專(zhuān)利名稱(chēng)：具有降低的直流電流飽和度的功率電感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電感器，特別是具有磁芯材料的功率電感器，該功率電感器在操作于高直流電流和高工作頻率時(shí)具有降低的飽和度。
背景技術(shù)：
電感器是基于磁場(chǎng)操作的電路元件。磁場(chǎng)源自于運(yùn)動(dòng)的電荷或電流，如果電流隨時(shí)間變化，磁場(chǎng)也就隨時(shí)間而變化。隨時(shí)間變化的磁場(chǎng)導(dǎo)致電感器的電壓發(fā)生變化，如果電流強(qiáng)度不變，那么通過(guò)理想電感器的電壓為零，因此對(duì)于恒定電流或直流電流，電感器相當(dāng)于短路，在電感器中，電壓由下面公式給出v=Ldidt]]>因此，在電感器中不會(huì)有電流的瞬間變化。
電感器可以用在各種電路中，功率電感器可以承受相對(duì)高的直流電流，例如可以高達(dá)100安培，也可以用于相對(duì)高頻電路中。例如，參考圖1，功率電感器20可以用在直流/直流轉(zhuǎn)換器24中，它可以反向和/或整流，將一個(gè)電壓的直流電從轉(zhuǎn)換為另一個(gè)電壓的直流電。
現(xiàn)在參考圖2，功率電感器20一般包括一匝或多匝穿過(guò)磁芯材料34的導(dǎo)體30。而磁芯材料34例如可以有正方形的外截面36和正方形的中央空洞38，該空洞可延伸到磁材料34的長(zhǎng)度，導(dǎo)體30穿過(guò)中央空洞38，流過(guò)導(dǎo)體30的相對(duì)高的直流電流將導(dǎo)致磁芯材料飽和，進(jìn)而降低功率電感器的性能及與之結(jié)合的裝置的性能。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的功率電感器包括磁芯材料，該磁芯材料具有第一和第二末端。在磁芯材料中設(shè)置有一個(gè)中央空洞，它從第一個(gè)末端延伸到第二個(gè)末端，一導(dǎo)體穿過(guò)該空洞。在該磁芯材料中還設(shè)置有一狹縫氣隙，其位于第一末端與第二末端之間。
本發(fā)明的另一實(shí)施例為一種包括上述功率電感器的系統(tǒng)，該系統(tǒng)除其它特征之外進(jìn)一步包括一個(gè)與該功率電感器相聯(lián)的直流/直流轉(zhuǎn)換器。
本發(fā)明的其它特征還包括使磁芯材料中的狹縫氣隙被設(shè)置在與導(dǎo)體平行的方向上。在該空洞中設(shè)置一種渦流降低材料，其緊鄰上述狹縫氣隙的內(nèi)部開(kāi)口和該狹縫氣隙的外部開(kāi)口的至少其中之一，其中所述渦流降低材料位于狹縫氣隙和導(dǎo)體之間。所述渦流降低材料所具有的磁導(dǎo)率比磁芯材料更低。
在其它特征中，導(dǎo)體沿著磁芯材料的第一邊穿過(guò)空洞，且在與第一邊相對(duì)的磁芯材料的第二邊上設(shè)置狹縫氣隙。導(dǎo)體沿著磁芯材料的第一邊穿過(guò)空洞，而在鄰近第一邊的第二邊上設(shè)置狹縫氣隙，沿著第一邊有第二個(gè)導(dǎo)體穿過(guò)該空洞。在上述導(dǎo)體和第二個(gè)導(dǎo)體之間，磁芯材料的有一凸出部分從第一邊向外延伸。狹縫氣隙被設(shè)置于凸出部分的上方、磁芯材料中與之相對(duì)的一邊。
在其它特征中，在磁芯材料中設(shè)置有第二空洞。在上述空洞和第二個(gè)空洞之間設(shè)置有所述磁芯材料的中央部分，有第二個(gè)導(dǎo)體緊靠第一邊穿過(guò)第二個(gè)空洞，在與第二邊相對(duì)的第三邊上設(shè)置有第二個(gè)狹縫氣隙。
在其它特征中，在磁芯材料中設(shè)置有第二個(gè)空洞。在上述空洞與第二空洞之間的磁芯材料中設(shè)置有一個(gè)“T”字形中央部分。第二個(gè)導(dǎo)體穿過(guò)與第一邊相鄰的第二空洞。第一個(gè)導(dǎo)體被設(shè)置得與第一邊相鄰。而在第二邊上設(shè)置有狹縫氣隙，它與位于“T”字形中央部分一側(cè)的第一邊相對(duì)，在第二邊上還設(shè)置有第二狹縫氣隙，它與位于“T”字形中央部分另一側(cè)的第一邊相對(duì)。該狹縫氣隙位于與第一邊相鄰的磁芯材料的第二邊。第二個(gè)狹縫氣隙被安排在與第二邊相對(duì)的第三邊。
