專利名稱：配線結構的形成方法
技術領域：
本發(fā)明涉及配線結構的形成方法，特別是涉及具有接觸孔(通孔)或配線槽等的開口部的配線結構的形成方法。
背景技術：
近年來，隨著半導體集成電路的設計規(guī)則上的小型化，配線寬度減小，同時，也減小了配線的間隔。配線寬度變小，配線電阻就會增大；同時，配線間隔變小，配線間的電容量就會增大。由于這種配線電阻的增大和配線間的電容量的增大，配線延遲的問題就變得顯著起來。
因此，目前，為了減小配線電阻，從Al配線正在向電阻更小的Cu配線過渡。作為Cu配線的形成方法，一般采用雙嵌刻(DualDamascene)法。該雙嵌刻法已在例如特開2001-77194號公報中公開。所謂雙嵌刻法是在絕緣膜上形成配線槽(凹槽)和接觸孔(通孔)，在將金屬填充該配線槽和通孔后，通過研磨除去多余的堆積部分而形成的埋入配線的方法。
在雙嵌刻法中又有通孔優(yōu)先法和配線槽優(yōu)先法。通孔優(yōu)先法是先作出通孔部分，然后重合該通孔部分圖形，再作出配線部分的配線槽；配線槽優(yōu)先法則是在形成配線部分的配線槽后，與該配線槽的圖形重合，再作出通孔部分。為了使通孔的接觸可靠，通孔優(yōu)先法較為有利。
另外，近年來，為了減小配線間的電容量，必需減小層間絕緣膜的介電常數(shù)。具體研討的是，作為層間絕緣膜材料，從現(xiàn)有的硅氧化膜(比介電常數(shù)大約為4)，轉而利用比介電常數(shù)(relative dielectricconstant)相對較低的大約為2～3的添加氟的硅氧化膜(SiOF)、多孔的絕緣膜或有機系絕緣膜等?，F(xiàn)在，在介電常數(shù)小的材料中，使用等離子體CVD法制成的、作為有機系絕緣膜的一種的SiOC膜(在膜中具有CH3基等的硅氧化膜)特別受到注目。
基于上述的情況，在近年來的半導體制造過程中，通過對Cu配線和介電常數(shù)小的SiOC膜進行組合、導入，來謀求配線延遲的問題的解決。
圖22～圖29是為說明使用了現(xiàn)有通孔優(yōu)先法的配線結構的形成過程的截面圖。以下，參照圖22～圖29對現(xiàn)有的配線結構的形成方法進行說明。
首先，如圖22所示，在半導體基片101的規(guī)定區(qū)域上，通過了控制極絕緣膜104，控制極電極105形成。將控制極電極105作為掩膜，通過在半導體基片101上離子注入雜質，形成一對源極/漏極區(qū)域102和103。另外，形成層間絕緣膜106將全部表面覆蓋。在層間絕緣膜106上做出達到控制極電極105上面的接觸孔106a。在接觸孔106a內，形成由鎢(W)或銅(Cu)制成的插頭電極107。另外，在形成絕緣膜108，將全部表面覆蓋后，在絕緣膜108上作出配線槽108a。在充填配線槽108a內部的同時，形成由Cu制成的第一配線層109，與插頭電極107接觸。然后，為了還原在構成第一配線層109的Cu表面上形成的氧化銅(CuO)，進行NH3的等離子體處理。
然后，如圖23所示，利用使用TMS(三甲基硅烷)/NH3氣體(氨氣)的等離子體CVD法，在全部表面上形成具有蝕刻停止功能和防止Cu擴散功能的SiCN膜110。為了提高與上層的SiOC膜111的密合性，利用O2氣，對SiCN膜110的表面進行等離子體處理。然后，利用使用TMS(三甲基硅烷)/O2氣的等離子體CVD法，在SiCN膜110上形成SiOC膜111。
其次，如圖24所示，在SiOC膜111上形成有機反射防止膜112。然后，在涂布光致抗蝕劑膜113后，通過曝光和顯像，形成具有所希望的通孔圖形的光致抗蝕劑膜113。
其次，如圖25所示，作為光致抗蝕劑膜113的掩模，通過利用CF系氣體的干法蝕刻，蝕刻有機防止膜112和SiOC膜111，形成通孔120。這時，圖中沒有特別表示，由于蝕刻處理時的不均勻，雖然第一配線層109沒有露出，但SiCN膜110有部分地變薄的部分。其后，除去光致抗蝕劑膜113和有機反射防止膜112。
其次，如圖26所示，在通孔120內以及SiOC膜111的上面，形成有機反射防止膜114。而且，在全部涂布光致抗蝕劑膜115之后，通過曝光和顯像在光致抗蝕劑膜115上形成所希望的配線槽圖形。然后，將光致抗蝕劑膜115作為掩摸，通過利用CF系氣體的干法蝕刻，對有機反射防止膜114和SiOC膜111的一部分進行蝕刻，形成如圖27所示的配線槽130。然后，除去光致抗蝕劑膜115和有機反射防止膜114。
其次，如圖28所示，利用蝕刻除去位于通孔120下部的SiCN膜110。由此，露出第一配線層109的表面。
其次，如圖29所示，利用濺射法，將防止Cu擴散用的TaN膜和以Cu為主要成分的金屬膜，埋入通孔120和配線槽130內，并同時形成到SiOC膜111的上面。而且，利用CMP(Chemical MechanicalPolishing)法，通過研磨，除去位于SiOC膜111上面的金屬膜的多余的堆積部分以及TaN膜的多余的堆積部分。這樣，可以同時形成如圖29所示的、由TaN膜構成的勢壘層116，和由以Cu為主要成分的金屬膜構成的第二配線層117及連接配線118。這樣就形成了現(xiàn)有的配線結構。
然而，在上述現(xiàn)有的制造過程中，在形成具有通孔圖形的光致抗蝕劑膜113時，和形成具有配線槽圖形的光致抗蝕劑膜115時，分別會產(chǎn)生由NH3氣體等氮化合物氣體引起的光致抗蝕劑膜圖形不良的問題。以下，參照圖30～33，對這個問題進行詳細說明。
