專利名稱：電子部件內(nèi)置模塊及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及內(nèi)置了晶體管等有源部件和電容器等無源部件的電子部件內(nèi)置模塊及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著電子設(shè)備的高性能化和小型化的需要，要求電子部件的進(jìn)一步的高密度化和高性能化。因此，也要求可進(jìn)行電子部件的高密度安裝的小型電路基板。對(duì)于這些要求，作為可進(jìn)行高密度安裝的電路基板，正在推進(jìn)通過內(nèi)孔將相互不同的層上形成的布線間進(jìn)行電連接的多層電路基板的開發(fā)。如果獲得多層電路基板，則可以縮短連接電子部件間的布線，實(shí)現(xiàn)高密度布線。但是，即使在這樣可進(jìn)行高密度布線的多層電路基板中，電路基板表面上安裝的電子部件所占有的比例依然很大，難以進(jìn)行小型化。
對(duì)于這樣的問題，提出了通過在電路基板內(nèi)嵌入電子部件，來實(shí)現(xiàn)電子部件的高密度安裝的技術(shù)。但是，在電路基板為陶瓷基板時(shí)，由于在內(nèi)置電子部件時(shí)需要進(jìn)行燒制工序，所以不能內(nèi)置含有硅等半導(dǎo)體的電子部件。因此，提出包含由樹脂形成的絕緣層，在該絕緣層中內(nèi)置電子部件的電路基板(例如，參照日本特開平3-69191號(hào)公報(bào)和特開平11-103147號(hào)公報(bào))。在這樣的結(jié)構(gòu)的情況下，由于可在比較低的溫度下進(jìn)行制造，所以可以內(nèi)置含有半導(dǎo)體的電子部件。但是，由于樹脂的導(dǎo)熱系數(shù)低，所以難以將電子部件產(chǎn)生的熱進(jìn)行散熱，而且，在高密度安裝電子部件的情況下，散熱更加困難。此外，隨著高速化和高密度化，也難以避免產(chǎn)生和傳播噪聲的影響。這樣，在將電子部件內(nèi)置在電路基板內(nèi)(三維地安裝在電路基板上)的電子部件內(nèi)置模塊中，除了要求高密度安裝化和高功能化以外，還要求降低噪聲效果和良好的散熱性。因此，提出用含有環(huán)氧樹脂等熱固化性樹脂和陶瓷粉末等無機(jī)填料的混合物(復(fù)合樹脂材料)形成絕緣層，在該絕緣層中嵌入電子部件的電子部件內(nèi)置模塊(例如，參照日本特開平11-220262號(hào)公報(bào))。
圖10表示在使用熱固化性樹脂和無機(jī)填料的混合物形成的絕緣層中嵌入電子部件的電子部件內(nèi)置模塊的一例。在該電子部件內(nèi)置模塊100中，在絕緣層102的兩主表面上接合著安裝了電子部件(有源部件104a和無源部件104b)的電路基板101，并且將電子部件104a、104b嵌入在絕緣層102中。而且，將相互不同的形成在電路基板101中的布線圖形107間，用導(dǎo)電性樹脂組成物構(gòu)成的內(nèi)孔103進(jìn)行電連接。通過選擇無機(jī)填料的種類，可控制用無機(jī)填料和熱固化性樹脂的混合物形成的絕緣層102的導(dǎo)熱系數(shù)和介電常數(shù)。由此，可以制作降低噪聲效果和散熱性良好的電子部件內(nèi)置模塊。
在以上結(jié)構(gòu)的電子部件內(nèi)置模塊中，內(nèi)孔的可靠性很重要。例如，因在完成的電子部件內(nèi)置模塊上焊接安裝其他電子部件時(shí)產(chǎn)生的熱、設(shè)備工作時(shí)產(chǎn)生的熱、以及使用環(huán)境溫度的變動(dòng)等，而反復(fù)進(jìn)行絕緣層的熱膨脹和收縮。此時(shí)，因絕緣層和構(gòu)成內(nèi)孔的導(dǎo)電性樹脂組成物的熱膨脹率的差，在內(nèi)孔中產(chǎn)生應(yīng)力。該應(yīng)力成為使內(nèi)孔的連接可靠性下降的原因。由于絕緣層的厚度以不小于內(nèi)置的電子部件的高度來形成，所以在厚度方向上貫通絕緣層的內(nèi)孔的長(zhǎng)度也必然變長(zhǎng)。此外，為了提高安裝密度，還需要減小內(nèi)孔的直徑，所以內(nèi)孔有縱橫比變大的傾向。因此，就內(nèi)孔的連接可靠性下降而言，絕緣層的厚度方向的熱膨脹和收縮的反復(fù)的影響特別大。在絕緣層的熱膨脹率比電路基板的熱膨脹率大時(shí)，由電路基板限制絕緣層的平面方向的膨脹，絕緣層在厚度方向上極度膨脹，所以內(nèi)孔的連接可靠性容易下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊包括一對(duì)電路基板，包括含有樹脂的絕緣基材和布線圖形，相互對(duì)置地配置；絕緣層，配置在所述一對(duì)電路基板間，包括含有熱固化性樹脂的樹脂組成物和無機(jī)填料；至少一個(gè)電子部件，埋入在所述絕緣層中；以及內(nèi)孔，設(shè)置在所述絕緣層中，將相互不同的電路基板上設(shè)置的布線圖形間進(jìn)行電連接；其特征在于，所述絕緣層中含有的樹脂組成物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1和所述電路基板中含有的絕緣基材的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2滿足Tg1＞Tg2的關(guān)系。
本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊的制造方法包括(a)至少準(zhǔn)備兩個(gè)在含有樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2的絕緣基材上形成了布線圖形的電路基板，至少在一個(gè)所述電路基板上，至少安裝一個(gè)電子部件的工序；(b)使用包含至少含有熱固化性樹脂、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1的未固化的樹脂組成物和無機(jī)填料的混合物，形成在規(guī)定區(qū)域中形成了貫通孔的片狀物的工序；(c)在所述貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)電性樹脂組成物的工序；(d)在所述電路基板間配置所述片狀物，以使安裝了所述電子部件的面朝向所述片狀物，在厚度方向上加壓，使所述電子部件嵌入在所述片狀物的內(nèi)部，將所述片狀物和所述電路基板一體化的工序；以及(e)將所述片狀物中含有的熱固化性樹脂固化并形成絕緣層的工序；其特征在于，所述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1和所述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2滿足Tg1＞Tg2的關(guān)系。


圖1是表示本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊的一實(shí)施方式的剖面圖。
圖2是表示Tg1＜Tg2時(shí)的單獨(dú)絕緣層、單獨(dú)電路基板和被電路基板夾置的絕緣層的熱膨脹量和溫度關(guān)系的示意圖。
圖3是表示Tg1＞Tg2時(shí)的單獨(dú)絕緣層、單獨(dú)電路基板和被電路基板夾置的絕緣層的熱膨脹量和溫度關(guān)系的示意圖。
