專利名稱：發(fā)光元件以及發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件以及使用該發(fā)光元件的發(fā)光器件，該發(fā)光元件包括陽極、陰極、以及包含借助施加電場(chǎng)能夠獲得發(fā)光的有機(jī)化合物的層(下文中稱為場(chǎng)致發(fā)光層，electroluminescent layer)。并且，本發(fā)明尤其涉及發(fā)白色光的發(fā)光元件，以及使用該發(fā)光元件的全色的發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
發(fā)光元件是由一對(duì)電極(陽極和陰極)以及夾持在該一對(duì)電極之間的場(chǎng)致發(fā)光層構(gòu)成。其發(fā)光機(jī)理據(jù)稱是在對(duì)兩個(gè)電極之間施加電壓時(shí)，從陽極注入的空穴和從陰極注入的電子在場(chǎng)致發(fā)光層中重新結(jié)合(復(fù)合)，這樣，在場(chǎng)致發(fā)光層中的發(fā)光中心重新結(jié)合從而形成受激分子，該受激分子返回基態(tài)時(shí)，釋放出能源而發(fā)光。應(yīng)該注意，受激狀態(tài)有可能包括單重激態(tài)和三重激態(tài)，可以認(rèn)為，無論從單重態(tài)還是從三重態(tài)都可以發(fā)光。
場(chǎng)致發(fā)光層雖然有可能只是由發(fā)光型材料構(gòu)成發(fā)光層的單層結(jié)構(gòu)，但也有可能不僅僅是發(fā)光層，而是由多個(gè)的功能性材料構(gòu)成的空穴注入層、空穴輸運(yùn)層、空穴阻止層(空穴封閉層)、電子輸運(yùn)層、電子注入層等組成的疊層結(jié)構(gòu)。
另外，有一個(gè)適當(dāng)改變發(fā)光色調(diào)的方法是眾所周知的，即在發(fā)光層中，借助在主體物質(zhì)中摻雜極少量(典型的是以主體物質(zhì)為基準(zhǔn)的大約10-3mol％或更少)的熒光物質(zhì)(例如專利參考文件1)。
專利參考文件1Patent Spec.No.2814435其他的，作為改變光的色調(diào)的方法，有兩個(gè)方法是大家熟知的，其中的一個(gè)是以在發(fā)光層獲得的藍(lán)色發(fā)光為發(fā)光源，在由顏色轉(zhuǎn)換材料形成的顏色轉(zhuǎn)換層中，將發(fā)光色轉(zhuǎn)換為所希望的顏色的方法(下文中稱為CCM方式)，另一個(gè)是以在發(fā)光層獲得的白色發(fā)光為發(fā)光源，通過顏色濾光器，將發(fā)光色轉(zhuǎn)換為所希望的顏色的方法(下文中稱為CF方式)。
然而，使用CCM方式時(shí)，從原理上講，從藍(lán)色轉(zhuǎn)換到紅色的顏色轉(zhuǎn)換效率較差，這樣就在顯示紅色上出現(xiàn)問題。另外，由于顏色轉(zhuǎn)換材料本身是熒光體，憑借太陽光等外界光，像素會(huì)發(fā)光，這樣就有了對(duì)比度劣化的問題。所以，可以認(rèn)為不存在上述問題的CF方式是理想的方式。
在使用CF方式的情形中，由于大量的光被顏色濾光器吸收，因此發(fā)光元件被要求發(fā)亮度高的白色光(下文中稱為白色發(fā)光元件)。
關(guān)于白色發(fā)光元件，雖然使用各種各樣的材料，并有各種各樣結(jié)構(gòu)的元件被提出，但是，由于是使用顯示不同發(fā)光色的多個(gè)材料來獲取白色發(fā)光，所以，控制發(fā)光色的平衡(白平衡，white balance)盡管至關(guān)重要，卻是個(gè)相當(dāng)難的問題。
例如，在發(fā)光層中使藍(lán)色發(fā)光、綠色發(fā)光、以及紅色發(fā)光的材料共同存在以獲取白色發(fā)光的白色發(fā)光元件的情形中，有這樣的結(jié)果被報(bào)告，即，顯示各個(gè)發(fā)光色的材料的發(fā)光峰值強(qiáng)度根據(jù)電流密度分別顯示出不同的變化(例如，參照非專利文件1(圖2))。在形成這樣的元件的情形中，如提高電流密度以獲取充分的亮度時(shí)，各個(gè)發(fā)光色的發(fā)光峰值強(qiáng)度因分別以不同的比例變化，這些發(fā)光色的峰值強(qiáng)度控制作為參數(shù)(parameter)的白平衡是極困難的。
非專利文件1Brien W.D’Andrede，Jason Brooks，Vadim Adamovich，MarkE.Thompson，and Stephen R.Forrest，AdvancedMaterial(2002)，14，No.15，August 5，1032-1036發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種發(fā)光元件，該發(fā)光元件能夠容易地控制白色發(fā)光中的顏色平衡(白平衡，white balance)。
本發(fā)明者經(jīng)過深入研究最終找到了解決上述問題的方法，即，在為獲取白色發(fā)光而使用的多個(gè)發(fā)光材料中，如將發(fā)光材料的濃度控制在一定的濃度范圍內(nèi)，則即使增加電流密度，峰值強(qiáng)度的變化比例也不隨發(fā)光材料變化。
在本發(fā)明中，發(fā)光元件的場(chǎng)致發(fā)光層包括第一發(fā)光層和第二發(fā)光層，其中，所述第一發(fā)光層包含一種或兩種或更多種類的發(fā)光材料；所述第二發(fā)光層包含兩種發(fā)光材料，并且，兩種發(fā)光材料的其中之一的濃度是10wt％至40wt％，優(yōu)選12.5wt％至20wt％。
應(yīng)該注意，在上述結(jié)構(gòu)中，從第一發(fā)光層，由于其使用一種或兩種或更多種類的發(fā)光材料，所以可以獲取在400nm至500nm的波長(zhǎng)區(qū)域中有發(fā)光峰值(peak)的藍(lán)色發(fā)光；從第二發(fā)光層，由于其使用主體材料和磷光材料作為兩個(gè)種類材料，并使磷光材料的濃度為10wt％至40wt％，優(yōu)選12.5wt％至20wt％，所以可以獲得在500nm至550nm的波長(zhǎng)區(qū)域中有發(fā)光峰值的綠色發(fā)光，以及在550nm至700nm的波長(zhǎng)區(qū)域中有發(fā)光峰值的紅色(或橙色)發(fā)光。注意，在此作為磷光材料使用的材料是可以形成受激準(zhǔn)分子的材料，該受激準(zhǔn)分子是受激狀態(tài)的原子或分子和基態(tài)的原子或分子結(jié)合了的二聚物。
如以上所述，通過分別形成可以獲得藍(lán)色發(fā)光的第一發(fā)光層；以及可以獲得綠色發(fā)光和紅色發(fā)光(或橙色)的第二發(fā)光層，因?yàn)楸容^容易控制形成第一發(fā)光層的濃度等，所以有易于制造的優(yōu)點(diǎn)。另外，跟從相同一個(gè)層獲取所有的發(fā)光色的情形相比，根據(jù)發(fā)光層內(nèi)部的不同分子間(比如復(fù)合受激態(tài)(exciplex))的相互作用，有望抑制發(fā)光波長(zhǎng)的變動(dòng)和峰值強(qiáng)度的降低。
而且，第二發(fā)光層中，通過使磷光材料以上述濃度范圍內(nèi)的濃度存在，不僅可以控制由磷光材料形成的受激準(zhǔn)分子的數(shù)量，而且，從第二發(fā)光層獲得的發(fā)光(綠色發(fā)光、紅色發(fā)光)的同時(shí)，可以獲得來自第一發(fā)光層的藍(lán)色發(fā)光。另外，在這種情況下，從磷光材料獲得的磷光發(fā)光(綠色發(fā)光)以及從受激準(zhǔn)分子獲得的發(fā)光(紅色(或橙色)發(fā)光)中的峰值強(qiáng)度(由于兩者的強(qiáng)度比取決于濃度，所以可以視為相同)和第一發(fā)光層中的藍(lán)色發(fā)光的峰值強(qiáng)度，由于和提高電流密度時(shí)的情況以相同的比例發(fā)生變化，所以容易控制，并容易獲得白平衡良好的白色發(fā)光。
據(jù)此，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)是，一種發(fā)光元件，包括一對(duì)電極；以及在一對(duì)電極之間的場(chǎng)致發(fā)光層；其中，所述場(chǎng)致發(fā)光層至少具有在500nm至700nm的波長(zhǎng)區(qū)域中有發(fā)光峰值的第一發(fā)光層和第二發(fā)光層；并且，所述第二發(fā)光層包含形成濃度為10wt％至40wt％，優(yōu)選12.5wt％至20wt％的磷光材料。
本發(fā)明的結(jié)構(gòu)是，一種發(fā)光元件，包括一對(duì)電極；以及在一對(duì)電極之間的場(chǎng)致發(fā)光層；其中，所述場(chǎng)致發(fā)光層至少具有在500nm至700nm的波長(zhǎng)區(qū)域中有發(fā)光峰值的第一發(fā)光層和第二發(fā)光層；
并且，所述第二發(fā)光層包含濃度為10-4mol/cm3至10-3mol/cm3的形成受激準(zhǔn)分子的磷光材料。
另外，通過使所述磷光材料在上述濃度范圍內(nèi)，可以使在所述第二發(fā)光層中的綠色發(fā)光(在500nm至550nm的波長(zhǎng)區(qū)域中有發(fā)光峰值)的峰值強(qiáng)度和紅光(或橙色)發(fā)光(在550nm至700nm的波長(zhǎng)區(qū)域中有發(fā)光峰值)的峰值強(qiáng)度比是50％至150％，優(yōu)選70％至130％。