首先，如圖30所示，在形成具有通孔圖形的光致抗蝕劑膜113的工序中，在SiOC膜111的有機反射防止膜112上涂布光致抗蝕劑膜113后，利用通孔用的光掩模201和KrF激光202，對光致抗蝕劑膜113進行曝光，然后進行PEB(Post Exposure Bake)和顯像處理。由此，形成具有通孔圖形的光致抗蝕劑膜113。在這種情況下，在顯像工序之前，會產(chǎn)生以下問題為還原構成第一配線層109的Cu的表面而進行的NH3等離子體處理中所使用的NH3氣體、形成SiCN膜110時作為原料氣體所用的NH3氣體、和在SiOC膜111成膜時的SiCN膜110表面進行等離子體處理所產(chǎn)生的氣體等的氮化合物氣體，從第一配線層109和SiCN膜110的界面附近和SiCN膜110和SiOC膜111的界面附近，向光致抗蝕劑膜113放出。問題是這種氮化合物氣體會阻礙在光致抗蝕劑膜113曝光和PEB工序中的光致抗蝕劑的反應。
具體地說，如圖30所示，在利用通孔用的光掩模201和KrF激光202進行曝光時，在曝光的抗蝕劑部分113b的下部形成抗蝕劑未析像部分113a。該抗蝕劑未析像部分113a是本來在顯像液中可溶且應當被除去的部分，但抗蝕劑未析像部分113a卻殘留下來，而產(chǎn)生了如圖31所示的通孔圖形不良的問題。而且，產(chǎn)生如圖31所示的通孔圖形不良，就會使通孔形成變難。
還有，同樣的問題在形成配線槽圖形時也有發(fā)生。即如圖32所示，在使用形成配線槽用的光掩模301和KrF激光302對光致抗蝕劑膜115進行曝光時，由來自下方通過通孔的氮化合物氣體(NH3氣體)引起，在曝光的抗蝕劑析像部分115b的下方形成抗蝕劑的未析像部分115a。在這種情況下，如圖33所示，在光致抗蝕劑膜115上產(chǎn)生配線槽圖形不良的問題。產(chǎn)生如圖33所示的配線槽圖形不良，形成按照設計尺寸的配線槽就會變難。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種可能的配線結構的形成方法，可以抑制為形成通孔或配線槽等的開口部的光致抗蝕劑膜的氮化合物氣體所引起的圖形不良。
為了達到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的第一方面的配線結構的形成方法包括以下工序形成第一配線層的工序；在第一配線層上形成第一絕緣膜的工序；在第一配線層上形成用于抑制含氮氣體透過的氣體透過抑制膜的工序；在第一絕緣膜和氣體透過抑制膜上形成第一開口部的工序；進行在上述第一開口部形成后實施熱處理，或是在真空下保持的至少任何一種的工序；其后，至少在第一絕緣膜上形成第二開口部的工序。
在根據(jù)該第一方面的配線結構的形成方法中，如上所述，在第一配線層上形成了抑制含氮氣體透過的氣體透過抑制膜后，通過至少在第一絕緣膜上形成第一開口部，可以在用于形成第一開口部而形成光致抗蝕劑膜時，抑制因含氮氣體引起的、在光致抗蝕劑膜的曝光部分上產(chǎn)生殘渣(未析像部分)。這樣，就可以抑制用于第一開口部形成的光致抗蝕劑膜的圖形不良的問題。另外，在形成第一開口部后進行熱處理，或在真空下保持，二者至少進行任何一種之后，通過在第一絕緣膜和氣體透過抑制膜上形成第二開口部，由于利用熱處理或真空下保持，含有氮的氣體可通過第一開口部向外部放出。因此在形成用于形成第二開口部用的光致抗蝕劑膜時，可以抑制因含有氮的氣體引起的、在光致抗蝕劑膜的曝光部分上產(chǎn)生殘渣(未析像部分)。這樣，就能夠抑制用于第二開口部形成的光致抗蝕劑膜的圖形不良的問題。
在上述第一方面的配線結構的形成方法中，優(yōu)選在形成氣體透過抑制膜的工序中，包含在第一絕緣膜上形成氣體透過抑制膜的工序。采用這種結構，在形成用于做出第一開口部的光致抗蝕劑膜時，可以利用氣體透過抑制膜，抑制由存在于第一絕緣膜表面上的含氮氣體引起的、在光致抗蝕劑膜的曝光部分產(chǎn)生殘渣(未析像部分)。
在上述第一方面的配線結構的形成方法中，優(yōu)選進一步包含在第一配線層和第一絕緣膜之間形成第二絕緣膜的工序，形成氣體透過抑制膜的工序包含在第一絕緣膜和第二絕緣膜之間形成氣體透過抑制膜的工序。采用這種結構，在用于形成第一開口部的光致抗蝕劑膜形成時，可以利用氣體透過抑制膜，抑制由存在于第二絕緣膜中的含氮氣體引起的、在光致抗蝕劑膜的曝光部位產(chǎn)生殘渣(未析像部分)。在這種情況下，第二絕緣膜也可包含SiCN膜。
在上述第一方面的配線結構的形成方法中，可以在第一配線層和第一絕緣膜之間不使用氮系氣體，而進一步包含形成第二絕緣膜的工序。采用這種結構，由于從第二絕緣膜不產(chǎn)生氮系化合物的氣體，因此可減少氮系化合物氣體的產(chǎn)生量。這樣，可進一步抑制由氮系化合物氣體引起的、在光致抗蝕劑膜的曝光部分上產(chǎn)生殘渣(未析像部分)。在這種情況下，第二絕緣膜也可包含SiC膜。
在上述第一方面的配線結構的形成方法中，形成第一絕緣膜的工序優(yōu)選包含形成由多層構成的第一絕緣膜的工序，形成氣體透過抑制膜的工序包含在第一絕緣膜的多層之間，形成具有蝕刻停止器功能的氣體透過抑制膜的工序。采用這種結構，在形成第二開口部時進行蝕刻，就可以使用氣體透過抑制膜作為蝕刻停止器。
在這種情況下，由多層構成的第一絕緣膜可以包含SiOC膜；氣體透過抑制膜可以包含SiO2膜。采用這種結構，在形成第二開口部進行蝕刻時，就能夠容易使用由SiO2膜構成的氣體透過抑制膜來作為蝕刻停止器。