圖4A和圖4B是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的電子部件內(nèi)置模塊的制造方法的各工序的剖面圖。
圖5是表示本發(fā)明另一實(shí)施方式的電子部件內(nèi)置模塊結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖6A～圖6C是表示在本發(fā)明的另一實(shí)施方式的電子部件內(nèi)置模塊的制造中使用的電子部件內(nèi)置層的制造工序的剖面圖。
圖7A和圖7B是表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的電子部件內(nèi)置模塊的制造方法的各工序的剖面圖。
圖8是表示有關(guān)實(shí)施例1～4和比較例1、2的電子部件內(nèi)置模塊的溫度和鏈圖形電阻值的關(guān)系圖。
圖9是表示有關(guān)實(shí)施例5、6和比較例3的電子部件內(nèi)置模塊的溫度和鏈圖形電阻值的關(guān)系圖。
圖10是表示現(xiàn)有的電子部件內(nèi)置模塊結(jié)構(gòu)的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊中，絕緣層中含有的樹脂組成物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1，比夾置它的電路基板中含有的絕緣基材的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2高。再有，在絕緣層中含有的樹脂組成物包含玻璃化轉(zhuǎn)變溫度相互不同的多種樹脂時(shí)，本發(fā)明的樹脂組成物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1在多個(gè)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度中對(duì)應(yīng)于更低的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。此外，在本發(fā)明中，絕緣基材的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2由絕緣基材含有的具有玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)的材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度來決定，例如在絕緣基材中設(shè)置多個(gè)具有玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)的材料時(shí)，由低的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度來決定。
一般地，樹脂材料在玻璃化轉(zhuǎn)變溫度以上軟化，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度以上的溫度區(qū)域中的熱膨脹率比玻璃化轉(zhuǎn)變溫度以下的溫度區(qū)域中的熱膨脹率大。因此，本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊例如在安裝其他電子部件時(shí)被升溫到絕緣層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1以上時(shí)，電路基板的溫度也升溫到Tg1以上，達(dá)到電路基板中含有的絕緣基材的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2以上，所以絕緣層的熱膨脹率和電路基板的熱膨脹率都增大。由此，可以抑制因電路基板的熱膨脹率相對(duì)絕緣層的熱膨脹率過小而產(chǎn)生的、絕緣層的熱膨脹造成的平面方向的延伸被電路基板限制的這種現(xiàn)象。即，由于絕緣層可在平面方向上熱膨脹，所以不易產(chǎn)生厚度方向的過度熱膨脹。因此，在絕緣層上形成的內(nèi)孔的長(zhǎng)度方向上不易產(chǎn)生過大的拉伸應(yīng)力，提高連接可靠性。關(guān)于這種現(xiàn)象，以下用圖2和圖3更具體地說明。
首先，用圖2說明絕緣層中含有的樹脂組成物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1比電路基板中含有的絕緣基材的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2小(Tg1＜Tg2)時(shí)的絕緣層的熱膨脹。在圖2中，曲線A表示絕緣層單獨(dú)存在時(shí)的平面方向和厚度方向的熱膨脹量。曲線B表示電路基板單獨(dú)存在時(shí)的平面方向的熱膨脹量。曲線C表示配置在一對(duì)電路基板間的絕緣層厚度方向的熱膨脹量。在Tg1＜Tg2時(shí)，例如如果在安裝其他電子部件時(shí)升溫到絕緣層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1以上，則絕緣層的平面方向和厚度方向的熱膨脹量如曲線A所示那樣增大。此時(shí)，夾置絕緣層的電路基板的溫度在絕緣基材的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2以下，所以電路基板的平面方向的熱膨脹量小，如曲線B所示。因此，絕緣層的熱膨脹造成的平面方向的延伸被電路基板限制。因此，為了補(bǔ)償對(duì)絕緣層的平面方向的熱膨脹量，如曲線C所示，產(chǎn)生被電路基板夾置的絕緣層的厚度方向的熱膨脹量過度增大的現(xiàn)象。因這種絕緣層的厚度方向的過度熱膨脹，在絕緣層上形成的內(nèi)孔中產(chǎn)生長(zhǎng)度方向的過大拉伸應(yīng)力，引起內(nèi)孔的連接可靠性下降。
下面，用圖3說明如本發(fā)明那樣將絕緣層中含有的樹脂組成物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1大于電路基板中含有的絕緣基材的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2(Tg1＞Tg2)時(shí)的絕緣層的熱膨脹。與圖2的情況同樣，曲線A表示絕緣層單獨(dú)存在時(shí)的平面方向和厚度方向的熱膨脹量，曲線B表示電路基板單獨(dú)存在時(shí)的平面方向的熱膨脹量，曲線C表示配置在一對(duì)電路基板間的絕緣層的厚度方向的熱膨脹量。在Tg1＞Tg2時(shí)，例如如果安裝其他電子部件時(shí)升溫到絕緣層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1以上，則絕緣層的平面方向和厚度方向的熱膨脹量增大，如曲線A所示。此時(shí)，電路基板的溫度也升溫到Tg1以上，已經(jīng)在絕緣基材的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2以上，所以電路基板的平面方向的熱膨脹量與絕緣層的平面方向的熱膨脹量同時(shí)增大，如曲線B所示。由此，可以抑制絕緣層的熱膨脹造成的平面方向的延伸被電路基板限制的現(xiàn)象。即，絕緣層可在平面方向上熱膨脹，所以如曲線C所示，不易產(chǎn)生絕緣層的厚度方向的過度熱膨脹，連接可靠性提高。