在其它特征中，所述渦流降低材料具有低磁導(dǎo)率，渦流降低材料包括軟磁材料。所述導(dǎo)體包括置于該導(dǎo)體外表面的絕緣材料，所述凸出部分包括具有比磁芯材料的磁導(dǎo)率更低的材料，軟磁材料包括粉末材料，磁芯材料的橫截面形狀是以下一種形狀正方形、圓形、矩形、橢圓形、和卵形。
從以上詳細(xì)的描述可以看到本發(fā)明的進(jìn)一步的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⑹秋@而易見(jiàn)的。應(yīng)該理解的是詳細(xì)的描述和特定的例子，僅僅是為了說(shuō)明的目的而不是為了局限本發(fā)明的范圍，同時(shí)指示出本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。


由詳細(xì)的描述和附圖，將可得到對(duì)本發(fā)明更充分的理解，其中圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，用于示例性直流/直流轉(zhuǎn)換器中的功率電感器的功能性的方框圖和電氣示意圖；圖2是顯示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的圖1所示功率電感器的透視圖；圖3是顯示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的圖1和圖2所示功率電感器的剖視圖；圖4是顯示根據(jù)本發(fā)明的具有狹縫氣隙的功率電感器的透視圖；圖5是圖4所示功率電感器的剖視圖；圖6A和6B是顯示一可替換的實(shí)施例的剖視圖，該實(shí)施例具有在狹縫氣隙附近設(shè)置的渦流降低材料；圖7是顯示一可替換實(shí)施例的磁芯的剖視圖，該實(shí)施例具有位于狹縫氣隙和導(dǎo)體頂部之間的額外空間；圖8是具有多個(gè)空洞的磁芯的橫向剖視圖，其中每個(gè)空洞都具有狹縫氣隙；圖9A和9B均為剖視圖，展示出以渦流降低材料設(shè)置于一個(gè)或兩個(gè)狹縫氣隙附近時(shí)的圖8所示實(shí)施例；圖10A是一個(gè)剖視圖，顯示出可用于安排狹縫氣隙的一種可替換的側(cè)面；圖10B是一個(gè)剖視圖，顯示出可用于安排狹縫氣隙的一種可替換的側(cè)面；圖11A和圖11B是具有多個(gè)空洞的磁芯的剖視圖，其中每個(gè)空洞各自具有處于側(cè)面的狹縫氣隙；圖12是具有多個(gè)空洞和中央狹縫氣隙的磁芯的剖視圖；圖13是具有多個(gè)空洞和更大中央狹縫氣隙的磁芯的剖視圖；圖14是一個(gè)磁芯的剖視圖，其中該磁芯帶有多個(gè)空洞、中央狹縫氣隙和一種設(shè)置于臨近導(dǎo)體之間的具有較低磁導(dǎo)率的材料；圖15是帶有多個(gè)空洞和中央狹縫氣隙的磁芯的剖視圖；圖16是帶有一個(gè)狹縫氣隙和一個(gè)或多個(gè)絕緣導(dǎo)體的磁芯材料的剖視圖；圖17是“C”形磁芯材料和渦流降低材料的剖視圖；圖18是“C”形磁芯材料和渦流降低材料的剖視圖，其中該渦流降低材料具有匹配的凸出部分；圖19是“C”形的具有多個(gè)空洞的磁芯材料和渦流降低材料的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面的優(yōu)選實(shí)施例的描述在本質(zhì)上僅是示例性的，其目的決不是為了限制本發(fā)明及其應(yīng)用和使用。為了清晰，附圖中同樣的參考編號(hào)標(biāo)識(shí)相同的部件。
現(xiàn)在參考圖4，功率電感器50包括穿過(guò)磁芯材料58的導(dǎo)體54。該磁芯材料58例如可以具有一正方形的外橫截面60和一個(gè)正方形的中央空洞64，該中央空洞延伸至磁芯材料的長(zhǎng)度。導(dǎo)體54也可同樣具有正方形的橫截面。盡管如圖展示出正方形的外橫截面60、正方形的中央空洞64、和正方形的導(dǎo)體54，本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)明白也可以采用其它形狀。正方形的外橫截面60、正方形的中央空洞64、和導(dǎo)體54的橫截面不必具有相同的長(zhǎng)寬比。導(dǎo)體54沿著中央空洞64的一邊穿過(guò)該空洞64，流過(guò)導(dǎo)體30的相對(duì)高的直流電流將導(dǎo)致磁芯材料34飽和，而這會(huì)使功率電感器和/或與之相結(jié)合的裝置的性能降低。
