圓周邊緣，在比晶片的圓周邊緣低的位置設(shè)置環(huán)狀的下部陽極的同時，在上述平臺的上方設(shè)置與上述環(huán)狀的下部陽極相對應(yīng)的環(huán)狀的上部陽極；在上述晶片圓周端部和上述環(huán)狀的上部陽極以及上述晶片圓周端部和上述環(huán)狀的下部陽極之間同時放電，利用產(chǎn)生的等離子，在上述晶片圓周邊緣的上面至底面區(qū)域連續(xù)地進行腐蝕。
而且，本發(fā)明的腐蝕室，由以下部分構(gòu)成在裝載于平臺上的晶片的圓周端部上側(cè)和下側(cè)，相向配置環(huán)狀的上部陽極和環(huán)狀的下部陽極；而且，在上述環(huán)狀的上部陽極的外圓周設(shè)置窗口環(huán)，限制等離子空間的擴張，調(diào)節(jié)在上述環(huán)狀的上部陽極和上述環(huán)狀的下部陰極之間流動的反應(yīng)氣體的壓力分布，通過放電產(chǎn)生的等離子在上述晶片圓周邊緣的上面至底面區(qū)域有效地進行腐蝕。
且，本發(fā)明的等離子腐蝕室，在相向配置于上述平臺的上方的圓盤形絕緣體的外圓周面，與晶片平行形成伸長的溝，可以使腐蝕的邊界面成為直角。
而且，本發(fā)明的腐蝕室的相向配置在晶片的上方的絕緣體的中心為凹面，從而可以抑制在其附近放電。
且，本發(fā)明的等離子腐蝕室為了向上述平臺的上面平穩(wěn)地裝載，或者，為了更好地進行晶片腐蝕，而裝備用于控制位置的激光傳感器等來測定晶片上面和環(huán)狀的上部陽極之間的放電間隙，使其處在最適宜的距離。
而且，本發(fā)明的等離子腐蝕室配備了對準器，使裝載于上述平臺的晶片調(diào)整到正確的姿勢，使其對準中心。
且，實現(xiàn)上述目的的本發(fā)明的等離子腐蝕系統(tǒng)，把容納晶片的暗盒向多個陳列的容納盒中的任一個供給之后，機械手取出上述晶片，向晶片排列部運送，在此進行晶片的OF(Orientation Flat)位置的矯正后，機械手再將晶片取出，裝入裝載擱置室進行腐蝕，當晶片的腐蝕完成后，機械手再從擱置室把晶片取出，裝入原先的暗盒，以此重復操作。
而且，本發(fā)明的等離子腐蝕系統(tǒng)是，把容納晶片的暗盒向負載端口供給后，輔助機械手將上述晶片取出，運送至晶片排列部并按OF位置正確矯正姿勢后，臨時把經(jīng)矯正的晶片裝入裝載擱置室，機械手從裝載擱置室將晶片取出，并裝入配置有多個室的任一個進行腐蝕，當晶片的腐蝕完成后，上述機械手將晶片取出并再次裝入裝載擱置室，上述輔助機械手把裝入裝載擱置室的晶片取出，并返回原先的暗盒，以此重復操作。
本發(fā)明的優(yōu)點是利用現(xiàn)有的干洗工序?qū)⒍逊e在晶片圓周端部的微粒用等離子進行干式腐蝕，在該工序中，通過單一工序進行腐蝕晶片圓周邊緣的上面經(jīng)側(cè)面至底面部分，而且可以正確地只腐蝕晶片的圓周邊緣。
因此，可以在很短的操作時間內(nèi)腐蝕在晶片的圓周邊緣的要加工部位，單位時間的當處理率也很高，有助于節(jié)減現(xiàn)有的濕洗半導體元件的價格和通過省略現(xiàn)有的濕洗而簡化工序的優(yōu)點。


圖1表示本發(fā)明的等離子腐蝕室構(gòu)造的截面圖；圖2表示在圖1所示的室內(nèi)設(shè)置的平臺的變換實施例的部分截面圖；圖3表示通過在圖1所示的室內(nèi)設(shè)置于平臺附近的對準器矯正晶片的中心的實施例的平面圖；圖4是說明在本發(fā)明的腐蝕室中晶片圓周邊緣腐蝕過程的部分放大截面圖；
