專利名稱：半導體發(fā)光裝置及其制造方法和電子圖像拾取裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及一種半導體發(fā)光裝置及其制造方法和一種電子圖像拾取裝置。更具體地說，本發(fā)明涉及一種采用如發(fā)光二極管(LED)的半導體發(fā)光元件的半導體發(fā)光裝置、一種制造此半導體發(fā)光裝置的方法以及一種電子圖像拾取裝置。
背景技術(shù)：
圖16是顯示傳統(tǒng)半導體發(fā)光裝置的典型結(jié)構(gòu)的截面圖。參見圖16，半導體發(fā)光裝置包括具有主表面101a的引線框101。引線框101形成預(yù)定形狀，在主表面101a處形成有狹縫狀的凹槽101m。引線框101被彎折以便端子部分101n分別形成在離開主表面101a的位置。端子部分101n連接到半導體發(fā)光裝置安裝到其上的線板上。
樹脂部分103例如通過夾物模壓方法設(shè)置在引線框101的周圍。樹脂部分103在主表面101a上限定了凹陷部分103m。LED芯片104通過銀膏107安裝到主表面101a上以位于凹陷103m中。形成于LED芯片104頂表面上的電極通過接合線105連接到引線框101的主表面101a上。
環(huán)氧樹脂106設(shè)置在主表面101a上以覆蓋LED芯片104和接合線105，而且完全充滿凹陷103m。
下面對圖16中的半導體發(fā)光裝置的制造方法進行說明。首先，將板狀的引線框101加工成預(yù)定的圖形。鍍銀(Ag)的引線框101在樹脂部分103中進行夾物模壓成型。然后，LED芯片104通過銀膏107固定在主表面101a上。LED芯片104和主表面101a通過接合線105彼此電連接。
LED芯片104和接合線105通過環(huán)氧樹脂106進行密封。由于引線框101鍍有銀，可能會出現(xiàn)銹蝕情況，從而對焊接構(gòu)成妨礙。為此，引線框101的外表面例如可以鍍有焊劑。最后，將不需要的部分切除，引線框101彎折成預(yù)定的形狀以形成端子部分101n。
此種傳統(tǒng)半導體發(fā)光裝置已經(jīng)在例如日本專利公開No.7-235,696和日本專利公開No.2002-141558。
當試圖增加半導體發(fā)光裝置的亮度時，如圖16所示的發(fā)光裝置出現(xiàn)下述問題。
樹脂部分103不僅使引線框101形成預(yù)定的圖形，而且通過凹陷103m的側(cè)壁反射來自LED芯片104的光線來控制光的方向。由于其從環(huán)氧樹脂106的頂表面?zhèn)壬涑?，發(fā)自LED芯片104的光線的傳輸方向由于折射而發(fā)生改變。由此，采用傳統(tǒng)技術(shù)，不能充分地控制光的方向來增加半導體發(fā)光裝置的亮度。
另外，為了防止半導體發(fā)光裝置安裝于其上的線板和引線框101之間產(chǎn)生不需要的接觸，從而導致出現(xiàn)短路的情況，引線框101被彎折以形成端子部分101n。但是，作為成品的半導體發(fā)光裝置的高度受到限制，所以采用此種彎折結(jié)構(gòu)的引線框101不能保證樹脂部分103具有足夠的高度。這樣也對提高采用傳統(tǒng)技術(shù)的半導體發(fā)光裝置的發(fā)光亮度構(gòu)成妨礙。
當試圖增加半導體發(fā)光裝置的熱輻射時，如圖16所示的裝置具有下述問題。
首先，對增加半導體發(fā)光裝置的熱輻射的必備條件簡單地進行說明。安裝的LED芯片104發(fā)光時產(chǎn)生熱量。LED芯片104產(chǎn)生的熱量隨著流過LED芯片104的電流的增大而增加。通常，當LED芯片104的溫度升高，其發(fā)射效率降低，從而導致光線的顯著衰減。也就是說，即使有大電流通過LED芯片104，也不能高效地獲得強光，而且LED芯片104的壽命縮短。為此，有必要有效地將LED芯片104產(chǎn)生的熱量釋放出去。
下面是可預(yù)見到的提高半導體發(fā)光裝置的熱輻射的方法(a)增加引線框101的厚度；(b)減小從LED芯片104到端子部分101n的距離；(c)采用高熱傳導率的材料形成引線框101。
但是，采用傳統(tǒng)技術(shù)必須在制造半導體的過程中對引線框101進行彎折，所以引線框101的厚度只能增加到一定程度。
另外，通過采用模具在板材上進行沖壓以使引線框101形成預(yù)定的圖形。如果引線框101的厚度增加，模具也需要在厚度上增加以保證在對板進行沖壓時模具具有足夠的強度。這樣增加了通過模具被沖壓的板的部分的寬度，即狹縫形狀的槽口101m的寬度。在此例中，難于保證在主表面101a上具有足夠的用于接合的區(qū)域。此外，引線框101的表面區(qū)域的減小將不利地使熱輻射的效率衰減。為此，上述第(a)項用于提高半導體發(fā)光裝置的熱輻射的選擇方案不可被采用。
由于引線框101具有通過彎折引線框分別形成在離開主表面101a一定距離的端子部分101n的結(jié)構(gòu)，固定于主表面101a上的LED芯片104到端子部分101n之間的距離只能夠減小到一定程度。由此，上述第(b)項用于提高半導體發(fā)光裝置的熱輻射的選擇方案也不可被采用。
另外，基于與引線框101的結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的相同的原因，有必要選擇具有良好彎折性能的材料作為用于引線框101的材料。這意味著單純具有良好熱傳導率的材料不能用作引線框101的材料。為此，上述第(c)項用于提高半導體發(fā)光裝置的熱輻射的選擇方案同樣也不可被采用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在解決上述問題，其目的在于提供一種具有優(yōu)良的熱傳導率并且能夠?qū)饩€進行適當控制的半導體發(fā)光裝置。此外，本發(fā)明還提供一種半導體發(fā)光裝置的制造方法和一種電子圖像拾取裝置。
根據(jù)本發(fā)明的半導體發(fā)光裝置包括具有主表面的引線框，主表面中限定有第一區(qū)域和沿第一區(qū)域的外周延伸的第二區(qū)域；設(shè)置在第一區(qū)域的半導體發(fā)光元件；設(shè)置在第一區(qū)域以完全覆蓋半導體發(fā)光元件的第一樹脂部件；和設(shè)置在第二區(qū)域以圍繞半導體發(fā)光元件的第二樹脂部件。第一樹脂部件相對于從半導體發(fā)光元件發(fā)射出來的光線具有第一折射率，第二樹脂部件相對于從半導體發(fā)光元件發(fā)射出來的光線具有大于第一折射率的第二折射率。第一樹脂部件包括第一頂表面。第二樹脂部件包括第二頂表面，其設(shè)置在離開主表面的距離大于從主表面到第一頂表面之間的距離的位置處，和內(nèi)壁面，其設(shè)置在半導體發(fā)光元件定位的側(cè)面，并沿遠離主表面的方向延伸以到達第二頂表面。
