專利名稱：測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種新的圖形識別標(biāo)記，具體涉及測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記。
背景技術(shù)：
在先進(jìn)的工廠中，為了能獲得質(zhì)量一致的半導(dǎo)體器件，通常以監(jiān)測實(shí)際工藝的方式來測試制造中的半導(dǎo)體器件中的膜層厚度。為此，首先需要成功地識別圖形，以測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度。這就要求有專用的好的對比圖形。
現(xiàn)在通用的方法是，任意選擇晶片上的一個(gè)器件圖形作為測試標(biāo)記，隨著工藝步驟的不斷進(jìn)行，作為測試標(biāo)記所選擇的圖形也隨著變化，用這樣不斷變化的圖形作為圖形識別標(biāo)記不能準(zhǔn)確地測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度。
隨著在半導(dǎo)體芯片上的晶體管越來越多，芯片的構(gòu)圖變得越來越復(fù)雜，找出好的標(biāo)記圖形進(jìn)行圖形識別變得越來越困難。圖形識別失誤會導(dǎo)致不能正確地測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度，中斷工藝，延長了工藝周期，甚至不能獲得真實(shí)的工藝數(shù)據(jù)。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述的現(xiàn)有半導(dǎo)體器件中膜層厚度測試技術(shù)中用于識別圖形的標(biāo)記圖形的缺陷，提出本發(fā)明。
本發(fā)明的目的是，提出一種專用的新圖形識別標(biāo)記，它放在晶片上，是好的對比圖形，用于圖形識別，能明顯減少圖形識別錯(cuò)誤。
按本發(fā)明的專用的新圖形識別標(biāo)記，是用幾何形狀相同但面積不同的多邊形，按面心重疊的方式重疊，并按對角線畫分成多個(gè)區(qū)域，相鄰的兩個(gè)區(qū)域用不同的材料構(gòu)成，具有不同的顏色，和從襯底開始計(jì)算的不同高度。
按本發(fā)明第一實(shí)施例的專用新圖形識別標(biāo)記，設(shè)置在晶片上，該新圖形識別標(biāo)記的輪廓是，兩個(gè)面積不同的正方形按面心重疊方式重疊，并按對角線劃分成八個(gè)區(qū)域，其中，兩個(gè)相鄰的區(qū)域用不同的材料構(gòu)成兩個(gè)相鄰區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域用金屬構(gòu)成，例如鋁、銅、銀、或金等，而另一個(gè)區(qū)域用不同的材料構(gòu)成，例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等，反之亦然。兩個(gè)相鄰區(qū)域的顏色不同，例如，其中的一個(gè)區(qū)域是白色，而另一個(gè)區(qū)域是暗色。兩個(gè)相鄰區(qū)域構(gòu)成在不同的膜層中。兩個(gè)相鄰區(qū)域具有從芯片底層開始計(jì)算的不同高度。
按本發(fā)明第二實(shí)施例的專用新圖形識別標(biāo)記，設(shè)置在晶片上，該新圖形識別標(biāo)記的輪廓是，兩個(gè)面積不同的矩形按面心重疊方式重疊，并按對角線劃分成八個(gè)區(qū)域，其中，兩個(gè)相鄰的區(qū)域用不同的材料構(gòu)成，例如，兩個(gè)相鄰區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域用金屬構(gòu)成，例如鋁、銅、銀、或金等，而另一個(gè)區(qū)域用不同的材料構(gòu)成，諸如介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等，反之亦然。兩個(gè)相鄰區(qū)域的顏色不同，例如，其中的一個(gè)區(qū)域是白色，而另一個(gè)區(qū)域是暗色。兩個(gè)相鄰區(qū)域構(gòu)成在不同的膜層中，兩個(gè)相鄰區(qū)域具有從芯片底層開始計(jì)算的不同高度。
按本發(fā)明第三實(shí)施例的專用新圖形識別標(biāo)記，設(shè)置在晶片上，該新圖形識別標(biāo)記的輪廓是，兩個(gè)面積不同的六邊形按面心重疊方式重疊，并按對角線劃分成十二個(gè)區(qū)域，其中，兩個(gè)相鄰的區(qū)域用不同的材料構(gòu)成，例如，兩個(gè)相鄰區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域用金屬構(gòu)成，例如，鋁、銅、銀、或金等，而另一個(gè)區(qū)域用不同的材料構(gòu)成，諸如介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等，反之亦然。兩個(gè)相鄰區(qū)域的顏色不同，例如，其中的一個(gè)區(qū)域是白色，而另一個(gè)區(qū)域是暗色。