而且，通過使所述磷光材料在上述濃度范圍內(nèi)，可以使從所述發(fā)光元件獲得的亮度為100至2000cd/m2，優(yōu)選為300至1000cd/m2。
而且，通過使所述磷光材料在上述濃度范圍內(nèi)，可以使所述磷光材料的一部分存在于在分子間能夠形成受激準(zhǔn)分子狀態(tài)的距離上。
而且，通過使所述磷光材料在上述濃度范圍內(nèi)，可以包含由金屬絡(luò)合物形成的磷光材料，且使所述磷光材料的中心金屬間的距離為2至20。
另外，在上述結(jié)構(gòu)中，所述第二發(fā)光層的厚度為20nm至50nm，優(yōu)選25nm至40nm。
另外，在上述結(jié)構(gòu)中，從所述第一發(fā)光層獲取的發(fā)光光譜在400nm至500nm的波長(zhǎng)區(qū)域中顯示發(fā)光峰值；并且，從所述第二發(fā)光層獲取的發(fā)光光譜在500nm至700nm的波長(zhǎng)區(qū)域中顯示多個(gè)發(fā)光峰值，而且，該多個(gè)發(fā)光峰值中的一個(gè)是受激準(zhǔn)分子發(fā)光。
在上述結(jié)構(gòu)中，所述磷光材料是以鉑為中心金屬的有機(jī)金屬絡(luò)合物。
另外，本發(fā)明包括使用上述發(fā)光元件而形成的發(fā)光器件以及電子器具。


圖1A至1C是表示本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光機(jī)理的簡(jiǎn)圖；圖2A和2B分別是本發(fā)明的發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)圖和能帶圖；圖3A和3B分別是本發(fā)明的發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)圖和能帶圖；圖4A和4B分別是本發(fā)明的發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)圖和能帶圖；圖5是具體的本發(fā)明的發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)圖；圖6A和6B是本發(fā)明的發(fā)光器件的模式圖；圖7A-7G是表示使用了本發(fā)明的發(fā)光器件的電子器具的簡(jiǎn)例圖；圖8是根據(jù)實(shí)施例2以及比較例1的發(fā)光光譜圖；圖9是根據(jù)實(shí)施例2的顯示發(fā)光光譜的電流密度依賴性的圖；圖10是根據(jù)實(shí)施例2以及比較例1的顯示亮度-電流特性的圖；
圖11是根據(jù)實(shí)施例2以及比較例1的顯示亮度-電壓特性的圖；圖12是根據(jù)實(shí)施例2以及比較例1的顯示電流效率-電流特性的圖；圖13是根據(jù)實(shí)施例2以及比較例1的顯示電流-電壓特性的圖。
注本發(fā)明的選擇圖為圖1具體實(shí)施方案模式本發(fā)明的場(chǎng)致發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)是在一對(duì)電極(陽極和陰極)中間夾持至少包括第一發(fā)光層和第二發(fā)光層的場(chǎng)致發(fā)光層。如圖1A所示，第一發(fā)光層中，借助載流子的復(fù)合，發(fā)光材料被激發(fā)，通過形成作為單體的受激狀態(tài)，可以獲得發(fā)光(藍(lán)色發(fā)光hν1)。另外，在第二發(fā)光層中，借助載流子的復(fù)合等，磷光材料被激發(fā)，從而同時(shí)獲得通過形成作為單體的受激狀態(tài)而獲得的磷光發(fā)光(綠色發(fā)光hν2)；以及受激狀態(tài)下的單體和基態(tài)狀態(tài)下的單體通過形成激發(fā)二聚物(受激準(zhǔn)分子)而獲得的受激準(zhǔn)分子發(fā)光(紅色(或橙色)hν2’)的雙方發(fā)光。
在第二發(fā)光層中，由于從磷光材料獲得的受激準(zhǔn)分子狀態(tài)，如圖1B所示，比磷光材料的受激狀態(tài)能源狀態(tài)還要低，所以受激準(zhǔn)分子發(fā)光(hν2’)跟一般的磷光發(fā)光(hν2)相比，一定出現(xiàn)在長(zhǎng)的波長(zhǎng)一側(cè)(具體是幾十nm或更長(zhǎng)的波長(zhǎng)一側(cè))。所以，在如本發(fā)明那樣，使用在顯示綠色發(fā)光的波長(zhǎng)區(qū)域中可以獲得磷光發(fā)光的磷光材料時(shí)，受激準(zhǔn)分子發(fā)光出現(xiàn)在發(fā)射紅光的波長(zhǎng)區(qū)域中。所以，本發(fā)明通過將從磷光材料獲得的綠色發(fā)光和紅色發(fā)光，和從其他發(fā)光材料獲得的藍(lán)色發(fā)光組合在一起，可以獲得在紅色、綠色、藍(lán)色的各個(gè)波長(zhǎng)區(qū)域中有峰值，并且高效率的白色發(fā)光。
另外，為了從磷光材料形成受激準(zhǔn)分子狀態(tài)，有必要使受激狀態(tài)下的單體處于，由于其和基態(tài)狀態(tài)下的單體的相互作用，容易形成二聚物的狀態(tài)。具體來說，理想的是使第二發(fā)光層中的磷光材料以10wt％至40wt％，優(yōu)選12.5wt％至20wt％的濃度存在于主體材料中。其他的，使用如鉑絡(luò)合物那樣有平面性高的結(jié)構(gòu)的磷光材料作為客體材料，并使這些磷光材料的中心離子(或原子)之間的距離在一定范圍之內(nèi)。另外，本發(fā)明中，當(dāng)基態(tài)狀態(tài)下的磷光材料(單體)和受激狀態(tài)下的磷光材料(單體)分別存在于圖1C所示的位置(a)和位置(b)時(shí)，中心離子之間的距離d1最好在2至5的范圍內(nèi)。但是，基態(tài)狀態(tài)下的磷光材料(單體)即使存在于位置(c)，其和受激狀態(tài)下的磷光材料(單體)之間的相互作用也是可能的，另外，由于本發(fā)明的磷光材料的分子結(jié)構(gòu)中的平均半徑(r)是6至9左右，所以本發(fā)明的中心離子之間的距離d2更優(yōu)選在2?！躣2≤20的范圍內(nèi)。
另外，發(fā)射藍(lán)光的第一發(fā)光層可以用單一物質(zhì)(藍(lán)色發(fā)光體)來形成，也可以用主體材料和藍(lán)色發(fā)光體的客體材料來形成。
而且，為了形成本發(fā)明的發(fā)光元件，需要將元件設(shè)計(jì)成使第一發(fā)光層和第二發(fā)光層雙方都發(fā)光的樣式。具體地說，是必須使構(gòu)成場(chǎng)致發(fā)光層的第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、或和其它的層之間的電離電勢(shì)的關(guān)系是最佳的。
應(yīng)該注意，這個(gè)元件設(shè)計(jì)，依據(jù)形成場(chǎng)致發(fā)光層的功能層的結(jié)構(gòu)而不同，下文中將通過幾個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案模式，說明元件結(jié)構(gòu)和能帶圖的關(guān)系。
實(shí)施方案模式1實(shí)施方案模式1中，如圖2A所示，在襯底200上形成第一電極201、場(chǎng)致發(fā)光層202、以及第二電極203。下面將說明當(dāng)場(chǎng)致發(fā)光層202是由第一發(fā)光層211、第二發(fā)光層212、以及電子輸運(yùn)層213構(gòu)成的疊層時(shí)的情況。注意，第一發(fā)光層211包括發(fā)光體；第二發(fā)光層212包括主體材料251和作為發(fā)光體的磷光材料252，從磷光材料可以獲得磷光發(fā)光和受激準(zhǔn)分子發(fā)光。
另外，作為用于第一發(fā)光層211的發(fā)光體(發(fā)光材料)，優(yōu)選有空穴輸運(yùn)性的藍(lán)色熒光材料，例如，N，N’-雙(3-甲基苯基)-N，N’-聯(lián)苯-1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(簡(jiǎn)稱TPD，芳族二胺)，或其衍生物的4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]-聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱α-NPD)。也使用有電子輸運(yùn)性的藍(lán)色熒光材料，比如雙(2-甲基-8-喹啉醇合)-(4-羥基-聯(lián)苯基)-鋁(以下稱BAlq)、雙[2-(2-羥苯基)-苯并噁唑醇合]鋅(以下稱Zn(BOX)2)等。另外，還可以使用藍(lán)色的各種熒光色素作為客體材料，比如二萘嵌苯、9，10-diphenyl anthracene、香豆精基色素(香豆精30等)。而且，可以使用磷光材料，比如雙((4，6-二氟苯基)pyridinato，C2’)(acetylacetonato)銥(簡(jiǎn)稱Ir(Fppy)2(acac))等。由于上述材料在400nm至500nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)顯示發(fā)光峰值，所以適合做本發(fā)明的第一發(fā)光層211中的發(fā)光體。