根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光裝置，從半導體發(fā)光裝置發(fā)射出來的光線透過具有相對小折射率的第一樹脂部件，并從第一樹脂部件的第一頂表面發(fā)射到外部。在本發(fā)明中，第二樹脂部件具有設(shè)置在高于第一頂表面的水平第二頂表面。由此，第二樹脂部件的內(nèi)壁面連貫地存在于第一頂表面上方，所以，從第一頂表面發(fā)射出來的光線能夠被具有相對大反射率的第二樹脂部件的內(nèi)壁面反射。相應(yīng)地，可以有效地控制光線的方向，從而獲得高亮度的從半導體發(fā)光元件中發(fā)射出來的光線。此外，由于第一頂表面設(shè)置在低于第二頂表面的水平，從而當從半導體發(fā)光元件中發(fā)射出來的光線透過第一樹脂部件時發(fā)生的衰減得到抑制。由此，可以得到更高亮度的從半導體發(fā)光裝置發(fā)射出來的光線。
優(yōu)選地，半導體發(fā)光裝置還包括金屬線，其一個端部連接到半導體發(fā)光元件，另一端部連接到主表面上，并且第一樹脂部件設(shè)置成完全覆蓋金屬線。
根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光裝置，第一樹脂部件不僅具有上述技術(shù)效果，而且其對設(shè)置作為半導體發(fā)光元件的互聯(lián)的金屬線形成保護。
更優(yōu)選地，一個端部形成為線形，而另一端部形成為球形。根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光裝置，通過將金屬線的另一端部以球接合方式連接到引線框的主表面上，然后將金屬線的一個端部楔接合到半導體發(fā)光元件上，由此將金屬線連接到預(yù)定位置。由此，連接到半導體發(fā)光元件的金屬線的一個端部形成低輪廓的環(huán)形。相應(yīng)地，可以提供相對于第二頂表面位于更低水平的第一頂表面。
更優(yōu)選地，一個端部設(shè)置有球形金屬以將金屬線夾在球形金屬和半導體發(fā)光元件之間。根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光裝置，可以進一步確保金屬線的一個端部和半導體發(fā)光裝置之間的連接。這樣提供了半導體發(fā)光裝置的工作可靠性。
優(yōu)選地，半導體發(fā)光裝置包括分別反射紅、藍和綠色光線的半導體發(fā)光元件和三個彼此間隔開來并且分別設(shè)置三個半導體發(fā)光元件的引線框。引線框彼此沿不同方向延伸。根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光裝置，由于發(fā)射光線在半導體發(fā)光裝置所產(chǎn)生的熱量傳遞到引線框。由于引線框沿不同方向延伸，熱量傳輸?shù)姆较蚰軌虮环稚ⅰＯ鄳?yīng)地，半導體發(fā)光元件產(chǎn)生的熱量可以通過引線框高效地釋放出去。
更優(yōu)選地，設(shè)置有分別發(fā)射藍色和綠色光線的半導體發(fā)光元件的引線框的主表面的面積分別大于設(shè)置有發(fā)射紅色光線的半導體發(fā)光元件的引線框的主表面的面積。發(fā)射藍色和綠色光線的半導體發(fā)光元件各自產(chǎn)生比發(fā)射紅色光線的半導體發(fā)光元件大的熱量。由此，根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光裝置，發(fā)射不同顏色光線的半導體發(fā)光元件產(chǎn)生的熱量通過引線框均勻地釋放出去。
更優(yōu)選地，引線框包括由狹縫狀凹槽分隔開的部分，部分形成為比引線框的其它部分薄一些。根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光裝置，引線框可以加工成具有分隔相關(guān)部分的狹縫形狀的凹槽。作為對比，引線框的其它部分制作得相對厚一些，這樣可以提高通過引線框的熱輻射的效率。
更優(yōu)選地，引線框形成為沿一個平面延伸的板形狀。根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光裝置，引線框的厚度限制為較低，這樣，從主表面到第二頂表面的距離能夠增加以設(shè)置第二樹脂部件。這樣，進一步便利了對從半導體發(fā)光元件中發(fā)射出來的光線的方向的控制。另外，不需要考慮可彎折性以選擇用于引線框的材料。相應(yīng)地，可以采用具有良好熱傳導率的材料形成引線框，從而增強通過引線框?qū)崿F(xiàn)熱輻射的效果。
更優(yōu)選地，引線框包括第一凹陷，其形成于相對于主表面的相對表面并填充有樹脂。電連接到固定板的端子部分設(shè)置在相對表面上位于第一凹陷的各個側(cè)面。根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光裝置，可以防止當安裝板與引線框的不期望的部分發(fā)生接觸時產(chǎn)生的短路情況。這樣，可以通過端子部分確保引線框和安裝板之間的電連接。
更優(yōu)選地，引線框包括形成在第一區(qū)域的第二凹陷，而半導體發(fā)光元件設(shè)置在第二凹陷中。根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光裝置，從半導體發(fā)光元件中發(fā)射出來的光線由限定第二凹槽的引線框的側(cè)壁進行反射。這樣，便利了對從半導體發(fā)光元件中發(fā)射出來的光線的方向進行控制。
更優(yōu)選地，引線框由熱傳導率不小于30W/mK且不大于400W/mK的金屬制成。當熱傳導率小于30W/mK時，不能通過引線框獲得滿意地熱輻射效果。如果熱傳導率大于400W/mK，在引線框安裝處產(chǎn)生的熱量將傳遞到半導體發(fā)光元件上，從而使半導體發(fā)光元件的工作可靠性降低。根據(jù)由具有上述熱傳導率的金屬制成的引線框的半導體發(fā)光裝置，可以確保引線框的熱輻射效果，而不降低半導體發(fā)光元件的工作可靠性。
更優(yōu)選地，第二樹脂部件形成為以使在平行于主表面的平面上由內(nèi)壁面限定的形狀的面積隨著離開主表面的距離的增加而增大。根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光裝置，光線能夠高效地向前部發(fā)射出來。由此，可以獲得從半導體發(fā)光元件發(fā)出的具有高亮度的光線。
