專利名稱：具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是有關于一種發(fā)光二極管(light-emitting diode，LED)的制造方法，且特別是有關于一種具有靜電防護(Electro-Static Dischargeprotection，ESD protection)功能的發(fā)光二極管結構。
背景技術：
由III-V族元素化合物半導體材料所構成的發(fā)光二極管是一種寬能隙(wide bandgap)的發(fā)光元件，其可發(fā)出的光線從紅外光一直到紫外光，而幾乎涵蓋所有可見光的波段。發(fā)光二極管元件的基本(Internalquantum efficiency)，以及元件的光取出效率(light extractionefficiency)，即外部量子效率(External quantum efficiency)。其中，增加內(nèi)部量子效率的方法主要是改善發(fā)光層的長晶品質及其膜層結構的設計，而增加外部量子效率的關鍵則在于減少發(fā)光層所發(fā)出的光在發(fā)光二極管內(nèi)部因全反射或其他效應所造成的能量損失。
由于發(fā)光二極管的發(fā)光效率不斷提升，使得發(fā)光二極管在某些領域已漸漸取代日光燈與白熱燈泡，例如需要高速反應的掃描器燈源、液晶顯示器的背光源或前光源汽車的儀表板照明、交通號志燈，以及一般的照明裝置等。此外，發(fā)光二極管與傳統(tǒng)燈泡比較具有絕對的優(yōu)勢，例如體積小、壽命長、低電壓/電流驅動、不易破裂、發(fā)光時無顯著的熱問題、不含水銀(沒有污染問題)與發(fā)光效率佳(省電)等特性。值得注意的是，雖然發(fā)光二極管具有上述眾多優(yōu)點，但是發(fā)光二極管常因異常電壓或靜電放電(Electro-Static Discharge，ESD)造成損壞。因此，習知技術的作法是將一發(fā)光二極管與一齊納二極管(Zener Diode)并聯(lián)，以避免發(fā)光二極管受到異常電壓或靜電放電的破壞。
請參考圖1A，其繪示已知具有靜電防護功能的發(fā)光二極管封裝結構的等效電路。為了避免發(fā)光二極管30于操作時，遭受靜電放電而破壞。因此，將發(fā)光二極管30與一齊納二極管40并聯(lián)，以防止靜電放電造成發(fā)光二極管30破壞，其中齊納二極管40在崩潰區(qū)操作，故齊納二極管40會一直保持在導通狀態(tài)。在上述習知具有靜電防護功能的發(fā)光二極管封裝結構中，當正常順向偏壓施加于發(fā)光二極管30的兩端V+與V-時，使得發(fā)光二極管30正常運作。然而，當有異常電壓或靜電產(chǎn)生時，此過高的電壓便可以經(jīng)由在崩潰區(qū)工作的齊納二極管40而放電，所以發(fā)光二極管30不會被異常電壓或高電壓的靜電造成不可回復的損傷而無法運作。
請參照圖1B，其繪示為已知具有靜電防護功能的發(fā)光二極管封裝結構的剖面示意圖。透明基底32、N型摻雜氮化鎵層34、P型摻雜氮化鎵層36以及電極38a、38b構成圖1A的III-V族氮化鎵發(fā)光二極管30；而N型摻雜硅42、P型摻雜硅44與金屬層46a、46b構成第1A圖中的齊納二極管40。此外，圖1B中所示的凸塊50a、50b通常為焊錫(Solder)材質，且凸塊50a與50b分別將P型摻雜硅44電性耦接到N型摻雜氮化鎵層34，以及N型摻雜硅42電性耦接到P型摻雜氮化鎵層36，以構成圖1A所示的等效電路圖。
雖然上述的結構可以保護發(fā)光二極管免于靜電放電的破壞，但是此種結構在制作程序上必須再多幾道步驟，以在N型摻雜硅42中制作P型摻雜硅44。所以，此種已知具有靜電防護功能的發(fā)光二極管封裝結構將耗費較多的制程時間與制程設備例如離子植入機及附屬的氣體供應設備以及真空是統(tǒng)等，且耗費的制造成本也會較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是在提供一種具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其由一分流二極管(shunt diode)與發(fā)光二極管并聯(lián)，因此發(fā)光二極管具有靜電防護功能。
基于上述或其他目的，本發(fā)明提出一種具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，包括一基板；一圖案化半導體層，配置于該基板上，該圖案化半導體層包括一第一型摻雜半導體層、一位于該第一型摻雜半導體層的部分區(qū)域上的發(fā)光層，以及一位于該發(fā)光層上的第二型摻雜半導體層，其中該圖案化半導體層中的該第一型摻雜半導體層、該發(fā)光層以及該第二型摻雜半導體層是至少區(qū)分為一第一島狀結構與一第二島狀結構；一第一電極，連接于該第一島狀結構中的該第一型摻雜半導體層與該第二島狀結構中的該第二型摻雜半導體層之間；以及一第二電極，連接于該第一島狀結構中的該第二型摻雜半導體層與該第二島狀結構中的該第一型摻雜半導體層之間，其中該第一電極、該第二電極以及該第一島狀結構是構成一發(fā)光二極管，而該第一電極、該第二電極以及該第二島狀結構是構成與該發(fā)光二極管并聯(lián)反接之一分流二極管。