根據(jù)本發(fā)明，磁芯材料58包括狹縫氣隙70，它設(shè)置于沿著磁芯材料58的縱向上。狹縫氣隙70的方向與導(dǎo)體54平行。對(duì)于給定的直流電流，狹縫氣隙70可以減少磁芯材料58達(dá)到飽和的可能性。
參考圖5，磁通量80-1和80-2(總體稱(chēng)之為磁通量80)是由狹縫氣隙70產(chǎn)生的。磁通量80-2投射到導(dǎo)體54并在導(dǎo)體54中感應(yīng)出渦流。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，在導(dǎo)體54和狹縫氣隙70的底部之間限定足夠的距離“D”，使得磁通量被顯著降低。在一個(gè)示例性的實(shí)施例中，距離D與流過(guò)導(dǎo)體的電流、寬度“W”和所希望的最大可接受的渦流相關(guān)，其中該寬度“W”是由狹縫氣隙70限定的，而該渦流是可在導(dǎo)體54中感應(yīng)出的。
現(xiàn)在參考圖6A和圖6B，渦流降低材料84可被安排在臨近狹縫氣隙70處。該渦流降低材料所具有的磁導(dǎo)率比磁芯材料84的磁導(dǎo)率低，而比空氣的磁導(dǎo)率高。結(jié)果，穿過(guò)磁芯材料84的磁通量多于穿過(guò)氣隙的磁通量。舉例來(lái)說(shuō)，磁絕緣材料84可以是某種軟磁材料、粉末金屬、或任何其他適宜的材料。在圖6A中，渦流降低材料84橫穿過(guò)狹縫氣隙70的底部開(kāi)口。
在圖6B中，渦流降低材料84’延伸跨過(guò)狹縫氣隙的外部開(kāi)口。因?yàn)闇u流降低材料84’所具有的磁導(dǎo)率比磁芯材料的磁導(dǎo)率低而比空氣的磁導(dǎo)率高，因此與空氣相比，有更多的磁通量流過(guò)渦流降低材料。所以，就會(huì)有更少由氣隙產(chǎn)生的磁通量到達(dá)導(dǎo)體。
例如，渦流降低材料84可以具有的相對(duì)磁導(dǎo)率為9，而氣隙中空氣的相對(duì)磁導(dǎo)率為1。于是就會(huì)有大約90％的磁通量流過(guò)渦流降低材料84，而大約10％的磁通量流過(guò)空氣，結(jié)果，到達(dá)導(dǎo)體的磁通量就會(huì)顯著地降低，從而降低在導(dǎo)體中感應(yīng)的渦流。如上所述，具有其它磁導(dǎo)率值的其它材料也可以應(yīng)用?，F(xiàn)在參考圖7，也可以增加介于狹縫氣隙的底部和導(dǎo)體54的頂部之間的距離“D2”，從而減少導(dǎo)體54中產(chǎn)生的渦流的大小。
現(xiàn)在參考圖8，其中所示功率電感器100包括磁芯材料104，該磁芯材料中形成有第一空洞108和第二空洞110。在第一空洞108和第二空洞114中分別設(shè)置有第一導(dǎo)體112和第二導(dǎo)體114。在磁芯材料104的一邊設(shè)置有第一氣隙120和第二氣隙122，它們分別對(duì)應(yīng)于導(dǎo)體112和導(dǎo)體114。第一氣隙120和第二氣隙122可減少磁芯材料104的飽和。在一個(gè)實(shí)施例中，互耦M處于0.5范圍內(nèi)。
現(xiàn)參考圖9A和9B，在一個(gè)或多個(gè)狹縫氣隙120和/或122附近設(shè)置一種渦流降低材料，以降低由該狹縫氣隙產(chǎn)生的磁通量，從而降低感應(yīng)的渦流。在圖9A中，渦流降低材料84被設(shè)置于狹縫氣隙120的底部開(kāi)口附近。在圖9B中，渦流降低材料被設(shè)置于狹縫氣隙120和122的頂部開(kāi)口附近。可以理解，可將該渦流降低材料設(shè)置于其中一個(gè)氣隙附近，或兩個(gè)氣隙均設(shè)置有該渦流降低材料。磁芯材料的“T”字形的中央部分123將第一空洞108和第二空洞110分開(kāi)。
狹縫氣隙可以位于其它不同的位置。例如參考圖10A，可將狹縫氣隙70’設(shè)置于磁芯58的其中一邊。狹縫氣隙70’的底邊優(yōu)選但不是必須位于導(dǎo)體54的頂表面之上。如圖所示，磁通量在狹縫氣隙70’的底邊處是向內(nèi)輻射的。因?yàn)楠M縫氣隙70’位于導(dǎo)體54的上面，故具有降低磁通量的效果?？梢岳斫?，可將渦流降低材料設(shè)置在鄰近狹縫氣隙70’處，以進(jìn)一步減少磁通量，如圖6A和/或6B所示。在圖10B中，渦流降低材料84’位于接近狹縫氣隙70’的外部開(kāi)口處。渦流降低材料84也可以位于磁芯材料58的內(nèi)部。