更優(yōu)選地，在平行于主表面的平面中由內(nèi)壁面限定的形狀為圓形、橢圓和多邊形中的一種。根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光裝置，除了光線能夠高效地向前部發(fā)射出來之外，還可以容易地控制光線的方向。
更優(yōu)選地，引線框包括從主表面的外周突出并沿預(yù)定方向延伸的引線端子。引線端子具有末端部分，其具有形成于末端部分沿預(yù)定方向延伸的端表面和定位在主表面的外周和末端部分之間的基部。引線端子形成為以使端表面的面積小于基部沿平行于端表面的平面內(nèi)的截面的面積。形成于末端部分的端表面對應(yīng)于由預(yù)定切割工具形成的切割表面。
根據(jù)本發(fā)明的制造半導體發(fā)光裝置的方法包括步驟制備其上具有多個半導體發(fā)光裝置的引線框基件；以及通過在末端部分切割引線框基件以從引線框基件中切割出多個半導體發(fā)光裝置。
根據(jù)上述半導體發(fā)光裝置及其制造方法，形成于引線框的末端部分的端表面對應(yīng)于當半導體發(fā)光裝置從引線框基礎(chǔ)部件切割出來時形成切割表面。這樣，作為引線框材料的金屬在端表面處被暴露并可能被氧化等，從而相對于焊劑浸潤度降低。在本發(fā)明中，引線端子形成為以使端表面的面積相對小一些，這樣，此種負面影響將被降低到最低可能的水平。另外，由于在從引線框基件切割出半導體發(fā)光裝置步驟中可以用較小的作用力切割出末端部分，從而便利了半導體發(fā)光裝置的制造過程。
更優(yōu)選地，引線端子在基部具有第一寬度和在末端部分小于第一寬度的第二寬度。在此，第一和第二寬度對應(yīng)于在平行于主表面的平面中沿垂直于引線端子在其中延伸的預(yù)定方向的方向的長度。根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光裝置，可以實現(xiàn)形成于末端部分端表面的面積小于基部的截面的面積的形狀，從而獲得上述技術(shù)效果。另外，形成在末端部分和基部之間的階梯部分可以作為容納作為過多適用的焊劑的容納器。相應(yīng)地，在安裝半導體發(fā)光裝置時，可以更加滿意地進行焊接。
本發(fā)明還提供一種包括上述半導體發(fā)光裝置中任何一種的電子圖像拾取裝置。根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的電子圖像拾取裝置，可以在電子圖像拾取裝置中獲取上述技術(shù)效果。
當矩形形狀參考平面設(shè)置在離開半導體發(fā)光裝置預(yù)定距離時，被從半導體發(fā)光裝置發(fā)射出來的光線所照明的參考平面的各個角處的亮度優(yōu)選不低于參考平面的中心處亮度的50％。根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的電子圖像拾取裝置，可以有效地控制從半導體發(fā)光元件中發(fā)射出來的光線的方向，這樣可以實現(xiàn)在參考平面上的亮度幾乎不具有差異的需求拍攝條件。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，其提供了一種具有優(yōu)良的熱傳導率并且能夠?qū)饩€進行適當控制的半導體發(fā)光裝置。此外，本發(fā)明還提供了一種半導體發(fā)光裝置的制造方法和一種電子圖像拾取裝置。
參照附圖對本發(fā)明進行詳細說明，本發(fā)明的前述和其它方面的目標、特征、方面和優(yōu)點將變得更加明顯和容易理解。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的半導體發(fā)光裝置的截面圖；圖2是顯示圖1中的半導體發(fā)光裝置的平面圖；圖3是沿圖1中III-III線截取的截面圖；圖4是概略顯示光線由樹脂部分的內(nèi)壁面反射的截面圖；圖5和圖6是顯示由內(nèi)壁限定的形狀的變化形式的截面圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的半導體發(fā)光裝置的截面圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的半導體發(fā)光裝置的截面圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的半導體發(fā)光裝置的平面圖；圖10是裝配有根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的照相機的移動電話的透視圖。
圖11是顯示由來自裝配有圖10所示的照相機的移動電話的光線照射參考平面上的亮度的示意圖表；圖12是根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的半導體發(fā)光裝置的截面圖；圖13是沿圖12中VIII-VIII線的側(cè)視圖；圖14是顯示圖12中所示的半導體發(fā)光裝置的制造過程的流程圖；圖15是顯示圖12中所示的半導體發(fā)光裝置的制造過程的平面圖；和圖16是顯示傳統(tǒng)半導體發(fā)光裝置的典型結(jié)構(gòu)的截面圖。
具體實施例方式
在下文中，將參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行說明。
第一實施方式參見圖1，半導體發(fā)光裝置包括具有主表面1a的形成預(yù)定圖形的引線框1；設(shè)置在主表面1a上的LED芯片4；設(shè)置在主表面1a上以覆蓋LED芯片4的環(huán)氧樹脂6；以及設(shè)置在環(huán)氧樹脂6周圍的樹脂部分3。
引線框1為沿一個平面延伸的板形狀。引線框1經(jīng)過預(yù)定成型過程以形成狹縫狀凹槽1m，狹縫狀凹槽1m形成以從主表面1a延伸到其相對表面1b。
引線框1的相對表面1b設(shè)置有與狹縫狀凹槽1m相連通的凹槽15。由此，引線框1上形成狹縫狀凹槽1m的部分1t設(shè)置成比其它部分薄一些。
圖2示出了形成在引線框1上結(jié)構(gòu)的部件。參見圖1和圖2，主表面1a上形成有區(qū)域10和20。區(qū)域10為由雙點畫線限定的位于圓形13內(nèi)部的區(qū)域，區(qū)域20為沿區(qū)域10的外周延伸的位于圓形13外部的區(qū)域。狹縫狀凹槽1m形成為通過圓形13的中心以分離引線框1的一部分。