其中該基板的材質包括氧化鋁、碳化硅、氧化鋅、硅、磷化鎵，以及砷化鎵其中之一。
其中該第一型摻雜半導體層包括一晶核層，位于該基板上；一緩沖層，位在該晶核層上；以及一第一束縛層，位在該緩沖層的部分區(qū)域上。
其中該晶核層的材質包括AleInfGa1-e-fN，e、f≥0；0≤e+f≤1。
其中該晶核層為N型摻雜。
其中該緩沖層的材質包括AlcIndGa1-c-dN，c、d≥0；0≤c+d＜1。
其中該緩沖層為N型摻雜。
其中該第一束縛層的材質包括AlxInyGa1-x-yN，x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c。
其中該發(fā)光層包括摻雜的AlaInbGa1-a-bN/AlxInyGa1-x-yN量子井結構，且a、b≥0；0≤a+b＜1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c＞a。
其中該發(fā)光層為N型摻雜。
其中該發(fā)光層為P型摻雜。
其中該發(fā)光層包括未摻雜的AlaInbGa1-a-bN/AlxInyGa1-x-yN量子井結構，且a、b≥0；0≤a+b＜1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c＞a。
其中該第二型摻雜半導體層包括一第二束縛層，位在該發(fā)光層上；以及一接觸層，位在該第二束縛層上。
其中該第二束縛層的材質包括AlxInyGa1-x-yN，x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c。
其中還包括一透明導電層，位在該接觸層上。
其中該接觸層包括一超晶格應變層，且該超晶格應變層包括調變摻雜的AluInvGa1-u-vN/AlxInyGa1-x-yN量子井結構，且u、v≥0；0≤u+v≤1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞u。
其中該超晶格應變層為N型摻雜。
其中該超晶格應變層為P型摻雜。
其中該第一電極的材質包括Ti/Al、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Ti/Al/Pd/Au、Ti/Al/Cr/Au、Ti/Al/Co/Au、Cr/Au、Cr/Pt/Au、Cr/Pd/Au、Cr/Ti/Au、Cr/TiWx/Au、Cr/Al/Cr/Au、Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Pd/Au、Cr/Al/Ti/Au、Cr/Al/Co/Au、Cr/Al/Ni/Au、Pd/Al/Ti/Au、Pd/Al/Pt/Au、Pd/Al/Ni/Au、Pd/Al/Pd/Au、、Pd/Al/Cr/Au、Pd/Al/Co/Au、Nd/Al/Pt/Au、Nd/Al/Ti/Au、Nd/Al/Ni/Au、Nd/Al/Cr/Au Nd/Al/Co/A、Hf/Al/Ti/Au、Hf/Al/Pt/Au、Hf/Al/Ni/Au、Hf/Al/Pd/Au、Hf/Al/Cr/Au、Hf/Al/Co/Au、Zr/Al/Ti/Au、Zr/Al/Pt/Au、Zr/Al/Ni/Au、Zr/Al/Pd/Au、Zr/Al/Cr/Au、Zr/Al/Co/Au、TiNx/Ti/Au、TiNx/Pt/Au、TiNx/Ni/Au、TiNx/Pd/Au、TiNx/Cr/Au、TiNx/Co/Au TiWNx/Ti/Au、TiWNx/Pt/Au、TiWNx/Ni/Au、TiWNx/Pd/Au、TiWNx/Cr/Au、TiWNx/Co/Au、NiAl/Pt/Au、NiAl/Cr/Au、NiAl/Ni/Au、NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Pt/Au、Ti/NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Ni/Au、Ti/NiAl/Cr/Au其中之一。
其中該第二電極的材質包括Ni/Au、Ni/Pt、Ni/Pd、Ni/Co、Pd/Au、Pt/Au、Ti/Au、Cr/Au、Sn/Au、Ta/Au、TiN、TiWNx以及WSix其中之一。
其中該第二電極的材質包括一N型透明導電氧化層與一P型透明導電氧化層其中之一。
其中該N型透明導電氧化層包括ITO、CTO、ZnO:Al、ZnGa2O4、SnO2:Sb、Ga2O3:Sn、AgInO2:Sn以及In2O3:Zn其中之一。
其中該P型透明導電氧化層包括CuAlO2、LaCuOS、NiO、CuGaO2與SrCu2O2其中之一。
其中該分流二極管包括一蕭特基二極管。
其中該分流二極管包括一齊納二極管。
基于上述，在本發(fā)明的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構中，發(fā)光二極管與分流二極管是可同時制作，且分流二極管可以保護發(fā)光二極管免于靜電放電破壞。此外，發(fā)光二極管與分流二極管是同時制作，所以可以直接地節(jié)省制造成本。