圖5是為說明圖4所示的腐蝕結(jié)果的晶片圓周邊緣的放大側(cè)面圖；圖6是對應(yīng)圖4，因安裝于上部的絕緣體的變形使等離子變化的放大截面圖；圖7是對應(yīng)圖5，根據(jù)圖6所示的構(gòu)成腐蝕的晶片的圓周邊緣的側(cè)面圖；圖8是在本發(fā)明的腐蝕室的其他實施例中，對應(yīng)圖4的晶片腐蝕過程的擴大截面圖；圖9是在圖8所示的實施例的變換例中，對應(yīng)圖4的晶片腐蝕過程的放大截面圖；圖10表示關(guān)于本發(fā)明的腐蝕室的一實施例的構(gòu)成圖；圖11表示關(guān)于本發(fā)明的腐蝕室的其他實施例的構(gòu)成圖；圖12是根據(jù)通常方式在等離子腐蝕后的晶片圓周端部，微粒堆積情況的部分放大圖。
具體實施例方式
根據(jù)以下優(yōu)選實施例，可以很好地理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點。
圖1表示有關(guān)本發(fā)明的腐蝕室的構(gòu)造。
如圖所示，在室2的內(nèi)部，通過門4封閉出入門6形成與外部隔離的空間8，中央下側(cè)設(shè)置用于搭載晶片W的平臺10，晶片W處于平臺10上。
空間8的空氣與外部隔離之后，調(diào)整到大概10-1～10-3托(Torr)程度的低壓。
在平臺10的上表面中央，設(shè)置可通過加載器12升降的陰極14，與等離子振蕩器16連接，而且，在平臺內(nèi)部形成強制冷卻用的滑水槽18，從這里向外部開口，經(jīng)由至少有二個的通路20來循環(huán)冷卻媒質(zhì)，在平臺外端部安裝有用絕緣材料23隔開的環(huán)狀的下部陽極22。
陰極14接受從上方供給的晶片W之后，降下至一定位置，在上述平臺10的上端承載晶片。
這時，環(huán)狀下部陽極22的位置與承載于平臺10的晶片W的圓周邊緣之間，為了能留出需要放電而規(guī)定的間隙，其配置必須比上述晶片W低。
對于本發(fā)明的腐蝕室，平臺10的構(gòu)造如圖2所示。
在圖2所示的平臺10的上表面，有具備陰極14的絕緣板100；在其下方，有具備至少三個針102的板104，上述針102是穿過絕緣板100在上方自由活動配置的；而且，板104是與上述加載器12連結(jié)、具有可以升降的構(gòu)造。在這種構(gòu)造下，陰極14設(shè)置在上述絕緣板100的下表面中央。
上述構(gòu)造作用是用突出于平臺10上面的針102來支撐晶片W的底面，然后，如果加載器12下降，可不搖擺地將晶片W裝載在絕緣板100上。
而且，參照圖1，在平臺10的上方具有與其大體上面積相同的電極24，通過向上方延伸的桿26可自由上下升降配置的，而且，在電極24的內(nèi)部也設(shè)置有與平臺10相同的滑水槽28，經(jīng)由開口于上述桿26的內(nèi)部的通路30來循環(huán)冷卻媒質(zhì)。
在電極24的底面安裝有在中央形成規(guī)定半徑的凹面32的絕緣體34，在其周邊配置與環(huán)狀的下部陽極22相向的環(huán)狀的上部陽極36，這對上下部陽極36、22兩者一起接地。
另外，如果絕緣體34的厚度很薄，就在其整個面開始連續(xù)放電，因此，在晶片W的中心部產(chǎn)生等離子，恐怕出現(xiàn)不需要的腐蝕，在本發(fā)明中通過凹部32，由于絕緣體34的中央部與晶片W的上表面對峙的間隙比其他部分大，所以電場強度變?nèi)?，不會在凹?2上放電。
但是，不能無視絕緣體34的厚度和放電的關(guān)系，根據(jù)試驗已確認，絕緣體34的厚度未到15mm時，在圓周端部穩(wěn)定地放電的狀況下，與存在凹部32無關(guān)，在中央部也會發(fā)生放電。
因此，把絕緣體34的厚度定在15mm以上較好。