現(xiàn)在參考圖11A和圖11B，其中所示功率電感器123包括一種磁芯材料124，該磁芯材料包含被中央部分129分開(kāi)的第一空洞126和第二空洞128。在第一空洞126和第二空洞128中分別設(shè)置有處于空洞一邊的第一導(dǎo)體130和第二導(dǎo)體132。第一狹縫氣隙138和第二狹縫氣隙140被安排在磁芯材料的相對(duì)的兩側(cè)，并各自與導(dǎo)體130和導(dǎo)體132的一邊相鄰。狹縫氣隙138和/或140可以如圖11B所示與磁芯材料124的內(nèi)側(cè)141對(duì)齊，也可以如圖11A所示與內(nèi)側(cè)141之間留有間隙?？梢岳斫獾氖牵梢允褂脺u流降低材料進(jìn)一步降低從一個(gè)或兩個(gè)狹縫氣隙發(fā)出的磁通量，如圖6A和/或6B所示。
現(xiàn)在參考圖12和13，其中所示功率電感器142包括磁芯材料144，該磁芯材料包含兩個(gè)相連通的第一空洞146和第二空洞148。在第一空洞146和第二空洞148中分別設(shè)置有第一導(dǎo)體150和第二導(dǎo)體152。磁芯材料144的凸出部分154從磁芯材料的底邊向上延伸，位于導(dǎo)體150和152之間。凸出部分154是部分地向頂邊延伸，而非完全延伸至與頂邊相接。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，凸出部分154的凸出長(zhǎng)度大于導(dǎo)體150和導(dǎo)體154的高度。可以理解，圖12和13中的凸出部分154還可以替換為圖14所示的凸出部分170，其由一種磁導(dǎo)率比磁芯材料低但比空氣磁導(dǎo)率高的材料制成。可替換的是，如圖15所示，凸出部分和磁芯材料都可以移走。在這個(gè)實(shí)施例中，互耦M近似等于1。
在圖12中，狹縫氣隙156被設(shè)置在磁芯材料144中，其位置在凸出部分154的上方。狹縫氣隙156所具有的寬度W1比凸出部分154的寬度W2小。在圖13中，狹縫氣隙156’被設(shè)置在凸出部分154上方的磁芯材料中。狹縫氣隙156所具有的寬度W3大于或等于凸出部分154的寬度W2?？梢岳斫猓梢允褂脺u流降低材料進(jìn)一步降低狹縫氣隙156和/或156’發(fā)出的磁通量，如圖6A和/或6B所示。在圖12-14所示的一些實(shí)施例中，互耦M取值在1以?xún)?nèi)。
現(xiàn)在參考圖16，其中示出功率電感器170，它包含磁芯材料172，該磁芯材料具有空洞174。在磁芯材料172的一邊形成有狹縫氣隙175。一個(gè)或多個(gè)絕緣導(dǎo)體176和178穿過(guò)空洞174。絕緣導(dǎo)體176和178包含包裹著內(nèi)部導(dǎo)體184的外層182。外層182所具有的磁導(dǎo)率比空氣高而比磁芯材料低。該外層材料182可以顯著降低由狹縫氣隙導(dǎo)致的磁通量和否則的話(huà)會(huì)在導(dǎo)體184中感應(yīng)出的渦流。
現(xiàn)在參考圖17，其中所示功率電感器180包括導(dǎo)體184和一種“C”形的磁芯材料188，該磁芯材料包含空洞190，在磁芯材料188的一邊設(shè)置有一個(gè)狹縫氣隙192。導(dǎo)體184穿過(guò)空洞190。在狹縫氣隙192上設(shè)置有一種渦流降低材料84’。在圖18中，所示渦流降低材料84’包括一延伸到狹縫氣隙內(nèi)的凸出部分194，它與被狹縫氣隙192所限定的開(kāi)口相匹配。
現(xiàn)在參考圖19，其中所示功率電感器200中的磁芯材料包含第一空洞206和第二空洞208。第一導(dǎo)體210和第二導(dǎo)體212分別穿過(guò)第一空洞206和第二空洞208。中央部分218位于上述第一空洞和第二空洞之間。可以理解，中央部分218可以由磁芯材料和/或一種渦流降低材料制成?？商鎿Q地，導(dǎo)體也可以包括外層182。