為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下，其中圖1A繪示已知具有靜電防護功能的發(fā)光二極管封裝結構的等效電路。
圖1B繪示已知具有靜電防護功能的發(fā)光二極管封裝結構的剖面示意圖。
圖2繪示本發(fā)明的較佳實施例的一種具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構的示意圖。
圖3繪示圖2的發(fā)光二極管結構的等效電路圖。
圖4繪示本發(fā)明的較佳實施例的一種具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構的俯視示意圖。
具體實施例方式
請參考圖2，其繪示本發(fā)明的較佳實施例的一種具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構的示意圖。發(fā)光二極管結構例如包括基板110、圖案化半導體層120、第一電極160與第二電極170。其中，圖案化半導體層120是配置于基板110上，且圖案化半導體層120例如包括第一型摻雜半導體層122、位于第一型摻雜半導體層122的部分區(qū)域上的發(fā)光層124，以及位于發(fā)光層124上的第二型摻雜半導體層126。此外，第一型摻雜半導體層122、發(fā)光層124以及第二型摻雜半導體層126是至少區(qū)分為第一島狀結構150與第二島狀結構160。
請再參考圖2，第一電極130是連接于第一島狀結構150中的第一型摻雜半導體層122與第二島狀結構160中的第二型摻雜半導體層126之間，且第二電極140是連接于第一島狀結構150中的第二型摻雜半導體層126與第二島狀結構160中的第一型摻雜半導體層122之間。此外，第一電極130、第二電極140以及第一島狀結構150是構成發(fā)光二極管200，而第一電極130、第二電極140以及第二島狀結構160是構成分流二極管300，其例如可為蕭特基二極管、齊納二極管或是其他的二極管結構，且分流二極管300是與發(fā)光二極管200并聯(lián)反接，以使得發(fā)光二極管200不易受到靜電放電的破壞。
本實施例中，第一島狀結構150與第二島狀結構160的制作方式與現(xiàn)有制程相容，故本實施例能夠很容易地將分流二極管300與發(fā)光二極管200進行整合。由圖2可知，本實施例中分流二極管300與發(fā)光二極管200的制作如下首先，先于基板110上依序形成第一型摻雜半導體層122、發(fā)光層124以及第二型摻雜半導體層126，而這些半導體層例如是藉由磊晶的方式制作于基板110上，的后再將所形成的第一型摻雜半導體層122、發(fā)光層124以及第二型摻雜半導體層126圖案化，以形成第一島狀結構150與第二島狀結構160(如圖2所繪示)。由于基板110本身是屬絕緣材質，故上述的第一島狀結構150與第二島狀結構160可視為彼此電性隔離。最后，形成特定圖案分布的第一電極130、第二電極140于上述基板110上，即完成分流二極管300與發(fā)光二極管200并聯(lián)反接的程序。
上述的第一型摻雜半導體層122例如包括晶核層122a、緩沖層122b與第一束縛層122c，其中晶核層122a是位于基板110上，而緩沖層122b是位在晶核層122a上，且第一束縛層122c是位在緩沖層122b的部分區(qū)域上。此外，第二型摻雜半導體層126例如包括第二束縛層126a、接觸層126b與透明導電層126c，其中第二束縛層126a是位在發(fā)光層上124，而接觸層126b是位在第二束縛層上126c，且透明導電層126c是位于接觸層126b上。
以下將針對本發(fā)明中具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構做更詳細的說明。基板110例如包括氧化鋁、碳化硅、氧化鋅、硅(Si)、磷化鎵或砷化鎵。此外，第一型摻雜半導體層122的晶核層122a例如包括AleInfGa1-e-fN，e、f≥0；0≤e+f≤1，其中晶核層112a是為N型摻雜。另外，緩沖層112b例如包括AlcIndGa1-c-dN，c、d≥0；0≤c+d＜1，其中緩沖層112b例如為N型摻雜，而第一束縛層112c例如包括AlxInyGa1-x-yN，x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c。
上述的發(fā)光層120例如包括摻雜的AlaInbGa1-a-bN/AlxInyGa1-x-yN量子井結構，且a、b≥0；0≤a+b＜1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c＞a，其中發(fā)光層120例如N型摻雜或P型摻雜。此外，本實施例的發(fā)光層120亦可采用未摻雜的AlaInbGa1-a-bN/AlxInyGa1-x-yN量子井結構，且a、b≥0；0≤a+b＜1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c＞a。