在上述第一方面的配線結構的形成方法中，優(yōu)選是，第一開口部為通孔，第二開口部為配線槽。采用這種結構，通過在形成通孔后的熱處理或在真空下保持，含有氮的氣體更容易通過通孔向外部放出，因此，在形成用于形成配線槽的光致抗蝕劑膜時，可以容易地抑制由含氮的氣體引起的、在光致抗蝕劑膜的曝光部分上產(chǎn)生殘渣(未析像部分)，這樣，容易抑制用于形成第二開口部的光致抗蝕劑膜的圖形不良的問題。
在上述第一方面的配線結構的形成方法中，優(yōu)選第一絕緣膜包含SiOC膜。采用這種結構，由于與SiO2膜等比較，可以減少第一絕緣膜的介電常數(shù)，因此可以減少第一配線層和第二配線層的配線之間的電容量。
在上述第一方面的配線結構的形成方法中，優(yōu)選進一步包含在形成第一開口部和第二開口部后，除去上述氣體透過抑制膜的工序。采用這種結構，在使用介電常數(shù)大的SiO2膜等來形成氣體透過抑制膜的情況下，也可以抑制配線間電容量的增加。
在這種情況下，優(yōu)選進一步包含第一開口部和第二開口部形成后，在第一開口部和第二開口部上形成第二配線層的工序，在第一開口部和第二開口部形成后，除去氣體透過抑制膜的工序包含在形成第二配線層時除去氣體透過抑制膜的工序。采用這種結構，由于不需要重新設置除去氣體透過抑制膜的工序，因此可簡化制造過程。
在上述第一方面的配線結構的形成方法中，氣體透過抑制膜優(yōu)選包含從由SiO2膜、SiN膜、SiC膜、SiCN膜、SiON膜、TaN膜，Ta膜和TiN膜組成的組中選擇的至少一種。利用這種膜構成的氣體透過抑制膜，可以容易地抑制含氮氣體的透過。
還有，在上述第一方面的配線結構的形成方法中，進行熱處理的工序優(yōu)選包含在至少與第一絕緣膜的形成溫度同等以下的溫度下進行熱處理的工序。采用這種結構，不會損傷第一絕緣膜，通過熱處理可將含氮的氣體經(jīng)由第一開口部向外部放出。
在上述第一方面的配線結構的形成方法中，熱處理的實施工序優(yōu)選包含在減壓的環(huán)境下進行熱處理的工序。采用這種結構，通過熱處理，容易將含氮氣體通過第一開口部向外部放出。
在上述第一方面的配線結構的形成方法中，形成第一開口部的工序可以包含利用正型的化學放大型的光致抗蝕劑膜來形成第一開口部的工序；形成第二開口部的工序可以包含使用正型的化學放大型的光致抗蝕劑膜來形成第二開口部的工序。利用這種正型的化學放大型光致抗蝕劑膜，容易產(chǎn)生由含氮氣體引起的、在曝光部分上產(chǎn)生殘渣(未析像部分)，所以通過使用上述第一方面的氣體透過抑制膜，可以有效地抑制在光致抗蝕劑膜的曝光部分上產(chǎn)生殘渣(未析像部分)。在這種情況下，正型的化學放大型光致抗蝕劑膜可以是由高溫焙固系聚合物構成的光致抗蝕劑膜。這種由高溫焙固系聚合物構成的光致抗蝕劑膜容易產(chǎn)生由含氮氣體引起的在曝光部分上的殘渣(未析像部分)，所以利用上述氣體透過抑制膜來抑制產(chǎn)生殘渣(未析像部分)的效果較大。
在上述第一方面的配線結構的形成方法中，進一步具有，在形成氣體透過抑制膜的工序之前，在含有氮的氣氛中對第一配線層表面進行等離子體處理的工序。這樣，在含有氮的氣氛中對第一配線層表面進行等離子體處理的情況下，通過利用上述第一方面的氣體透過抑制膜，可以抑制在光致抗蝕劑膜的曝光部分上產(chǎn)生殘渣(未析像部分)。
在上述第一方面的配線結構的形成方法中，形成上述第一開口部的工序優(yōu)選包含形成達到第一配線層的第一開口部的工序。采用這種結構，由于不需要設置另外除去緊靠第一配線層上方的絕緣膜的工序，因此可以簡化制造過程。
本發(fā)明的第二方面的配線結構的形成方法包含以下工序形成第一配線層的工序；在第一配線層上形成第一絕緣膜的工序；在第一配線層上形成用于抑制含氮氣體透過的氣體透過抑制膜的工序；在第一絕緣膜和氣體透過抑制膜上形成第一開口部的工序；第一開口部形成后實施熱處理的工序；其后，至少是在第一絕緣膜上形成第二開口部的工序。
在該第二方面的配線結構的形成方法中，如上所述，在第一配線層上形成抑制含氮氣體透過的氣體透過抑制膜后，通過至少在第一絕緣膜上形成第一開口部，在形成用于形成第一開口部光致抗蝕劑膜時，可以抑制由含氮氣體引起的、在光致抗蝕劑膜的曝光部分上產(chǎn)生殘渣(未析像部分)，這樣，可以抑制用于第一開口部形成的光致抗蝕膜的圖形不良的問題。另外，在第一開口部形成后實施熱處理以后，通過在第一絕緣膜和氣體透過抑制膜上形成第二開口部，熱處理可使含有氮的氣體經(jīng)由第一開口部向外部放出，因此在形成用于形成第二開口部的光致抗蝕劑膜時，可以抑制因含有氮的氣體引起的、在光致抗蝕劑膜的曝光部分上產(chǎn)生殘渣(未析像部分)。這樣，就可以抑制用于形成第二開口部的光致抗蝕劑膜的圖形不良的問題。


圖1～圖9為用于說明本發(fā)明的第一實施方式的配線結構的形成過程的截面圖。
圖10為用于說明本發(fā)明的第二實施方式的配線結構的形成過程的截面圖。
圖11為用于說明本發(fā)明的第三實施方式的配線結構的形成過程的截面圖。
圖12和圖13為用于說明本發(fā)明的第四實施方式的配線結構形成過程的截面圖。
圖14為用于說明本發(fā)明的第五實施方式的配線結構形成過程的截面圖。
圖15為用于說明本發(fā)明的第六實施方式的配線結構形成過程的截面圖。
圖16為用于說明本發(fā)明的第七實施方式的配線結構形成過程的截面圖。
圖17為示意性地表示利用第一實施方式的形成過程，實際制造的配線結構的表面SEM觀察像的圖。
圖18為示意性地表示在現(xiàn)有的形成過程中，使用由高溫焙固系聚合物構成的抗蝕劑的情況下的比較例1的配線結構的表面SEM觀察像的圖。