LED芯片4設(shè)置在主表面1a的區(qū)域10中。利用銀膏7設(shè)置LED芯片4。設(shè)置在LED芯片4頂表面上的電極(圖中未示出)通過金屬線5連接到主表面1a的一部分，該部分為由狹縫狀凹槽1m與設(shè)置LED芯片4的主表面1a的部分相分離的部分。具體地說，LED芯片4通過銀膏7和金屬線5分別機械和電連接到主表面1a上。
連接到LED芯片4的電極的金屬線5的一個端部5p形成球形形狀。連接到主表面1a的金屬線5的另一端部5q形成直線形狀。具體地說，當進行線接合以將金屬線5連接到預(yù)定位置時，首先進行將金屬線5的一個端部5p連接到LED芯片4的電極上的球形接合，然后進行將金屬線5的另一端部5q連接到主表面1a上的楔形接合。
由于LED芯片4中發(fā)射光線，其產(chǎn)生熱量。產(chǎn)生的熱量傳輸?shù)揭€框1，并從其中向外部釋放。在本發(fā)明中，引線框1的一部分1t制作得較薄，其可以加工形成具有小凹槽寬度的狹縫狀凹槽1m。另一方面，引線框1的剩余部分制作得較厚，由此，可以通過引線框1實現(xiàn)高效熱輻射。
為了從引線框1形成高效熱輻射，引線框1由熱傳傳導率不小于300W/mK、不高于400W/mK的金屬形成。如果形成引線框1的金屬的熱傳導率小于300W/mK，通過引線框1釋放的熱量不充分。如果高于400W/mK，在引線框1的安裝位置上產(chǎn)生的熱量可能會傳遞到LED芯片4，從而使LED芯片4的工作可靠性發(fā)生衰減。
具體地說，引線框1由銅(Cu)作為主要組分且適當加入鐵(Fe)、鋅(Ze)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、硅(Si)、錫(Sn)、鉛(Pb)或銀(Ag)的合金制成。減小加入到銅中的金屬的量可以增加形成引線框1的合金的熱傳導率。
在本發(fā)明中，引線框1不被彎折。這樣，當從引線框1中選擇材料時，不需要考慮材料的彎折性能。由此，可以從較寬的材料范圍中選擇用作引線框1的材料。另外，也不需要擔心在彎折引線框1的構(gòu)成中會發(fā)生破裂或碎裂。
引線框1在樹脂中通過夾物模壓成型，這樣樹脂部分3設(shè)置在主表面1a區(qū)域20上。此樹脂還在引線框1的相對表面1b上形成樹脂部分8。樹脂部分8設(shè)置用于填充狹縫狀凹槽1m和凹槽15。樹脂部分3和樹脂部分8用于保持已經(jīng)形成預(yù)定圖形的引線框1的形狀。特別地，在本發(fā)明中，樹脂部分8覆蓋引線框1的相對表面1b的較寬區(qū)域。這樣增加了引線框1和樹脂部分8之間的粘合作用力，相應(yīng)地，半導體發(fā)光裝置的工作可靠性增強。用于將半導體發(fā)光裝置連接到安裝板的端子部分9設(shè)置在引線框1的相對表面1b側(cè)樹脂部分8的兩側(cè)上。
位于樹脂部分8的各個側(cè)面上的端子部分9通過作為絕緣體的樹脂部分8彼此分隔開來。如此，在將端子部分9焊接到安裝板上時，可以防止陽極和陰極之間或者LED芯片4之間出現(xiàn)短路情況。
樹脂部分3具有頂表面3a，其沿基本平行于主表面1a的平面延伸，和內(nèi)壁面3b，其圍繞主表面1a上設(shè)置LED芯片4的區(qū)域，并沿離開主表面1a的方向延伸。內(nèi)壁面3b與主表面1a和頂表面3a相連通。樹脂部分3的內(nèi)壁面3b起到用于反射從LED芯片4發(fā)出的光線的反射表面的作用。
樹脂部分3和樹脂部分8由具有高反射率的白樹脂構(gòu)成以通過樹脂部分3反射來自LED芯片4的光線。另外，考慮到制造過程中的回流步驟，樹脂部分3和樹脂部分8由具有優(yōu)良熱阻的樹脂構(gòu)成。具體地說，雖然其它樹脂和陶瓷也可以用作樹脂部分3和樹脂部分8的材料，優(yōu)選采用同時滿足上述兩個條件的液晶聚合物、聚酰胺樹脂或類似物。內(nèi)壁面3b的表面可以進行電鍍以更加有效地反射從LED芯片4發(fā)射出來的光線。
LED芯片4和金屬線5設(shè)置在由樹脂部分3的內(nèi)壁面3b和主表面1a形成的凹陷中。環(huán)氧樹脂6設(shè)置在凹陷中以覆蓋LED芯片4和金屬線5。環(huán)氧樹脂6起到防止LED芯片4和金屬線5受到來自外部的物理和/或電學接觸。環(huán)氧樹脂6具有頂表面6a，其從內(nèi)壁面3b側(cè)向中心稍微凹陷。環(huán)氧樹脂6設(shè)置成以使從主表面1a到頂表面6a的距離比主表面1a到樹脂部分3的頂表面3a之間的距離短。由此，內(nèi)壁面3b在朝向頂表面3a的方向甚至可延伸到環(huán)氧樹脂6的頂表面6a之上。
環(huán)氧樹脂6由對從LED芯片4發(fā)射出來的光線具有小于樹脂部分3的反射率的材料構(gòu)成。具體地說，采用透明或乳白色樹脂，其通過灌注系統(tǒng)噴射模具中?？商娲兀部梢圆捎脗鬟f模塑、注?；蝾愃品椒ㄒ孕纬森h(huán)氧樹脂6。在此例中，環(huán)氧樹脂6可以形成任意形狀(例如棱鏡形狀)。
參見圖1和圖3，在平行于主表面1a的平面中由內(nèi)壁面3b限定的形狀25為圓形。樹脂部分3形成以使由內(nèi)壁面3b限定的形狀25的面積隨著離開主表面1a的距離的增加而增大。具體地說，假設(shè)圓錐體的錐頂點向下，內(nèi)壁面3b具有對應(yīng)于此圓錐體的側(cè)表面從其底表面向錐頂點延伸的形狀。
參見圖4，假設(shè)光源22設(shè)置在主表面1a上，從光源22發(fā)射出來的光線沿各個方向傳播。在半導體發(fā)光裝置中，有效地控制從光源22發(fā)射出來的光線的方向以在預(yù)定方向上獲得高亮度的光線是非常重要的。由于樹脂部分3形成為由內(nèi)壁面3b限定的形狀的面積隨著離開主表面1a的距離的增加而增大，從光源發(fā)射出來的光線在靠近主表面1a的方向能夠被內(nèi)壁面3b反射到預(yù)定的方向。這樣，從光源發(fā)射出來的光線可以被發(fā)出到半導體發(fā)光裝置的前面，即沿圖中由箭頭23所指示的方向。此外，由于在平行于主表面1a的平面中由內(nèi)壁面3b限定的形狀為圓形，通過調(diào)節(jié)內(nèi)壁面3b的傾斜角度可以容易地控制光線的方向性。
在本發(fā)明中，參見圖1，從LED芯片4發(fā)射出來的光線由內(nèi)壁面3b沿預(yù)定方向反射，透過環(huán)氧樹脂6，并從頂表面6a發(fā)射到外部。由于在頂表面6a處發(fā)生的折射，光線的傳播方向改變。但是，由于內(nèi)壁面3b作為反射表面也存在于頂表面6a之上，內(nèi)壁面3b可以再次反射光線以使其發(fā)射到半導體發(fā)光裝置的前面。
圖5和圖6是對應(yīng)于圖3中截面圖的截面圖。