在上述的第二型摻雜半導體層126中，第二束縛層126a例如包括AlxInyGa1-x-yN，x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c，而接觸層126b例如為超晶格應變層，其中超晶格應變層例如包括調變摻雜的AluInvGa1-u-vN/AlxInyGa1-x-yN量子井結構，且u、v≥0；0≤u+v≤1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞u，而且超晶格應變層例如N型摻雜或P型摻雜，以及透明導電層126c例如銦錫氧化物(ITO)。
本實施例的第一電極130例如包括Ti/Al、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Ti/Al/Pd/Au、Ti/Al/Cr/Au、Ti/Al/Co/Au、Cr/Au、Cr/Pt/Au、Cr/Pd/Au、Cr/Ti/Au、Cr/TiWx/Au、Cr/Al/Cr/Au、Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Pd/Au、Cr/Al/Ti/Au、Cr/Al/Co/Au、Cr/Al/Ni/Au、Pd/Al/Ti/Au、Pd/Al/Pt/Au、Pd/Al/Ni/Au、Pd/Al/Pd/Au、、Pd/Al/Cr/Au、Pd/Al/Co/Au、Nd/Al/Pt/Au、Nd/Al/Ti/Au、Nd/Al/Ni/Au、Nd/Al/Cr/AuNd/Al/Co/A、Hf/Al/Ti/Au、Hf/Al/Pt/Au、Hf/Al/Ni/Au、Hf/Al/Pd/Au、Hf/Al/Cr/Au、Hf/Al/Co/Au、Zr/Al/Ti/Au、Zr/Al/Pt/Au、Zr/Al/Ni/Au、Zr/Al/Pd/Au、Zr/Al/Cr/Au、Zr/Al/Co/Au、TiNx/Ti/Au、TiNx/Pt/Au、TiNx/Ni/Au、TiNx/Pd/Au、TiNx/Cr/Au、TiNx/Co/Au TiWNx/Ti/Au、TiWNx/Pt/Au、TiWNx/Ni/Au、TiWNx/Pd/Au、TiWNx/Cr/Au、TiWNx/Co/Au、NiAl/Pt/Au、NiAl/Cr/Au、NiAl/Ni/Au、NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Pt/Au、Ti/NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Ni/Au或Ti/NiAl/Cr/Au。
在本實施例中，第二電極140例如包括Ni/Au、Ni/Pt、Ni/Pd、Ni/Co、Pd/Au、Pt/Au、Ti/Au、Cr/Au、Sn/Au、Ta/Au、TiN、TiWNx或Wsix，而第二電極140更可采用例如N型透明導電氧化層或P型透明導電氧化層，且N型透明導電氧化層例如包括ITO、CTO、ZnO:Al、ZnGa2O4、SnO2:Sb、Ga2O3:Sn、AgInO2:Sn或In2O3:Zn，其中P型透明導電氧化層例如包括CuAlO2、LaCuOS、NiO、CuGaO2或SrCu2O2。
在上述的實施例中，透明導電層126c例如是配置于接觸層126b上，但是本發(fā)明的另一較佳實施例并不具有一透明導電層126c，亦可達到本發(fā)明的目的。
請參考圖3，其繪示圖2的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構的等效電路圖。分流二極管300是與發(fā)光二極管200并聯(lián)，且分流二極管300是為反接，以防止發(fā)光二極管200遭受異常電壓或靜電放電的破壞，其中分流二極管300在崩潰區(qū)操作，所以分流二極管300會保持在導通狀態(tài)。當正常順向偏壓施加于發(fā)光二極管200的兩端V+與V-時，通過發(fā)光二極管200的P、N接面的載子會產(chǎn)生順向電流，使得發(fā)光二極管200發(fā)光。然而，當有異常電壓或靜電產(chǎn)生時，此過高的電壓便可以經(jīng)由在崩潰區(qū)操作的分流二極管300進行放電，而不經(jīng)過發(fā)光二極管200，因此發(fā)光二極管200不會被異常電壓或高電壓的靜電放電而破壞。
請參考圖4，其繪示本發(fā)明的較佳實施例的一種具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構的俯視示意圖。第一電極130是連接發(fā)光二極管200的緩沖層122b與分流二極管300的透明導電層126c，且第二電極140是連接發(fā)光二極管200的透明導電層126c與分流二極管300的緩沖層122b。
基于上述，本發(fā)明的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構具有以下優(yōu)點
一、本發(fā)明的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，發(fā)光二極管是與分流二極管并聯(lián)，其中分流二極管是為反接，所以異常電壓或高電壓的靜電可經(jīng)由分流二極管進行放電，使得發(fā)光二極管具有較長的使用壽命。