圖19為示意性地表示在現(xiàn)有的形成過程中，使用乙縮醛系抗蝕劑的情況下的比較例2的配線結構的表面SEM觀察像的圖。
圖20為示意性地表示在現(xiàn)有的形成過程中，進行還原構成第一配線層的Cu配線表面的CuO的NH3等離子體處理情況下的表面SEM觀察像的圖。
圖21為示意性地表示在現(xiàn)有的形成過程中，不進行用于還原構成第一配線層的Cu配線表面的CuO的NH3等離子體處理情況下的表面SEM觀察像的圖。
圖22～圖29為用于說明現(xiàn)有配線結構形成過程的截面圖。
圖30～圖33為用于說明現(xiàn)有的配線結構形成過程的問題點的截面圖。
具體實施例方式
以下，根據(jù)附圖來說明本發(fā)明的實施方式。
(第一實施方式)參照圖1～圖9，對第一實施方式的配線結構的形成方法進行說明。
首先，如圖1所示，在半導體基片1的規(guī)定區(qū)域上，通過控制極絕緣膜4，形成控制極電極5。將控制極電極5作為掩模，將雜質離子注入在半導體基片1上，形成二個源極/漏極區(qū)域2和3。而且，形成具有達到控制極電極5的上面的接觸孔6a的層間絕緣膜6，將全部表面覆蓋。在接觸孔6a內形成由W或Cu制成的插頭電極7。另外，形成具有達到插頭電極7的配線槽8a的絕緣膜8，將全部表面覆蓋。而且，在配線槽8a內充填銅以后，利用CMP法除去多余的銅的堆積部分，由此形成由埋入配線槽8a內的Cu制成的第一配線層9。
為了還原在第一配線層9的表面上形成的氧化銅(CuO)，進行使用NH3氣體的等離子體處理。
然后，如圖2所示，利用使用TMS(三甲基硅烷)/NH3氣體(氨氣)的等離子體CVD法，在大約為350℃的成膜溫度下，在全部表面上，形成厚度約為80nm的具有蝕刻停止功能和防止Cu擴散功能的SiCN膜10。為了提高與上層的SiOC膜11的密合性，利用O2氣對SiCN膜10的表面進行等離子體處理。然后，利用使用TMS(三甲基硅烷)/O2氣的等離子體CVD法，在SiCN膜10上，在大約350℃的成膜溫度下，形成厚度約為720nm的SiOC膜11。而且，SiNC膜10為本發(fā)明的“第二絕緣膜”的一個例子，而SiOC膜11為本發(fā)明的“第一絕緣膜”的一個例子。
而且，通過由上述NH3氣體進行的等離子體處理和SiCN膜表面的等離子體處理，在第一配線層9和SiCN膜10的界面附近以及SiCN膜10與SiOC膜11的界面附近，各自形成存在氮系化合物氣體(NH3氣體)的狀態(tài)。
然后，在第一實施方式中，利用使用TEOS(四乙氧基硅烷)/O2氣的等離子體CVD法，在SiOC膜11上形成厚度約為50nm的由TEOS-SiO2膜構成的氣體透過抑制膜12。該氣體透過抑制膜12具有抑制氮系化合物氣體(NH3氣體)透過的功能。
其次，如圖3所示，在氣體透過抑制膜12上形成厚度約63nm的有機反射防止膜13。作為有機反射防止膜13可以使用日產(chǎn)化學工業(yè)制的DUV30J。而且，在有機反射防止膜13的全部表面上涂布光致抗蝕劑膜14后，通過進行KrF曝光，PEB和顯像，在光致抗蝕劑膜14上形成所希望的通孔圖形。而且，作為光致抗蝕劑膜14，可以使用JSR制的M151Y。
其次，如圖4所示，將形成了通孔圖形的光致抗蝕劑膜14作為掩膜，利用使用CF系氣體的干法蝕刻，通過蝕刻有機反射防止膜13、氣體透過抑制膜12和SiOC膜11，形成通孔20。而且，通孔20為本發(fā)明的“第一開口部”的一個例子。這時，圖中沒有特別表示，由于蝕刻處理時的不均勻，雖然第一配線層9沒有露出，但SiCN膜10有部分地變薄的部分。其后，通過進行灰化和洗凈，將光致抗蝕劑膜14和有機反射防止膜13除去。
在形成上述通孔20后，在第一實施方式中，如圖5所示，利用裝在光致抗蝕劑涂布顯像裝置(圖中沒有示出)上的熱板，在大約350℃下，進行大約2分鐘的熱處理。這樣，氮系化合物氣體(NH3氣體)，通過通孔20向外部放出。
其次，如圖6所示，在整個全面上形成厚度約為63nm的有機反射防止膜15。在這種情況下，有機反射防止膜15也在通孔20內堆積。作為這種有機反射防止膜15，例如，可以使用日產(chǎn)化學工業(yè)制的DUV30J。再在全部表面上涂布厚度約為350nm的光致抗蝕劑膜16，之后通過進行KrF曝光、PEB和顯像，在光致抗蝕劑膜16上形成所希望的配線槽圖形。而且，作為光致抗蝕劑膜16，例如，可以使用信越化學工業(yè)制的YS959。在這種情況下，圖5所示的工序中，由于氮系化合物氣體(NH3氣體)已預先通過通孔20向外部放出，因此，就防止了在圖6所示的光致抗蝕劑膜16的曝光、PEB和顯像工序中，氮系化合物氣體(NH3氣體)向光致抗蝕劑膜16放出。
其次，如圖7所示，使用CF系氣體的干法蝕刻，將光致抗蝕劑膜16作為掩膜，通過蝕刻有機反射防止膜15，氣體透過抑制膜12和SiOC膜11的一部分，形成配線槽30。另外，配線槽30是本發(fā)明的“第二開口部”的一個例子。然后，通過灰化和洗凈，除去光致抗蝕劑膜16和有機反射防止膜15。
其次，如圖8所示，通過蝕刻除去位于通孔20底部的SiCN膜10，露出第一配線層9的表面。
然后，如圖9所示，利用濺射法，將防止Cu擴散用的TaN膜(厚度約為50nm)和以Cu為主要成分的金屬膜(厚度約為1000nm)埋入通孔20和配線槽30內，同時形成上述兩種膜到氣體透過抑制膜12的上面。另外，利用CMP法，通過研磨除去位于氣體透過抑制膜12上面的金屬膜的多余的堆積部分和TaN膜的多余堆積部分。由此，同時形成由TaN膜構成的勢壘層17、由以Cu為主要成分的金屬膜構成的第二配線層18和連接配線19。這樣，第一實施方式的配線結構就如圖9所示的那樣形成了。
