專利名稱：改進(jìn)白平衡的平板顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種全色平板顯示器，特別是涉及一種能夠通過(guò)調(diào)整摻雜濃度或調(diào)整多個(gè)柵極之間的偏置區(qū)的偏置長(zhǎng)度來(lái)實(shí)現(xiàn)白平衡的平板顯示器。
背景技術(shù)：
通常，如圖1所示，一平板顯示器的有機(jī)發(fā)光二極管(organic lightemitting diode，OLED)包括布置成矩陣形式的多個(gè)象素100，并且每個(gè)象素由三種單元象素(unit pixel)組成，其中一個(gè)單元象素110R表現(xiàn)紅色(R)，一個(gè)單元象素120G表現(xiàn)綠色(G)，和一個(gè)單元象素130B表現(xiàn)藍(lán)色(B)。
所述R單元象素110R包括一個(gè)紅色電致發(fā)光(EL)裝置115，該裝置包括一紅色(R)發(fā)光層，一個(gè)用于向所述紅色EL裝置115供應(yīng)電流的驅(qū)動(dòng)晶體管113，和一個(gè)用于開關(guān)從所述驅(qū)動(dòng)晶體管113供應(yīng)到所述紅色EL裝置115的電流的開關(guān)晶體管111。
所述G單元象素120G包括一個(gè)綠色EL裝置125，該裝置包括一綠色(G)發(fā)光層；一個(gè)用于向所述綠色EL裝置125供應(yīng)電流的驅(qū)動(dòng)晶體管123；和一個(gè)用于開關(guān)從所述驅(qū)動(dòng)晶體管123供應(yīng)到所述綠色EL裝置125的電流的開關(guān)晶體管121。
所述B單元象素130B包括一個(gè)藍(lán)色EL裝置135，該裝置包括一藍(lán)色(B)發(fā)光層；一個(gè)用于向所述藍(lán)色EL裝置135供應(yīng)電流的驅(qū)動(dòng)晶體管133；和一個(gè)用于開關(guān)從所述驅(qū)動(dòng)晶體管133供應(yīng)到所述藍(lán)色EL裝置135的電流的開關(guān)晶體管131。
一般地，一個(gè)OLED裝置的R、G和B單元象素110R、120G和130B的所述驅(qū)動(dòng)晶體管113、123和133具有相同尺寸，也就是溝道層的寬度W與長(zhǎng)度L的比率W/L是相等的。并且所述EL裝置按照它們的發(fā)光效率的順序排序?yàn)锽、R和G單元象素。由于R、G和B單元象素110R、120G和130B的所述驅(qū)動(dòng)晶體管113、123和133具有相同尺寸而每個(gè)所述R、G和B的EL裝置115、125和135的發(fā)光效率彼此不同，因此很難實(shí)現(xiàn)白平衡。
為了表現(xiàn)所述白平衡，對(duì)于具有高發(fā)光效率的EL裝置，例如綠色EL裝置，應(yīng)該供應(yīng)一個(gè)相對(duì)小量的電流，且對(duì)于具有較低發(fā)光效率的紅色和藍(lán)色的EL裝置，應(yīng)該供應(yīng)一個(gè)相對(duì)較大量的電流。
這里，當(dāng)所述驅(qū)動(dòng)晶體管處于飽和狀態(tài)時(shí)，由于通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)晶體管流到所述EL裝置的電流Id開始流動(dòng)，所述電流表達(dá)如下(1)Id＝CoxμW(Vg-Vth)2/2L因此，一個(gè)為了表現(xiàn)所述白平衡而控制流到所述EL裝置的電流的方法是使R、G和B單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的尺寸即所述溝道層的寬度W和長(zhǎng)度L的比例W/L不同，并且于是控制流到所述R、G和B單元象素的EL裝置的電流量。根據(jù)所述晶體管的尺寸控制流到所述EL裝置的電流量的一種方法公開在日本專利特開公告第2001-109399中。在該日本專利中，根據(jù)每個(gè)R、G和B單元象素中的EL裝置的發(fā)光效率，以不同尺寸形成所述R、G和B單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管。也就是，通過(guò)使用來(lái)表現(xiàn)高發(fā)光效率的綠色(G)的所述單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的尺寸小于用來(lái)表現(xiàn)相對(duì)較低發(fā)光效率的紅色(R)或藍(lán)色(B)的單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的尺寸，控制流到所述R、G和B單元象素的EL裝置的電流量。
表現(xiàn)所述白平衡的另一種方法是使所述R、G和B單元象素的發(fā)光層的尺寸不同，這公開在日本專利特開公告第2001-290441上。在該日本專利中，根據(jù)所述R、G和B單元象素的EL裝置的發(fā)光效率，通過(guò)讓發(fā)光面積不同而使從所述R、G和B單元象素上產(chǎn)生相同的發(fā)光。也就是，通過(guò)使低發(fā)光效率的R或B單元象素的發(fā)光面積大于具有相對(duì)高發(fā)光效率的G單元象素的面積，從而在所述R、G和B單元象素上產(chǎn)生相同的發(fā)光。
但是，在上述常規(guī)實(shí)現(xiàn)白平衡的方法中，所述R、G和B單元象素中的具有低發(fā)光效率的單元象素的發(fā)光面積變大，或者增加所述R、G和B單元象素中的具有低發(fā)光效率的單元象素的晶體管的尺寸。因此，增加了每個(gè)單元象素所占的面積，且因此不易將該方法應(yīng)用到高分辨率的顯示中。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)方面在于提供能夠不增加所述象素的面積來(lái)實(shí)現(xiàn)白平衡的平板顯示器。