兩個(gè)相鄰區(qū)域構(gòu)成在不同的膜層中，兩個(gè)相鄰區(qū)域具有從芯片底層開始計(jì)算的不同高度，按本發(fā)明第四實(shí)施例的專用新圖形識別標(biāo)記，設(shè)置在晶片上，該新圖形識別標(biāo)記的輪廓是，兩個(gè)面積不同的圓按圓心重疊方式重疊，并按相互垂直的兩根直徑劃分成八個(gè)頂角為90°的圓弧扇形區(qū)域，其中，兩個(gè)相鄰的區(qū)域用不同的材料構(gòu)成并具有不同的顏色，例如，兩個(gè)相鄰區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域用金屬構(gòu)成，例如鋁、銅、銀、或金等，而另一個(gè)區(qū)域用不同的材料構(gòu)成，諸如介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等，反之亦然。兩個(gè)相鄰區(qū)域的顏色不同，例如，其中的一個(gè)區(qū)域是白色，而另一個(gè)區(qū)域是暗色。兩個(gè)相鄰區(qū)域構(gòu)成在不同的膜層中，兩個(gè)相鄰區(qū)域具有從芯片底層開始計(jì)算的不同高度。


本申請書中包括的多個(gè)附圖顯示出本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例，本申請中包括的附圖是說明書的一個(gè)構(gòu)成部分，附圖與說明書和權(quán)利要求書一起用于說明本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容，用于更好地理解本發(fā)明。附圖中相同或相似的構(gòu)成部分用相同的參考數(shù)字指示。附圖中圖1是按本發(fā)明第一實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的頂視圖；圖2是按圖1顯示的本發(fā)明第一實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的I-I線的剖視圖；圖3是按圖1顯示的本發(fā)明第一實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的II-II線的剖視圖；圖4是按本發(fā)明第二實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的頂視圖；圖5是按圖4顯示的本發(fā)明第二實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的I-I線的剖視圖；圖6是按圖4顯示的本發(fā)明第二實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的II-II線的剖視圖；圖7是按本發(fā)明第一實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的頂視圖；圖8是按圖7顯示的本發(fā)明第三實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的I-I線的剖視圖；圖9是按圖7顯示的本發(fā)明第三實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的II-II線的剖視圖；圖10是按本發(fā)明第四實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的頂視圖；
圖11是按圖10顯示的本發(fā)明第四實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的I-I線的剖視圖；和圖12是按圖10顯示的本發(fā)明第四實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的II-II線的剖視圖。
附圖中的符號說明1-是襯底，白區(qū)域-是區(qū)域(A)；暗區(qū)域-是區(qū)域(B)。
具體實(shí)施例方式
以下參見附圖詳細(xì)描述本發(fā)明。
圖1是按本發(fā)明第一實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的頂視圖。圖2是按圖1顯示的本發(fā)明第一實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的I-I線的剖視圖。圖3是按圖1顯示的本發(fā)明第一實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的II-II線的剖視圖。
按本發(fā)明第一實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度的專用新圖形識別標(biāo)記，設(shè)置在晶片上，該新圖形識別標(biāo)記的輪廓是，兩個(gè)面積不同的正方形按面心重疊方式重疊，并按對角線劃分成八個(gè)區(qū)域，其中，兩個(gè)相鄰的區(qū)域用不同的材料構(gòu)成，兩個(gè)相鄰區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域(A)用金屬構(gòu)成，例如鋁、銅、銀、或金等，而另一個(gè)區(qū)域(B)用不同的材料構(gòu)成，例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等。