另一方面，第二發(fā)光層212的發(fā)光體(磷光材料)使用以鉑為中心金屬的有機(jī)金屬絡(luò)合體。具體地說，使下面結(jié)構(gòu)公式(1)至(4)中表示的物質(zhì)以10wt％至40wt％，優(yōu)選12.5wt％至20wt％的濃度存在于主體材料中，可以獲得磷光發(fā)光和其受激準(zhǔn)分子發(fā)光雙方的光。注意，本發(fā)明不受以上列舉材料的限制，只要是能使磷光發(fā)光和其受激準(zhǔn)分子發(fā)光雙方的光同時(shí)發(fā)射出的磷光材料，什么材料都可以被使用。
化學(xué)公式1 化學(xué)公式2 化學(xué)公式3
化學(xué)公式4 注意，當(dāng)本發(fā)明的第一發(fā)光層使用客體材料時(shí)，或作為第二發(fā)光層中和發(fā)光體一起使用的主體材料，可以使用以下面例子為典型的空穴輸運(yùn)材料或電子輸運(yùn)材料。另外，也可以使用4，4’-N，N’-雙(carbazolyl(咔唑基))-聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱CBP)等雙極性材料。
作為空穴輸運(yùn)材料，優(yōu)選一種芳族胺為基礎(chǔ)(也就是，其中具有苯環(huán)-氮鍵的)的化合物。廣泛使用的材料包括，例如，N，N’-雙(3-甲基苯基)-N，N’-聯(lián)苯-1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(簡(jiǎn)稱TPD，芳族二胺)，或其衍生物的4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]-聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱α-NPD)。也使用星形芳族胺化合物，包括4，4’，4”-三(N，N-聯(lián)苯-氨基)-三苯基胺(以下稱“TDATA”)、以及4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-三苯基胺(以下稱“MTDATA”)。
作為電子輸運(yùn)材料，包括金屬絡(luò)合物如三(8-喹啉醇合)鋁(以下稱Alq3)、三(4-甲基-8-喹啉醇合)鋁(以下稱Almq3)以及雙(10-羥基苯并[h]-喹啉醇合)鈹(以下稱BeBq2)、以及雙(2-甲基-8-喹啉醇合)-(4-羥基-聯(lián)苯基)-鋁(以下稱BAlq)、雙[2-(2-羥苯基)-苯并噁唑醇合]鋅(以下稱Zn(BOX)2)、和雙[2-(2-羥苯基)-苯并噻唑醇合]鋅(以下稱Zn(BTZ)2)。除了金屬絡(luò)合物外，其他能輸運(yùn)電子的材料是噁二唑衍生物，如2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(縮寫成PBD)、以及1，3-雙[5-(對(duì)叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(縮寫成OXD-7)；三唑衍生物，如3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-聯(lián)苯基)-1，2，4-三唑(縮寫成TAZ)、以及3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-聯(lián)苯基)-1，2，4-三唑(縮寫成p-EtTAZ)；咪唑衍生物，如2，2’，2”-(1，3，5-benzenetryil)三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(縮寫成TPBI)；以及菲咯啉衍生物，如紅菲繞啉(縮寫成BPhen)和浴銅靈(縮寫成BCP)。
另外，電子輸運(yùn)層213可以使用上述電子輸運(yùn)材料。
圖2B示出了形成具有該結(jié)構(gòu)的元件結(jié)構(gòu)時(shí)的能帶圖(band diagram)。圖中分別示出了第一電極201的HOMO水準(zhǔn)(電離電勢(shì))220、第一發(fā)光層211的HOMO水準(zhǔn)(電離電勢(shì))221以及LUMO水準(zhǔn)222、第二發(fā)光層212的主體材料的薄膜狀態(tài)中的HOMO水準(zhǔn)(電離電勢(shì))223以及LUMO水準(zhǔn)224、第二發(fā)光層212的客體材料(磷光材料)的HOMO水準(zhǔn)(電離電勢(shì))225以及LUMO水準(zhǔn)226、電子輸運(yùn)層213的HOMO水準(zhǔn)(電離電勢(shì))227以及LUMO水準(zhǔn)228、第二電極203的LUMO水準(zhǔn)229。
這種情形中，理想的是，第一發(fā)光層211的電離電勢(shì)221和第二發(fā)光層212整體(也就是包含第二發(fā)光層的主體材料251和磷光材料252的狀態(tài))的電離電勢(shì)(在此，將主體材料251的電離電勢(shì)看作第二發(fā)光層212整體的電離電勢(shì))223之間的能源差230足夠地大(具體為0.4eV或更多)。如果該能源差230很小，則由于第一發(fā)光層211有空穴輸運(yùn)性，空穴從第一發(fā)光層211侵入到第二發(fā)光層212，最終導(dǎo)致載流子的大部分在第二發(fā)光層212重新結(jié)合。如果那樣，因?yàn)榈诙l(fā)光層212在綠色至紅色區(qū)域之間發(fā)光，所以能源不能移動(dòng)到發(fā)射更短波長(zhǎng)的藍(lán)色光的第一發(fā)光層211中，其結(jié)果是只有第二發(fā)光層212發(fā)光。
所以，通過將能源差230充分?jǐn)U大，可以使載流子的大部分在第一發(fā)光層211的和第二發(fā)光層212接觸的界面附近重新結(jié)合，而且，少量的載流子在第二發(fā)光層212處重新結(jié)合，或一部分被磷光材料的HOMO水準(zhǔn)225捕獲，這樣，第一發(fā)光層211和第二發(fā)光層212雙方都可以發(fā)光。
另外，當(dāng)?shù)谝话l(fā)光層211是在主體材料中分散發(fā)射藍(lán)光的客體材料的結(jié)構(gòu)時(shí)也是相同的。換言之，第一發(fā)光層211整體(也就是，包含第一發(fā)光層的主體材料和發(fā)射藍(lán)光的客體材料的狀態(tài))的電離電勢(shì)221和第二發(fā)光層212整體(第二發(fā)光層的包含主體材料251和磷光材料252的狀態(tài))的電離電勢(shì)223之間的能源差230最好很大(具體為0.4eV或更多)。
另外，優(yōu)選第二發(fā)光層212整體(也就是第二發(fā)光層的包含主體材料251和磷光材料252的狀態(tài))的電離電勢(shì)223和電子輸運(yùn)層213的電離電勢(shì)227之間的能源差231相差很大(具體為0.4eV或更多)。在此，通過使能源差231很大，可以將作為載流子的空穴封閉在第二發(fā)光層212中，所以可以在第二發(fā)光層212中進(jìn)行高效率的復(fù)合。
而且，優(yōu)選使第一發(fā)光層211的LUMO的水準(zhǔn)222和第二發(fā)光層212整體(也就是第二發(fā)光層的包含主體材料251和磷光材料252的狀態(tài))的LUMO水準(zhǔn)(在此，將主體材料的LUMO水準(zhǔn)看作第二發(fā)光層整體的LUMO水準(zhǔn))224之間的能源差232相差很大(具體為0.4eV或更多)。在此，通過使能源差232很大，可以將作為載流子的電子封閉在第二發(fā)光層212中，所以可以在第二發(fā)光層212中進(jìn)行高效率的復(fù)合。
總而言之，在本實(shí)施方案模式中，通過使能帶結(jié)構(gòu)成為具有能源差230、231、232的結(jié)構(gòu)，可以高效率地從第一發(fā)光層211和第二發(fā)光層212中獲得發(fā)光。
實(shí)施方案模式2實(shí)施方案模式2中，如圖3A所示，在襯底300上形成第一電極301、場(chǎng)致發(fā)光層302、以及第二電極303。下面將說明當(dāng)場(chǎng)致發(fā)光層302是由第一發(fā)光層311、第二發(fā)光層312構(gòu)成的疊層時(shí)的情況。注意，第二發(fā)光層312包括主體材料351和磷光材料352，從磷光材料可以獲得磷光發(fā)光和受激準(zhǔn)分子發(fā)光。
本實(shí)施方案模式2的結(jié)構(gòu)是實(shí)施方案模式1所示的結(jié)構(gòu)中，場(chǎng)致發(fā)光層不包含電子輸運(yùn)層的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)有減少形成電子輸運(yùn)層工藝的優(yōu)點(diǎn)。注意，為維持發(fā)光效率，第二發(fā)光層312的主體材料321最好使用在電子輸運(yùn)性上優(yōu)越的材料。
另外，在本實(shí)施方案模式2的情形中，用于第一發(fā)光層311、以及第二發(fā)光層312的材料可以使用和實(shí)施方案模式1所示材料相同的材料。
