專利名稱：洗滌液及使用其的洗滌方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將半導(dǎo)體基體表面的附著物除去的洗滌液及使用該洗滌液的洗滌方法。更具體說，本發(fā)明涉及在不對半導(dǎo)體基體上的金屬配線、層間絕緣膜等產(chǎn)生損害的情況下，能夠?qū)雽?dǎo)體基體表面的牢固附著物除去的洗滌液及使用該洗滌液的洗滌方法。
背景技術(shù)：
目前，作為高集成化的LSI等的半導(dǎo)體元件的制造方法，一般采用石印術(shù)。當(dāng)采用該石印術(shù)制造半導(dǎo)體元件時，通常在硅片等的基板上形成成為導(dǎo)電用配線材料的金屬膜等導(dǎo)電薄膜、和以進(jìn)行導(dǎo)電薄膜與配線間絕緣為目的的硅氧化膜等層間絕緣膜后，在其表面均勻地涂布光致抗蝕劑、設(shè)置感光層，對其實(shí)施選擇性的曝光及顯像處理，形成所希望的保護(hù)圖案。隨后，以該保護(hù)圖案作為面罩，通過對下層部的薄膜實(shí)施選擇性的蝕刻處理，在該薄膜上形成所希望的保護(hù)圖案。然后，進(jìn)行將該保護(hù)圖案完全除去的一連串工序。
近年來，半導(dǎo)體元件的高集成化不斷發(fā)展，已需要形成0.18μm以下的圖案了，伴隨該加工尺寸的超微細(xì)化，在前述選擇性的蝕刻處理中，干蝕刻法已成為主流。在干蝕刻處理中，已知在形成的圖案周邊部分生成由干蝕刻氣體、保護(hù)層、被加工膜及干蝕刻裝置內(nèi)的處理室材料等產(chǎn)生的殘?jiān)?以下，將它們稱為蝕刻殘?jiān)?。特別是如果蝕刻殘?jiān)鼩埓嬖谕變?nèi)部及其周邊部分，存在擔(dān)心導(dǎo)致高電阻化，或產(chǎn)生電短路等不希望出現(xiàn)的情況。
以往，在半導(dǎo)體元件等上形成金屬配線的工序中，作為用于將蝕刻殘?jiān)サ南礈煲海?，特開昭62-49355號公報(bào)、特開昭64-42653號公報(bào)等公開了由鏈烷醇胺和有機(jī)溶劑的混合系構(gòu)成的有機(jī)胺系剝離液。
這些有機(jī)胺系剝離液在將蝕刻殘?jiān)氨Ｗo(hù)層等除去后進(jìn)行了水洗時，由于吸濕的水分而使胺產(chǎn)生解離，成為堿性的結(jié)果是擔(dān)心用于微細(xì)配線加工的配線材料的金屬薄膜等會被腐蝕。因此，存在著為了避免前述腐蝕而必須在漂洗液中使用醇等有機(jī)溶劑的問題。
此外，作為比有機(jī)胺系剝離液具有更高蝕刻殘?jiān)?、保護(hù)固化層除去能力的洗滌劑，例如，特開平7-201794號公報(bào)、特開平11-67632號公報(bào)等公開了由氟化合物、有機(jī)溶劑及緩蝕劑等構(gòu)成的氟系洗滌液，但近年來，半導(dǎo)體元件的制造工序中干蝕刻的條件更為嚴(yán)格，由于干蝕刻時使用的氣體或溫度條件使保護(hù)層自身容易變質(zhì)，使用前述有機(jī)胺系剝離液或氟系水溶液不能完全將蝕刻殘?jiān)ァ?br> 此外，對于以往常用作配線材料的鋁作為主成分的材料，電阻過高，因此以高速使回路運(yùn)轉(zhuǎn)變得困難，利用銅單體作為配線材料不斷高漲。因此，為了制造高品質(zhì)的半導(dǎo)體元件，在不對這樣的配線材料產(chǎn)生損害的情況下有效地將蝕刻殘?jiān)ヒ渤蔀榉浅Ｖ匾恼n題。