在第一實施方式中，如上所述，通過在SiOC膜11上形成用于抑制氮系化合物氣體(NH3氣體)透過的、由TEOS-SiO2膜構成的氣體透過抑制膜12，在圖3所示的工序中，當通過曝光、PEB和顯像形成具有通孔圖形的光致抗蝕劑膜14時，可以抑制氮系化合物氣體(NH3氣體)從下面(SiCN膜10和SiOC膜11的界面附近)向光致抗蝕劑膜14放出。這樣，在形成具有通孔圖形的光致抗蝕劑膜14時，可有效地抑制產(chǎn)生圖形不良的問題。
另外，在第一實施方式中，在圖5所示的工序中，在通孔20形成后且具有配線槽圖形的光致抗蝕劑膜16形成前，通過進行熱處理，可使存在于第一配線層9和SiCN膜10的界面附近、經(jīng)由位于因蝕刻不均勻而變薄的通孔底部的SiCN膜10而放出的氮系化合物氣體，和在SiCN膜10和SiOC膜11的界面附近存在的氮系化合物氣體(NH3氣體)，預先通過通孔20向外部放出，因此在通過曝光、PEB和顯像形成具有配線槽圖形的光致抗蝕劑膜16時，可以抑制氮系化合物氣體(NH3氣體)向光致抗蝕劑膜16放出。這樣，在形成具有配線槽圖形的光致抗蝕劑膜16時，可以有效地抑制產(chǎn)生圖形不良的問題。
另外，在第一實施方式中，通過在與形成SiCN膜10和SiOC膜11的溫度(大約350℃)同等以下的溫度(大約350℃)進行用于放出氮系化合物氣體的熱處理，可以不損傷SiCN膜10和SiOC膜11，使氮系化合物氣體(NH3氣體)能夠通過通孔20向外部放出。
(第二實施方式)參照圖10，來說明在第二實施方式的形成過程中，與上述第一實施方式不同，最終除去氣體透過抑制膜的情況。在利用CMP法具體是，在圖9所示的第一實施方式的制造過程中，依該第二實施方式，則是要利用CMP法，對成為勢壘層17的TaN膜的多余的堆積部分，和以成為第二配線18和連接配線19的Cu為主要成分的金屬膜的多余堆積部分按CMP法進行研磨，此時通過過度研磨處理，除去氣體透過抑制膜12，這樣，就得到圖10所示的結構。第二實施方式的其他形成過程與上述第一實施方式相同。
在第二實施方式中，如上所述，用CMP法除去成為勢壘層17的TaN膜的多余堆積部分，和以成為第二配線18和連接配線19的Cu為主要成分的金屬膜的多余堆積部分，此時通過除去氣體透過抑制膜12，由比介電常數(shù)約為4的硅氧化膜(TEOS-SiO2膜)構成的氣體透過抑制膜12在層間絕緣膜中就不存在了，由此可減小層間絕緣膜全體的介電常數(shù)。這樣，與第一實施方式比較，可以更為減小配線間電容量。
第二實施方式的其他效果，與上述第一實施方式相同。
(第三實施方式)參照圖11，在該第三實施方式的形成過程中，與上述第一實施方式不同，在SiCN膜10和SiOC膜11之間形成用于抑制氮系化合物氣體透過的、由TEOS-SiO2膜構成的氣體透過抑制膜22。
具體是，在該第三實施方式中，在SiCN膜10上順序形成由TEOS-SiO2膜構成的氣體透過抑制膜22、SiOC膜11、和有機反射防止膜13后，在有機反射防止膜13的規(guī)定區(qū)域上，形成具有通孔圖形的光致抗蝕劑膜14。利用該光致抗蝕劑膜14，通過CF系氣體的干法蝕刻，通過干法蝕刻有機反射防止膜13、SiOC膜11和氣體透過抑制膜22，形成通孔20a。第三實施方式的其他形成過程，與上述第一實施方式相同。
在第三實施方式中，如上所述，當通過在SiCN膜10和SiOC膜11之間形成用于抑制氮系氣體透過的、由TESO-SiO2膜構成的氣體透過抑制膜22，利用曝光顯像處理形成具有通孔圖形的光致抗蝕劑膜14時，在SiCN膜10上由于氣體透過得到抑制，因此就能夠抑制位于SiCN膜10表面的氮系化合物氣體(NH3氣體)向上方擴散。這樣，可以有效地抑制具有通孔圖形的光致抗蝕劑膜14在形成時產(chǎn)生圖形不良的問題。
第三實施方式的其他效果，與第一實施方式相同。
(第四實施方式)參照圖12和圖13，來說明在第四實施方式的形成過程中，與上述第一實施方式不同，在形成兩層SiOC膜的同時，在兩層之間形成起到蝕刻停止器作用的氣體透過抑制膜的情況。
具體是，在該第四實施方式中，如圖12所示，在SiCN膜10上順序形成厚度約為370nm的SiOC膜31a、厚度約為50nm的TEOS-SiO2膜構成的氣體透過抑制膜32、和厚度約為350nm的SiOC膜31b。而且，在SiOC膜31b上形成有機反射防止膜13后，在有機反射防止膜13的規(guī)定區(qū)域上，形成具有通孔圖形的光致抗蝕劑膜14。利用該光致抗蝕劑膜14，通過CF系氣體的干法蝕刻，通過干法蝕刻有機反射防止膜13、SiOC膜31b、氣體透過抑制膜32和SiOC膜31a，形成通孔20b。然后，在經(jīng)過與圖5和圖6所示的第一實施方式相同的工序后，如圖13所示，將光致抗蝕劑膜16作為掩模，通過圖CF系氣體的干法蝕刻，蝕刻有機反射防止膜15和SiOC膜31b的一部分，由此形成配線槽30b。在該蝕刻時，氣體透過抑制膜32起到蝕刻停止器的作用。第四實施方式的其他形成過程與上述第一實施方式相同。
在第四實施方式中，如上所述，通過在SiOC膜31a和31b之間形成在配線槽30b形成時起蝕刻停止器作用的、由TEOS-SiO2膜構成的氣體透過抑制膜32，可以抑制具有通孔圖形的光致抗蝕劑膜14曝光、PEB和顯像時因氮系化合物氣體(NH3氣體)引起的圖形不良的問題，同時，還能夠使配線槽30b形成時的蝕刻容易進行。