圖3B示出了形成具有該結(jié)構(gòu)的元件結(jié)構(gòu)時(shí)的能帶圖(band diagram)。圖中分別示出了第一電極301的HOMO水準(zhǔn)(電離電勢(shì))320、第一發(fā)光層311的HOMO水準(zhǔn)(電離電勢(shì))321以及LUMO水準(zhǔn)322、第二發(fā)光層312的主體材料的薄膜狀態(tài)中的HOMO水準(zhǔn)(電離電勢(shì))323以及LUMO水準(zhǔn)324、第二發(fā)光層312的客體材料(磷光材料)的HOMO水準(zhǔn)(電離電勢(shì))325以及LUMO水準(zhǔn)326、第二電極303的LUMO水準(zhǔn)327。
在實(shí)施方案模式2的情形中，為了高效率地從第一發(fā)光層311和第二發(fā)光層312獲取發(fā)光，理想的是，第一發(fā)光層311的電離電勢(shì)321和第二發(fā)光層312整體(也就是第二發(fā)光層的包含主體材料351和磷光材料352的狀態(tài))的電離電勢(shì)(在此，將主體材料351的電離電勢(shì)看作第二發(fā)光層312整體的電離電勢(shì))323之間的能源差341和實(shí)施方案模式1的情形一樣，使其足夠地大(具體為0.4eV或更多)。而且，第一發(fā)光層311的LUMO的水準(zhǔn)322和第二發(fā)光層312整體(也就是第二發(fā)光層包含主體材料351和磷光材料352的狀態(tài))的LUMO水準(zhǔn)(在此，將主體材料351的LUMO水準(zhǔn)看作第二發(fā)光層312整體的LUMO水準(zhǔn))324之間的能源差342最好和實(shí)施方案模式1的情況一樣，使其足夠地大(具體為0.4eV或更多)。
另外，第一發(fā)光層311中，在主體材料中分散發(fā)射藍(lán)光的客體材料的結(jié)構(gòu)也是相同的。換言之，第一發(fā)光層311整體(也就是，第一發(fā)光層的包含主體材料和發(fā)射藍(lán)光的客體材料的狀態(tài))的電離電勢(shì)(在此，將第一發(fā)光層的主體材料的電離電勢(shì)看作第一發(fā)光層311整體的電離電勢(shì))321和第二發(fā)光層312整體(第二發(fā)光層的包含主體材料351和磷光材料352的狀態(tài))的電離電勢(shì)323之間的能源差341最好很大(具體為0.4eV或更多)。
實(shí)施方案模式3實(shí)施方案模式3中，如圖4A所示，在襯底400上形成第一電極401、場(chǎng)致發(fā)光層402、以及第二電極403。下面將說明當(dāng)場(chǎng)致發(fā)光層402是由空穴注入層411、第一發(fā)光層412、第二發(fā)光層413、以及電子輸運(yùn)層414構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)時(shí)的情況。注意，第二發(fā)光層413包括主體材料451和磷光材料452，從磷光材料可以獲得磷光發(fā)光和受激準(zhǔn)分子發(fā)光。
另外，空穴注入層411使用的材料，除了先前所示的TPD、α-NPD、TDATA、MTDATA等空穴輸運(yùn)材料外，還可以使用以下有空穴輸運(yùn)性的材料。
如果空穴注入層是有機(jī)化合物，則卟啉作為形成空穴注入層的空穴注入材料是有效的，可使用酞菁(以下稱H2-Pc)、酞菁銅(以下稱Cu-Pc)之類。還有預(yù)先經(jīng)過化學(xué)摻雜處理的導(dǎo)電高分子化合物材料，摻雜了聚苯乙烯砜(簡(jiǎn)稱PSS)的聚乙烯二氧基噻吩(簡(jiǎn)稱PEDOT)、聚苯胺(簡(jiǎn)稱PAni)、聚乙烯基咔唑(簡(jiǎn)稱PVK)以及諸如此類，可作為例子給出。另外，如五氧化二釩(vanadium pentoxide)那樣的無機(jī)半導(dǎo)體的薄膜、或氧化鋁等無機(jī)絕緣體的超薄膜也是有效的。
另外，用于第一發(fā)光層412、第二發(fā)光層413、以及電子輸運(yùn)層414的發(fā)光體或材料，分別可以使用相同于實(shí)施方案模式1所示的材料。
圖4B示出了形成具有該結(jié)構(gòu)的元件結(jié)構(gòu)時(shí)的能帶圖(band diagram)。圖中分別示出了第一電極401的HOMO水準(zhǔn)(電離電勢(shì))420、空穴注入層411的HOMO水準(zhǔn)(電離電勢(shì))421和LUMO水準(zhǔn)422、第一發(fā)光層412的HOMO水準(zhǔn)(電離電勢(shì))423以及LUMO水準(zhǔn)424、第二發(fā)光層413的主體材料中的HOMO水準(zhǔn)(電離電勢(shì))425以及LUMO水準(zhǔn)426、第二發(fā)光層413的客體材料(磷光材料)的HOMO水準(zhǔn)(電離電勢(shì))427以及LUMO水準(zhǔn)428、電子輸運(yùn)層414的HOMO水準(zhǔn)(電離電勢(shì))429和LUMO水準(zhǔn)430、第二電極403的LUMO水準(zhǔn)431。
本實(shí)施方案模式3的結(jié)構(gòu)是在實(shí)施方案模式1所示結(jié)構(gòu)中增加了空穴注入層411的結(jié)構(gòu)。
在實(shí)施方案模式3的情形中，為了更高效率地從第一發(fā)光層412和第二發(fā)光層413獲取發(fā)光，理想的是，使第一發(fā)光層412的電離電勢(shì)423和第二發(fā)光層413整體(也就是第二發(fā)光層的包含主體材料451和磷光材料452的狀態(tài))的電離電勢(shì)(在此，將主體材料451的電離電勢(shì)看作第二發(fā)光層413整體的電離電勢(shì))425之間的能源差441足夠地大(具體為0.4eV或更多)，并且，最好使第二發(fā)光層413整體(也就是第二發(fā)光層的包含主體材料451和磷光材料452的狀態(tài))的電離電勢(shì)425和電子輸運(yùn)層414的電離電勢(shì)429之間的能源差442足夠地大(具體為0.4eV或更多)，而且，第一發(fā)光層412的LUMO水準(zhǔn)424和第二發(fā)光層413整體(也就是第二發(fā)光層包含主體材料451和磷光材料452的狀態(tài))的LUMO水準(zhǔn)(在此，將主體材料451的LUMO水準(zhǔn)看作第二發(fā)光層413整體的LUMO水準(zhǔn))426之間的能源差443最好和實(shí)施方案模式1的情況一樣，使其足夠地大(具體為0.4eV或更多)。進(jìn)一步，最好使空穴注入層411的LUMO水準(zhǔn)422和第一發(fā)光層412的LUMO的水準(zhǔn)424之間的能源差444足夠地大(具體為0.4eV或更多)。
注意，象這樣，通過確保空穴注入層411的LUMO水準(zhǔn)422和第一發(fā)光層412的LUMO的水準(zhǔn)424之間的能源差444，可以將電子封閉在第一發(fā)光層412中，所以可以在第一發(fā)光層412中進(jìn)行高效率的載流子復(fù)合。
另外，第一發(fā)光層412中，在主體材料中分散發(fā)射藍(lán)光的客體材料的結(jié)構(gòu)也是相同的。換言之，第一發(fā)光層412整體(也就是，第一發(fā)光層的包含主體材料和發(fā)射藍(lán)光的客體材料的狀態(tài))的電離電勢(shì)(在此，將第一發(fā)光層的主體材料的電離電勢(shì)看作第一發(fā)光層412整體的電離電勢(shì))423和第二發(fā)光層413整體(第二發(fā)光層的包含主體材料451和磷光材料452的狀態(tài))的電離電勢(shì)425之間的能源差441最好很大(具體為0.4eV或更多)。
通過以上的步驟，應(yīng)用實(shí)施方案模式1至3所示的本發(fā)明的典型結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)以如此簡(jiǎn)單的元件結(jié)構(gòu)，分別在紅色、綠色、藍(lán)色的各個(gè)波長(zhǎng)區(qū)域中有發(fā)光峰值的白色發(fā)光元件。
應(yīng)該注意，上述結(jié)構(gòu)只不過是本發(fā)明的優(yōu)選結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子而已，本發(fā)明的發(fā)光元件的場(chǎng)致發(fā)光層只要至少含有第一發(fā)光層和第二發(fā)光層就可以。換言之，雖然在此沒有一一列舉出來，本發(fā)明可以如常規(guī)的眾所周知的發(fā)光元件那樣，和具有發(fā)光功能以外的層(例如電子注入層)適當(dāng)?shù)亟M合在一起。
作為可以形成電子注入層的電子注入材料，可以使用上述電子輸運(yùn)材料。除此以外，還經(jīng)常使用如LiF、CsF等堿性金屬鹵化物，或CaF2等堿性土鹵化物，或Li2O等堿性金屬氧化物那樣的絕緣體的超薄膜。另外，金屬絡(luò)合體也是有效的，如乙酸丙酮鋰(1ithium acetylacetonate)(簡(jiǎn)稱Li(acac))或8-羥基喹哪啶-鋰(8-quinolinolato-lithium)(簡(jiǎn)稱Liq)。