此外，在半導(dǎo)體制造過程中，大量含有有機(jī)溶劑的有機(jī)胺系洗滌液或氟系洗滌液在安全對策或廢液處理等環(huán)境方面的壓力均很大，其對策變得很重要，例如，特開平10-72594號公報(bào)中公開了作為有機(jī)酸水溶液的酸系洗滌液，此外，特開2000-338686號公報(bào)中公開了作為硝酸、硫酸及磷酸的水溶液的酸系洗滌劑。但是，對于變得更牢固的蝕刻殘?jiān)貏e是含有層間絕緣膜成分的蝕刻殘?jiān)?，其除去能力均不充分?br> 因此，強(qiáng)烈希望有一種洗滌液，是在半導(dǎo)體制造過程中，在不對配線材料產(chǎn)生損害的情況下可以將蝕刻殘?jiān)耆ィ野雽?dǎo)體制造過程中安全及環(huán)境方面的壓力小的洗凈液。
本發(fā)明的目的在于提供一種洗滌液，其在用于半導(dǎo)體集成電路的半導(dǎo)體元件或顯示元件的配線工序中的干蝕刻后，或半導(dǎo)體基體的干蝕刻后殘存的蝕刻殘?jiān)梢栽诙虝r間內(nèi)除去，且對銅配線材料和絕緣膜材料等不產(chǎn)生氧化或腐蝕，本發(fā)明的目的還在于提供一種使用該洗滌液的實(shí)施了金屬配線的半導(dǎo)體元件、顯示元件、半導(dǎo)體基體的洗滌方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明者們?yōu)榱私鉀Q上述課題進(jìn)行了銳意研究，其結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過在氧化劑、酸、氟化合物及堿性化合物中組合腐蝕抑制劑進(jìn)行使用，得到優(yōu)異的洗滌液。
即，本發(fā)明提供(1)半導(dǎo)體基體用洗滌液，其特征在于含有氧化劑、酸及氟化合物，添加堿性化合物使pH調(diào)整為3～10，且水的濃度為80重量％以上；(2)半導(dǎo)體基體用洗滌液，其特征在于含有氧化劑、酸、氟化合物和腐蝕抑制劑，通過添加堿性化合物使pH調(diào)整為3～10，且水的濃度為80重量％以上；(3)實(shí)施了金屬配線的半導(dǎo)體基體的洗滌方法，其特征在于使用前述(1)或(2)記載的洗滌液。
附圖的簡單說明

圖1為在下層銅配線體上層壓硅氮化膜和硅氧化膜后進(jìn)行保護(hù)加工、其后進(jìn)行蝕刻處理、將殘存的保護(hù)層除去的半導(dǎo)體元件的一部分的斷面圖。
圖中的符號如下所述。
1下層銅配線體、2硅氮化膜、3硅氧化膜、4蝕刻殘?jiān)l(fā)明的最佳實(shí)施方案作為本發(fā)明所使用的洗滌液中的氧化劑，可以例舉碘、高碘酸、碘酸、過氧化氫、硝酸、亞硝酸。其中，更優(yōu)選過氧化氫、硝酸，進(jìn)一步優(yōu)選硝酸。用于本發(fā)明的前述氧化劑可以單獨(dú)使用，也可以2種以上組合使用。此外，本發(fā)明的洗滌液中氧化劑濃度優(yōu)選0.001～10重量％，特別優(yōu)選0.005～8重量％。
作為本發(fā)明所使用的洗滌液中的酸，可以例舉無機(jī)酸、有機(jī)酸。作為無機(jī)酸，可以例舉硼酸、氨基磺酸、磷酸、次磷酸、碳酸、鹽酸、硫酸，其中，優(yōu)選硼酸、氨基磺酸、磷酸、碳酸、硫酸，進(jìn)一步優(yōu)選硫酸。作為有機(jī)酸，可以例舉草酸、檸檬酸、丙酸、乙酸、丙二酸、馬來酸、葡糖酸、二甘醇酸、酒石酸、衣康酸、丙酮酸、蘋果酸、己二酸、甲酸、琥珀酸、苯二甲酸、苯甲酸、水楊酸、氨基甲酸、硫氰酸、乳酸。其中，更優(yōu)選草酸、檸檬酸、丙酸、乙酸。本發(fā)明所使用的前述酸可以單獨(dú)使用，也可以2種以上組合使用。此外，本發(fā)明的洗滌液中的酸濃度，優(yōu)選0.001～10重量％，特別優(yōu)選0.005～8重量％。氧化劑和酸的濃度可以相同，也可以彼此不同，酸/氧化劑的重量比優(yōu)選0.1～1000重量比，更優(yōu)選1.0～100重量比，更優(yōu)選1～60重量比。