參見圖5，樹脂部分3可以形成為在平行于主表面1a的平面中由內(nèi)壁面3b限定的形狀26為橢圓形?？商娲兀瑓⒁妶D6，樹脂部分3可以形成為在平行于主表面1a的平面中由內(nèi)壁面3b限定的形狀為矩形。在任何一種情況中，半導體發(fā)光裝置中產(chǎn)生的光線的光線發(fā)射面積可以制作得大。由此，待設(shè)置的樹脂部分3的形狀可以根據(jù)半導體發(fā)光裝置將安裝于其上的電子裝置或類似物的特定用途而進行適當?shù)馗淖儭?br> 根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的半導體發(fā)光裝置包括具有主表面1a的引線框1，其中主表面1a上限定有作為第一區(qū)域的區(qū)域10和沿區(qū)域10的外周延伸作為第二區(qū)域的區(qū)域20；設(shè)置在區(qū)域10中作為半導體發(fā)光元件的LED芯片4；作為第一樹脂部件設(shè)置在區(qū)域10以完全覆蓋LED芯片4的環(huán)氧樹脂6；以及作為第二樹脂部件設(shè)置在區(qū)域20以圍繞LED芯片4的樹脂部分3。
環(huán)氧樹脂6對從LED芯片4發(fā)射出來的光線具有第一反射率。樹脂部分3對從LED芯片4發(fā)射出來的光線具有大于第一反射率的第二反射率。環(huán)氧樹脂6包括作為第一頂表面的頂表面6a。樹脂部分3包括作為第二頂表面的頂表面3a，其設(shè)置在離開主表面1a的距離大于從主表面1a到頂表面6a的距離位置，以及內(nèi)壁面3b，其設(shè)置在LED芯片4定位的側(cè)面上并且沿離開主表面1a的方向延伸以到達頂表面3a。
半導體發(fā)光裝置還包括作為金屬性線的金屬導線5，其一端5p連接到LED芯片4，另一端5q連接到主表面1a。環(huán)氧樹脂6設(shè)置成完全覆蓋金屬導線5。
引線框1包括由狹縫形狀的凹槽1m分開的部分1t。部分1t制作得比引線框1的另一部分薄。
引線框1形成為沿一個平面延伸的板狀。引線框1包括作為第一凹陷的凹槽15，此凹槽形成相對于主表面1a的相對表面1b的位置并且填充有作為樹脂的樹脂部分8。端子9設(shè)置在相對表面1b上，其定位在凹槽15的各個側(cè)面上且電連接到安裝板上。
樹脂部分3形成為以使在平行于主表面1a的平面中由內(nèi)壁面3b限定的形狀的面積隨著離開主表面1a的距離的增加而增大。在平行于主表面1a的平面中由內(nèi)壁面3b限定的形狀可以為圓形、橢圓形和多邊形中的任何一種。
根據(jù)本發(fā)明的具有上述結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光裝置，用于反射來自LED芯片4的光線的內(nèi)壁面3b甚至延伸到頂表面6a之上。另外，環(huán)氧樹脂6的頂表面6a設(shè)置在相對較低的水平，這樣可以抑制光線透過環(huán)氧樹脂6時光線的衰減。還有，由于形成為板狀的引線框1的高度較低，樹脂部分3的高度可以增加，而內(nèi)壁面3b可以設(shè)置成延伸到較高水平以反射從LED芯片4發(fā)射出的光線。相應(yīng)地，可以適當?shù)乜刂茝腖ED芯片4發(fā)射出的光線的方向，以從半導體發(fā)光裝置中獲得高亮度的光線。
第二實施方式參見圖7，第二實施方式中的半導體發(fā)光裝置與第一實施方式中的半導體發(fā)光裝置的不同點在于引線框1的形狀。在下述說明中，其相同的結(jié)構(gòu)不再重復進行說明。
凹陷30形成在引線框1的主表面1a上的區(qū)域10中(參見圖2)。LED芯片4通過銀膏7設(shè)置在凹陷30的底表面上。從LED芯片4的頂表面上延伸出來的金屬線5的另一端部5q連接到凹陷30的底表面上。凹陷30的側(cè)壁具有傾斜角度，這樣凹陷30在主表面1a的開口面積大于凹陷30的底表面的.面積。
環(huán)氧樹脂6設(shè)置成以覆蓋LED芯片4和金屬線5。在本實施方式中，由于LED芯片4設(shè)置在相對低的水平，環(huán)氧樹脂6的頂表面6a與第一實施方式相比設(shè)置在相對較低的水平。
在根據(jù)本發(fā)明第二實施方式中的半導體發(fā)光裝置中，引線框1包括作為第二凹陷的設(shè)置在區(qū)域10的凹陷30，LED芯片4設(shè)置在凹陷30中。
根據(jù)采用上述結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光裝置，其也可以獲得與第一實施方式相似的技術(shù)效果。另外，凹陷30的側(cè)壁作為用于反射從LED芯片4發(fā)射出的光線的反射表面。由于LED芯片4設(shè)置在凹陷30的底表面上，這樣在不改變樹脂部分3的高度的情況下，內(nèi)壁面3b從頂表面6a延伸到頂表面3a的距離增加。相應(yīng)地，對從LED芯片4發(fā)射出來的光線的控制將變得更加便利。
第三實施方式參見圖8，第三實施方式中的半導體發(fā)光裝置與第一實施方式中的半導體發(fā)光裝置的不同點在于金屬線5連接到主表面1a上以及連接到LED芯片4的頂表面的線結(jié)合方式。在下述說明中，其相同的結(jié)構(gòu)不再重復進行說明。
連接到LED芯片4的電極的金屬線5的一個端部5p形成為線形狀，而且與主表面1a相連的金屬線5的另一端部5q形成為球形。將金屬線5連接到預(yù)定位置的線結(jié)合通過下述方式實施將金屬線5的另一端部5q球接合到主表面1a上，然后將金屬線5的一個端部5p楔接合到LED芯片4的電極上。由此，形成在LED芯片4的頂表面的側(cè)部的金屬線5的環(huán)形形狀的尺寸可以減小。
環(huán)氧樹脂6設(shè)置成以覆蓋LED芯片4和金屬線5。此時，由于金屬線5的環(huán)形形狀的尺寸制作得比較小，環(huán)氧樹脂6的頂表面6a形成在比第一實施方式處較低水平的位置。
在本實施方式中，金屬線5的楔接合端部5p和LED芯片4的電極之間的連接強度稍微降低，可能不會獲得滿意的工作可靠性(例如回流阻力或熱循環(huán)的阻力)。在這種情況下，可以從金屬線5的楔接合端部5p上球接合附加金屬以增強上述連接。也可以在已經(jīng)進行過球接合的金屬線5的另一端部5q上實施球接合。
在根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的半導體發(fā)光裝置中，金屬線5的一個端部5p形成為線形狀，而金屬線5的另一端部5q形成為球形狀。一個端部5p設(shè)置有球形金屬以將金屬線5夾在球形金屬和LED芯片4之間。