另外，本發(fā)明的發(fā)光元件為了獲取發(fā)光，只要至少其中一方的電極是用透明材料形成就可以，所以，本發(fā)明的發(fā)光元件可以采用一般在襯底上形成的第一電極是透明的結(jié)構(gòu)(也稱為底面發(fā)射結(jié)構(gòu))；或在第一電極上形成場(chǎng)致發(fā)光層之后層疊的第二電極是透明的結(jié)構(gòu)(也稱為頂面發(fā)射結(jié)構(gòu))；或雙方的電極都是透明的結(jié)構(gòu)(雙面發(fā)射結(jié)構(gòu))。
另一方面，實(shí)施方案模式1至3中所示的第一電極(201、301、401)、或第二電極(203、303、403)中任何一個(gè)電極使用的陽極材料最好采用功函數(shù)大且有導(dǎo)電性的材料。如果陽極一側(cè)是獲取光的方向，則該陽極采用銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)等透明導(dǎo)電性材料。反之，如果要使該陽極一側(cè)是遮光性的，則除了TiN、ZrN、Ti、W、Ni、Pt、Cr等的單層膜，或采用組合氮化鈦和以鋁為主要成分的膜而形成的疊層、或組合氮化鈦和以鋁為主要成分的膜以及和氮化鈦而形成的三層結(jié)構(gòu)的疊層。另外，還有一個(gè)方法是在Ti、Al等的反射性電極上層疊上述透明導(dǎo)電性材料。
至于陰極材料，最好使用功函數(shù)小的導(dǎo)電性材料，具體可以采用Li或Cs等堿性金屬；以及Mg、Ca、Sr等的堿性土金屬；以及包含這些金屬元素的合金(Mg:Ag、Al:Li、Li:Ag等)；Yb或Er等的稀土金屬來形成陰極材料。另外，當(dāng)使用LiF、CsF、CaF2、Li2O等的電子注入層時(shí)，可以使用通常的導(dǎo)電性薄膜，如鋁等。如果陰極一側(cè)是要獲取光的方向，則該陰極可以采用一個(gè)疊層結(jié)構(gòu)，該疊層是包含Li、Cs等堿性金屬以及Mg、Ca、Sr等的堿性土金屬的超薄膜和透明導(dǎo)電膜(ITO、IZO、ZnO等)。或者，陰極采用一個(gè)疊層，該疊層通過共同蒸發(fā)堿性金屬或堿性土金屬和電子輸運(yùn)材料以形成電子注入層，并在其上層疊透明導(dǎo)電膜(ITO、IZO、ZnO等)構(gòu)成疊層。
請(qǐng)注意，在制作以上所述的本發(fā)明的發(fā)光元件的過程中，發(fā)光元件中的各個(gè)層的層疊方法不受上述描述的結(jié)構(gòu)限制。另外，只要能夠形成疊層，無論真空蒸發(fā)沉淀法或旋涂法、還是噴墨法、浸澤渡膜法等方法都可以被采用。
實(shí)施例下文中將描述本發(fā)明的實(shí)施例。
實(shí)施例1本實(shí)施例中，將用圖5說明本發(fā)明的發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)以及制作方法。
首先，在有絕緣表面的玻璃襯底500上形成發(fā)光元件的陽極501。采用透明導(dǎo)電膜的ITO作為材料，通過濺射法形成厚110nm的陽極。陽極501為2mm×2mm大小的形狀。
然后，在陽極501上形成場(chǎng)致發(fā)光層502。注意，在本實(shí)施例中，場(chǎng)致發(fā)光層502采用由空穴注入層511、有空穴輸運(yùn)性的第一發(fā)光層512、第二發(fā)光層513、電子輸運(yùn)層514、電子注入層515構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)。第一發(fā)光層512使用發(fā)射藍(lán)光的材料，具體是發(fā)光光譜的峰值在400至500nm的材料。另外，第二發(fā)光層513采用主體材料以及發(fā)射磷光的客體材料。
首先，將形成有陽極501的襯底固定在真空蒸發(fā)沉淀裝置的襯底夾持具(holder)上，并使形成有陽極501的面朝向下方，接著在提供于真空蒸發(fā)沉淀裝置內(nèi)部的蒸發(fā)源上放入Cu-Pc，通過使用電阻加熱法的真空蒸發(fā)沉淀法形成厚度為20nm的空穴注入層511。
接著，用在空穴輸運(yùn)性和發(fā)光性上優(yōu)越的材料形成第一發(fā)光層512。在此，用相同的方法形成厚度為30nm的α-NPD。
然后，形成第二發(fā)光層513。注意，在本實(shí)施例中，第二發(fā)光層513的主體材料521使用CBP，客體材料(磷光材料)522使用上述結(jié)構(gòu)公式(1)表示的Pt(ppy)acac，并且其濃度被調(diào)整為15wt％，借助共同蒸發(fā)沉淀法形成厚20nm的膜。
接下來，在第二發(fā)光層513上形成電子輸運(yùn)層514。電子輸運(yùn)層514用BCP(浴銅靈)，借助蒸發(fā)沉淀法形成厚20nm的膜。然后，在其上用CaF2形成2nm的膜作為電子注入層515，這樣就形成了有疊層結(jié)構(gòu)的場(chǎng)致發(fā)光層502。
最后，形成陰極503。注意，在本實(shí)施例中，用鋁(Al)通過使用電阻加熱的真空蒸發(fā)沉淀法形成厚度為100nm作為陰極503。
通過上述步驟，形成了本發(fā)明的發(fā)光元件。注意，在本實(shí)施例1描述的結(jié)構(gòu)中，由于能夠在第一發(fā)光層512和第二發(fā)光層513中分別獲得發(fā)光，所以可以形成在整體上發(fā)射白色光的元件。
請(qǐng)注意，雖然在本實(shí)施例中說明了在襯底上形成陽極的情況，然而本發(fā)明并不受此限制，也可以在襯底上形成陰極。但是在這樣的情況下(也就是陽極和陰極互相交換的情況)，場(chǎng)致發(fā)光層的疊層的層疊順序和本實(shí)施例描述的剛好相反。
而且，雖然在本實(shí)施例中，陽極501是透明電極，并且從該陽極501側(cè)發(fā)射出在場(chǎng)致發(fā)光層502中產(chǎn)生的光，但是本發(fā)明并不受該結(jié)構(gòu)的限制，本發(fā)明還可以采用以下的結(jié)構(gòu)，即，通過適當(dāng)?shù)剡x擇確保透射率的材料，使在場(chǎng)致發(fā)光層中產(chǎn)生的光從陰極503側(cè)發(fā)射出來。
實(shí)施例2在本實(shí)施例中，將說明有實(shí)施例1描述的元件結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件(ITO/Cu-Pc(20nm)/α-NPD(30nm)/CBP+Pt(ppy)acac15wt％(20nm)/BCP(30nm)/CaF(2nm)/Al(100nm))的元件特性。另外，有上述結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件的發(fā)光光譜在圖8的光譜1以及圖9中表示。另外，其電特性表示在圖10-圖13的小區(qū)(plot)1中。
圖8的光譜1是向有上述結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件施加1mA的電流時(shí)(約960cd/m2)的發(fā)光光譜。從光譜1表示的結(jié)果得知可以獲得有以下三個(gè)組成成分的白色發(fā)光，該三個(gè)組成成分為形成第一發(fā)光層的α-NPD的藍(lán)色(約450nm)；根據(jù)包含在第二發(fā)光層中的Pt(ppy)acac的磷光發(fā)光而獲得的綠色(約490nm以及約530nm)；以及根據(jù)包含在第二發(fā)光層中的Pt(ppy)acac的受激準(zhǔn)分子發(fā)光而獲得的橙色(約570nm)。CIE色度坐標(biāo)(chromaticity coordinate)為(x、y)＝(0.346、0.397)，從表面上看基本是白色。
在此，測(cè)量用于第一發(fā)光層的α-NPD以及用于第二發(fā)光層主體材料的CBP的電離電勢(shì)的測(cè)量結(jié)果是α-NPD大約為5.3eV；CBP大約為5.9eV，其間的差為0.6eV。換句話說，0.6eV這個(gè)值滿足了本發(fā)明的不少于0.4eV的優(yōu)選條件，所以可以認(rèn)為實(shí)現(xiàn)了優(yōu)質(zhì)的白色發(fā)光。順便提一下，電離電勢(shì)的測(cè)定是使用光電子光譜儀AC-2(理研測(cè)量?jī)x公司制造，Riken KeikiCo.，Ltd.)而進(jìn)行的。
另外，圖9表示測(cè)定各個(gè)光譜的測(cè)定結(jié)果，該各個(gè)光譜是在改變向有上述結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件施加的電流量時(shí)獲得的。在此，表示在改變電流值為光譜a(0.1mA)、光譜b(1mA)、光譜c(5mA)時(shí)的測(cè)定結(jié)果。這個(gè)測(cè)定結(jié)果很清楚地表明，即使增加電流值(提高亮度)，光譜的形狀也幾乎不發(fā)生變化，由此可以得知本發(fā)明的發(fā)光元件不受電流值變化的影響，可以發(fā)射出穩(wěn)定的白色發(fā)光。
有上述結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件的電特性，在圖10中的亮度-電流特性中，如小區(qū)(plot)1所示，在電流密度為10mA/cm2的情況時(shí)可以獲得460cd/m2左右的亮度。
在圖11表示的亮度-電壓特性中，如小區(qū)(plot)1所示，在施加9V的電壓時(shí)可以獲得120cd/m2左右的亮度。
在圖12表示的電流效率-亮度特性中，如小區(qū)(plot)1所示，要獲得100cd/m2的亮度時(shí)其電流效率為4.6cd/A左右。