另外，絕緣體34與上部陽極36之間開有環(huán)狀的反應(yīng)氣體出口38，把經(jīng)由第1管路40注入的反應(yīng)氣體向晶片W的圓周端部噴出的同時，在中心側(cè)的凹部32開有氮氣出口42，把經(jīng)由第2管路44注入的氮氣向上述晶片W的中心噴出。
具備第1以及第2管路40、44的上述桿26，其外側(cè)端通過水平橫桿46連結(jié)活塞桿48，而且，活塞桿48用設(shè)置于室2的外部上側(cè)的導向器50軸支撐，不搖擺地進行升降。并且，桿26的升降動作是通過使上述水平橫桿46連動的滾珠螺旋52和步進電機54運行的。
本發(fā)明的腐蝕室在室2的外圓周一側(cè)配備激光傳感器56，該激光傳感器56用來測定晶片W和上部陽極36的間隙，通過向控制器反饋可以正確地控制上述電極24的下降位置。
而且，本發(fā)明的腐蝕室在空間8的內(nèi)部具備以平臺10上端面的圓周等分配置在多個半徑方向調(diào)整用的對準器58。
上述對準器58，如圖3所示，由通過圓柱580推進活塞桿582構(gòu)成，上述活塞桿582是全部以相同伸出長度，把晶片W的外圓周通過輕輕地捕捉且擠壓來對準中心位置，把上述晶片W矯正到正確的姿勢，最后對準OF位置。
根據(jù)本發(fā)明的腐蝕室，從晶片W的圓周端部的上面到底面的一定部位是在上下部陽極36、22之間，由于以規(guī)定的間隙對峙，所以只有這部分才能產(chǎn)生等離子。
即，從氮氣出口42噴出的氮氣在晶片W的中心部形成空氣幕，腐蝕的時候，防止從晶片的圓周邊緣生成的反應(yīng)團等流入上述晶片的中心部。另一方面，從反應(yīng)氣體出口38噴出的反應(yīng)氣體，例如，氬氣、CF4、SF6，由于經(jīng)由上述晶片W的圓周邊緣而擴散，所以等離子只在晶片的圓周邊緣生成。
這時，向陰極14附加射頻，如圖4所示，因為只在晶片W的圓周端部進行放電，所以從反應(yīng)氣體出口38流出的反應(yīng)氣體，更詳細地說，反應(yīng)氣體CF4被離子化，在這個條件下，發(fā)生或者等分解反應(yīng)，中性F自由基R與上述晶片W的圓周邊緣表面發(fā)生碰撞，堆積于此的微粒在表面反應(yīng)，通過變換成揮發(fā)性化合物的過程進行腐蝕，與此同時反應(yīng)氣體繼續(xù)按圖中箭頭方向流動。
根據(jù)上述反應(yīng)氣體，在晶片的圓周端部產(chǎn)生等離子Ps時，晶片的內(nèi)側(cè)間隙由于凹面32而變大，而且，因為流出類似難于放電的氮這樣的分子狀多原子分子，所以在其附近不發(fā)生放電。
根據(jù)上述反應(yīng)氣體，產(chǎn)生等離子Ps時，在其內(nèi)側(cè)形成伴隨氣體離子化的空間電荷層(Sheath)S，由于在其空間電荷層S不進行放電，所以不能產(chǎn)生等離子。因而，由于也不生成中性F自由基R，所以在上述空間電荷層S所屬部分不進行腐蝕。
另外，上述空間電荷層S的厚度是在不妨礙等離子腐蝕的限度下，可把室2的真空度、射頻震動的強度等調(diào)整到最小，但不可能完全消除其影響。
圖5表示在本發(fā)明涉及的腐蝕室中腐蝕晶片W的圓周邊緣附近后的結(jié)果。
在晶片W的圓周端部的腐蝕邊界是在上述空間電荷層S的影響下，形成腐蝕角θ的傾斜面Ws，虛線部分是被腐蝕部分和在其端部堆積的微粒P。
實際上，即使把上述空間電荷層S的厚度調(diào)節(jié)到最小，腐蝕角θ也有2、3度，這種程度的腐蝕角存在下，不會損傷晶片W的元件。
為使上述腐蝕角θ接近0度，如圖6所示，在安裝于上側(cè)的絕緣體34的外周面上，刻有與晶片W平行延伸的溝64。