導(dǎo)體可以用銅制成，不過(guò)也可使用金、鋁和/或其它具有低電阻的合適導(dǎo)電材料。磁芯材料可以是鐵氧體，但也可使用其它有高磁導(dǎo)率和高電阻率的磁芯材料。在此所使用的鐵氧體指的是多種磁性物質(zhì)中的任何一種，包括鐵氧化物與一種或多種金屬氧化物形成的組合物，其中所述金屬氧化物中的金屬例如為錳、鎳和/或鋅。如果用鐵氧體，可用金剛石切刀或以其他合適的技術(shù)來(lái)切割出所述狹縫氣隙。
盡管上述的一些功率電感器僅展示出具有單匝繞組，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是可采用更多繞組。雖然一些實(shí)施例僅展示了有一個(gè)或兩個(gè)空洞的磁芯材料，其中每個(gè)空洞有一個(gè)或兩個(gè)導(dǎo)體，但在每個(gè)空洞中可以采用更多的導(dǎo)體，和/或采用更多的空洞和導(dǎo)體，而這并不偏離本發(fā)明。同時(shí)盡管在各圖中顯示的電感器的橫截面形狀為正方形，應(yīng)認(rèn)為其它合適的形狀，例如矩形、圓形、卵形、橢圓形等也在本發(fā)明的考慮之列。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的功率電感器優(yōu)選具有可處理最大100安培(A)直流電流的容量，并具有等于或少于500nH的電感，例如其典型電感值為50nH。雖然本發(fā)明是結(jié)合直流/直流(DC/DC)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行說(shuō)明的，本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白所述功率電感器可用于廣泛的應(yīng)用中。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員可通過(guò)前面的說(shuō)明理解本發(fā)明的原理可以用不同的形式加以運(yùn)用。因此，雖然本發(fā)明已結(jié)合具體例子作了說(shuō)明，本發(fā)明的真實(shí)范圍并不受此限制，因?yàn)楸绢I(lǐng)域的技術(shù)人員在學(xué)習(xí)了本發(fā)明的附圖、說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)后易于對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種功率電感器，其包括具有第一和第二末端的磁芯材料；一內(nèi)部中央空洞，其被設(shè)置于所述磁芯材料中，從所述第一末端延伸到所述第二末端；一導(dǎo)體，該導(dǎo)體穿過(guò)所述空洞；和一狹縫氣隙，其位于所述磁芯材料中，位于所述第一末端和所述第二末端之間。
2.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率電感器的系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括直流/直流轉(zhuǎn)換器，該直流/直流轉(zhuǎn)換器與所述功率電感器相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率電感器，其中所述狹縫氣隙被設(shè)置于所述磁芯材料中與所述導(dǎo)體平行的方向上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率電感器，其進(jìn)一步包括一種渦流降低材料，該渦流降低材料在所述空洞中被設(shè)置得相鄰于所述狹縫氣隙的內(nèi)部開(kāi)口與所述狹縫氣隙的外部開(kāi)口的至少其中之一，其中所述渦流降低材料處于所述狹縫氣隙和所述導(dǎo)體之間，其中所述渦流降低材料具有比所述磁芯材料更低的磁導(dǎo)率。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率電感器，其中所述導(dǎo)體沿著所述磁芯材料的第一邊穿過(guò)所述空洞，而所述狹縫氣隙位于所述磁芯材料的與所述第一邊相對(duì)的第二邊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率電感器，其中所述導(dǎo)體沿著所述磁芯材料的第一邊穿過(guò)所述空洞，而所述狹縫氣隙位于與所述第一邊相鄰的第二邊。