二、本發(fā)明的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，發(fā)光二極管與分流二極管可以同時被制作，其中發(fā)光二極管與分流二極管的材料相同，因此無須增加制程步驟，進而節(jié)省制造成本。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習此技術者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視后附的申請專利范圍所界定者為準。
權利要求
1.一種具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，包括一基板；一圖案化半導體層，配置于該基板上，該圖案化半導體層包括一第一型摻雜半導體層、一位于該第一型摻雜半導體層的部分區(qū)域上的發(fā)光層，以及一位于該發(fā)光層上的第二型摻雜半導體層，其中該圖案化半導體層中的該第一型摻雜半導體層、該發(fā)光層以及該第二型摻雜半導體層是至少區(qū)分為一第一島狀結構與一第二島狀結構；一第一電極，連接于該第一島狀結構中的該第一型摻雜半導體層與該第二島狀結構中的該第二型摻雜半導體層之間；以及一第二電極，連接于該第一島狀結構中的該第二型摻雜半導體層與該第二島狀結構中的該第一型摻雜半導體層之間，其中該第一電極、該第二電極以及該第一島狀結構是構成一發(fā)光二極管，而該第一電極、該第二電極以及該第二島狀結構是構成與該發(fā)光二極管并聯(lián)反接之一分流二極管。
2.如權利要求1所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該基板的材質包括氧化鋁、碳化硅、氧化鋅、硅、磷化鎵，以及砷化鎵其中之一。
3.如權利要求1所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該第一型摻雜半導體層包括一晶核層，位于該基板上；一緩沖層，位在該晶核層上；以及一第一束縛層，位在該緩沖層的部分區(qū)域上。
4.如權利要求3所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該晶核層的材質包括AleInfGa1-e-fN，e、f≥0；0≤e+f≤1。
5.如權利要求4所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該晶核層為N型摻雜。
6.如權利要求3所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該緩沖層的材質包括AlcIndGa1-c-dN，c、d≥0；0≤c+d＜1。
7.如權利要求6所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該緩沖層為N型摻雜。
8.如權利要求6所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該第一束縛層的材質包括AlxInyGa1-x-yN，x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c。
9.如權利要求8所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該發(fā)光層包括摻雜的AlaInbGa1-a-bN/AlxInyGa1-x-yN量子井結構，且a、b≥0；0≤a+b＜1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c＞a。
10.如權利要求9所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該發(fā)光層為N型摻雜。
11.如權利要求9所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該發(fā)光層為P型摻雜。
12.如權利要求8所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該發(fā)光層包括未摻雜的AlaInbGa1-a-bN/AlxInyGa1-x-yN量子井結構，且a、b≥0；0≤a+b＜1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c＞a。
13.如權利要求6所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該第二型摻雜半導體層包括一第二束縛層，位在該發(fā)光層上；以及一接觸層，位在該第二束縛層上。
14.如權利要求13所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該第二束縛層的材質包括AlxInyGa1-x-yN，x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞c。
15.如權利要求13所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中還包括一透明導電層，位在該接觸層上。