此外，該洗滌液中的水的濃度為80重量％以上，優(yōu)選85重量％以上。
通過使洗滌液中的氧化劑濃度、酸濃度、及水的濃度在前述范圍，可以有效地將蝕刻殘?jiān)?，并且可以有效地抑制對配線材料等的腐蝕。
另一方面，作為本發(fā)明中使用的氟化合物，可以例舉氫氟酸、氟化銨、酸性氟化銨、及下述通式(1)所示的氟化季銨鹽等。
(式中，R1、R2、R3及R4彼此獨(dú)立，表示碳數(shù)為1～6的烷基、羥烷基、烷氧基烷基、或鏈烯基及碳數(shù)為6～12的芳基、芳烷基。)作為用通式(1)所示的氟化季銨鹽的具體例，可以例舉氟化四甲銨、氟化四乙銨、氟化三乙基甲基銨、氟化三甲基羥乙基銨、氟化四乙醇銨、氟化甲基三乙醇銨等。其中優(yōu)選氟化銨及氟化四甲銨。
本發(fā)明所使用的前述氟化合物可以單獨(dú)使用，也可以2種以上組合使用。此外，本發(fā)明洗滌液中氟化合物的濃度優(yōu)選為0.001～15重量％，特別優(yōu)選0.005～10重量％。氟化合物的濃度在0.001重量％以上，可以有效地除去蝕刻殘?jiān)绻^15重量％，則擔(dān)心產(chǎn)生對配線材料的腐蝕問題。
作為本發(fā)明中使用的腐蝕抑制劑并無特別限制，可以使用磷酸系、羧酸系、胺系、肟系、芳香族羥基化合物、三唑化合物、糖醇等各種物質(zhì)。作為優(yōu)選的腐蝕抑制劑，可以例舉分子內(nèi)含有至少一個氨基或硫醇基的聚乙烯亞胺、3-氨基三唑等三唑類，2，4-二氨基-6-甲基-1，3，5-三嗪等三嗪衍生物，2-氨基-4-羥基蝶呤、2-氨基-4，6-二羥基蝶呤等蝶呤衍生物，聚胺砜。其中，特別優(yōu)選具有下述式(2)結(jié)構(gòu)、平均分子量為200～100000，優(yōu)選1000～80000的聚乙烯亞胺(PEI)。
作為本發(fā)明中使用的堿性化合物，優(yōu)選無金屬離子堿，可以例舉例如氨、伯胺、仲胺、叔胺、亞胺、鏈烷醇胺、可以具有碳數(shù)1～8的烷基且具有氮原子的雜環(huán)化合物、及下述通式(3)所示的氫氧化季銨類。
(式中，R5、R6、R7及R8彼此獨(dú)立，表示碳數(shù)1～6的烷基、羥烷基、烷氧基烷基、或鏈烯基及碳數(shù)6～12的芳基、芳烷基。)作為伯胺的具體例，可以例舉乙胺、正丙胺、丁胺、1-乙基丁胺、1，3-二氨基丙烷、環(huán)己胺等。
作為仲胺，可以例舉二乙胺、二正丙胺、二正丁胺、4，4’-二氨基二苯胺等。
作為叔胺，可以例舉二甲基乙基胺、二乙基甲基胺、三乙胺、三丁胺等。
作為亞胺，可以例舉1-丙烷亞胺、二(二烷基氨基)亞胺等。
作為鏈烷醇胺，可以例舉一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二乙基乙醇胺、丙醇胺等。
作為可以具有碳數(shù)為1～8的烷基、具有氮原子的雜環(huán)化合物，可以例舉吡咯、咪唑、吡唑、吡啶、吡咯烷、2-吡咯啉、咪唑啉、2-吡唑啉、吡唑烷、哌啶、哌嗪、嗎啉等。
作為用通式(3)所示的氫氧化季銨類的具體例，可以例舉氫氧化四甲銨(TMAH)、氫氧化三甲基羥乙基銨(膽堿)、氫氧化甲基三羥乙基銨、氫氧化二甲基二羥乙基銨、氫氧化三甲基乙基銨、氫氧化四乙銨、氫氧化四丁銨、氫氧化四乙醇銨等。在這些堿性化合物中，優(yōu)選作為強(qiáng)堿的氫氧化四甲銨、及氫氧化三甲基羥乙基銨(膽堿)。
用于本發(fā)明的前述堿性化合物可以單獨(dú)使用，也可以2種以上適當(dāng)組合使用。此外，洗滌液中堿性化合物的濃度通常使用0.01～15重量％的濃度，但對于堿性化合物的濃度，可以適當(dāng)決定以使洗滌液的pH達(dá)到3～10的范圍。