本發(fā)明的另一個(gè)方面在于通過(guò)使每個(gè)R、G和B單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的多個(gè)柵極間的偏置區(qū)的幾何結(jié)構(gòu)不同從而改變所述漏極區(qū)的電阻值來(lái)提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)白平衡的平板顯示器。
本發(fā)明的又一個(gè)方面在于通過(guò)設(shè)置每個(gè)R、G和B單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的多個(gè)柵極間的偏置區(qū)的偏置長(zhǎng)度來(lái)提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)白平衡的平板顯示器。
為完成這些和其它的目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例，提供一種平板顯示器，包括多個(gè)象素，其中每個(gè)所述象素包括分別表現(xiàn)紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)的R、G和B單元象素，每個(gè)所述單元象素包括帶有多個(gè)柵極的晶體管，其中在R、G和B單元象素中的至少兩個(gè)單元象素的晶體管包括在所述多個(gè)柵極間彼此具有不同幾何結(jié)構(gòu)的偏置區(qū)。
所述R、G和B單元象素還分別包括由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光裝置。所述R、G和B單元象素的晶體管中用于驅(qū)動(dòng)具有最高發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)的電阻值高于用于驅(qū)動(dòng)具有相對(duì)低發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)的電阻值。
所述R、G和B單元象素的晶體管的多個(gè)柵極間的偏置區(qū)的總長(zhǎng)度相同，而其中未摻入雜質(zhì)的偏置區(qū)中的部分的偏置長(zhǎng)度彼此不同。所述R、G和B單元象素進(jìn)一步分別包括由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的所述發(fā)光裝置。所述晶體管中用于驅(qū)動(dòng)具有最高發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)的偏置長(zhǎng)度比用于驅(qū)動(dòng)具有較低發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)的偏置長(zhǎng)度要長(zhǎng)。
所述R、G和B單元象素的晶體管的多個(gè)柵極間的偏置區(qū)的總長(zhǎng)度相同，而所述偏置區(qū)具有彼此不同的寬度?；蛘?，在所述R、G和B單元象素的晶體管的多個(gè)柵極間的偏置區(qū)的寬度相同，而偏置區(qū)的長(zhǎng)度彼此不同。
本發(fā)明的一個(gè)附加示例性實(shí)施例提供一種平板顯示器，其包括多個(gè)象素，其中每個(gè)所述象素包括分別表現(xiàn)紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)的R、G和B單元象素。并且每個(gè)單元象素包括帶有多個(gè)柵極的晶體管，其中在R、G和B單元象素中的至少兩個(gè)單元象素的晶體管包括在所述多個(gè)柵極之間彼此具有不同電阻值的偏置區(qū)。
所述彼此具有不同電阻值的單元象素分別包括發(fā)光裝置，而每個(gè)單元象素的控制向所述發(fā)光裝置供應(yīng)電流的所述晶體管具有相同尺寸的溝道層。所述R、G和B單元象素進(jìn)一步包括分別由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光裝置，通過(guò)由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光裝置的發(fā)光效率來(lái)決定所述晶體管的偏置區(qū)的電阻值。
用于驅(qū)動(dòng)所述R、G和B單元象素中具有最高發(fā)光效率的發(fā)光裝置的所述晶體管的偏置區(qū)的電阻值高于用于驅(qū)動(dòng)具有相對(duì)低發(fā)光效率的發(fā)光裝置的所述晶體管的偏置區(qū)的電阻值。
所述R、G和B單元象素的所述晶體管的偏置區(qū)彼此具有不同的摻雜濃度。所述R、G和B單元象素進(jìn)一步包括分別由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光裝置，其中用于驅(qū)動(dòng)具有所述晶體管中最高發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)被摻入雜質(zhì)的濃度低于用于驅(qū)動(dòng)具有相對(duì)低發(fā)光效率的發(fā)光裝置的所述晶體管的偏置區(qū)被摻入雜質(zhì)的濃度。
在所述R、G和B單元象素中的晶體管中至少兩個(gè)晶體管的偏置區(qū)以彼此不同的濃度被摻入雜質(zhì)。所述R、G和B單元象素進(jìn)一步包括分別由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光裝置，其中用于驅(qū)動(dòng)具有在至少兩個(gè)晶體管中的最高發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)以低于其它晶體管的摻雜濃度被摻入雜質(zhì)。