反之，兩個(gè)相鄰區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域(B)用金屬構(gòu)成，例如鋁、銅、銀、或金等，而另一個(gè)區(qū)域(A)用不同的材料構(gòu)成，例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等。兩個(gè)相鄰區(qū)域的顏色不同，例如，其中的一個(gè)區(qū)域(A)是白色，而另一個(gè)區(qū)域(B)是暗色，反之亦然。兩個(gè)相鄰區(qū)域(A和B)構(gòu)成在不同的膜層中，即，區(qū)域(A)構(gòu)成在金屬層中，而區(qū)域(B)構(gòu)成在例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜層中?；蛘撸瑓^(qū)域(B)構(gòu)成在金屬層中，而區(qū)域(A)構(gòu)成在例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜層中。兩個(gè)相鄰區(qū)域具有從芯片底層開始計(jì)算的不同高度。兩個(gè)相鄰區(qū)域具有從芯片底層開始計(jì)算的不同高度取決于區(qū)域形成在什么膜層中。膜層在芯片底層開始計(jì)算的形成順序中所處的位置，也就是說，先形成金屬層或先形成介質(zhì)材料膜根據(jù)要構(gòu)成的半導(dǎo)體器件類型確定。而且，構(gòu)成圖形識別標(biāo)記的兩種不同區(qū)域所用的材料也由要構(gòu)成的半導(dǎo)體器件類型確定。
圖形識別標(biāo)記的兩種不同區(qū)域分別和所要設(shè)置在其中的膜層同時(shí)形成。只是在構(gòu)圖掩模的圖形中設(shè)計(jì)出圖形識別標(biāo)記的專用圖形。因此，不會增加工藝步驟，不會延長工藝時(shí)間，因而也不會增加制造成本。
圖4是按本發(fā)明第二實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的頂視圖。圖5是按圖4顯示的本發(fā)明第二實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的I-I線的剖視圖。圖6是按圖4顯示的本發(fā)明第二實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的II-II線的剖視圖。
按本發(fā)明第二實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度的專用新圖形識別標(biāo)記，設(shè)置在晶片上，該新圖形識別標(biāo)記的輪廓是，兩個(gè)面積不同的矩形按面心重疊方式重疊，并按對角線劃分成八個(gè)區(qū)域，其中，兩個(gè)相鄰的區(qū)域用不同的材料構(gòu)成，兩個(gè)相鄰區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域(A)用金屬構(gòu)成，例如鋁、銅、銀、或金等；而另一個(gè)區(qū)域(B)用不同的材料構(gòu)成，例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等。反之，兩個(gè)相鄰區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域(B)用金屬構(gòu)成，例如鋁、銅、銀、或金等，而另一個(gè)區(qū)域(A)用不同的材料構(gòu)成，例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等。兩個(gè)相鄰區(qū)域的顏色不同，例如，其中的一個(gè)區(qū)域(A)是白色，而另一個(gè)區(qū)域(B)是暗色，反之亦然。兩個(gè)相鄰區(qū)域(A和B)構(gòu)成在不同的膜層中，即，區(qū)域(A)構(gòu)成在金屬層中，而區(qū)域(B)構(gòu)成在例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜層中。或者，區(qū)域(B)構(gòu)成在金屬層中，而區(qū)域(A)構(gòu)成在例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜層中。兩個(gè)相鄰區(qū)域具有從芯片底層開始計(jì)算的不同高度。兩個(gè)相鄰區(qū)域具有從芯片底層開始計(jì)算的不同高度取決于區(qū)域形成在什么膜層中。膜層在芯片底層開始計(jì)算的形成順序中所處的位置，也就是說，先形成金屬層或先形成介質(zhì)材料膜由要構(gòu)成的半導(dǎo)體器件類型確定。而且，構(gòu)成圖形識別標(biāo)記的兩種不同區(qū)域所用的材料也由要構(gòu)成的半導(dǎo)體器件類型確定。
圖形識別標(biāo)記的兩種不同區(qū)域分別和所要設(shè)置在其中的膜層同時(shí)形成。只是在構(gòu)圖掩模的圖形中設(shè)計(jì)出圖形識別標(biāo)記的專用圖形。因此，不會增加工藝步驟，不會延長工藝時(shí)間，因而也不會增加制造成本。
圖7是按本發(fā)明第一實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的頂視圖。圖8是按圖7顯示的本發(fā)明第三實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的I-I線的剖視圖。圖9是按圖7顯示的本發(fā)明第三實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的II-II線的剖視圖。