絕緣體34具有上述溝64，沿其外周面流出的反應(yīng)氣體達到溝64的內(nèi)周面，如圖所示，由于沿溝64被彎曲，等離子也因此被擴散的形態(tài)，因為在此生成的中性F自由基R透過其下側(cè)的空間電荷層S，相對晶片W的表面以直角碰撞，所以形成最適宜的腐蝕形狀，即，如圖7所示，在晶片W的圓周端部的稍微靠內(nèi)側(cè)，腐蝕邊界大致變得垂直。
實際上，上述溝64的最適宜深度D為1.8mm。
上述實施例是關(guān)于由陰極14和1對上下部陽極36、22構(gòu)成的說明，本發(fā)明不局限于此。
圖8表示根據(jù)本發(fā)明的腐蝕室的其他實施例，與上述實施例相同的部分用同一符號表示。
本實施例在平臺10的外圓周，代替環(huán)狀的下部陽極22安裝環(huán)狀的下部陰極66，與等離子振蕩器16連接的同時，在環(huán)狀的上部陽極36的外側(cè)安裝窗口環(huán)(view-ring)68，這樣的構(gòu)成可以抑制反應(yīng)氣體的擴散。
上述窗口環(huán)68的作用是，機械地防護環(huán)狀的上部陽極36和下部陰極66的周圍，為使反應(yīng)氣體不向外部擴散而收斂，并經(jīng)由晶片W的圓周邊緣底部附近流出，通過導向，在上述晶片W的上面至底面部分充分地產(chǎn)生等離子Ps。
在具有窗口環(huán)68的構(gòu)成中，反應(yīng)氣體的流動壓力可以通過適宜地設(shè)定上述窗口環(huán)68的內(nèi)圓周面和環(huán)狀的下部陰極66的外圓周面之間的間隙G來調(diào)節(jié)。這是通過限定產(chǎn)生等離子的區(qū)域，即使很少的能量也能產(chǎn)生等離子。
本實施例中，以與上述實施例同樣的目的，可以在絕緣體34的周圍設(shè)置溝64。
而且，如圖9所示，通過在絕緣體34的外圓周刻有的溝64，即使省略上述窗口環(huán)68，也可以得到所期望的等離子腐蝕機能。
這種情況下，在上下相對設(shè)置的環(huán)狀的上部陽極36和環(huán)狀的下部陰極66之間，放電而產(chǎn)生等離子Ps，經(jīng)由反應(yīng)氣體出口38流出的反應(yīng)氣體，由于向周邊分散流動變?nèi)?，恐怕圓周端部的腐蝕不充分，而使以因溝64而產(chǎn)生的空間電荷層S的變曲點為基礎(chǔ)的最適宜腐蝕區(qū)域與晶片W的圓周端部一致，就可以實現(xiàn)所期望的晶片W的圓周端部腐蝕。
以上述構(gòu)成為特征的本發(fā)明的腐蝕室，在干洗的過程中，因等離子而產(chǎn)生高溫，因為平臺10和電極24具有冷卻結(jié)構(gòu)，所以不會發(fā)生加熱問題。這時，冷卻媒質(zhì)用軟化水(超純水)較好。
且，如圖8及圖9所示的實施例中，當然可以加入圖2及圖3所示的方法。
使用本發(fā)明涉及的腐蝕室，可以實現(xiàn)如圖10所示的腐蝕系統(tǒng)。
在圖10所示的系統(tǒng)中，配置多個室2，在其前端側(cè)把現(xiàn)有的機械手70設(shè)于中心，多個容納盒72和晶片排列部74分別配置于規(guī)定的位置。晶片W容納于暗盒C時，向多個容納盒72中的任一個供給。
在這種情況下，上述容納盒72用通過傳感器(沒有圖示)控制驅(qū)動的方式自動調(diào)節(jié)到一定角度，從而機械手70以正確的姿勢從暗盒C取出晶片W。
且，在上述容納盒72的周邊設(shè)定任意非安全區(qū)域，在其周圍配置人體感知傳感器76，在上述機械手70驅(qū)動時，可以在上述非安全區(qū)域的操作者的身體的一部分侵入后，感知其侵入而中斷機械手70的工作。
上述機械手70把從暗盒C取出的晶片W一并向晶片排列部74移送裝載。這個晶片排列部74通過現(xiàn)有的驅(qū)動方式，按預設(shè)的角度自動運轉(zhuǎn)，把接收的晶片W向室2的較好裝入方向，即，對準OF位置矯正姿勢。
