專利名稱：微型半導(dǎo)體器件封裝低弧度焊線的形成工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微型半導(dǎo)體器件封裝低弧度焊線形成的工藝。屬半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
封裝微型半導(dǎo)體器件是表面組裝技術(shù)的基礎(chǔ)核心。主要用于封裝場(chǎng)效應(yīng)晶體管、肖特基二極管、數(shù)字晶體管等產(chǎn)品。其體積小、重量輕、電性能良好，更符合電子產(chǎn)品發(fā)展的趨勢(shì)。
從微型半導(dǎo)體器件側(cè)面示意1中可以看出，器件塑封體樹脂總高度0.5mm，引線框架3′底部向上打彎深度0.1mm，考慮器件可靠性，金線2′與塑封體樹脂表面距離須保留0.1mm，那么在芯片1′厚度100μm±10μm的條件下，要求焊線弧高控制在中心值0.1mm±5μm的范圍。焊線弧度、形態(tài)取決于焊頭運(yùn)動(dòng)軌跡。普通弧度焊線其焊頭運(yùn)動(dòng)軌跡是從第一焊點(diǎn)在Z方向垂直而上弧形落在第二焊點(diǎn)位置。這種工藝不能形成焊線弧高在0.1mm±5μm的低弧度，因此不能滿足微型半導(dǎo)體封裝的要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種微型半導(dǎo)體器件封裝低弧度焊線的形成工藝。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種微型半導(dǎo)體器件封裝低弧度焊線的形成工藝，其特點(diǎn)是焊接低弧度焊線的焊線機(jī)焊頭運(yùn)動(dòng)軌跡分三步進(jìn)行第一步、從第一焊點(diǎn)A在Z方向垂直向上運(yùn)動(dòng)一段高度H1并朝背離第二焊點(diǎn)B的逆向運(yùn)動(dòng)一段距離S1；第二步、在第一步軌跡終點(diǎn)在Z方向再垂直向上運(yùn)動(dòng)一段高度H2并再朝背離第二焊點(diǎn)B的逆向運(yùn)動(dòng)一段距離S2；第三步、在第二步軌跡終點(diǎn)在Z方向垂直而上運(yùn)動(dòng)弧形落在第二焊點(diǎn)B位置。
本發(fā)明通過改變焊頭運(yùn)動(dòng)軌跡來形成微型半導(dǎo)體器件封裝低弧度焊線。因此能滿足微型半導(dǎo)體封裝的要求。


圖1為采用低弧度焊線封裝的微型半導(dǎo)體器件側(cè)面示意圖。
圖2為本發(fā)明的典型平坦焊線低弧度軌跡圖。
圖3為本發(fā)明的焊線低弧度形態(tài)圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明為一種微型半導(dǎo)體器件封裝低弧度焊線的形成工藝。參見圖2，圖2為典型平坦低弧度軌跡圖。低弧度的運(yùn)動(dòng)軌跡分三步進(jìn)行第一步、從第一焊點(diǎn)A在Z方向垂直向上運(yùn)動(dòng)一段高度H1并朝背離第二焊點(diǎn)B的逆向運(yùn)動(dòng)一段距離S1；第二步、在第一步軌跡終點(diǎn)在Z方向再垂直向上運(yùn)動(dòng)一段高度H2并朝背離第二焊點(diǎn)B的逆向運(yùn)動(dòng)一段距離S2；
第三步、在第二步軌跡終點(diǎn)在Z方向垂直而上運(yùn)動(dòng)弧形落在第二焊點(diǎn)B位置。
從圖2中可以看出，低弧度焊線有連續(xù)二次不同逆向高度、逆向距離的軌跡特征來形成圖3的低弧度狀態(tài)。由此，逆向高度、逆向距離是控制低弧度的關(guān)鍵。
實(shí)際生產(chǎn)工藝應(yīng)用上，焊頭運(yùn)動(dòng)狀態(tài)受控于焊線機(jī)各種應(yīng)用模式下的參數(shù)設(shè)定值。低弧度生產(chǎn)應(yīng)用一般采用低弧度模式，模式中的高度(KinkHeight)、逆向距離(Rever Motion)、弧度系數(shù)(Loop Factor)、平坦長度(Flat Length)、Z方向(Csp Z Inflection)、XY方向(Csp XY Inflection)幾項(xiàng)參數(shù)的設(shè)定值及相互組合，對(duì)弧度大小有著很重要的影響。通過多次實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，不同數(shù)值的組合，其弧高大小不同，在高度為同一數(shù)值，改變逆向幅度數(shù)值大小，弧高隨著數(shù)值大小而相應(yīng)增減；在高度、逆向幅度設(shè)定某一認(rèn)可值，改變弧度系數(shù)、Z方向和XY方向數(shù)值大小，弧高將稍有變化。在生產(chǎn)工藝應(yīng)用上，采用如下數(shù)值范圍來獲取低弧度的狀態(tài)高度H1、H20.8～1.2mils逆向距離S1、S21～1.5mils弧度系數(shù) -0.5～1.0mils平坦長度L＝(S22+H22)1/210～12milsZ方向0～1milsXY方向 -1～1.5mm。
同時(shí)，選用抗拉強(qiáng)度大、延伸率略低的焊線來應(yīng)用在低弧度焊線形成工藝上，對(duì)平坦的低弧度形成有很大幫助，并彌補(bǔ)了由于二次逆向易造成球頸拉力強(qiáng)度偏小的缺陷，焊線用金線抗拉強(qiáng)度在9％～15％之間、延伸率在3％～6％之間。
權(quán)利要求
1.一種微型半導(dǎo)體器件封裝低弧度焊線的形成工藝，其特征在于焊接低弧度焊線的焊線機(jī)焊頭運(yùn)動(dòng)軌跡分三步進(jìn)行第一步、從第一焊點(diǎn)A在Z方向垂直向上運(yùn)動(dòng)一段高度H1并朝背離第二焊點(diǎn)B的逆向運(yùn)動(dòng)一段距離S1；第二步、在第一步軌跡終點(diǎn)在Z方向再垂直向上運(yùn)動(dòng)一段高度H2并朝背離第二焊點(diǎn)B的逆向運(yùn)動(dòng)一段距離S2；第三步、在第二步軌跡終點(diǎn)在Z方向垂直而上運(yùn)動(dòng)弧形落在第二焊點(diǎn)B位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微型半導(dǎo)體器件封裝低弧度焊線的形成工藝，其特征在于焊線機(jī)的參數(shù)設(shè)定范圍如下高度H1、H20.8～1.2mils逆向距離S1、S21～1.5mils弧度系數(shù) -0.5～1.0mils平坦長度L＝(S22+H22)1/210～12milsZ方向 0～1milsXY方向 -1～1.5mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種微型半導(dǎo)體器件封裝低弧度焊線的形成工藝，其特征在于低弧度焊線抗拉強(qiáng)度9％～15％，延伸率3％～6％。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種微型半導(dǎo)體器件封裝低弧度焊線形成的工藝。屬半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)領(lǐng)域。其特點(diǎn)是焊接低弧度焊線的焊線機(jī)焊頭運(yùn)動(dòng)軌跡分三步進(jìn)行第一步、從第一焊點(diǎn)A在Z方向垂直向上運(yùn)動(dòng)一段高度H
文檔編號(hào)H01L21/60GK1571132SQ20041001484
公開日2005年1月26日 申請(qǐng)日期2004年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月9日
發(fā)明者嚴(yán)紅月, 申明 申請(qǐng)人:江蘇長電科技股份有限公司