通過(guò)對(duì)實(shí)施例的詳細(xì)描述并參考附圖，使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員更明白本發(fā)明上述的和其它的特征及優(yōu)點(diǎn)，在附圖中圖1為一常規(guī)平板顯示器的R、G和B單元象素布置的視圖；圖2A和2B分別表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一平板顯示器中R單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的平面結(jié)構(gòu)和橫截面結(jié)構(gòu)的視圖；圖3A和3B分別表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一平板顯示器中G單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的平面結(jié)構(gòu)和橫截面結(jié)構(gòu)的視圖；圖4A和4B分別表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一平板顯示器中B單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的平面結(jié)構(gòu)和橫截面結(jié)構(gòu)的視圖；圖5、6和7分別表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的一平板顯示器中R、G和B單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管結(jié)構(gòu)的平面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考表示本發(fā)明實(shí)施例的附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更加全面地描述。當(dāng)然，本發(fā)明可以用不同的形式實(shí)施并且不應(yīng)被限制在這里敘述的實(shí)施例內(nèi)。相反，這些被提供的實(shí)施例是為了使本公開是完全和充分的，并且向本領(lǐng)域普通技術(shù)人員充分表達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清楚起見，層的厚度和區(qū)域都被放大。在整個(gè)說(shuō)明書中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的部件。
圖2A表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一OLED中R單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的平面結(jié)構(gòu)的視圖，及圖2B表示沿圖2A的II-II線的R單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的橫截面結(jié)構(gòu)的視圖。
參考圖2A和2B，一個(gè)R單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管113包括一個(gè)半導(dǎo)體層220、一柵電極240、和一個(gè)源/漏電極261和265。所述柵電極240包括對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體層220的多個(gè)柵極241和245。所述半導(dǎo)體層220包括多個(gè)溝道層223和227，它們?cè)趯?duì)應(yīng)于所述多個(gè)柵極241和245的部分上形成，并且在所述多個(gè)溝道層223和227的側(cè)面形成所述源極/漏極區(qū)221和225。所述源極/漏極區(qū)221和225分別通過(guò)所述接觸251和255與所述源/漏電極261和265電連接。
而且，所述半導(dǎo)體層220進(jìn)一步包括在所述多個(gè)柵極241和245之間的偏置區(qū)230，即在所述多個(gè)溝道層223和227之間。所述偏置區(qū)230包括以高濃度摻入與所述源極/漏極區(qū)221和225導(dǎo)電類型相同的雜質(zhì)的部分235、及一未摻入雜質(zhì)的偏置部分231，其中Lroff為在所述偏置區(qū)230的長(zhǎng)度Lr中的所述偏置部分231的長(zhǎng)度。
在圖2A中，附圖標(biāo)記270表示用于限定在所述多個(gè)柵極241和245之間的所述偏置區(qū)230中的偏置長(zhǎng)度Lroff的掩模。換句話說(shuō)，所述掩模270作為用于將雜質(zhì)離子注入到所述偏置區(qū)230的部分235中的掩模，并且所述偏置長(zhǎng)度Lroff要根據(jù)掩模270和所述偏置區(qū)230之間的重疊程度來(lái)決定。
圖3A表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一OLED中G單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的平面結(jié)構(gòu)的視圖，及圖3B表示沿圖3A的III-III線的G單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的橫截面結(jié)構(gòu)的視圖。
參考圖3A和3B，一個(gè)G單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管123包括一個(gè)半導(dǎo)體層320、一柵電極340、和一個(gè)源/漏電極361和365。所述柵電極340包括對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體層320的多個(gè)柵極341和345。所述半導(dǎo)體層320包括多個(gè)溝道層323和327，它們?cè)趯?duì)應(yīng)于所述多個(gè)柵極341和345的部分上形成，并且在所述多個(gè)溝道層323和327的側(cè)面形成所述源極/漏極區(qū)321和325。所述源極/漏極區(qū)321和325分別通過(guò)所述接觸351和355與所述源/漏電極361和365電連接。