此外，由于在絕緣層中含有無機(jī)填料，所以電子部件產(chǎn)生的熱容易被散熱，通過選擇無機(jī)填料的材料，可以根據(jù)內(nèi)置的電子部件來控制絕緣層的導(dǎo)熱系數(shù)和介電常數(shù)。
在本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊中，所述絕緣層中含有的樹脂組成物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1和所述電路基板中含有的絕緣基材的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2的差可以在10℃以上。這是為了防止內(nèi)孔的損壞，獲得更高的連接可靠性。此外，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1和玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2的差可以在200℃以下。
在本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊中，可設(shè)置多個(gè)所述絕緣層。由此，可實(shí)現(xiàn)更高密度安裝。
在本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊中，所述絕緣層可以含有70重量％以上、95重量％以下的所述無機(jī)填料。這是為了進(jìn)一步提高絕緣層的散熱性。
在本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊中，所述無機(jī)填料可以包含從Al2O3、MgO、BN、SiO2、SiC、Si3N4、和AlN組成的組中選擇的至少一種。這是為了進(jìn)一步提高絕緣層的散熱性。
在本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊中，所述熱固化性樹脂可以包含從環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、和異氰酸酯樹脂組成的組中選擇的至少一種。這是為了提高絕緣層的電絕緣性、機(jī)械強(qiáng)度、和耐熱性。
在本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊中，優(yōu)選所述電子部件是半導(dǎo)體裸芯片。這是因?yàn)槭褂猛蛊?bump)可將電子部件以倒裝片的方式安裝在電路基板上，所以可進(jìn)行與布線圖形的最短連接。
在本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊中，優(yōu)選所述內(nèi)孔由導(dǎo)電性樹脂組成物形成。這是因?yàn)榭梢匀菀椎刂谱鲀?nèi)孔。
下面，說明本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊的制造方法，可以容易地制作本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊。
在本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊的制造方法的所述(d)工序中，優(yōu)選在所述電路基板間，還在含有玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1的樹脂組成物的絕緣部件中配置埋入了至少一個(gè)電子部件的電子部件內(nèi)置層，并在厚度方向上加壓。這是為了制作更高密度安裝了電子部件的電子部件內(nèi)置模塊。
在本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊的制造方法的所述(d)工序中，優(yōu)選在所述電路基板間配置至少兩個(gè)所述片狀物、以及在含有玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1的樹脂組成物的絕緣部件中埋入了至少一個(gè)電子部件的電子部件內(nèi)置層，以連接所述片狀物和所述電路基板，并在厚度方向上加壓。這是為了制作更高密度安裝了電子部件的電子部件內(nèi)置模塊。
在本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊的制造方法中，所述電子部件內(nèi)置層的制造方法包括在脫模載體的一個(gè)面上形成布線圖形，而且至少安裝一個(gè)電子部件的工序；使用包含至少含有熱固化性樹脂、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1的未固化的樹脂組成物和無機(jī)填料的混合物，形成在規(guī)定的區(qū)域中形成了貫通孔的片狀物的工序；在所述貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)電性樹脂組成物的工序；將所述脫模載體疊層在所述片狀物上，以使安裝了所述電子部件的面朝向所述片狀物側(cè)，并在疊層方向上加壓，使所述電子部件嵌入在所述片狀物的內(nèi)部的工序；以及將所述脫模載體從片狀物中剝離的工序。這是為了可容易地制作電子部件內(nèi)置層。
以下，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。
(實(shí)施方式1)圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的電子部件內(nèi)置模塊結(jié)構(gòu)的剖面圖。在本實(shí)施方式的電子部件內(nèi)置模塊1中，在嵌入了電子部件(有源部件14a和無源部件14b)的絕緣層12的兩主表面上，配置電路基板11。電路基板11有在含有樹脂的絕緣基材11a上形成了布線圖形17的結(jié)構(gòu)。電路基板11有配置了多個(gè)布線層的多層布線結(jié)構(gòu)，在主表面上和內(nèi)部配置布線圖形17。再有，在本說明書中，所謂一個(gè)布線層，是由形成在同一平面內(nèi)的一組布線圖形構(gòu)成。嵌入在絕緣層12中的電子部件14a、14b與形成在電路基板11的主表面上的布線圖形17電連接。在絕緣層12中形成內(nèi)孔13，將相互對(duì)置配置的一對(duì)電路基板11中分別形成的布線圖形17間進(jìn)行電連接。
電路基板11可以使用作為普通印刷電路板的玻璃態(tài)環(huán)氧樹脂基板和堆積(buildup)基板等，沒有特別限定。此外，在本實(shí)施方式中，布線層為三層，但布線層的層數(shù)不限于此。