根據(jù)采用上述結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光裝置，其可以獲得上述第一實施方式所獲得的技術(shù)效果。另外，由于金屬線5的一個端部5p楔接合到LED芯片4的電極上，這樣在不改變樹脂部分3的高度的情況下，內(nèi)壁面3b從頂表面6a延伸到頂表面3a的距離增加。相應(yīng)地，便于對從LED芯片4發(fā)射出來的光的方向性進行控制。
第四實施方式參見圖9，在根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的半導體發(fā)光裝置中，LED芯片71，72和73按照第一到第三實施例中所述的任何一種方式分別固定到引線框51，52和53的主表面上。
LED芯片71，72和73為分別發(fā)射藍、紅和綠光的芯片。LED芯片71、72和73設(shè)置成彼此靠近，大致對應(yīng)于三角形的頂點。引線框51、52、53上設(shè)置LED芯片71、72和73的部分分別通過狹縫形凹槽彼此分隔開來。此種將發(fā)射不同顏色的LED芯片緊密設(shè)置的方式形成全色半導體發(fā)光裝置。
引線框51、52、53從設(shè)置LED芯片71、72和73的各個部分沿不同方向延伸(如圖中箭頭41、42和42所示)。引線框51、52、53形成為引線框51和53的主表面的面積每個均大于引線框52的主表面的面積。
引線框81設(shè)置在引線框51和52之間，引線框83設(shè)置在引線框52和53之間，引線框82設(shè)置在引線框53和51之間。金屬線61、62、63分別電連接引線框81和LED芯片71、引線框82和LED芯片72以及引線框83和LED芯片73。
根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的半導體發(fā)光裝置包括分別作為發(fā)射紅色、藍色和綠色光的半導體發(fā)光元件的LED芯片71、72和73，和LED芯片71、72和73分別設(shè)置于其上且彼此間隔的三個引線框51、52、53。引線框51、52、53彼此沿不同方向延伸。
設(shè)置有分別發(fā)射藍光和綠光的LED芯片71和73的引線框51和53的主表面的面積大于設(shè)置發(fā)射紅光的LED芯片72的引線框52的主表面的面積。
根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的半導體發(fā)光裝置，全色半導體發(fā)光裝置也可以獲得第一到第三實施方式中的技術(shù)效果。特別是，如第一實施方式所述，引線框51、52、53上待形成狹縫形凹槽的部分制作得較薄，這樣其可以加工成使狹縫形凹槽具有較窄的寬度。由此，LED芯片71、72和73可以被設(shè)置成彼此靠近，相應(yīng)地，可以提高半導體發(fā)光裝置的色彩混合的效率。
另外，引線框51、52、53彼此沿不同方向延伸。由此，由LED芯片71、72和73產(chǎn)生的熱量能夠被耗散，從而可以獲得高效的熱輻射效率。還有，考慮到由發(fā)射綠光和藍光的LED芯片71和73產(chǎn)生大量的熱量，設(shè)置LED芯片71和73的引線框51和53的主表面的面積分別大于設(shè)置發(fā)射紅光的LED芯片72的引線框52的主表面的面積。相應(yīng)地，由LED芯片71、72和73產(chǎn)生的熱量能夠通過引線框51、52、53均勻地釋放出去。
本發(fā)明能夠特別有效地適用于設(shè)置有多個LED芯片的全色半導體發(fā)光裝置，在此發(fā)光裝置中產(chǎn)生大量的熱量。根據(jù)本發(fā)明，光線的發(fā)散角度可以根據(jù)設(shè)置內(nèi)壁面3b的形狀容易地變窄。由此，即使在全色半導體發(fā)光裝置中，可以在不影響光線混合效率的情況下增加發(fā)出光線的亮度。雖然可以設(shè)置棱鏡以調(diào)節(jié)光線的發(fā)散角度，同時提高光線的混合效率非常困難。此外，棱鏡的設(shè)置將不利地增加作為成品的半導體發(fā)光裝置的高度。
第五實施方式參見圖10，設(shè)置有照相機的移動電話84包括對應(yīng)于第四實施方式中的半導體發(fā)光裝置的半導體發(fā)光裝置86。
液晶顯示屏90、用于CCD(電荷耦合裝置)的視窗89、用于發(fā)光裝置的視窗87形成在殼體85的前表面上。安裝板92設(shè)置在殼體85中。液晶91、CCD88和半導體發(fā)光裝置86設(shè)置在安裝板92上分別與液晶顯示屏90、CCD視窗89、發(fā)光裝置視窗87相對。除了液晶91、CCD88和發(fā)光裝置86之外，還設(shè)置有諸如IC芯片的電子元件93設(shè)置在安裝板92上。
在本發(fā)明中裝配有照相機的移動電話84中，半導體發(fā)光裝置86用作輔助光源以利于在黑暗地方對客體進行照相。具體地說，設(shè)置在半導體發(fā)光裝置86中的三個LED芯片發(fā)出藍色、紅色和綠色光線，從而以白色光線照射客體。由此，可以對強光照亮的客體進行照相，然后將其作為電子數(shù)據(jù)存入到CCD88中。
在裝配有照相機的移動電話84中，半導體發(fā)光裝置86設(shè)置成使客體被均勻的光線照亮。
參見圖11，預(yù)定尺寸的參考平面設(shè)置在離開裝配有照相機的移動電話84預(yù)定距離的位置。此參考平面表示通過裝配有照相機的移動電話84拍攝的客體的范圍。在本實施方式中，豎直方向上的尺寸為60cm且水平方向上的尺寸為50cm的參考平面96設(shè)置在離開裝配有照相機的移動電話84的光源距離為50cm的位置。
裝配有照相機的移動電話84的半導體發(fā)光裝置86設(shè)置成，當光線從裝配有照相機的移動電話84中射向參考平面96的中心97時，在參考平面96的每個角98處測量的亮度不低于在中心97處測量的亮度的50％。例如，當在中心處測量的亮度為30lux(勒克斯)時，在每個角98處測量的亮度不低于15lux。
根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的作為電子圖像拾取裝置的裝配有照相機的移動電話84包括半導體發(fā)光裝置86。當矩形形狀的參考平面96設(shè)置在離開半導體發(fā)光裝置86預(yù)定距離的位置時，在來自半導體發(fā)光裝置86的光線的照明下，參考平面96每個角處的亮度不小于參考平面96中心處的亮度的50％。