在圖13表示的電流-電壓特性中，如小區(qū)(plot)1所示，在施加9V的電壓時(shí)有0.12mA左右的電流流動(dòng)。
另外，用ICP-MS測(cè)量上述發(fā)光元件中的Pt的含量的結(jié)果是，Pt的含量是21ng。如換算為每單位面積的原子濃度，則為5.4×1014atoms/cm2。
另外，用次級(jí)離子質(zhì)譜(Secondary Ion Mass SpectrometrySIMS)執(zhí)行Pt濃度的深度方向分析，以上述Pt的含量為準(zhǔn)進(jìn)行換算，算出了Pt的每單位體積的濃度的最大值為2.0×1020atoms/cm3左右。若換算成摩爾濃度，則為3.3×10-4mol/cm3。所以，如果形成受激準(zhǔn)分子的磷光材料的濃度有10-4至10-3mol/cm3，則可以認(rèn)為受激準(zhǔn)分子發(fā)光是可能的。
另外，如上述所述，Pt的每單位體積的濃度的最大值為2.0×1020atoms/cm3，所以，一個(gè)Pt絡(luò)合物所占的平均體積為5.0×10-27m3/atoms。換言之，假設(shè)Pt絡(luò)合物是均勻分散的情況，則Pt絡(luò)合物是以每1.7nm立方一個(gè)的比例分散。因此在這種情況下，磷光材料的金屬原子(本實(shí)施例中為Pt原子)之間的距離為17左右。根據(jù)以上的結(jié)果，可以說本發(fā)明中磷光材料的中心金屬之間的距離優(yōu)選為20?；蚋佟?br> 比較例1相對(duì)于此，將不同于實(shí)施例1所示的包含在發(fā)光層中的Pt(ppy)acac的濃度而制成的發(fā)光元件的發(fā)光光譜表示在圖8的光譜2和光譜3。Pt(ppy)acac的濃度為7.9wt％時(shí)，測(cè)定結(jié)果為光譜2；Pt(ppy)acac的濃度為2.5wt％時(shí)，測(cè)定結(jié)果為光譜3。另外，不管是哪一種情況，都是向元件施加1mA的電流時(shí)的光譜。
如光譜3所示，以2.5wt％的濃度，只能觀察到形成第一發(fā)光層的α-NPD的藍(lán)色(約450nm)；以及包含在第二發(fā)光層中的Pt(ppy)acac的綠色(約490nm以及530nm)，其結(jié)果是不能形成白色發(fā)光。另外，如光譜2所示，以7.9wt％的濃度，雖然在560nm附近因在光譜中加進(jìn)來極少量的Pt(ppy)acac的受激準(zhǔn)分子發(fā)光而形成了肩形突出形狀(shoulder)，但是其峰值不夠充足，因而不能獲得充分的白色發(fā)光。
另外，測(cè)量了這些元件的電特性。Pt(ppy)acac的濃度為7.9wt％時(shí)，元件的測(cè)定結(jié)果表示在圖10-13的小區(qū)(plot)2；Pt(ppy)acac的濃度為2.5wt％時(shí)，元件的測(cè)定結(jié)果表示在圖10-13的小區(qū)(plot)3。
在圖10中的亮度-電流特性中，在電流密度為10mA/cm2的情況時(shí)，Pt(ppy)acac的濃度為7.9wt％的元件可以獲得180cd/m2左右的亮度；Pt(ppy)acac的濃度為2.5wt％的元件則可以獲得115cd/m2左右的亮度。
在圖11表示的亮度-電壓特性中，在施加9V的電壓時(shí)，Pt(ppy)acac的濃度為7.9wt％的元件可以獲得93cd/m2左右的亮度；Pt(ppy)acac的濃度為2.5wt％的元件則可以獲得73cd/m2左右的亮度。
在圖12表示的電流效率-亮度特性中，要獲得100cd/m2的亮度時(shí)，Pt(ppy)acac的濃度為7.9wt％的元件的電流效率為1.8cd/A左右；Pt(ppy)acac的濃度為2.5wt％的元件的電流效率則為1.1cd/A左右。
在圖13表示的電流-電壓特性中，在施加9V的電壓時(shí)，Pt(ppy)acac的濃度為7.9wt％的元件有0.21mA左右的電流流動(dòng)；而Pt(ppy)aCaC的濃度為2.5wt％的元件則有0.27mA左右的電流流動(dòng)。
從以上結(jié)果(尤其是圖13所示的電流-電壓特性的結(jié)果)可以得知，本發(fā)明的發(fā)光元件，其客體材料的Pt(ppy)acac的濃度即使是高濃度(15wt％)，也和以低濃度(7.9wt％、2.5wt％)形成的發(fā)光元件有相同程度的電特性。
實(shí)施例3本實(shí)施例用圖6A和6B示出制作發(fā)光器件(具有頂面發(fā)光結(jié)構(gòu))的一個(gè)實(shí)例，其中，發(fā)光器件在有絕緣表面的襯底上具備本發(fā)明的發(fā)射白色光的發(fā)光元件。注意，術(shù)語“頂面發(fā)光結(jié)構(gòu)”是指從相反于有絕緣表面的襯底的那一側(cè)獲取光的結(jié)構(gòu)。
圖6A表示發(fā)光器件的俯視圖，圖6B是沿圖6A中線A-A’切割構(gòu)成的截面圖。用虛線表示的601是源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路、602是像素部分、603是柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。604是透明的密封板、605是第一密封材料，第一密封材料605圍成的內(nèi)側(cè)填充有第二密封材料607。第一密封材料605中含有保持襯底間距的間隙材料。
另外，用于傳輸輸入到源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路601和柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路603的信號(hào)的線路608從構(gòu)成外部輸入終端的FPC(柔性印刷電路)609接收視頻信號(hào)或時(shí)鐘信號(hào)。盡管這里只說明了FPC，但此FPC可以附連有印刷線路板(PWB)。
其次，將參考圖6B說明截面結(jié)構(gòu)。驅(qū)動(dòng)電路和像素部分形成于襯底610之上，這里，示出作為驅(qū)動(dòng)電路的源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路601和像素部分602。
另外，源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路601由n溝道型TFT 623和p溝道型TFT 624組合的CMOS電路形成。另外，形成驅(qū)動(dòng)電路的TFT可以由眾所周知的CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成。另外，盡管在本實(shí)例示出在襯底之上形成驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)器集成型，然而驅(qū)動(dòng)器集成型不是必須需要的，驅(qū)動(dòng)電路可以不形成在襯底之上，而是形成在其外。另外，以多晶硅作為活性層的TFT的結(jié)構(gòu)不受特別限制，其可以是頂柵型TFT，也可以是底柵型TFT。
另外，像素部分602由多個(gè)像素形成，每個(gè)包括開關(guān)TFT 611、電流控制TFT 612、和第一電極(陽極)613，其中第一電極電連接到電流控制TFT 612的漏區(qū)。作為電流控制TFT 612，其可以是n溝道型TFT也可以是p溝道型TFT。在其與陽極連接的情形中，優(yōu)選的是p溝道型TFT。另外，優(yōu)選適當(dāng)提供存儲(chǔ)電容器(沒有圖示出)。另外，無數(shù)個(gè)被排列的像素當(dāng)中，只有一個(gè)像素的截面被示出，這里雖示出2個(gè)TFT用于此一個(gè)像素的實(shí)例，3個(gè)TFT或更多，也可以被適當(dāng)?shù)赜糜谝粋€(gè)像素。
由于第一電極(陽極)613直接接觸到TFT的漏區(qū)，故第一電極(陽極)613的底層由能夠與由硅組成的漏區(qū)形成歐姆接觸的材料構(gòu)成。與有機(jī)化合物層接觸的第一電極613的表面，最好由功函數(shù)大的材料組成。當(dāng)?shù)谝浑姌O由三層疊層，例如氮化鈦膜、以鋁為主要成分的膜、以及氮化鈦膜組成時(shí)，第一電極能夠減小引線電阻，形成對(duì)漏區(qū)的良好歐姆接觸，并可以被用作陽極。此外，第一電極(陽極)613可以由類似氮化鈦膜，鉻膜，鎢膜，Zn膜，Pt膜的單層或者三層或更多層的疊層結(jié)構(gòu)組成。
而且，在第一電極(陽極)613的兩邊端上，形成絕緣體(稱為勢(shì)壘、隔離物、障礙物、堤壩等)614。絕緣體614可以由有機(jī)樹脂膜或含有硅的絕緣膜組成。此處，正性光敏丙烯酸樹脂膜被用來形成如圖6所示形狀的絕緣體614。
為了獲得具有良好性質(zhì)的膜，最好使絕緣體614的上邊緣部分或下邊緣部分成為具有曲率半徑的彎曲形狀。例如，若正性光敏丙烯酸被用作絕緣體614的材料，則最好僅僅彎曲絕緣體614的上邊緣部分使其具有曲率半徑(優(yōu)選為0.2μm-3μm)。另外，在光敏性的光照下變成不溶于腐蝕劑的負(fù)性光敏材料以及在光敏性的光照下變成溶于腐蝕劑的正性光敏材料，都能夠被用于絕緣體614。
另外還可以形成覆蓋絕緣體614的保護(hù)膜，該保護(hù)膜由氮化鋁膜、氮化氧化鋁膜、以碳元素為主要成分的膜、或氮化硅膜構(gòu)成。