16.如權利要求13所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該接觸層包括一超晶格應變層，且該超晶格應變層包括調變摻雜的AluInvGa1-u-vN/AlxInyGa1-x-yN量子井結構，且u、v≥0；0≤u+v≤1；x、y≥0；0≤x+y＜1；x＞u。
17.如權利要求16所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該超晶格應變層為N型摻雜。
18.如權利要求16所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該超晶格應變層為P型摻雜。
19.如權利要求1所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該第一電極的材質包括Ti/Al、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Ti/Al/Pd/Au、Ti/Al/Cr/Au、Ti/Al/Co/Au、Cr/Au、Cr/Pt/Au、Cr/Pd/Au、Cr/Ti/Au、Cr/TiWx/Au、Cr/Al/Cr/Au、Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Pd/Au、Cr/Al/Ti/Au、Cr/Al/Co/Au、Cr/Al/Ni/Au、Pd/Al/Ti/Au、Pd/Al/Pt/Au、Pd/Al/Ni/Au、Pd/Al/Pd/Au、、Pd/Al/Cr/Au、Pd/Al/Co/Au、Nd/Al/Pt/Au、Nd/Al/Ti/Au、Nd/Al/Ni/Au、Nd/Al/Cr/AuNd/Al/Co/A、Hf/Al/Ti/Au、Hf/Al/Pt/Au、Hf/Al/Ni/Au、Hf/Al/Pd/Au、Hf/Al/Cr/Au、Hf/Al/Co/Au、Zr/Al/Ti/Au、Zr/Al/Pt/Au、Zr/Al/Ni/Au、Zr/Al/Pd/Au、Zr/Al/Cr/Au、Zr/Al/Co/Au、TiNx/Ti/Au、TiNx/Pt/Au、TiNx/Ni/Au、TiNx/Pd/Au、TiNx/Cr/Au、TiNx/Co/Au TiWNx/Ti/Au、TiWNx/Pt/Au、TiWNx/Ni/Au、TiWNx/Pd/Au、TiWNx/Cr/Au、TiWNx/Co/Au、NiAl/Pt/Au、NiAl/Cr/Au、NiAl/Ni/Au、NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Pt/Au、Ti/NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Ni/Au、Ti/NiAl/Cr/Au其中之一。
20.如權利要求1所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該第二電極的材質包括Ni/Au、Ni/Pt、Ni/Pd、Ni/Co、Pd/Au、Pt/Au、Ti/Au、Cr/Au、Sn/Au、Ta/Au、TiN、TiWNx以及WSix其中之一。
21.如權利要求1所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該第二電極的材質包括一N型透明導電氧化層與一P型透明導電氧化層其中之一。
22.如權利要求21所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該N型透明導電氧化層包括ITO、CTO、ZnO:Al、ZnGa2O4、SnO2:Sb、Ga2O3:Sn、AgInO2:Sn以及In2O3:Zn其中之一。
23.如權利要求21所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該P型透明導電氧化層包括CuAlO2、LaCuOS、NiO、CuGaO2與SrCu2O2其中之一。
24.如權利要求1所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該分流二極管包括一蕭特基二極管。
25.如權利要求1所述的具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中該分流二極管包括一齊納二極管。
全文摘要
一種具有靜電防護功能的發(fā)光二極管結構，其包括一基板、一圖案化半導體層、一第一電極與一第二電極。其中，圖案化半導體層是配置于基板上，且至少區(qū)分為一第一島狀結構與一第二島狀結構。第一電極與第二電極是連接于第一島狀結構與第二島狀結構之間，第一電極、第二電極以及該第一島狀結構是構成一發(fā)光二極管，而第一電極、第二電極以及第二島狀結構是構成與該發(fā)光二極管并聯(lián)反接之一分流二極管。上述的發(fā)光二極管結構中，第一島狀結構與一第二島狀結構可同時由磊晶方式進行制作，以使得發(fā)光二極管具有靜電防護功能。
文檔編號H01L23/60GK1652359SQ200410004029
公開日2005年8月10日 申請日期2004年2月4日 優(yōu)先權日2004年2月4日
發(fā)明者許世昌, 許進恭 申請人:元砷光電科技股份有限公司