根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的裝配有照相機的移動電話84，基于第四實施方式中描述的效果，從半導體發(fā)光裝置86中發(fā)出的光線可以容易地加以控制。相應(yīng)地，可以實現(xiàn)在被拍攝的客體所在的參考平面具有極小的亮度差異的需求拍攝條件。
第六實施方式參見圖12和圖13，其中圖13為部分截面圖，根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的半導體發(fā)光裝置201，如第四實施方式中的半導體發(fā)光裝置的情況一樣，其具有固定在引線框1的主表面1a上的三個LED芯片4。
引線框1設(shè)置有多個從主表面1a的外周突出的引線端子210。引線端子210從樹脂部分3中向外露出，而每一個沿離開主表面1a的外周的方向(如圖中箭頭202所示)從彼此相互間隔開的位置延伸。引線端子210包括形成于相對靠近主表面1a的外周的位置的基部211，形成于相對遠離主表面1a的外周的位置的末端部分212，并且在突出的引線端子210的末端具有端表面213。端表面213在與箭頭202所表示的引線端子210延伸的方向垂直的平面內(nèi)延伸。
基部211寬度為B2，末端部分212和端表面213具有比寬度B2窄的寬度B1。具體地說，引線端子210在遠離主表面1a的外周的末端位置形成的比靠近主表面1a的外周的底邊薄一些。
端表面213的面積設(shè)置成小于當基部211被垂直于如肩頭202所示方向的平面所切割所獲得的截面的面積(如圖13中陰影部分214所示)。
下面，將對圖12中所示的半導體發(fā)光裝置的制造方法進行說明。
參見圖14和圖15，首先，制備引線框基礎(chǔ)部件241，在此，已經(jīng)形成預(yù)定形狀的引線框例如在樹脂部分3中通過夾物模壓制成，而多個LED芯片4固定到引線框基礎(chǔ)部件241上(S231)。接下來，執(zhí)行線接合操作(S232)以通過金屬線將安裝的LED芯片4的電極連接到引線框基礎(chǔ)部件241的表面上，然后，采用環(huán)氧樹脂6進行密封(S233)。
之后，采用例如錫(Sn)和鉍(Bi)或錫(Sn)和鉛(Pb)(焊接電鍍)對引線端子210進行電鍍(S234)。在此步驟結(jié)束，具有多個設(shè)置成矩陣的形式的半導體發(fā)光裝置201完成，如圖15所示。
接下來，采用壓力機沿設(shè)置在直線方向上的多個末端部分212切割(即沿雙點畫線242)引線框基礎(chǔ)部件241。由此，多個半導體發(fā)光裝置201從引線框基礎(chǔ)部件241上切割出來，而對應(yīng)由模具形成的切割表面的端表面213形成在各個末端部分212上。然后，半導體發(fā)光裝置201經(jīng)過測試步驟(S236)，然后執(zhí)行分接步驟(S237)以使半導體發(fā)光裝置便于運輸。在根據(jù)本發(fā)明的第六實施方式的半導體發(fā)光裝置201中，引線框1包括分別從從主表面1a的外周突出并沿預(yù)定方向延伸的引線端子210。引線端子210具有末端部分212，末端部分212具有形成在沿預(yù)定方向延伸的末端部分處的端表面213，位于主表面1a的外周和末端部分212之間的基部211。引線端子210形成為以使端表面213的面積小于基部211沿平行于端表面213的平面的橫截面積。引線端子210在基部211具有作為第一寬度的寬度B2，在末端部分212處具有小于寬度B2的作為第二寬度的寬度B1。形成在末端部分212處的端表面213對應(yīng)于通過預(yù)定切割工具形成的切割表面。
根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的半導體發(fā)光裝置201的制造方法包括制備其上形成有多個半導體發(fā)光裝置201的引線框基礎(chǔ)部件241的步驟；通過在末端部分212處切割引線框基礎(chǔ)部件241以從引線框基礎(chǔ)部件241上切割出多個半導體發(fā)光裝置201的步驟。
根據(jù)上述半導體發(fā)光裝置及其制造方法，在圖14所示的步驟235中，端表面213形成為通過模具形成的切割表面。這樣，作為引線框1材料的金屬例如銅在端表面213處被暴露并被氧化，從而相對于焊劑浸潤度降低。但是，在本發(fā)明中，引線端子210形成為以使端表面213的面積相對小一些，這樣，此種負面影響將被降低到最低可能的水平。另外，形成在基部211和末端部分212之間的階梯部分221起到用作容納過多施用的焊劑的空間，由此，出現(xiàn)焊接球或者類似物的情況得到抑制。基于上述原因，根據(jù)本發(fā)明，當將半導體發(fā)光裝置201固定到印刷電路板或類似物上時，可以對引線端子210實施滿意的焊接過程。
另外，與引線端子210形成為從基部211到末端部分212具有均勻?qū)挾鹊那闆r相比，在S235步驟中進行切割所需要的作用力減小。這使模具簡化，并且使壓力機的尺寸減小。采用相同容量的壓力機可以同時切割大量的半導體發(fā)光裝置201。相應(yīng)地，可以提高半導體發(fā)光裝置201的生產(chǎn)效率。
雖然已經(jīng)對本發(fā)明進行了詳細的描述和說明，需要明確的是上述說明僅具有示例性意義，而不具有限制性意義，本發(fā)明的主題精神和保護范圍僅由附屬權(quán)利要求進行限定。
權(quán)利要求
1.一種半導體發(fā)光裝置，包括具有主表面(1a)的引線框(1)，所述主表面中限定有第一區(qū)域(10)和沿所述第一區(qū)域(10)的外周延伸的第二區(qū)域(20)；設(shè)置在所述第一區(qū)域(10)的半導體發(fā)光元件(4)；第一樹脂部件(6)，其相對于從所述半導體發(fā)光元件(4)發(fā)射出來的光線具有第一折射率，并且設(shè)置在所述第一區(qū)域(10)以完全覆蓋所述半導體發(fā)光元件(4)；第二樹脂部件(3)，其相對于從所述半導體發(fā)光元件(4)發(fā)射出來的光線具有大于所述第一折射率的第二折射率，并且設(shè)置在所述第二區(qū)域(20)以圍繞所述半導體發(fā)光元件(4)；其中所述第一樹脂部件(6)包括第一頂表面(6a)；以及所述第二樹脂部件(3)包括第二頂表面(3a)，其設(shè)置在離開所述主表面(1a)的距離大于從所述主表面(1a)到所述第一頂表面(6a)之間的距離的位置處，和內(nèi)壁面(3b)，其設(shè)置在所述半導體發(fā)光元件(4)定位的側(cè)面，并沿遠離所述主表面(1a)的方向延伸以到達所述第二頂表面(3a)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，還包括金屬線(5)，其一個端部(5p)連接到所述半導體發(fā)光元件(4)，另一端部(5q)連接到所述所述主表面(1a)上，并且所述第一樹脂部件(6)設(shè)置成完全覆蓋所述金屬線(5)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于所述一個端部(5p)形成為線形，而所述另一端部(5q)形成為球形。