另外，第四實施方式的其他效果，與第一實施方式相同。
(第五實施方式)參照圖14，說明在該第五實施方式的形成過程中，與使用由作為絕緣膜的TEOS-SiO2膜構成的氣體透過抑制膜的第一～第四實施方式不同，形成由作為金屬膜的TaN膜構成的氣體透過抑制膜的情況。另外，第五實施方式的其他形成過程，與第一實施方式相同。
具體是，在該第五實施方式中，如圖14所示，利用濺射法，在SiOC膜11上形成厚度大約為50nm的、由作為金屬膜的TaN膜構成的氣體透過抑制膜42。而且，在氣體透過抑制膜42上，形成有機反射防止膜13后，在有機反射防止膜13的規(guī)定區(qū)域上，形成具有通孔圖形的光致抗蝕劑膜14。
在第五實施方式中，如上所述，通過形成由作為金屬膜的TaN膜構成的氣體透過抑制膜42，與由TEOS-SiO2膜構成的氣體透過抑制膜12比較，可以更加提高抑制氮系化合物氣體(NH3氣體)透過的功能。另外，抑制氮系化合物氣體透過的效果較高，所以可以削減氣體透過抑制膜42的厚度。
還有，在第五實施方式中，使用與勢壘層17相同的TaN膜來形成氣體透過抑制膜42，在最終要除去氣體透過抑制膜42的情況下，在圖9所示的工序中，當用CMP法除去成為勢壘層17的TaN膜的多余的堆積部分，和以成為第二配線槽8和連接配線槽9的Cu為主要成分的金屬膜的多余堆積部分時，在與由TaN膜構成勢壘層17相同的條件下，可連續(xù)地除去由TaN構成的氣體透過抑制膜42。
另外，第五實施方式的其他效果，與第一實施方式相同。
(第六實施方式)參照圖15，在該第六實施方式中，說明取代第一實施方式的SiCN膜，而形成具有蝕刻停止功能和防止Cu擴散功能的SiC膜的情況。另外，第六實施方式的其他形成過程與第一實施方式相同。
具體是，在第六實施方式中，如圖15所示，在形成由Cu構成的第一配線層9后，利用TMS(三甲基硅烷)/He(氦)氣的等離子體CVD法，形成厚度約為80nm的SiC膜50。該SiC膜50，與SiCN膜10同樣，具有蝕刻停止功能和防止Cu擴散的功能。然后，使用與第一實施方式相同的形成過程，形成SiOC膜11、由TEOS-SiO2膜構成的氣體透過抑制膜12、有機反射防止膜13和具有通孔圖形的光致抗蝕劑膜14。利用該光致抗蝕劑膜14，通過CF系氣體的干法蝕刻，干法蝕刻有機反射防止膜13、SiOC膜11和SiC膜50，形成通孔20。這時，圖中沒有特別示出。由于蝕刻處理時的不均勻，雖然第一配線層9不露出，但SiC膜50部分地有變薄的部分。
在第六實施方式中，由于在不含N的SiC膜上形成SiOC膜，因此在SiC膜和SiOC膜的界面附近不存在氮系化合物氣體。還有，通過在第一配線層9上形成原料氣體中不含氮(N)的SiC膜50，不會有在SiCN膜10形成時所產(chǎn)生的氮系化合物氣體(NH3氣體)的發(fā)生，因此不會產(chǎn)生氮系化合物氣體。但是，由于在第一配線層9的表面進行還原處理時，使用NH3氣體進行等離子體處理，因此，在第一配線層9和SiC膜50的界面附近存在氮系化合物氣體(NH3氣體)。由此，在形成配線槽圖形時，通過由蝕刻通孔時不均勻形成的、變薄了的通孔底部的SiC膜，氮系化學物氣體就會放出。其結果，在第六實施方式中，需要用于放出氣體的熱處理。
(第七實施方式)參照圖16，在第七實施方式的配線結構形成過程中，其中在圖4所示的第一實施方式的通孔20的形成過程中，連同有機反射防止膜13、氣體透過抑制膜12和SiOC膜11，蝕刻除去SiCN膜10。采用這種結構，不需要另設除去SiCN膜10的工序(參照圖8)，因此可以更為簡化制造過程。
另外，第七實施方式的其他效果，與第一實施方式相同。
其次，說明為了確認上述第一實施方式的效果而進行的實驗。首先，正型化學放大型的光致抗蝕劑，通過酸的催化作用可溶解在顯像液中。具體地說，由于曝光產(chǎn)生酸和PEB造成的酸擴散，促進了酸的催化反應，所以光致抗蝕劑就可溶解在顯像液中。作為這種正型的化學放大型的光致抗蝕劑，已知有乙縮醛系抗蝕劑，或上述實施方式所用的、由信越化學工業(yè)制的YS959等的高溫焙固系聚合物構成的抗蝕劑等。
乙縮醛系抗蝕劑，在0.18μm以下的過程中與作為主流使用的高溫焙固系聚合物構成的抗蝕劑比較，分辨率低，另一方面，產(chǎn)生酸時的反應以酸的催化反應為主導，所以在曝光所導致的酸產(chǎn)生的時刻，酸的催化反應大大促進了。因此，由氮系化合物氣體引起的酸的消失在從曝光到PEB之間影響較少。這樣一來，如使用乙縮醛系的光致抗蝕劑膜，則不易產(chǎn)生光致抗蝕劑膜的圖形不良的問題。進行了以下的比較實驗。首先，利用上述第一實施方式的配線結構形成過程，實際制造了配線結構。在這種情況下，作為具有配線槽圖形的光致抗蝕劑膜16，使用了作為利用高溫焙固系聚合物的光致抗蝕劑膜的一種的信越化學工業(yè)制的YS959。圖17示出了這時的具有配線槽圖形的光致抗蝕劑膜的表面SEM觀察像的示意圖。
作為比較例，在圖22～圖29所示的現(xiàn)有的配線結構的形成過程中，對使用由高溫焙固系聚合物構成的光致抗蝕劑膜(信越化學工業(yè)制的YS959)來作為具有配線槽圖形的光致抗蝕劑膜115的情況(比較例1)，和使用乙縮醛系抗蝕劑(東京應化工業(yè)制的TDUR-P383)的情況(比較例2)進行了實驗。具體是，在比較例1中，在形成厚度為80nm的SiCN膜后，在SiCN膜上形成厚度為720nm的SiOC膜。而且，使用干法蝕刻，在形成通孔后，涂布有機反射防止膜(日產(chǎn)化學工業(yè)制的DUV30J，63nm)和由高溫焙固系聚合物構成的光致抗蝕劑膜(信越化學工業(yè)制的YS959，350nm)，進行KrF曝光和顯像。圖18示出了這時的具有配線槽圖形的光致抗蝕劑膜的表面SEM觀察像的示意圖。