按本發(fā)明第三實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度的專用新圖形識別標(biāo)記，設(shè)置在晶片上，該新圖形識別標(biāo)記的輪廓是，兩個(gè)面積不同的六邊按面心重疊方式重疊，并按對角線劃分成十二個(gè)區(qū)域，其中，兩個(gè)相鄰的區(qū)域用不同的材料構(gòu)成，兩個(gè)相鄰區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域(A)用金屬構(gòu)成，例如鋁、銅、銀、或金等，而另一個(gè)區(qū)域(B)用不同的材料構(gòu)成，例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等。反之，兩個(gè)相鄰區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域(B)用金屬構(gòu)成，例如鋁、銅、銀、或金等，而另一個(gè)區(qū)域(A)用不同的材料構(gòu)成，例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等。兩個(gè)相鄰區(qū)域的顏色不同，例如，其中的一個(gè)區(qū)域(A)是白色，而另一個(gè)區(qū)域(B)是暗色，反之亦然。兩個(gè)相鄰區(qū)域(A和B)構(gòu)成在不同的膜層中，即，區(qū)域(A)構(gòu)成在金屬層中，而區(qū)域(B)構(gòu)成在例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜層中?；蛘?，區(qū)域(B)構(gòu)成在金屬層中，而區(qū)域(A)構(gòu)成在例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜層中。兩個(gè)相鄰區(qū)域具有從芯片底層開始計(jì)算的不同高度。兩個(gè)相鄰區(qū)域具有從芯片底層開始計(jì)算的不同高度取決于區(qū)域形成在什么膜層中。膜層在芯片底層開始計(jì)算的形成順序中所處的位置，也就是說，先形成金屬層或先形成介質(zhì)材料膜由要構(gòu)成的半導(dǎo)體器件類型確定。而且，構(gòu)成圖形識別標(biāo)記的兩種不同區(qū)域所用的材料也由要構(gòu)成的半導(dǎo)體器件類型確定。
圖形識別標(biāo)記的兩種不同區(qū)域分別和所要設(shè)置在其中的膜層同時(shí)形成。只是在構(gòu)圖掩模的圖形中設(shè)計(jì)出圖形識別標(biāo)記的專用圖形。因此，不會增加工藝步驟，不會延長工藝時(shí)間，因而也不會增加制造成本。
圖10是按本發(fā)明第四實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的頂視圖。圖11是按圖10顯示的本發(fā)明第四實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的I-I線的剖視圖。圖12是按圖10顯示的本發(fā)明第四實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記的II-II線的剖視圖。
按本發(fā)明第四實(shí)施例的測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度的專用新圖形識別標(biāo)記，設(shè)置在晶片上，該新圖形識別標(biāo)記的輪廓是，兩個(gè)面積不同的圓按圓心重疊方式重疊，并按相互垂直的兩根直徑劃分成八個(gè)頂角為90°的圓弧扇形區(qū)域，其中，兩個(gè)相鄰的區(qū)域用不同的材料構(gòu)成，兩個(gè)相鄰區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域(A)用金屬構(gòu)成，例如鋁、銅、銀、或金等，而另一個(gè)區(qū)域(B)用不同的材料構(gòu)成，例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等。反之，兩個(gè)相鄰區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域(B)用金屬構(gòu)成，例如鋁、銅、銀、或金等，而另一個(gè)區(qū)域(A)用不同的材料構(gòu)成，例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等。兩個(gè)相鄰區(qū)域的顏色不同，例如，其中的一個(gè)區(qū)域(A)是白色，而另一個(gè)區(qū)域(B)是暗色，反之亦然。兩個(gè)相鄰區(qū)域(A和B)構(gòu)成在不同的膜層中，即，區(qū)域(A)構(gòu)成在金屬層中，而區(qū)域(B)構(gòu)成在例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜層中?；蛘撸瑓^(qū)域(B)構(gòu)成在金屬層中，而區(qū)域(A)構(gòu)成在例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜層中。兩個(gè)相鄰區(qū)域具有從芯片底層開始計(jì)算的不同高度。兩個(gè)相鄰區(qū)域具有從芯片底層開始計(jì)算的不同高度取決于區(qū)域形成在什么膜層中。膜層在芯片底層開始計(jì)算的形成順序中所處的位置，也就是說，先形成金屬層或先形成介質(zhì)材料膜根據(jù)要構(gòu)成的半導(dǎo)體器件類型確定。而且，構(gòu)成圖形識別標(biāo)記的兩種不同區(qū)域所用的材料也根據(jù)要構(gòu)成的半導(dǎo)體器件類型確定。