經(jīng)晶片排列部74排列過的晶片W通過機械手70被取出，從室2的出入門6進入工作區(qū)，裝載到平臺10上。
裝載到平臺10上的晶片W用對準器58最后對準OF位置來矯正姿勢，出入門6的門4關(guān)閉后，從外部隔離室2的內(nèi)部空間8，使之成為真空。接著，上側(cè)的電極24降下，在裝載到平臺10的晶片W的上方停止于相對位置。
這時，電極24的下降用激光傳感器56測定，與晶片W之間控制到最適合腐蝕的間隙，脫離設(shè)定的范圍之外而中斷工作時，就發(fā)出警報。
結(jié)束腐蝕后，上述電極24上升歸位，打開門4，機械手70將腐蝕后的晶片W回收，運送至暗盒C收納。像這樣回收的晶片W移送至后續(xù)工序。
本發(fā)明中，晶片W的良/不良檢查以通常的樣本抽出判定方式進行判定。
圖10中的未說明符號78是向室2循環(huán)供給冷卻媒質(zhì)的冷卻器，其他的未說明符號80是通過室2和等離子振蕩器16之間的配合器80。這只是個示例，可以各設(shè)置多數(shù)個使每一個室2專用，也可以在單一單元使多個室2共用。
關(guān)于本發(fā)明的腐蝕室的其他實施例，圖11是以機械手70為中心，在其周圍陳列多個室2，在上述機械手70的出入端部配置多個裝載擱置室82的同時，在該裝載擱置室82的附近設(shè)置從現(xiàn)有的半導體工序延續(xù)的多個負載端口84，在上述裝載擱置室82和負載端口84之間，晶片W通過輔助機械手86運送，在裝入上述裝載擱置室82之前，經(jīng)由對準器88矯正姿勢后裝入系統(tǒng)。
在本實施例所示的系統(tǒng)中，晶片W的裝入和取出，以及姿勢矯正等，與上述實施例相同，通過機械手、對準器來工作，可以配置盡量多的室2，而且，通過逐次控制的全部工序可以實現(xiàn)晶片W的干洗的自動化。
權(quán)利要求
1.一種等離子腐蝕室，其特征在于，包括在等離子腐蝕室中，將晶片裝載于平臺上，晶片圓周端部定位于環(huán)狀的上下部電極之間，向上述晶片的中心部經(jīng)由上側(cè)電極的中心噴入氮氣作為非放電區(qū)域的同時，一面在上述電極的圓周邊緣噴入反應(yīng)氣體，一面進行氣體放電，只在上述晶片的圓周邊緣進行腐蝕；陰極，設(shè)置于上述平臺的內(nèi)部，向晶片附加射頻；環(huán)狀的下部陽極，在上述平臺的外圓周，低于晶片的圓周邊緣位置配置的；電極，可自由升降地設(shè)置在上述平臺的上方；絕緣體，安裝于上述電極的底面，與上述平臺的上表面相向的底面中央設(shè)有凹部；在上述絕緣體的外圓周，相鄰反應(yīng)氣體出口配置環(huán)狀的上部陽極，在上述晶片的圓周邊緣和環(huán)狀上下部陽極之間產(chǎn)成等離子。
2.一種等離子腐蝕室，其特征在于，還包括在等離子腐蝕室中，將晶片裝載于平臺上，使晶片圓周端部位于環(huán)狀的上下部電極之間，在上述晶片的中心部經(jīng)由上側(cè)電極的中心噴入氮氣作為非放電區(qū)域的同時，一面在上述電極的圓周邊緣噴入反應(yīng)氣體，一面進行氣體放電，只在上述晶片的圓周邊緣進行腐蝕；環(huán)狀的陰極，配置在上述室的內(nèi)部；絕緣體，安裝在配置于上述室的內(nèi)側(cè)上方的上述電極的底面，形成防止中心部放電的凹部；環(huán)狀的陽極，配置在上述絕緣體的外圓周，與上述環(huán)狀的陰極位置相向，并在他們之間產(chǎn)生等離子；窗口環(huán)，配置于上述環(huán)狀的陽極的外圓周，為控制通過上述環(huán)狀的陰極和陽極之間的反應(yīng)氣體的流路，而形成間隔。