電路基板11中設(shè)置的布線圖形17的材料只要是導(dǎo)電性優(yōu)良、電路形成容易的材料就可以，沒有特別限定，但金屬箔較好。金屬箔例如可以使用銅、鎳、鋁、及以它們中的其中一個(gè)金屬為主要成分的合金，特別是銅和以銅為主要成分的合金較好。這是因?yàn)殂~的導(dǎo)電性良好并且便宜，容易形成布線圖形。此外，在用于布線圖形17的金屬箔中，使接觸絕緣層12和內(nèi)孔13的面粗糙較好。這是因?yàn)榭商岣呓饘俨徒^緣層12及內(nèi)孔13的焊接強(qiáng)度。再有，在圖1中，安裝了電子部件14a、14b的面的布線圖形17從電路基板面突出形成，其相反面的布線圖形17嵌入形成在電路基板11中，但并不限于此，布線圖形17可從電路基板面突出，也可以嵌入在電路基板中。
絕緣層12是將無機(jī)填料分散在至少含有熱固化性樹脂的樹脂組成物中的層，以樹脂組成物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1比電路基板11的絕緣基材11a的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2高來形成。絕緣層12的導(dǎo)熱系數(shù)和介電常數(shù)可通過選擇熱固化性樹脂和無機(jī)填料來調(diào)整。
在用于絕緣層12的樹脂組成物中，期望熱固化性樹脂例如含有從環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、或異氰酸酯樹脂中選擇的至少一種。這是因?yàn)檫@些熱固化性樹脂的其固化物具有良好的電絕緣性、機(jī)械強(qiáng)度和耐熱性。樹脂組成物根據(jù)需要可含有耦合劑、分散劑、或著色劑等添加劑。這是因?yàn)橥ㄟ^含有各種添加劑，可改善絕緣層12的特性。例如，耦合劑可以改善樹脂組成物和無機(jī)填料的粘結(jié)性。而分散劑可改善無機(jī)填料的分散性，降低混合物內(nèi)的組成不勻。
此外，期望無機(jī)填料含有從Al2O3、MgO、BN、SiO2、SiC、Si3N4、和AlN組成的組中選擇的至少一種。這是因?yàn)檫@些材料的導(dǎo)熱性良好，可提高絕緣層12的散熱性，可以將內(nèi)置的電子部件14a、14b產(chǎn)生的熱更有效地散熱。特別是在使用Al2O3作為無機(jī)填料時(shí)，可實(shí)現(xiàn)低成本。在使用SiO2作為無機(jī)填料時(shí)，可以減小絕緣層12的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗因數(shù)，提高降低噪聲效果。而且，如果考慮到無機(jī)填料的填充性和絕緣層12的散熱性，無機(jī)填料的平均粒徑在0.1～100μm的范圍是合適的，為7～12μm更好。
樹脂組成物和無機(jī)填料的混合物中的各成分的含有量是無機(jī)填料為70～95重量％，為85～93重量％較好，為89～91重量％更好，樹脂組成物為5～30重量％，為7～15重量％較好，為9～11重量％最合適。這是因?yàn)樵跓o機(jī)填料的含有量在該范圍內(nèi)時(shí)，由于混合物的流動(dòng)性和粘結(jié)性提高，所以與金屬箔的粘結(jié)良好，而且可獲得良好的散熱性。
期望內(nèi)孔13由混合了金屬粒子和熱固化性樹脂的導(dǎo)電性樹脂組成物來形成。作為金屬粒子，使用導(dǎo)電性高的金、銀、銅、或鎳等較好，特別是銅的導(dǎo)電性良好，離子遷移也少。此外，從耐熱性方面來看，熱固化性樹脂使用液狀的環(huán)氧樹脂較好。
有源部件14a通過焊盤15與布線圖形17電連接，有源部件14a和布線圖形17的連接部分通過密封樹脂18密封。作為有源部件14a，例如使用晶體管、IC、LSI等半導(dǎo)體元件，特別期望是半導(dǎo)體裸芯片。這是因?yàn)槿绻M(jìn)行倒裝片安裝，則可縮短電子部件14a、14b和布線圖形17的連接布線長(zhǎng)度，所以電特性良好。作為倒裝片安裝法，沒有特別限定，例如可使用以焊料或?qū)щ娦哉辰Y(jié)劑為主要成分的焊盤產(chǎn)生的連接、在半導(dǎo)體元件的電極上形成的金屬焊盤和焊料或?qū)щ娦哉辰Y(jié)劑產(chǎn)生的連接等。
無源部件14b通過連接部件16與布線圖形17電連接。作為無源部件14b，例如使用芯片狀的電阻、電容器、或電感器等。連接部件16可以使用焊接材料或?qū)щ娦哉辰Y(jié)劑等。
本實(shí)施方式的電子部件內(nèi)置模塊1的絕緣層12中含有的樹脂組成物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1比電路基板11的絕緣基材11a的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2高。因此，在電子部件內(nèi)置模塊上焊接安裝其他部件等時(shí)，即使是電子部件內(nèi)置模塊升溫到Tg1以上的溫度時(shí)，由于絕緣層12可在平面方向上膨脹，所以可以抑制厚度方向的過度膨脹。因此，由于可抑制在絕緣層12的厚度方向上對(duì)內(nèi)孔13施加過度的拉伸應(yīng)力，所以不易產(chǎn)生連接不良，可以形成可靠性高的電子部件內(nèi)置模塊。
下面，用圖4A和圖4B說明電子部件內(nèi)置模塊1的制造方法。
首先，將至少含有熱固化性樹脂的樹脂組成物和無機(jī)填料的混合物、即未固化狀態(tài)的絕緣材料加工成片狀物19。再有，適當(dāng)選擇這里使用的樹脂組成物，以使其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1比電路基板11的絕緣基材11a的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2大。在該片狀物19的規(guī)定位置形成貫通孔，在該貫通孔中填充含有熱固化性樹脂的導(dǎo)電性樹脂組成物20。使用通過將含有液狀的熱固化性樹脂的樹脂組成物和無機(jī)填料進(jìn)行混合、或在無機(jī)填料中用溶劑混合粘度低的熱固化性樹脂而制作的膏狀混合物來進(jìn)行片狀物19的加工。具體地說，將這種膏狀混合物通過刮刀法等按一定厚度進(jìn)行成形，并實(shí)施熱處理，從而獲得片狀物19。由于在使用液狀的熱固化性樹脂進(jìn)行制作時(shí)有粘結(jié)性，所以為了在稍稍推進(jìn)固化但未固化的狀態(tài)下維持撓性的同時(shí)除去粘結(jié)性，進(jìn)行該熱處理。這樣制作的未固化狀態(tài)的片狀物19上形成的貫通孔可通過激光加工或模具加工、或沖孔加工等形成。特別是在激光加工法中，碳酸激光或受激準(zhǔn)分子激光在加工速度方面是有效的。
此外，在電路基板11中安裝電子部件(有源部件14a、無源部件14b)。有源部件14a例如是半導(dǎo)體裸芯片，使用凸起15將其電連接到布線圖形17上。用密封樹脂18密封半導(dǎo)體裸芯片和布線圖形17的連接部分。使用焊接材料或?qū)щ娦哉辰Y(jié)劑等連接部件16，將無源部件14b電連接到布線圖形17上。
接著，在片狀物19的兩主面上，將安裝了電子部件14a、14b的電路基板11進(jìn)行定位(參照?qǐng)D4A)。
接著，將定位了的片狀物19和電路基板11進(jìn)行重合、加熱并在疊層方向上加壓，將安裝在電路基板11中的電子部件14a、14b嵌入片狀物19中，使整體一體化(參照?qǐng)D4B)。此時(shí)，電子部件14a、14b的對(duì)片狀物的嵌入，在片狀物19中含有的熱固化性樹脂固化前的狀態(tài)下進(jìn)行。