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率電感器，其中第二導(dǎo)體沿著所述第一邊穿過(guò)所述空洞。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率電感器，其進(jìn)一步包括所述磁芯材料的凸出部分，該凸出部分處于所述導(dǎo)體和所述第二導(dǎo)體之間，從所述第一邊向外延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的功率電感器，其中所述狹縫氣隙位于所述凸出部分上方的所述磁芯材料的相對(duì)邊。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的功率電感器，其進(jìn)一步包括被設(shè)置于所述磁芯材料中的第二空洞；位于所述空洞和所述第二空洞之間的所述磁芯材料的中央部分；相鄰于所述第一邊穿過(guò)所述第二空洞的第二導(dǎo)體；和位于第三邊的第二狹縫氣隙，該第三邊位于所述第二邊的對(duì)面。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率電感器，其進(jìn)一步包括被設(shè)置于所述磁芯材料中的第二空洞；位于所述空洞和所述第二空洞之間的所述磁芯材料中的“T”字形中央部分；和與所述第一邊相鄰而穿過(guò)所述第二空洞的第二導(dǎo)體，而其中所述第一導(dǎo)體被設(shè)置得與所述第一邊相鄰。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的功率電感器，其中所述狹縫氣隙位于第二邊，處于所述“T”字形中央部分一側(cè)的所述第一邊的對(duì)面；且有第二狹縫氣隙位于所述第二邊，處于所述“T”字形中央部分另一側(cè)的所述第一邊的對(duì)面。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的功率電感器，其中所述狹縫氣隙位于所述所述磁芯材料的第二邊，該第二邊與所述第一邊相鄰，并且其中所述第二狹縫氣隙位于所述第二邊對(duì)面的第三邊。
14.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率電感器，其中所述渦流降低材料具有低磁導(dǎo)率。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的功率電感器，其中所述渦流降低材料包括軟磁材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率電感器，其中所述導(dǎo)體包括位于其外表面的絕緣材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的功率電感器，其中所述凸出部分包含一種具有的磁導(dǎo)率比所述磁芯材料更低的材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的功率電感器，其中所述材料包括軟磁物質(zhì)。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率電感器，其中所述磁芯材料的橫截面是方形、圓形、矩形、橢圓形和卵圓形的其中之一。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的功率電感器，其中所述軟磁材料包括粉末金屬。
21.根據(jù)權(quán)利要求18中所述的功率電感器，其中所述軟磁材料包括粉末金屬。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種功率電感器，其包括具有第一末端和第二末端的磁芯材料。在磁芯材料的內(nèi)部有內(nèi)部空洞，其從第一末端延伸到第二末端。一個(gè)導(dǎo)體從該空洞中穿過(guò)。在磁芯中設(shè)置有狹縫氣隙，其位于第一末端和第二末端之間。
文檔編號(hào)H01F38/02GK1577647SQ200410006518
公開(kāi)日2005年2月9日 申請(qǐng)日期2004年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月16日
發(fā)明者S·蘇塔迪加 申請(qǐng)人:馬維爾國(guó)際貿(mào)易有限公司