在第一電極(陽極)613上用蒸發(fā)淀積法選擇地形成場(chǎng)致發(fā)光層615。并在場(chǎng)致發(fā)光層615上形成第二電極(陰極)616。陰極可使用功函數(shù)小的材料(例如Al、Ag、Li、Ca、或這些材料的合金Mg:Ag、Mg:In、Al:Li、或CaN)。
這里，為使光能透射過去，第二電極(陰極)616使用由厚度薄的功函數(shù)小的金屬薄膜和透明導(dǎo)電膜(由氧化銦錫(ITO)合金、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)等)制成的疊層。通過以上步驟形成了由第一電極613(陽極)、場(chǎng)致發(fā)光層615及第二電極616(陰極)制成的場(chǎng)致發(fā)光元件618。
本實(shí)施例中，場(chǎng)致發(fā)光層615使用實(shí)施例1中描述的疊層結(jié)構(gòu)。也就是按順序?qū)盈B下述層來形成場(chǎng)致發(fā)光層615，即空穴注入層的Cu-Pc(20nm)、有空穴輸運(yùn)性的第一發(fā)光層α-NPD(30nm)、第二發(fā)光層的CBP+Pt(ppy)acac15wt％(20nm)、電子輸運(yùn)層的BCP(30nm)。此外，因?yàn)榈诙姌O(陰極)使用功函數(shù)小的金屬薄膜，所以在此就不需要使用電子注入層(CaF2)根據(jù)以上步驟形成的場(chǎng)致發(fā)光元件618發(fā)射白色光，在此，為了實(shí)現(xiàn)全色顯示，提供由上色層631和光遮擋層632制成的濾色器(為簡(jiǎn)單起見，外涂層在這里沒有圖示出)。
為了密封場(chǎng)致發(fā)光元件618，形成透明保護(hù)疊層617。透明保護(hù)疊層617由層疊第一無機(jī)絕緣膜、應(yīng)力緩和膜、第二無機(jī)絕緣膜形成的疊層構(gòu)成。作為第一無機(jī)絕緣膜以及第二無機(jī)絕緣膜，可以使用通過濺射或CVD得到的氮化硅膜，氧化硅膜，氮化氧化硅膜(SiNO膜(成分比N＞O)或SiON膜(成分比N＜O))和以碳作為主要成分的薄膜(諸如DLC膜，CN膜)。這些無機(jī)絕緣膜雖對(duì)水分有很高的封閉效應(yīng)，但隨著膜的厚度的增大膜應(yīng)力也增大，這樣就容易產(chǎn)生剝皮和膜的剝落。
但是，如在第一無機(jī)絕緣膜和第二無機(jī)絕緣膜之間夾上應(yīng)力緩和膜，即可以緩和應(yīng)力還吸收濕氣。而且，即使在膜的形成時(shí)，出于某種原因在第一無機(jī)絕緣膜上形成微小的氣孔(針尖狀氣孔)，應(yīng)力緩和膜可以填塞這些氣孔。而且，進(jìn)一步在應(yīng)力緩和膜之上提供第二無機(jī)絕緣膜使保護(hù)膜對(duì)濕氣或氧有極高的封閉效應(yīng)。
作為應(yīng)力緩和膜，優(yōu)選的是，使用比無機(jī)絕緣膜的應(yīng)力小而且有吸濕性的材料。更優(yōu)選的是，同時(shí)具有透光性的材料。作為應(yīng)力緩和膜還可以使用諸如α-NPD、BCP、MTDATA、Alq3等含有有機(jī)化合物的材料膜。這些材料膜有吸濕性，如果膜的厚度薄，則幾乎是透明的。另外，由于MgO、SrO2、SrO有吸濕性和透光性，且可以通過蒸發(fā)淀積形成薄膜，所以該薄膜也可以作為應(yīng)力緩和膜。
在本實(shí)施例中，用硅制成的靶在包括氮和氬構(gòu)成的氣氛中形成的膜，也就是說，將對(duì)濕氣和堿性金屬等雜質(zhì)有極高封閉效果的氮化硅膜用于第一無機(jī)絕緣膜或第二無機(jī)絕緣膜，而通過蒸發(fā)淀積的Alq3薄膜用于應(yīng)力緩和膜。為使光能透射過透明保護(hù)疊層，優(yōu)選的是，使透明保護(hù)疊層的膜的總厚度盡可能地薄。
另外，為了密封場(chǎng)致發(fā)光元件618，在惰性氣體氣氛中，用第一密封材料605，第二密封材料607將襯底和密封板604粘貼在一起。另外，作為第一密封材料605和第二密封材料607，優(yōu)選的是使用環(huán)氧類樹脂。此外，理想的是，第一密封材料605和第二密封材料607采用盡可能少滲透濕氣或氧的材料。
另外，本實(shí)施例中作為構(gòu)成密封板604的材料，除了玻璃襯底或石英襯底之外，還可以使用FRP(玻璃纖維增強(qiáng)塑料)、PVF(聚氟乙烯)、邁拉(Mylar)、聚酯、或丙烯酸等構(gòu)成的塑料襯底。另外，在用第一密封材料605和第二密封材料607附連密封板604之后，用第三密封材料密封以便覆蓋側(cè)面(暴露的面)也是可以的。
根據(jù)以上步驟用第一密封材料605和第二密封材料607密封場(chǎng)致發(fā)光元件618，場(chǎng)致發(fā)光元件618可以完全地與外界阻斷，所以可以防止諸如濕氣或氧這樣加速場(chǎng)致發(fā)光層615退化的物質(zhì)從外界入侵。因而，可以獲得高度可靠的發(fā)光器件。
并且，如使用透明導(dǎo)電膜作第一電極(陽極)613，則可以制作雙面發(fā)光型發(fā)光器件。
請(qǐng)注意，本實(shí)施例中描述的發(fā)光器件，其元件結(jié)構(gòu)不僅僅是本實(shí)施例1所示的場(chǎng)致發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)，也可以是組合使用本發(fā)明而形成的場(chǎng)致發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)。
實(shí)施例4實(shí)施例4將說明使用具備本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光器件而完成的各種電子器具。
使用具備本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光器件而完成的電子器具可舉出攝像機(jī)、數(shù)字式照相機(jī)、護(hù)目鏡式顯示器(頭盔式顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、音頻播放裝置(例如，汽車放音設(shè)備或放音組件)、筆記本計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、便攜式信息終端(例如，移動(dòng)計(jì)算機(jī)、手提式電話、便攜式游戲機(jī)和電子圖書)以及配備記錄介質(zhì)的圖像播放裝置(特別是，具有可再現(xiàn)記錄介質(zhì)中數(shù)據(jù)的顯示裝置的裝置，例如顯示數(shù)據(jù)圖像的數(shù)字通用盤(DVD))的例子。這些電子器具的具體例子示于圖7A至7G。
圖7A表示一個(gè)顯示器，由機(jī)殼7101、底座7102、顯示單元7103、揚(yáng)聲器單元7104、視頻輸入端子7105等組成。具備本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光器件可應(yīng)用到該顯示單元7103上。該顯示器指的是用于顯示信息的所有顯示器件，包括用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、用于電視廣播接收和用于顯示廣告的器件。
圖7B表示筆記本計(jì)算機(jī)，由主體7201、機(jī)殼7202、顯示單元7203、鍵盤7204、外部接線口7205、指向鼠標(biāo)7206等組成。具備本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光器件可應(yīng)用到該顯示單元7203上。
圖7C表示便攜式計(jì)算機(jī)，由主體7301、顯示單元7302、開關(guān)7303、操作鍵7304、紅外線接口7305等組成。具備本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光器件可應(yīng)用到該顯示單元7302上。
圖7D表示配備記錄介質(zhì)的移動(dòng)式圖像播放裝置(具體地說，DVD顯示器)。該裝置由主體7401、機(jī)殼7402、顯示單元A 7403、顯示單元B 7404、記錄介質(zhì)(DVD之類)讀取單元7405、操作鍵7406、揚(yáng)聲器單元7407等組成。顯示單元A 7403主要顯示圖像信息，而顯示單元B 7404主要顯示文本信息。具備本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光器件可應(yīng)用到顯示單元A 7403和B 7404上。該配備了記錄介質(zhì)的圖像播放裝置還包括家庭游戲機(jī)。
圖7E表示護(hù)目鏡式顯示器(頭盔式顯示器)，由主體7501、顯示單元7502和臂單元7503組成。具備本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光器件可應(yīng)用到顯示單元7502上。
圖7F表示攝像機(jī)，由主體7601、顯示單元7602、機(jī)殼7603、外部接口7604、遙控接收單元7605、圖像接收單元7606、電池7607、音頻輸入單元7608、操作鍵7609、目鏡部分7610等組成。具備本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光器件可應(yīng)用到顯示單元7602上。