然后，通過再次進(jìn)行加熱，使片狀物19中含有的熱固化性樹脂和導(dǎo)電性樹脂組成物20完全固化，形成絕緣層和內(nèi)孔，使電路基板11、絕緣層和電子部件14a、14b牢固地接合。此外，通過導(dǎo)電性樹脂組成物20的固化形成的內(nèi)孔，將中間隔著絕緣層相對(duì)置配置的電路基板11的布線圖形17相互電連接。
根據(jù)以上的方法，可以制作電子部件內(nèi)置模塊1(參照?qǐng)D1)。
(實(shí)施方式2)圖5是表示本發(fā)明實(shí)施方式2的電子部件內(nèi)置模塊結(jié)構(gòu)的剖面圖。
在本實(shí)施方式的電子部件內(nèi)置模塊2中，在對(duì)置配置的一對(duì)電路基板21間配置多個(gè)絕緣層22。在各絕緣層22中嵌入電子部件(有源部件24a、無源部件24b)。在電路基板21的主面上和內(nèi)部形成布線圖形27，成為多層布線結(jié)構(gòu)。此外，還在絕緣層22和絕緣層22的界面上設(shè)置布線圖形27。在各絕緣層22中規(guī)定的位置上形成內(nèi)孔23，將相互不同的層中形成的布線圖形27相互電連接。有源部件24a通過凸起25與布線圖形27電連接，有源部件24a和布線圖形27的連接部分由密封樹脂28密封。此外，無源部件24b通過連接部件26與布線圖形27電連接。
電路基板21與實(shí)施方式1中說明的電路基板11同樣，是在絕緣基材21a上形成布線圖形27的結(jié)構(gòu)，可用同樣的材料形成。此外，絕緣層22是與實(shí)施方式1中說明的絕緣層12相同的結(jié)構(gòu)，可用同樣的材料形成。其中，絕緣層22中含有的樹脂組成物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1比電路基板21的絕緣基材21a的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2高，由此可獲得與實(shí)施方式1的電子部件內(nèi)置模塊1相同的效果。
再有，在本實(shí)施方式中將絕緣層22設(shè)置四層，但還可以進(jìn)一步多層化。
下面，用圖6A～圖6C和圖7A及圖7B來說明電子部件內(nèi)置模塊2的制造方法的一例。
首先，說明在電子部件內(nèi)置模塊2的制造中使用的電子部件內(nèi)置層的制作方法。
在片狀物29的兩主面上，將形成了布線圖形27和電子部件24a、24b的脫模載體31定位(位置配合)(參照?qǐng)D6A)。
片狀物29用與實(shí)施方式1中說明的片狀物19相同的方法和材料來形成。在片狀物29的規(guī)定位置上形成的貫通孔中，填充導(dǎo)電性樹脂組成物30。該貫通孔的形成方法與實(shí)施方式1中說明的方法相同。
在脫模載體31上形成布線圖形27，在布線圖形27上安裝電子部件24a、24b。脫模載體31是將布線圖形27復(fù)制在片狀物29上后被剝離的載體，可以使用聚乙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯等有機(jī)膜、銅、鋁箔等金屬箔。在脫模載體31上形成布線圖形27的方法是，在脫模載體31上形成銅箔等金屬層，利用化學(xué)蝕刻法等已有的加工技術(shù)使該金屬層形成布線圖形27。金屬層的形成方法是，在脫模載體31為有機(jī)膜的情況下采用粘結(jié)劑粘結(jié)金屬層，在脫模載體31為金屬箔的情況下采用電解電鍍法等形成金屬電鍍膜。而在脫模載體31是金屬箔的情況下，最好是在脫模載體31和金屬層之間設(shè)有剝離層。剝離層沒有特別限定，可以使用薄的有機(jī)層、或鎳、鉻、鉛等金屬電鍍層。脫模載體31和布線圖形27的粘結(jié)強(qiáng)度最好是在復(fù)制布線圖形27的工序中剝離脫模載體31時(shí)，不引起粘結(jié)在片狀物29上的布線圖形27剝離的強(qiáng)度。而且，布線圖形27的表面最好形成粗糙的接觸面，以便獲得與片狀物29的良好粘結(jié)性。此外，為了粘結(jié)性和防止氧化，可以使用對(duì)表面進(jìn)行耦合處理的片狀物、或形成錫、鋅、或鎳電鍍膜的片狀物。
接著，將定位重合的片狀物29和脫模載體31在厚度方向上加壓，并且將片狀物29中包含的熱固化性樹脂在不產(chǎn)生固化的溫度區(qū)域加熱，使電子部件24a、24b嵌入在未固化的片狀物29中，將整體一體化(參照?qǐng)D6B)。此時(shí)，再次進(jìn)行加壓，以使脫模載體31上的布線圖形27也嵌入在片狀物29中。
接著，從嵌入了電子部件24a、24b和布線圖形27的片狀物29中除去脫模載體31(參照?qǐng)D6C)。由此，在絕緣部件中嵌入電子部件24a、24b和布線圖形27，可形成表面平滑狀態(tài)的電子部件內(nèi)置層32。
接著，準(zhǔn)備形成了布線圖形27且在布線圖形27上安裝了電子部件24a、24b的兩個(gè)電路基板21、以及另外制作的兩個(gè)片狀物33。在片狀物33中，在規(guī)定的位置形成的貫通孔中填充導(dǎo)電性樹脂組成物34。在電路基板21間，插入片狀物33，將以圖6A～圖6C所示的方法制作的電子部件內(nèi)置層32雙層配置，并進(jìn)行定位(參照?qǐng)D7A)。再有，片狀物33按與片狀物19(參照?qǐng)D4A)相同的方法制作。
接著，將定位重合的電路基板21、片狀物33、以及電子部件內(nèi)置層32在厚度方向加壓，并且將包含于片狀物33和電子部件內(nèi)置層32中的熱固化性樹脂以不產(chǎn)生固化的溫度加熱，使安裝在電路基板21上的電子部件嵌入在未固化的片狀物33中，將整體一體化(參照?qǐng)D7B)。進(jìn)而，將包含在片狀物33和電子部件內(nèi)置層32中的熱固化性樹脂加熱至固化溫度，使片狀物33、電子部件內(nèi)置層32、以及導(dǎo)電性樹脂組成物30、34完全固化。由此，電路基板21、片狀物33、電子部件內(nèi)置層32、以及電子部件24a、24b相互牢固地粘結(jié)，并且，用通過導(dǎo)電性樹脂組成物30、34固化形成的內(nèi)孔進(jìn)行布線圖形27間的電連接。再有，片狀物33和包含于電子部件內(nèi)置層32中的片狀物29成為電子部件內(nèi)置模塊2的絕緣層22(參照?qǐng)D5)。
通過以上工序，完成具有本實(shí)施方式的多層結(jié)構(gòu)的電子部件內(nèi)置模塊2。
再有，用實(shí)施方式1和實(shí)施方式2說明的本發(fā)明的各實(shí)施方式不是限定本發(fā)明的實(shí)施方式，不言而喻，當(dāng)然可以獲得其他實(shí)施方式。另外，本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊可采用公知的各種方法，將其他電子部件安裝在配置于兩主面上的電路基板表面的布線圖形上。
實(shí)施例以下，通過實(shí)施例更詳細(xì)地說明本發(fā)明。
(實(shí)施例1～4、比較例1和2)實(shí)施例1～4和比較例1及2的電子部件內(nèi)置模塊有與實(shí)施方式1中說明的電子部件內(nèi)置模塊1(參照?qǐng)D1和圖4A及圖4B)同樣的結(jié)構(gòu)。
在本實(shí)施例和比較例中使用的片狀物19按以下方法制作。