圖形識別標(biāo)記的兩種不同區(qū)域分別和所要設(shè)置在其中的膜層同時(shí)形成。只是在構(gòu)圖掩模的圖形中設(shè)計(jì)出圖形識別標(biāo)記的專用圖形。因此，不會增加工藝步驟，不會延長工藝時(shí)間，因而也不會增加制造成本。
由于在制造半導(dǎo)體器件的工藝過程中在構(gòu)圖用的掩模上設(shè)計(jì)出圖形識別標(biāo)記的專用圖形。該圖形識別標(biāo)記不會隨著工藝流程的進(jìn)行而改變，容易識別，從而明顯地減少了識別錯(cuò)誤，能保證準(zhǔn)確地測試膜層厚度，從而，提高了產(chǎn)品質(zhì)量，提高了合格率，降低了生產(chǎn)成本。
以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下本發(fā)明還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入本發(fā)明要求保護(hù)的范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)的范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
權(quán)利要求
1.測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記，其特征是，該圖形識別標(biāo)記構(gòu)成為，用兩個(gè)幾何形狀相同但面積不同的多邊形按面心重疊方式重疊，并按對角線劃分成多個(gè)區(qū)域，這些區(qū)域分成兩種區(qū)域，即區(qū)域(A)和區(qū)域(B)，其中兩個(gè)相鄰的區(qū)域(A)和區(qū)域(B)用不同的材料構(gòu)成，兩個(gè)相鄰區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域(A)用金屬構(gòu)成，而另一個(gè)區(qū)域(B)用不同的材料構(gòu)成，反之，兩個(gè)相鄰區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域(B)用金屬構(gòu)成，而另一個(gè)區(qū)域(A)用不同的材料構(gòu)成，兩個(gè)相鄰區(qū)域(A和B)的顏色不同，例如，其中的一個(gè)區(qū)域(A)是白色，而另一個(gè)區(qū)域(B)是暗色，反之亦然，兩個(gè)相鄰區(qū)域構(gòu)成在不同的膜層中，兩個(gè)相鄰區(qū)域具有從芯片底層開始計(jì)算的不同高度。
2.按權(quán)利要求1的圖形識別標(biāo)記，其特征是，所述的兩個(gè)幾何形狀相同但面積不同的圖形是正方形，并按對角線劃分成八個(gè)區(qū)域
3.按權(quán)利要求1的圖形識別標(biāo)記，其特征是，所述的兩個(gè)幾何形狀相同但面積不同的圖形是矩形，并按對角線劃分成八個(gè)區(qū)域。
4.按權(quán)利要求1的圖形識別標(biāo)記，其特征是，所述的兩個(gè)幾何形狀相同但面積不同的圖形是六邊形，并按對角線劃分成十二個(gè)區(qū)域。
5.按權(quán)利要求1的圖形識別標(biāo)記，其特征是，兩個(gè)相鄰區(qū)域(A和B)構(gòu)成在不同的膜層中，即，區(qū)域(A)構(gòu)成在金屬層中，而區(qū)域(B)構(gòu)成在例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜層中，或者，區(qū)域(B)構(gòu)成在金屬層中，而區(qū)域(A)構(gòu)成在例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜層中。
6.按權(quán)利要求2的圖形識別標(biāo)記，其特征是，兩個(gè)相鄰區(qū)域(A和B)構(gòu)成在不同的膜層中，即，區(qū)域(A)構(gòu)成在金屬層中，而區(qū)域(B)構(gòu)成在例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜層中，或者，區(qū)域(B)構(gòu)成在金屬層中，而區(qū)域(A)構(gòu)成在例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜層中。
7.按權(quán)利要求3的圖形識別標(biāo)記，其特征是，兩個(gè)相鄰區(qū)域(A和B)構(gòu)成在不同的膜層中，即，區(qū)域(A)構(gòu)成在金屬層中，而區(qū)域(B)構(gòu)成在例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜層中，或者，區(qū)域(B)構(gòu)成在金屬層中，而區(qū)域(A)構(gòu)成在例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜層中。