另外，在比較例2中，在上述過程中，代替由高溫焙固系聚合物構成的光致抗蝕劑膜，使用了乙縮醛系光致抗蝕劑膜(東京應化工業(yè)制的TDUR-P383，350nm)。圖19示出了這時的具有配線槽圖形的光致抗蝕劑膜的表面SEM觀察像的示意圖。
參見圖17，在使用第一實施方式形成過程的配線結構中，沒有發(fā)生配線槽的圖形不良。與此相對，在圖18所示的比較例1的、由高溫焙固系聚合物構成的光致抗蝕劑膜的情況下，沒有形成配線槽圖形的地方很多，因而可知配線槽圖形不良容易發(fā)生。另外，在圖19所示的比較例2，使用乙縮醛系抗蝕劑的情況下，與圖18所示的比較例1的情況相比，雖然形成配線槽圖形的區(qū)域增加了，但是有配線槽圖形沒有形成的區(qū)域，因而可知配線槽圖形不良發(fā)生了。所以，可以看出，使用乙縮醛系抗蝕劑對抑制圖形不良的產(chǎn)生的效果不理想。從上述實驗結果可以看出，第一實施方式的配線結構的形成過程，可以有效地抑制產(chǎn)生圖形不良的問題。
其次，參照圖20和圖21，說明用于還原第一配線層表面的CuO的NH3等離子體處理的影響所進行的確認實驗。進行了NH3等離子體處理的情況和沒進行NH3等離子體處理的情況的、通孔形成后配線槽形成前的、表面SEM觀察像的示意圖分別在圖20和圖21中表示。在該實驗中，使用圖22～圖29所示的現(xiàn)有的配線結構的形成過程，在第一配線層上順序形成80nm厚的SiC膜和720nm厚的SiOC膜后，形成貫通SiOC膜的通孔。而且，形成配線槽圖形。在進行用于還原Cu配線表面的CuO的NH3等離子體處理的情況下，在圖20的箭頭所示的位置上，產(chǎn)生了具有通孔圖形的光致抗蝕劑膜的圖形不良的問題。
與此相對，在沒有進行NH3等離子體處理的情況下，如圖21所示，沒有產(chǎn)生具有通孔圖形的光致抗蝕劑膜的圖形不良的問題。但如圖21所示，在不進行用于還原由Cu構成的第一配線層的CuO的NH3等離子體處理的情況下，由于Cu表面的CuO不被除去，所以第一配線層的配線電阻顯著增加。因此，很難省去用于還原第一配線層的CuO的NH3等離子體處理。因此，優(yōu)選通過使用上述第一～第七實施方式的配線結構的形成過程，抑制為了還原第一配線層的表面的CuO而進行的NH3等離子體處理引起的光致抗蝕劑膜的圖形不良的問題。
另外，本案發(fā)明者通過實驗確認，借助加熱的氮系化合物氣體的放出，主要是通過通孔。即，不形成氣體透過抑制膜，而在形成SiOC膜后進行加熱處理，再在SiOC膜上形成具有通孔圖形的光致抗蝕劑膜的情況下，看不到抑制圖形不良的效果。因此，為了抑制在形成具有通孔圖形的光致抗蝕劑膜時產(chǎn)生圖形不良，加熱處理無效，只有形成氣體透過抑制膜才有效。另一方面，為了抑制在形成具有配線槽圖形的光致抗蝕劑膜時產(chǎn)生圖形不良，氣體透過抑制膜無效，而只有形成通孔后的加熱處理才有效。從這里可看出，將氣體透過抑制膜的形成和通孔形成后的熱處理組合起來是必不可少的。
而且，這次公開的實施方式不是僅限于所例示的各點。本發(fā)明的范圍不是由上述實施方式的說明，而是由權利要求的范圍決定的，它還包含與權利要求范圍等價的范圍內的所有變更。
例如，在上述實施方式中，作為抑制氮系化合物氣體透過用的氣體透過抑制膜，使用SiCN膜或SiC膜等絕緣膜，或TaN膜等的金屬膜，但本發(fā)明不是僅限于此，也可以使用具有抑制氮系化合物氣體透過功能的其他絕緣膜和其他金屬膜。作為構成氣體透過抑制膜的其他絕緣膜，例如有SiO2膜、SiN膜、或是SiON膜等。作為構成氣體透過抑制膜的其他金屬膜，有Ta膜或TiN膜等。
另外，在上述實施方式中，說明了將本發(fā)明應用于具有第一配線層和第二配線層的兩層的配線結構的情況，但本發(fā)明不是僅限于此，三層以上的配線結構也同樣可以使用。例如，為了形成使用Cu配線和介電常數(shù)小的SiOC膜的三層以上的多層配線結構，可以反復進行上述第一實施方式的形成過程。
另外，在上述第六實施方式中，作為具有蝕刻停止功能和停止Cu擴散功能的膜，示出了成膜時不使用氮系氣體而使用SiC膜的例子。但本發(fā)明不是僅限于此，不使用TEOS-SiO2膜等氮系氣體成膜的其他的膜也可以作為具有蝕刻停止功能和防止Cu擴散功能的膜。
另外，在上述實施方式中，用于將氮氣放出外部的熱處理是在350℃下，大約進行2分鐘的條件下進行的，但本發(fā)明不是僅限于此，如果是與在SiCN膜或SiOC膜等的層間膜的形成溫度(約350℃)同等以下的溫度，那么也可以是其他溫度。本案發(fā)明者確認在約250℃、約20分鐘的條件下進行熱處理，也可得到同樣的效果。另外，在減壓下進行熱處理，氣體放出更有效。
在上述實施方式中，示出了使用KrF激光用的正型化學放大型抗蝕劑的例子，但本發(fā)明不是僅限于此，用于ArF，F(xiàn)2，EPL激光等情況的正型化學放大型抗蝕劑也可得到同樣的效果。
另外，在上述實施方式中，說明了將本發(fā)明應用于通孔形成后再形成配件槽的通孔優(yōu)先法的情況，但本發(fā)明不是僅限于此，將本發(fā)明用于形成配線槽后再形成通孔的配線槽優(yōu)先法也可得到同樣的效果。