首先，將無機(jī)填料和液狀的熱固化性樹脂放入在容器中，每個(gè)容器使用攪拌混合機(jī)進(jìn)行混合。在本實(shí)施例和比較例中，將90重量％的Al2O3(球狀、平均粒徑12μm)作為無機(jī)填料，10重量％的液狀環(huán)氧樹脂作為熱固化性樹脂，而且附加丁酮用于進(jìn)行粘度調(diào)整。各實(shí)施例和比較例中使用的10重量％的液狀環(huán)氧樹脂的配合組成如下。
實(shí)施例1一液性環(huán)氧樹脂(6099(Asahi-Chiba公司制))10重量％實(shí)施例2環(huán)氧樹脂(ME-268D(日本Pelnox公司制))6重量％固化劑(HV-110D(日本Pelnox公司制))4重量％實(shí)施例3環(huán)氧樹脂(YL-6677(Yuka Shell Epoxy公司制))7重量％固化劑(YL-6065L(Yuka Shell Epoxy公司制))
3重量％實(shí)施例4一液性環(huán)氧樹脂(ZC-104A(日本Pelnox公司制))10重量％比較例1一液性環(huán)氧樹脂(ZC-203(日本Pelnox公司制))10重量％比較例2一液性環(huán)氧樹脂(ME-5890(日本Pelnox公司制))10重量％上述組成中使用計(jì)量混合的膏狀混合物，在表面上實(shí)施了基于硅的脫模處理的厚度75μm的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜上，通過刮刀法進(jìn)行造膜。再有，該聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜具有作為脫模載體的功能。
接著，將這樣形成的上述混合物的膜在溫度120℃下放置15分鐘，進(jìn)行干燥。由此，可由上述混合物制作厚度400μm的無粘性的未固化的片狀物19。
接著，將這樣制作的未固化的片狀物19以規(guī)定的大小進(jìn)行切割，使用二氧化碳激光在間距為0.2mm～2mm的等間隔位置上形成直徑0.15mm的貫通孔。在該貫通孔中，通過絲網(wǎng)印刷法填充內(nèi)孔填充用的導(dǎo)電性樹脂組成物20。將作為導(dǎo)電材料的球形狀的85重量％的銅粉末、作為樹脂組成的3重量％的雙酚A型環(huán)氧樹脂(環(huán)氧樹脂828(油化Yuka Shell Epoxy公司制))、9重量％的縮水甘油酸酯系環(huán)氧樹脂(YD-171(東京化成工業(yè)公司制))、作為固化劑的3重量％的胺加合物系固化劑(MY-24(Aginomoto Fine-Techno公司制))用三個(gè)滾筒進(jìn)行混煉來制作導(dǎo)電性樹脂組成物20。
在電路基板11上，絕緣基材11a由玻璃環(huán)氧樹脂構(gòu)成，形成了三層布線圖形的印刷電路板(厚度200μm)。在該印刷電路板上，焊接安裝電阻、電容器和電感器，此外，在半導(dǎo)體裸芯片上形成金凸起并以倒裝片方式進(jìn)行安裝。將半導(dǎo)體裸芯片和印刷電路板間用密封樹脂密封。
將以上制作的片狀物19和電路基板11進(jìn)行定位重合，以使安裝于電路基板11上的電子部件位于片狀物19側(cè)。接著，使用熱壓機(jī)在壓力溫度120℃、壓力1MPa下加熱加壓5分鐘。通過該加熱，將片狀物19中的樹脂組成物熔融軟化，將電子部件嵌入在片狀物19中。使加熱溫度進(jìn)一步升高，在180℃下保持60分鐘。通過該加熱，片狀物19中的環(huán)氧樹脂固化，將電子部件和電路基板11牢固地粘結(jié)。同時(shí)，將內(nèi)孔填充用的導(dǎo)電性樹脂組成物20進(jìn)行固化并形成內(nèi)孔13，使形成于相互不同的電路基板11上的布線圖形17相互電連接。
(實(shí)施例5和6、比較例3)實(shí)施例5和6及比較例3的電子部件內(nèi)置模塊有與實(shí)施方式2中說明的電子部件內(nèi)置模塊2(參照?qǐng)D5、圖6A～6B和圖7A、圖7B)同樣的結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施例和比較例中使用的片狀物29、33按與實(shí)施例1～4和比較例1、2中使用的片狀物19同樣的方法制作。其中，用作熱固化性樹脂的環(huán)氧樹脂使用與實(shí)施例1使用的樹脂相同。此外，在片狀物29中，在規(guī)定位置上形成的通孔中填充內(nèi)孔填充用的導(dǎo)電性樹脂組成物30。以實(shí)施例1～4和比較例1、2中使用的導(dǎo)電性樹脂組成物20同樣的方法，來制作導(dǎo)電性樹脂組成物30。
脫模載體31使用厚度70μm的電解銅箔。在該電解銅箔的表面上形成由鉻和鉻酸鹽構(gòu)成的薄剝離層，在該剝離層上用電解鍍銅法形成厚度9μm的銅層。對(duì)電解銅箔上通過剝離層形成的銅層實(shí)施化學(xué)性蝕刻，形成規(guī)定的布線圖形27。
在這樣制作的脫模載體31上的布線圖形27上，安裝規(guī)定的電子部件。作為有源部件使用半導(dǎo)體裸芯片，在該半導(dǎo)體裸芯片上形成金凸起并在布線圖形27上進(jìn)行倒裝片安裝。作為無源部件，使用電阻、電容器和電感器，使用導(dǎo)電性粘結(jié)劑來安裝這些部件。此外，將半導(dǎo)體裸芯片和脫模載體31之間通過密封樹脂進(jìn)行密封。
將安裝了以上那樣制作的電子部件的脫模載體31定位重合在片狀物29的兩主面上，以使電子部件位于片狀物29側(cè)。接著，使用熱壓機(jī)，在壓力溫度120℃、壓力1MPa下加熱加壓5分鐘。通過這種加熱，將片狀物29中的熱固化性樹脂熔融軟化，使電子部件和布線圖形嵌入在片狀物29中。然后，僅將脫模載體31和玻璃層剝離，獲得電子部件內(nèi)置層32。
電路基板21使用形成了三層的布線圖形的、絕緣基材21a由玻璃環(huán)氧樹脂構(gòu)成的印刷電路板(厚度200μm)。在該印刷電路板上，焊接安裝電阻、電容器和電感器，而且在半導(dǎo)體裸芯片上形成金凸起并進(jìn)行倒裝片安裝。半導(dǎo)體裸芯片和印刷電路板間用密封樹脂密封。在實(shí)施例5、6和比較例3中使用的印刷電路板如下那樣。
實(shí)施例5玻璃環(huán)氧樹脂類印刷電路板(R-1776(松下電工公司制))實(shí)施例6玻璃環(huán)氧樹脂類印刷電路板(R-1566(松下電工公司制))比較例3玻璃環(huán)氧樹脂類印刷電路板(R-1776T(松下電工公司制))將以上制作的電子部件內(nèi)置層32和電路基板21、以及另外制作的片狀物33分別準(zhǔn)備兩個(gè)，在兩個(gè)電路基板21間配置電子部件內(nèi)置層32和片狀物33。將電路基板21和片狀物33接觸，并且將安裝于電路基板21上的電子部件以位于片狀物33側(cè)進(jìn)行定位重合。接著，使用熱壓機(jī)在壓力溫度120℃、壓力1MPa下加熱加壓5分鐘。通過該加熱，將片狀物33中的樹脂組成物熔融軟化，將電路基板21上的電子部件嵌入在片狀物33中。使加熱溫度進(jìn)一步升高，在180℃下保持60分鐘。通過該加熱，電子部件內(nèi)置層32和片狀物33中的環(huán)氧樹脂固化，將電子部件和電路基板21牢固地粘結(jié)。同時(shí)，將內(nèi)孔填充用的導(dǎo)電性樹脂組成物30進(jìn)行固化并形成內(nèi)孔32，使形成于相互不同層中的布線圖形27相互電連接。
如以上那樣制作實(shí)施例1～6和比較例1～3的電子部件內(nèi)置模塊。