8.按權(quán)利要求4的圖形識別標(biāo)記，其特征是，兩個(gè)相鄰區(qū)域(A和B)構(gòu)成在不同的膜層中，即，區(qū)域(A)構(gòu)成在金屬層中，而區(qū)域(B)構(gòu)成在例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜層中，或者，區(qū)域(B)構(gòu)成在金屬層中，而區(qū)域(A)構(gòu)成在例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜層中。
9.按權(quán)利要求1到8中任何一項(xiàng)的圖形識別標(biāo)記，其特征是，根據(jù)區(qū)域形成在什么膜層中，兩個(gè)相鄰區(qū)域具有從芯片底層開始計(jì)算的不同高度。
10.按權(quán)利要求1到8中任何一項(xiàng)的圖形識別標(biāo)記，其特征是，膜層在芯片底層開始計(jì)算的形成順序中所處的位置，也就是說，根據(jù)要構(gòu)成的半導(dǎo)體器件類型確定先形成金屬層或先形成介質(zhì)材料膜。
11.測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記，其特征是，該圖形識別標(biāo)記構(gòu)成為，用兩個(gè)幾何形狀相同但面積不同的圓按圓心重疊方式重疊，并按相互垂直的直徑劃分成八個(gè)區(qū)域，這些區(qū)域分成兩種區(qū)域，即區(qū)域(A)和區(qū)域(B)，其中兩個(gè)相鄰的區(qū)域(A)和區(qū)域(B)用不同的材料構(gòu)成，兩個(gè)相鄰區(qū)域中的區(qū)域(A)用金屬構(gòu)成，而另一個(gè)區(qū)域(B)用不同的材料構(gòu)成，反之，兩個(gè)相鄰區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域(B)用金屬構(gòu)成，而另一個(gè)區(qū)域(A)用不同的材料構(gòu)成，兩個(gè)相鄰區(qū)域(A和B)的顏色不同，例如，其中的一個(gè)區(qū)域(A)是白色，而另一個(gè)區(qū)域(B)是暗色，反之亦然，兩個(gè)相鄰區(qū)域構(gòu)成在不同的膜層中，兩個(gè)相鄰區(qū)域具有從芯片底層開始計(jì)算的不同高度。
12.按權(quán)利要求11的圖形識別標(biāo)記，其特征是，兩個(gè)相鄰區(qū)域(A和B)構(gòu)成在不同的膜層中，即，區(qū)域(A)構(gòu)成在金屬層中，而區(qū)域(B)構(gòu)成在例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜層中，或者，區(qū)域(B)構(gòu)成在金屬層中，而區(qū)域(A)構(gòu)成在例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等膜層中。
13.按權(quán)利要求11或12的圖形識別標(biāo)記，其特征是，根據(jù)區(qū)域形成在什么膜層中，兩個(gè)相鄰區(qū)域具有從芯片底層開始計(jì)算的不同高度。
14.按權(quán)利要求11或12的圖形識別標(biāo)記，其特征是，膜層在芯片底層開始計(jì)算的形成順序中所處的位置，也就是說，先形成金屬層或先形成介質(zhì)材料膜根據(jù)要構(gòu)成的半導(dǎo)體器件類型確定。
15.按權(quán)利要求11或12的圖形識別標(biāo)記，其特征是，膜層在芯片底層開始計(jì)算的形成順序中所處的位置，也就是說，先形成金屬層或先形成介質(zhì)材料膜根據(jù)要構(gòu)成的半導(dǎo)體器件類型確定。
全文摘要
本發(fā)明提出一種測試半導(dǎo)體器件中的膜層厚度專用的新圖形識別標(biāo)記，它放在晶片上，是好的對比圖形，用于圖形識別。按本發(fā)明的專用新圖形識別標(biāo)記，設(shè)置在晶片上，該新圖形識別標(biāo)記的輪廓是，用兩個(gè)幾何形狀相同但面積不同的邊形或圓按面心重疊方式重疊，并按對角線或垂直直徑劃分成多個(gè)區(qū)域，其中，兩個(gè)相鄰的區(qū)域用不同的材料構(gòu)成并具有不同的顏色，兩個(gè)相鄰區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域用金屬構(gòu)成，例如鋁、銅、銀、或金等，而另一個(gè)區(qū)域用不同的材料構(gòu)成，例如，介質(zhì)材料、氧化物、氮化物、或氮氧化物(SiON)等，反之亦然，兩個(gè)相鄰區(qū)域的顏色不同，兩個(gè)相鄰區(qū)域構(gòu)成在不同的膜層中，兩個(gè)相鄰區(qū)域具有從芯片底層開始計(jì)算的不同高度。
文檔編號H01L23/544GK1707789SQ200410025068
公開日2005年12月14日 申請日期2004年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月10日
發(fā)明者龔新軍 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司