3.如權(quán)利要求1或2所述的等離子腐蝕室，其特征在于，在上述絕緣體的外圓周面上的規(guī)定位置刻有溝，隨反應(yīng)氣體的流向產(chǎn)生彎曲點。
4.如權(quán)利要求1或2所述的等離子腐蝕室，其特征在于，上述絕緣體的厚度設(shè)定在15mm以上。
5.如權(quán)利要求1或2所述的等離子腐蝕室，其特征在于，還包括覆蓋上述平臺上面的絕緣板；從上述絕緣板的下側(cè)向上方活動配置的至少三個的垂直針；在上述平臺的內(nèi)部使上述垂直針升降的板。
6.如權(quán)利要求2所述的等離子腐蝕室，其特征在于，上述溝的深度設(shè)定為1.8mm。
7.如權(quán)利要求1或2所述的等離子腐蝕室，其特征在于，為測定上述環(huán)狀的上部陽極和上述晶片的上面之間的間隙，設(shè)有激光傳感器。
8.如權(quán)利要求1或2所述的等離子腐蝕室，其特征在于，還包括在上述平臺的周圍等分配置的圓柱；在上述圓柱，同時以相同長度伸出活塞桿。
9.一種等離子腐蝕室，其特征在于，還包括在等離子腐蝕室中，將晶片裝載于平臺上，圓周端部定位于環(huán)狀的上下部電極之間，向上述晶片的中心部經(jīng)由上側(cè)電極的中心噴入氮氣作為非放電區(qū)域的同時，一面在上述電極的圓周邊緣噴入反應(yīng)氣體，一面進行氣體放電，只在上述晶片的圓周邊緣進行腐蝕；在承載上述晶片的平臺配置陰極，向上述晶片附加射頻，在上述平臺的外圓周配置的環(huán)狀的下部陽極以及在上述平臺的上方相向的絕緣體的外圓周配置的環(huán)狀的上部陽極，與在相向的上述晶片的圓周邊緣之間，共同進行放電，腐蝕上述晶片的圓周邊緣的上面至底面區(qū)域。
10.一種等離子腐蝕系統(tǒng)，其特征在于，包括多個容納盒，容納放置晶片的暗盒；晶片排列部，在將取出的晶片裝入室之前，為對準OF位置而矯正姿勢；多個室，等離子腐蝕裝入的晶片的圓周邊緣；機械手，執(zhí)行上述晶片的裝入和取出。
11.一種等離子腐蝕系統(tǒng)，其特征在于，還包括多個負載端口，接收容納晶片的暗盒；晶片排列部，在將取出的晶片裝入室之前，為對準OF位置而矯正姿勢；多個裝載擱置室，臨時放置經(jīng)姿勢矯正的晶片或者腐蝕后的晶片；輔助機械手，在上述負載端口和上述晶片排列部以及裝載擱置室之間，運送晶片；多個室，等離子腐蝕晶片的圓周端部；機械手，取出容納在上述裝載擱置室的晶片裝入上述室，將腐蝕后的晶片從室中取出，裝回裝載擱置室。
全文摘要
本發(fā)明涉及等離子腐蝕室及使用其的等離子腐蝕系統(tǒng)，并提供能徹底清洗晶片圓周邊緣的等離子腐蝕室，用等離子腐蝕來干洗堆積于晶片圓周邊緣的膜質(zhì)和微粒，在晶片的圓周邊緣的上面至底面區(qū)域產(chǎn)生等離子；對于經(jīng)由陰極附加射頻的晶片圓周邊緣，具有在其上下相對應(yīng)的一對陽極；在晶片的圓周邊緣的上下側(cè)相向設(shè)置陰極和陽極，互相對峙的間隙的周邊部用窗口環(huán)防護；等離子腐蝕系統(tǒng)可以實現(xiàn)陳列多個上述構(gòu)成的等離子腐蝕室，現(xiàn)有的機械手從多個容納盒或負載端口取出晶片一并經(jīng)由晶片排列部對準OF位置矯正姿勢后，經(jīng)由裝載擱置室或者直接裝入上述等離子腐蝕室進行腐蝕，腐蝕后的晶片又被機械手取出經(jīng)由裝載擱置室或者直接收納于暗盒或負載端口。
文檔編號H01L21/02GK1692475SQ200380100468
公開日2005年11月2日 申請日期2003年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月12日
發(fā)明者林東洙 申請人:索紹株式會社