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于所述一個端部(5p)設(shè)置有球形金屬以將所述金屬線(5)夾在球形金屬和所述半導體發(fā)光元件(4)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于包括分別發(fā)射紅、藍和綠色光線的所述半導體發(fā)光元件(72、71和73)，和三個彼此間隔開來并且分別設(shè)置所述三個半導體發(fā)光元件(72、71和73)的所述引線框(52、51和53)，引線框(52、51和53)彼此沿不同方向延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于設(shè)置有分別發(fā)射藍色和綠色光線的所述半導體發(fā)光元件(71和73)的所述引線框(51和53)的所述主表面的面積分別大于設(shè)置有發(fā)射紅色光線的所述半導體發(fā)光元件(72)的所述引線框(52)的所述主表面的面積。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于所述引線框(1)包括由狹縫狀凹槽(1m)分隔開的部分(1t)，且所述部分(1t)形成為比所述引線框(1)的其它部分薄一些。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于所述引線框(1)形成為沿一個平面延伸的板形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于所述引線框(1)包括第一凹陷(15)，其形成于相對于主表面(1a)的相對表面(1b)并填充有樹脂(8)，而電連接到固定板的端子部分(9)設(shè)置在所述相對表面(1b)上位于所述第一凹陷(15)的各個側(cè)面上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于所述引線框(1)包括形成在所述第一區(qū)域(10)的第二凹陷(30)，而所述半導體發(fā)光元件(4)設(shè)置在所述第二凹陷(30)中。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于所述引線框(1)由熱傳導率不小于30W/mK且不大于400W/mK的金屬制成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于所述第二樹脂部件(3)形成為以使在平行于所述主表面(1a)的平面上由所述內(nèi)壁面(3b)限定的形狀的面積隨著離開所述主表面(1a)的距離的增加而增大。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于在平行于所述主表面(1a)的平面中由所述內(nèi)壁面(3b)限定的形狀為圓形、橢圓和多邊形中的一種。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于所述引線框(1)包括從所述主表面(1a)的外周突出并沿預(yù)定方向延伸的引線端子(210)，且所述引線端子(210)具有末端部分(212)，其具有形成于沿所述預(yù)定方向延伸的末端部分處的端表面(213)；和定位在所述主表面(1a)的外周和所述末端部分(212)之間的基部(211)；以及所述引線端子(210)形成為以使所述端表面(213)的面積小于所述基部(211)沿平行于所述端表面(213)的平面內(nèi)的截面的面積。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于所述引線端子(210)在所述基部(211)具有第一寬度和在末端部分(212)具有小于所述第一寬度的第二寬度。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導體發(fā)光裝置，其特征在于所述端表面(213)對應(yīng)于由預(yù)定切割工具形成的切割表面。
17.一種制造權(quán)利要求16所述的半導體發(fā)光裝置的方法，包括步驟制備其上具有多個半導體發(fā)光裝置(201)的引線框基件(241)；以及通過在所述末端部分(212)切割所述引線框基件(241)以從所述引線框基件(241)中切割出多個所述半導體發(fā)光裝置(201)。
18.一種電子圖像拾取裝置，其包括如權(quán)利要求1所述的半導體發(fā)光裝置(86)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電子圖像拾取裝置，其特征在于當矩形形狀參考平面(96)設(shè)置在離開所述半導體發(fā)光裝置(86)預(yù)定距離時，被從所述半導體發(fā)光裝置(86)發(fā)射出來的光線所照明的所述參考平面(96)的各個角處的亮度不低于所述參考平面(96)的中心處亮度的50％。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導體發(fā)光裝置，包括具有主表面(1a)的引線框(1)；LED芯片(4)；設(shè)置成完全覆蓋LED芯片(4)的環(huán)氧樹脂(6)；以及設(shè)置成圍繞LED芯片(4)的樹脂部分(3)。環(huán)氧樹脂(6)包括頂表面(6a)。樹脂部分(3)包括頂表面(3a)，其設(shè)置在離開主表面(1a)的距離大于從主表面(1a)到頂表面(6a)的距離位置，以及內(nèi)壁面(3b)，其設(shè)置在LED芯片(4)定位的側(cè)面上并且沿離開主表面(1a)的方向延伸以到達頂表面(3a)。由此，此半導體發(fā)光裝置具有優(yōu)良的熱傳導率，并且能夠?qū)饩€的方向進行適當?shù)目刂?。另外，本發(fā)明還提供一種上述半導體發(fā)光裝置的制造方法及一種電子圖像拾取裝置。
文檔編號H01L25/075GK1523681SQ20041000373
公開日2004年8月25日 申請日期2004年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月18日
發(fā)明者竹中靖二 申請人:夏普株式會社