為了提高其浸潤性，可以在本發(fā)明的洗滌液中添加表面活性劑使用。作為表面活性劑，可以使用陽離子性、陰離子性、非離子性及氟系表面活性劑的任何表面活性劑。其中，特別優(yōu)選陰離子性表面活性劑，進(jìn)而更優(yōu)選聚氧乙烯烷基醚的磷酸酯、或聚氧乙烯烷基芳基醚的磷酸酯。作為聚氧乙烯烷基醚的磷酸酯，市售的有例如第一工業(yè)制藥株式會社制造的商品名PLYSURF A215C、東邦化學(xué)工業(yè)株式會社制造的商品名PHOSPHANOL RS-710。此外，作為聚氧乙烯烷基芳基醚的磷酸酯，市售的有例如第一工業(yè)制藥株式會社制造的商品名PLYSURF A212E和A217E。
用于本發(fā)明的表面活性劑可以單獨(dú)使用，也可以2種以上適當(dāng)組合使用。洗滌液中表面活性劑的濃度優(yōu)選0.0001～5重量％，更優(yōu)選0.001～0.1重量％。
此外，在不損害本發(fā)明目的的范圍內(nèi)，可以根據(jù)需要在本發(fā)明的洗滌液中配合以往用于洗滌液的其他添加劑。
本發(fā)明的洗滌液的pH在3～10的范圍，更優(yōu)選3～7，進(jìn)一步優(yōu)選4～6的范圍。洗滌液的pH在3～10的范圍，可以有效地除去蝕刻殘?jiān)?，因此可以在該范圍?nèi)根據(jù)蝕刻的條件和所使用的半導(dǎo)體基體適當(dāng)選擇pH。
實(shí)施本發(fā)明的洗滌方法時的溫度通常為常溫到90℃的范圍，可以根據(jù)蝕刻的條件和所使用的半導(dǎo)體基體適當(dāng)選擇。
作為適用本發(fā)明洗滌法的半導(dǎo)體基體，可以例舉實(shí)施硅、無定形硅、聚硅、硅氧化膜、硅氮化膜、銅、鈦、鈦-鎢、氮化鈦、鎢、鉭、鉭化合物、鉻、鉻氧化物、鉻合金等金屬配線材料或鎵-砷、鎵-磷、銦-磷等的化合物半導(dǎo)體等的半導(dǎo)體基板、聚酰亞胺樹脂等的印刷基板、用于LCD等的玻璃基板等。
為了使實(shí)施金屬配線的半導(dǎo)體元件或顯示元件中的回路高速運(yùn)轉(zhuǎn)，在前述半導(dǎo)體基體中，本發(fā)明的洗滌液相對于實(shí)施了含有銅單體或銅和隔離金屬(邊界金屬層)的層壓結(jié)構(gòu)的金屬配線的半導(dǎo)體基體，可以更有效地使用。
在本發(fā)明的洗滌方法中，必要時可以并用超音波洗滌。作為除去實(shí)施了金屬配線的半導(dǎo)體元件、顯示元件、半導(dǎo)體基體上蝕刻殘?jiān)蟮钠?，也可以使用醇這樣的有機(jī)溶劑、醇和超純水的混合物，但根據(jù)本發(fā)明的洗滌方法，只用超純水就能進(jìn)行充分地漂洗。
實(shí)施例以下結(jié)合實(shí)施例和比較例對本發(fā)明進(jìn)行具體的說明，但本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例。
實(shí)施例1～17及比較例1～14圖1為半導(dǎo)體元件的一部分的斷面圖，該半導(dǎo)體元件用CVD法在下層銅配線體1上按順序?qū)訅汗璧?和硅氧化膜3后，涂布保護(hù)層，使用通常的光化技術(shù)對保護(hù)層進(jìn)行加工，其后使用干蝕刻技術(shù)將前述硅氧化膜蝕刻加工成所希望的圖案，將殘存的保護(hù)層除去。如圖1所示，在蝕刻加工了的側(cè)壁上殘存有蝕刻殘?jiān)?。
使用表1～8所示的洗滌液，在所定條件下將前述銅回路元件洗滌后，用超純水漂洗、干燥。然后，用掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察表面狀態(tài)，對蝕刻殘?jiān)某顟B(tài)及銅配線體的腐蝕狀態(tài)進(jìn)行評價(jià)。其結(jié)果示于表1～4(第1發(fā)明)及表5～8(第2發(fā)明)。