在上述實施方式中，示出了為了將氮系氣體放出至外部而進行熱處理的例子，但本發(fā)明不是僅限于此，用其他方法將氮系氣體放出至外部也可以。例如，通過在真空中保持，也可以將氮系氣體放出至外部。
權利要求
1.一種配線結構的形成方法，包括以下工序形成第一配線層的工序；在所述第一配線層上形成第一絕緣膜的工序；在所述第一配線層上，形成用于抑制含氮氣體透過的氣體透過抑制膜的工序；在所述第一絕緣膜和所述氣體透過抑制膜上形成第一開口部的工序；進行在所述第一開口部形成后實施熱處理或者在真空下保持的至少任何一種的工序；其后，至少在所述第一絕緣膜上形成第二開口部的工序。
2.根據(jù)權利要求1所述的配線結構的形成方法，其特征在于，在形成所述氣體透過抑制膜的工序中，包含在所述第一絕緣膜上形成所述氣體透過抑制膜的工序。
3.根據(jù)權利要求1所述的配線結構的形成方法，其特征在于，進一步包含在所述第一配線層和所述第一絕緣膜之間形成第二絕緣膜的工序；在形成所述氣體透過抑制膜的工序中，包含在所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜之間形成所述氣體透過抑制膜的工序。
4.根據(jù)權利要求3所述的配線結構的形成方法，其特征在于，所述第二絕緣膜包含SiCN膜。
5.根據(jù)權利要求1所述的配線結構的形成方法，其特征在于，進一步包含在所述第一配線層和所述第一絕緣膜之間，不使用氮系氣體而形成第二絕緣膜的工序。
6.根據(jù)權利要求5所述的配線結構的形成方法，其特征在于，所述第二絕緣膜含有SiC膜。
7.根據(jù)權利要求1所述的配線結構的形成方法，其特征在于，形成所述第一絕緣膜的工序包含形成由多層構成的第一絕緣膜的工序；形成所述氣體透過抑制膜的工序包含在所述第一絕緣膜的多層之間，形成具有蝕刻停止器功能的所述氣體透過抑制膜的工序。
8.根據(jù)權利要求7所述的配線結構的形成方法，其特征在于，所述由多層構成的第一絕緣膜包含SiOC膜；所述氣體透過抑制膜包含SiO2膜。
9.根據(jù)權利要求1所述的配線結構的形成方法，其特征在于，所述第一開口部為通孔；所述第二開口部為配線槽。
10.根據(jù)權利要求1所述的配線結構的形成方法，其特征在于，所述第一絕緣膜包含SiOC膜。
11.根據(jù)權利要求1所述的配線結構的形成方法，其特征在于，進一步包含在所述第一開口部和所述第二開口部形成后，除去所述氣體透過抑制膜的工序。
12.根據(jù)權利要求11所述的配線結構的形成方法，其特征在于，進一步包含在所述第一開口部和所述第二開口部形成后，在所述第一開口部和所述第二開口部上形成第二配線層的工序；在所述第一開口部和所述第二開口部形成后除去所述氣體透過抑制膜的工序，在形成所述第二配線層時，包含除去所述氣體透過抑制膜的工序。
13.根據(jù)權利要求1所述的配線結構的形成方法，其特征在于，所述氣體透過抑制膜包含從由SiO2膜、SiN膜、SiC膜、SiCN膜、SiON膜、TaN膜、Ta膜和TiN膜組成的組中選擇的至少一種。
14.根據(jù)權利要求1所述的配線結構的形成方法，其特征在于，實施所述熱處理的工序包含在至少與第一絕緣膜的形成溫度同等以下的溫度下進行熱處理的工序。
15.根據(jù)權利要求1所述的配線結構的形成方法，其特征在于，實施所述熱處理的工序包含在減壓的氣氛下進行熱處理的工序。
16.根據(jù)權利要求1所述的配線結構的形成方法，其特征在于，形成所述第一開口部的工序，包含使用正型的化學放大型的光致抗蝕劑膜形成所述第一開口部的工序；形成所述第二開口部的工序，包含使用正型的化學放大型的光致抗蝕劑膜形成所述第二開口部的工序。
17.根據(jù)權利要求16所述的配線結構的形成方法，其特征在于，所述正型的化學放大型光致抗蝕劑膜是由高溫焙固系聚合物構成的光致抗蝕劑膜。
18.根據(jù)權利要求1所述的配線結構的形成方法，其特征在于，進一步包括在形成所述氣體透過抑制膜的工序之前，在含有氮的氣氛中對所述第一配線層表面進行等離子體處理的工序。
19.根據(jù)權利要求1所述的配線結構的形成方法，其特征在于，形成所述第一開口部的工序包含形成達到所述第一配線層的第一開口部的工序。
20.一種配線結構的形成方法，包括以下工序形成第一配線層的工序；在所述第一配線層上形成第一絕緣膜的工序；在所述第一配線層上，形成用于抑制含氮氣體透過的氣體透過抑制膜的工序；在所述第一絕緣膜和所述氣體透過抑制膜上形成第一開口部的工序在所述第一開口部形成后實施熱處理的工序；其后，至少在所述第一絕緣膜上形成第二開口部的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種配線結構的形成方法，它能夠抑制由用于形成開口部的光致抗蝕劑膜產(chǎn)生的氮系化合物氣體引起的圖形不良的問題。該配線結構形成方法包括在第一配線層上，形成第一絕緣膜以及用于抑制含氮氣體透過的氣體透過抑制膜的工序；在第一絕緣膜和氣體透過抑制膜上形成第一開口部的工序；進行在第一開口部形成后實施熱處理或者在真空下保持的至少任何一種的工序；其后，至少在第一絕緣膜上形成第二開口部的工序。
文檔編號H01L23/52GK1527376SQ200410006520
公開日2004年9月8日 申請日期2004年3月4日 優(yōu)先權日2003年3月5日
發(fā)明者宍田佳謙, 渡邊裕之, 之, 田佳謙 申請人:三洋電機株式會社