表1表示實(shí)施例1～6和比較例1～3的絕緣層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1和電路基板的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2。對(duì)于絕緣層，通過熱壓制作片狀物的固化物并測(cè)定玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，獲得絕緣層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1。具體地說，用銅箔夾置未固化的片狀物，在壓力溫度200℃、壓力1MPa下保持兩小時(shí)使其固化后，將銅箔剝離獲得固化物。再有，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度以JIS-C6481的《印刷電路板用銅疊層板試驗(yàn)方法》中確定的TMA法和DMA法兩個(gè)方法依次求出。在TMA法中，對(duì)樣本施加負(fù)荷同時(shí)以10℃/分從室溫開始升溫，求出溫度-變形曲線，將該曲線中彎曲的兩個(gè)直線部分的交點(diǎn)作為玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg。測(cè)定裝置使用TAM裝置(TMA/SS150C(Seiko Instruments Inc.公司制))。在DMA法中，對(duì)樣本施加10Hz的正弦拉伸應(yīng)力并測(cè)定動(dòng)態(tài)粘彈性，使其以5℃/分從室溫開始升溫，求出其溫度依賴性，將損耗正切的峰值溫度作為玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg。測(cè)定裝置使用DMA裝置(DMS210(Seiko Instruments Inc.公司制))。再有，一般地，與按TMA法求出的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg相比，按DMA法求出的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg約高20℃。
而且，在表1中，還表示抗回流(reflow resistance)試驗(yàn)的可靠性評(píng)價(jià)的結(jié)果?？煽啃栽u(píng)價(jià)使用帶式回流爐，在最高溫度為260℃下進(jìn)行三次通過保持30秒的溫度歷史的回流爐的抗回流試驗(yàn)，測(cè)定實(shí)施試驗(yàn)后的內(nèi)孔的電阻值并求出電阻變化量，該電阻變化量相對(duì)于試驗(yàn)前的電阻值在10％以下的樣本為合格。在表1中，將各實(shí)施例和比較例的電子部件內(nèi)置模塊分別準(zhǔn)備20個(gè)，表示進(jìn)行可靠性評(píng)價(jià)時(shí)的合格率。再有，在樣本中，在內(nèi)孔電阻評(píng)價(jià)中，通過布線圖形形成連結(jié)了80個(gè)內(nèi)孔的鏈圖形(chain pattern)。
(表1)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(℃)可靠性評(píng)價(jià)DAM法 TMA法 合格率(％)絕緣層 電路基板 絕緣層 電路基板(Tg1)(Tg2) (Tg1)(Tg2)實(shí)施例1 180 170161 151 100實(shí)施例2 195 170172 151 100實(shí)施例3 220 170199 151 100實(shí)施例4 175 170157 151 95實(shí)施例5 180 150162 129 100實(shí)施例6 180 170162 151 100比較例1 135 170121 151 0比較例2 155 170139 151 0比較例3 180 200162 183 0在三次抗回流試驗(yàn)后所有的樣本中沒有觀察到裂紋，而且在超聲波探傷裝置的觀察中，在內(nèi)置的電子部件上也沒有觀察到裂紋。另一方面，如表1所示，內(nèi)孔的可靠性評(píng)價(jià)結(jié)果，在比較例1～3中樣本中沒有獲得合格品，而在滿足Tg1＞Tg2的實(shí)施例1～6中可獲得良好的可靠性。特別是在Tg1和Tg2的差為10℃以上的實(shí)施例1～3、5和6中沒有產(chǎn)生不良品。
此外，對(duì)于抗回流試驗(yàn)之外準(zhǔn)備的樣本，測(cè)定從室溫(30℃)至250℃以5℃/分的速度將樣本的溫度升溫時(shí)的鏈圖形的電阻值(包含布線電阻)。在圖8中，表示有關(guān)實(shí)施例1～4和比較例1、2的溫度和鏈圖形電阻值(連結(jié)了80個(gè)通孔的鏈電阻(resistance of a chainof 80 coupled vias))的關(guān)系。在圖9中，表示有關(guān)實(shí)施例5、6和比較例3的溫度和連結(jié)80了個(gè)通孔的鏈電阻的關(guān)系。根據(jù)圖8和圖9，相對(duì)于比較例1～3中，如果溫度從絕緣層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1附近上升，則產(chǎn)生連結(jié)80個(gè)通孔的鏈電阻的急劇增大，而在實(shí)施例1～6中，可以確認(rèn)相對(duì)于溫度上升的連結(jié)80個(gè)通孔的鏈電阻的變化小。這被認(rèn)為是，絕緣層中包含的樹脂組成物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1比夾置它的電路基板的絕緣基材的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2高，所以可以抑制絕緣層的熱膨脹產(chǎn)生的向平面方向的延伸受電路基板限制的現(xiàn)象，不易產(chǎn)生向絕緣層的厚度方向的急劇熱膨脹。即，可確認(rèn)不易在絕緣層中形成的內(nèi)孔的長(zhǎng)度方向上產(chǎn)生過大的拉伸應(yīng)力，獲得連接可靠性的提高。其中，在實(shí)施例4中，由于Tg1和Tg2的差小，所以可觀察到電阻隨著溫度上升而略微增加。從該結(jié)果中還可確認(rèn)Tg1和Tg2的差在10℃以上較好。
以上，如用本發(fā)明的實(shí)施方式和實(shí)施例說明的那樣，根據(jù)本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊和其制造方法，可以提供內(nèi)孔的可靠性高的電子部件內(nèi)置模塊。
再有，發(fā)明的詳細(xì)說明中形成的具體實(shí)施方式
或?qū)嵤├皇鞘贡景l(fā)明的技術(shù)內(nèi)容清楚，而不是僅限定于這樣的具體例并不應(yīng)該被狹義地解釋，在本發(fā)明的精神和權(quán)利要求所述的范圍內(nèi)，可以進(jìn)行各種變更來實(shí)施。
權(quán)利要求