此外，評價(jià)基準(zhǔn)如下。
(1)關(guān)于蝕刻殘?jiān)某顟B(tài)◎蝕刻殘?jiān)煌耆ァ?br> ○蝕刻殘?jiān)篌w上被完全除去。
△蝕刻殘?jiān)徊糠謿埓妗?br> ×蝕刻殘?jiān)蟛糠謿埓妗?br> (2)關(guān)于銅的腐蝕狀態(tài)◎完全沒有發(fā)現(xiàn)腐蝕。
○幾乎沒有發(fā)現(xiàn)腐蝕。
△發(fā)現(xiàn)有坑狀或凹狀的腐蝕。
×在整個銅層發(fā)現(xiàn)變粗糙，進(jìn)而發(fā)現(xiàn)銅層的變薄。
表1

表2

*表面活性劑東邦化學(xué)工業(yè)株式會社制造，商品名PHOSPHANOL RS-710
表3

表4

如表1及表2所示，在使用了本發(fā)明的洗滌液及洗滌法的實(shí)施例1～9中，完全沒有發(fā)生銅被腐蝕，蝕刻殘?jiān)某バ砸埠軓氐住４送猓绫?及表4所示，在比較例1～7中，蝕刻殘?jiān)某ゾ煌耆虍a(chǎn)生了銅的腐蝕。
表5

*聚乙烯亞胺平均分子量10000
表6

*聚乙烯亞胺平均分子量10000**表面活性劑東邦化學(xué)工業(yè)株式會社制造，商品名PHOSPHANOL RS-710
表7

*聚乙烯亞胺平均分子量10000
表8

如表5及表6所示，在使用了本發(fā)明的洗滌液及洗滌方法的實(shí)施例10～18中，完全沒有發(fā)生銅被腐蝕，蝕刻殘?jiān)某バ砸埠軆?yōu)異。此外，如實(shí)施例12那樣，與實(shí)施例11相比，即使將洗滌條件變?yōu)楦邷?、長時間，也沒有產(chǎn)生銅被腐蝕，但在沒有添加聚乙烯亞胺(腐蝕抑制劑)時(比較例9)，發(fā)現(xiàn)銅被腐蝕。在其他的比較例8～14中，蝕刻殘?jiān)某ゾ煌耆?，或產(chǎn)生了銅的腐蝕。
產(chǎn)業(yè)上的利用可能性本發(fā)明的洗滌液為對安全及環(huán)境方面壓力小的洗滌液。使用本發(fā)明的洗滌液，可以在短時間內(nèi)容易地將半導(dǎo)體基體上的蝕刻殘?jiān)?，因此可以在完全不對配線材料腐蝕的情況下進(jìn)行半導(dǎo)體基體的微細(xì)加工。此外，由于不必使用醇這樣的有機(jī)溶劑作為漂洗液，可以只用水進(jìn)行漂洗，因此可以進(jìn)行高精度、高品質(zhì)的回路配線的制造。
權(quán)利要求
1.半導(dǎo)體基體用洗滌液，其特征在于含有氧化劑、酸和氟化合物，通過添加堿性化合物使pH調(diào)整為3～10，且水的濃度為80重量％以上。
2.半導(dǎo)體基體用洗滌液，其特征在于含有氧化劑、酸、氟化合物和腐蝕抑制劑，通過添加堿性化合物使pH調(diào)整為3～10，且水的濃度為80重量％以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2記載的洗滌液，其中，所述洗滌液中的酸/氧化劑重量比為0.1～1000。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3的任一項(xiàng)記載的洗滌液，其中，所述氧化劑為過氧化氫。