圖7G表示手提電話，由本體7701、機(jī)殼7702、顯示單元7703、音頻輸入單元7704、音頻輸出單元7705、操作鍵7706、外部接口7707、天線7708等組成。具備本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光器件可應(yīng)用到顯示單元7703上。
本發(fā)明的發(fā)光元件還可以應(yīng)用于其他方面，比如作為面光源起作用的照明器具或建筑物的墻壁等。
如上所述，具備本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光器件的應(yīng)用范圍極為廣泛，并且，本發(fā)明的發(fā)光元件由于容易控制白色發(fā)光中的顏色平衡(白平衡)，所以，如將具備該發(fā)光元件的發(fā)光器件應(yīng)用到任何領(lǐng)域的電子器具上，則可以實(shí)現(xiàn)顏色平衡性優(yōu)越的顯示。
如本發(fā)明所示，在為獲得白色發(fā)光使用的多個(gè)發(fā)光材料中，通過使發(fā)光材料的濃度在一定的濃度范圍內(nèi)，可以提供白色發(fā)光中顏色的平衡(白平衡)容易被控制的發(fā)光元件。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光元件，包括一對(duì)電極；以及夾在該一對(duì)電極之間的場(chǎng)致發(fā)光層；其中，所述場(chǎng)致發(fā)光層至少包括在500nm至700nm的波長(zhǎng)區(qū)域中有發(fā)光峰值的第一發(fā)光層和第二發(fā)光層；并且，所述第二發(fā)光層包含濃度為10wt％至40wt％的形成受激準(zhǔn)分子的磷光材料。
2.一種發(fā)光元件，包括一對(duì)電極；以及夾在該一對(duì)電極之間的場(chǎng)致發(fā)光層；其中，所述場(chǎng)致發(fā)光層至少包括在500nm至700nm的波長(zhǎng)區(qū)域中有發(fā)光峰值的第一發(fā)光層和第二發(fā)光層；并且，所述第二發(fā)光層包含濃度為10-4mol/cm3至10-3mol/cm3的形成受激準(zhǔn)分子的磷光材料。
3.一種發(fā)光元件，包括一對(duì)電極；以及夾在該一對(duì)電極之間的場(chǎng)致發(fā)光層；其中，所述場(chǎng)致發(fā)光層至少包括在500nm至700nm的波長(zhǎng)區(qū)域中有發(fā)光峰值的第一發(fā)光層和第二發(fā)光層；并且，所述第二發(fā)光層包含濃度為10wt％至40wt％的磷光材料；而且，在所述第二發(fā)光層中，500nm至550nm的波長(zhǎng)區(qū)域中顯示的發(fā)光峰值的峰值強(qiáng)度和550nm至700nm的波長(zhǎng)區(qū)域中顯示的發(fā)光峰值的峰值強(qiáng)度比是50％至150％。
4.一種發(fā)光元件，包括一對(duì)電極；以及夾在該一對(duì)電極之間的場(chǎng)致發(fā)光層；其中，所述場(chǎng)致發(fā)光層至少包括在500nm至700nm的波長(zhǎng)區(qū)域中有發(fā)光峰值的第一發(fā)光層和第二發(fā)光層；并且，所述第二發(fā)光層包含濃度為10wt％至40wt％的磷光材料；并且，從所述發(fā)光元件獲得的亮度為100至2000cd/m2。
5.一種發(fā)光元件，包括一對(duì)電極；以及夾在該一對(duì)電極之間的場(chǎng)致發(fā)光層；其中，所述場(chǎng)致發(fā)光層至少包括在500nm至700nm的波長(zhǎng)區(qū)域中有發(fā)光峰值的第一發(fā)光層和第二發(fā)光層；并且，所述第二發(fā)光層包含濃度為10wt％至40wt％的磷光材料；而且，所述磷光材料的一部分存在于在分子間能夠形成受激準(zhǔn)分子狀態(tài)的距離上。
6.一種發(fā)光元件，包括一對(duì)電極；以及夾在該一對(duì)電極之間的場(chǎng)致發(fā)光層；其中，所述場(chǎng)致發(fā)光層至少包括在500nm至700nm的波長(zhǎng)區(qū)域中有發(fā)光峰值的第一發(fā)光層和第二發(fā)光層；并且，所述第二發(fā)光層包含濃度為10wt％至40wt％的由金屬絡(luò)合物形成的磷光材料；而且，所述磷光材料的中心金屬間的距離為2至20。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一的發(fā)光元件，其中所述第二發(fā)光層包含濃度為12.5wt％至20wt％的磷光材料；
8.根據(jù)權(quán)利要求3的發(fā)光元件，其中在所述第二發(fā)光層中，500nm至550nm的波長(zhǎng)區(qū)域中顯示的發(fā)光峰值的峰值強(qiáng)度和550nm至700nm的波長(zhǎng)區(qū)域中顯示的發(fā)光峰值的峰值強(qiáng)度比是70％至130％。
9.根據(jù)權(quán)利要求4的發(fā)光元件，其中從所述發(fā)光元件獲得的亮度為300至1000cd/m2。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一的發(fā)光元件，其中所述第二發(fā)光層的厚度為20nm至50nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一的發(fā)光元件，其中所述第二發(fā)光層的厚度為25nm至40nm。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一的發(fā)光元件，其中所述磷光材料在500nm至700nm的波長(zhǎng)區(qū)域中顯示多個(gè)發(fā)光峰值，并且該多個(gè)發(fā)光峰值中的一個(gè)是受激準(zhǔn)分子發(fā)光。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一的發(fā)光元件，其中從所述第一發(fā)光層獲取的發(fā)光光譜在400nm至500nm的波長(zhǎng)區(qū)域中顯示發(fā)光峰值；并且，從所述第二發(fā)光層獲取的發(fā)光光譜在500nm至700nm的波長(zhǎng)區(qū)域中顯示多個(gè)發(fā)光峰值，而且，該多個(gè)發(fā)光峰值中的一個(gè)是受激準(zhǔn)分子發(fā)光。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一的發(fā)光元件，其中所述磷光材料是以鉑為中心金屬的有機(jī)金屬絡(luò)合物。
15.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一的發(fā)光元件的發(fā)光器件。
16.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一的發(fā)光元件的顯示器。
17.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一的發(fā)光元件的筆記本式計(jì)算機(jī)。
18.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一的發(fā)光元件的便攜式計(jì)算機(jī)。
19.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一的發(fā)光元件的圖像重播裝置。
20.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一的發(fā)光元件的護(hù)目鏡式顯示器。
21.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一的發(fā)光元件的攝像機(jī)。
22.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一的發(fā)光元件的手提電話。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種發(fā)光元件，該發(fā)光元件能夠容易地控制白色發(fā)光中的顏色平衡(白平衡，white balance)。發(fā)光元件的場(chǎng)致發(fā)光層包括第一發(fā)光層和第二發(fā)光層，其中，所述第一發(fā)光層包含一種或兩種或更多種類的發(fā)光材料；所述第二發(fā)光層包含兩種發(fā)光材料(主體材料和磷光材料)，并且，其中的磷光材料的濃度是10wt％至40wt％，優(yōu)選12.5wt％至20wt％。通過形成有上述結(jié)構(gòu)的元件，可以從第一發(fā)光層獲取藍(lán)色發(fā)光，并從第二發(fā)光層獲取綠色發(fā)光和紅色(或橙色)發(fā)光。另外，有這樣結(jié)構(gòu)的元件，由于和提高電流密度時(shí)的發(fā)光峰值強(qiáng)度以相同的比例發(fā)生變化，所以容易控制白平衡。
文檔編號(hào)H01L51/30GK1610465SQ200410032530
公開日2005年4月27日 申請(qǐng)日期2004年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月9日
發(fā)明者安部寬子 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所