1.一種電子部件內(nèi)置模塊，其特征在于，包括一對(duì)電路基板，包括含有樹脂的絕緣基材和布線圖形，相互對(duì)置地配置；絕緣層，配置在所述一對(duì)電路基板間，包括含有熱固化性樹脂的樹脂組成物和無機(jī)填料；至少一個(gè)電子部件，埋入在所述絕緣層中；以及內(nèi)孔，設(shè)置在所述絕緣層中，將相互不同的電路基板上設(shè)置的布線圖形間進(jìn)行電連接；所述絕緣層中含有的樹脂組成物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1和所述電路基板中含有的絕緣基材的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2，滿足Tg1＞Tg2的關(guān)系。
2.如權(quán)利要求1所述的電子部件內(nèi)置模塊，其中，所述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1和所述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2的差至少為10℃。
3.如權(quán)利要求1所述的電子部件內(nèi)置模塊，其中，將所述絕緣層設(shè)置多個(gè)。
4.如權(quán)利要求1所述的電子部件內(nèi)置模塊，其中，所述絕緣層包含70重量％以上、95重量％以下的所述無機(jī)填料。
5.如權(quán)利要求1所述的電子部件內(nèi)置模塊，其中，所述無機(jī)填料包含從Al2O3、MgO、BN、SiO2、SiC、Si3N4和AlN組成的組中選擇的至少一種。
6.如權(quán)利要求1所述的電子部件內(nèi)置模塊，其中，所述熱固化性樹脂包含從環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、和異氰酸酯樹脂組成的組中選擇的至少一種。
7.如權(quán)利要求1所述的電子部件內(nèi)置模塊，其中，所述電子部件是半導(dǎo)體裸芯片。
8.如權(quán)利要求1所述的電子部件內(nèi)置模塊，其中，所述內(nèi)孔由導(dǎo)電性樹脂組成物形成。
9.一種電子部件內(nèi)置模塊的制造方法，其特征在于，包括(a)至少準(zhǔn)備兩個(gè)在含有樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2的絕緣基材上形成了布線圖形的電路基板，至少在一個(gè)所述電路基板上，至少安裝一個(gè)電子部件的工序；(b)使用包含至少含有熱固化性樹脂、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1的未固化的樹脂組成物和無機(jī)填料的混合物，形成在規(guī)定區(qū)域中形成了貫通孔的片狀物的工序；(c)在所述貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)電性樹脂組成物的工序；(d)在所述電路基板間配置所述片狀物，以使安裝了所述電子部件的面朝向所述片狀物，在厚度方向上加壓，使所述電子部件嵌入在所述片狀物的內(nèi)部，將所述片狀物和所述電路基板一體化的工序；以及(e)將所述片狀物中含有的熱固化性樹脂固化并形成絕緣層的工序；所述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1和所述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2，滿足Tg1＞Tg2的關(guān)系。
10.如權(quán)利要求9所述的電子部件內(nèi)置模塊的制造方法，其中，在所述(d)工序中，在所述電路基板間，還在含有玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1的樹脂組成物的絕緣部件中，配置至少埋入一個(gè)電子部件的電子部件內(nèi)置層，并在厚度方向上加壓。
11.如權(quán)利要求9所述的電子部件內(nèi)置模塊的制造方法，其中，在所述(d)工序中，在所述電路基板間，配置至少兩個(gè)所述片狀物、以及在含有玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1的樹脂組成物的絕緣部件中埋入了至少一個(gè)電子部件的電子部件內(nèi)置層，以連接所述片狀物和所述電路基板，并在厚度方向上加壓。
12.如權(quán)利要求10所述的電子部件內(nèi)置模塊的制造方法，其中，所述電子部件內(nèi)置層的制造方法包括在脫模載體的一個(gè)面上形成布線圖形，而且至少安裝一個(gè)電子部件的工序；使用包含至少含有熱固化性樹脂、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1的未固化的樹脂組成物和無機(jī)填料的混合物，形成在規(guī)定的區(qū)域中形成了貫通孔的片狀物的工序；在所述貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)電性樹脂組成物的工序；將所述脫模載體疊層在所述片狀物上，以使安裝了所述電子部件的面朝向所述片狀物側(cè)，并在疊層方向上加壓，使所述電子部件嵌入在所述片狀物的內(nèi)部的工序；以及將所述脫模載體從片狀物中剝離的工序。
13.如權(quán)利要求11所述的電子部件內(nèi)置模塊的制造方法，其中，所述電子部件內(nèi)置層的制造方法包括在脫模載體的一個(gè)面上形成布線圖形，而且安裝至少一個(gè)電子部件的工序；使用包含至少含有熱固化性樹脂、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1的未固化的樹脂組成物和無機(jī)填料的混合物，形成在規(guī)定的區(qū)域中形成了貫通孔的片狀物的工序；在所述貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)電性樹脂組成物的工序；將所述脫模載體疊層在所述片狀物上，以使安裝了所述電子部件的面朝向所述片狀物側(cè)，并在疊層方向上加壓，使所述電子部件嵌入在所述片狀物的內(nèi)部的工序；以及將所述脫模載體從片狀物中剝離的工序。
全文摘要
本發(fā)明的電子部件內(nèi)置模塊包括一對(duì)電路基板，包括含有樹脂的絕緣基材和布線圖形，相互對(duì)置地配置；絕緣層，配置在一對(duì)電路基板間，包括含有熱固化性樹脂的樹脂組成物和無機(jī)填料；至少一個(gè)電子部件，埋入在絕緣層中；以及內(nèi)孔，設(shè)置在絕緣層中，將相互不同的電路基板上設(shè)置的布線圖形間進(jìn)行電連接。絕緣層中含有的樹脂組成物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg1和電路基板的絕緣基材的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg2，滿足Tg1＞Tg2的關(guān)系。
文檔編號(hào)H01L25/16GK1543291SQ20041000523
公開日2004年11月3日 申請(qǐng)日期2004年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月18日
發(fā)明者山下嘉久, 平野浩一, 菅谷康博, 朝日俊行, 中谷誠一, 一, 博, 行 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社