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～3的任一項(xiàng)記載的洗滌液，其中，所述氧化劑為硝酸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5的任一項(xiàng)記載的洗滌液，其中，所述酸為無機(jī)酸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6的任一項(xiàng)記載的洗滌液，其中，所述無機(jī)酸為從硼酸、氨基磺酸、磷酸、碳酸中選取的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～6的任一項(xiàng)記載的洗滌液，其中，所述無機(jī)酸為硫酸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～5的任一項(xiàng)記載的洗滌液，其中，所述酸為有機(jī)酸。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～5及9的任一項(xiàng)記載的洗滌液，其中，所述有機(jī)酸為從草酸、檸檬酸、丙酸、醋酸中選取的至少一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求1～10的任一項(xiàng)記載的洗滌液，其中，所述氟化合物為氟化銨或氟化四甲銨。
12.根據(jù)權(quán)利要求1～11的任一項(xiàng)記載的洗滌液，其中，所述堿性化合物為無金屬離子強(qiáng)堿。
13.根據(jù)權(quán)利要求1～12的任一項(xiàng)記載的洗滌液，其中，所述無金屬離子強(qiáng)堿為氫氧化四甲銨或氫氧化三甲基羥乙基銨。
14.根據(jù)權(quán)利要求2～13的任一項(xiàng)記載的洗滌液，其中，所述腐蝕抑制劑為聚乙烯亞胺。
15.根據(jù)權(quán)利要求1～14的任一項(xiàng)記載的洗滌液，其中，在所述洗滌液中還配合表面活性劑。
16.根據(jù)權(quán)利要求15記載的洗滌液，其中，所述表面活性劑為陰離子性表面活性劑。
17.根據(jù)權(quán)利要求16記載的洗滌液，其中，所述陰離子性表面活性劑為聚氧乙烯烷基醚的磷酸酯或聚氧乙烯烷基芳基醚的磷酸酯。
18.根據(jù)權(quán)利要求1～17的任一項(xiàng)記載的洗滌液，其中，所述半導(dǎo)體基體為實(shí)施了含有銅單體或銅和隔離金屬的層壓結(jié)構(gòu)的金屬配線的半導(dǎo)體基體。
19.實(shí)施了金屬配線的半導(dǎo)體基體的洗滌方法，其特征在于使用權(quán)利要求1～18的任一項(xiàng)記載的洗滌液。
全文摘要
本發(fā)明提供了能在短時間內(nèi)將半導(dǎo)體基板上的蝕刻殘?jiān)耆ィ也粫~配線材料和絕緣膜材料等氧化或腐蝕，而且安全且對環(huán)境壓力小的洗滌液。本發(fā)明涉及(1)半導(dǎo)體基體用洗滌液，其特征在于含有氧化劑、酸及氟化合物，添加堿性化合物使pH調(diào)整為3～10，且水的濃度為80重量％以上；(2)半導(dǎo)體基體用洗滌液，其特征在于含有氧化劑、酸、氟化合物及腐蝕抑制劑，通過添加堿性化合物使pH調(diào)整為3～10，且水的濃度為80重量％以上；及實(shí)施了金屬配線的半導(dǎo)體基體的洗滌方法，其特征在于使用前述的洗滌液。
文檔編號H01L21/304GK1526807SQ20041000549
公開日2004年9月8日 申請日期2004年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月19日
發(fā)明者松永裕嗣, 大戶秀, 山田健二, 清水英貴, 津金賢, 小國誠基, 木村善哉, 二, 哉, 基, 貴 申請人:三菱瓦斯化學(xué)株式會社