而且，所述半導(dǎo)體層320進(jìn)一步包括在所述多個(gè)柵極341和345之間的偏置區(qū)330，即在所述多個(gè)溝道層323和327之間。所述偏置區(qū)330包括以高濃度摻入與所述源極/漏極區(qū)321和325導(dǎo)電類型相同的雜質(zhì)的部分335、及一未摻入雜質(zhì)的偏置部分331，其中Lgoff為在所述偏置區(qū)330的長(zhǎng)度Lg中的所述偏置部分331的長(zhǎng)度。
在圖3A中，附圖標(biāo)記370表示用于限定在所述多個(gè)柵極341和345之間的所述偏置區(qū)330的偏置長(zhǎng)度Lgoff的掩模。換句話說(shuō)，所述掩模370用于將雜質(zhì)離子注入到所述偏置區(qū)330的部分335中的掩模，并且所述偏置長(zhǎng)度Lgoff要根據(jù)掩模370和所述偏置區(qū)330之間的重疊程度來(lái)決定。
在所述R、G和B單元象素中具有最高發(fā)光效率的所述G單元象素的所述驅(qū)動(dòng)晶體管中，在所述多個(gè)柵極341和345之間的偏置區(qū)330的偏置長(zhǎng)度Lgoff要比具有低發(fā)光效率的R單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的多個(gè)柵極241和245之間的偏置區(qū)230的偏置長(zhǎng)度Lroff長(zhǎng)。
圖4A表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一OLED中B單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的平面結(jié)構(gòu)的視圖，及圖4B表示沿圖4A的IV-IV線的B單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的橫截面結(jié)構(gòu)的視圖。
參考圖4A和4B，一個(gè)B單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管133包括一個(gè)半導(dǎo)體層420、一柵電極440、和一個(gè)源/漏電極461和465。所述柵電極440包括多個(gè)對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體層420的柵極441和445。所述半導(dǎo)體層420包括多個(gè)溝道層423和427，它們?cè)趯?duì)應(yīng)于所述多個(gè)柵極441和445的部分上形成，并且在所述多個(gè)溝道層423和427的側(cè)面形成所述源極/漏極區(qū)421和425。所述源極/漏極區(qū)421和425分別通過(guò)所述接觸451和455與所述源/漏電極461和465電連接。
而且，所述半導(dǎo)體層420進(jìn)一步包括在所述多個(gè)柵極441和445之間的偏置區(qū)430，即在所述多個(gè)溝道層423和427之間。與所述R或G單元象素的情況不同，所述偏置區(qū)430全部以高濃度摻入與所述源極/漏極區(qū)421和425導(dǎo)電類型相同的雜質(zhì)。并且在所述偏置區(qū)430的長(zhǎng)度Lb中的偏置部分的長(zhǎng)度Lboff為零。
如上所述，在所述R、G和B單元象素中具有最高發(fā)光效率的所述G單元象素的所述驅(qū)動(dòng)晶體管中，在所述多個(gè)柵極341和345之間的偏置區(qū)330的偏置長(zhǎng)度Lgoff要比在具有低發(fā)光效率的R單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的多個(gè)柵極241和245之間的偏置區(qū)230的偏置長(zhǎng)度Lroff長(zhǎng)，并且在具有最低發(fā)光效率的B單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的多個(gè)柵極241和245之間的偏置區(qū)430被整個(gè)摻入雜質(zhì)以使長(zhǎng)度Lboff為零，使在所述R、G和B單元象素的多個(gè)柵極之間的偏置區(qū)的電阻值彼此不同，從而表現(xiàn)所述白平衡。
根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，在所述R、G和B單元象素的各驅(qū)動(dòng)晶體管的多個(gè)柵極之間的偏置區(qū)可以具有彼此不同的結(jié)構(gòu)，以便調(diào)整所述偏置區(qū)的電阻值，從而實(shí)現(xiàn)白平衡。
換句話說(shuō)，在彼此具有不同發(fā)光效率的R、G和B單元象素的多個(gè)柵極之間的偏置區(qū)的長(zhǎng)度Lr、Lg和Lb被形成為相等，而偏置區(qū)230、330和430中未摻入雜質(zhì)的偏置部分的長(zhǎng)度Lroff、Lgoff和Lboff彼此不同，使在所述R、G和B單元象素的多個(gè)柵極之間的偏置區(qū)的電阻值彼此不同，從而表現(xiàn)所述白平衡。
也就是，通過(guò)設(shè)置偏置區(qū)330的偏置長(zhǎng)度最長(zhǎng)，可使具有最高發(fā)光效率的所述G單元象素形成為具有最高電阻值。同時(shí)，通過(guò)對(duì)整個(gè)偏置區(qū)430進(jìn)行摻雜并設(shè)置所述偏置區(qū)430的偏置長(zhǎng)度為零，可使具有最低發(fā)光效率的B單元象素形成為具有最低電阻值。發(fā)光效率處于所述G單元象素和B單元象素的發(fā)光效率之間的所述R單元象素的所述偏置區(qū)230可以形成為具有比所述G單元象素的偏置區(qū)330的偏置長(zhǎng)度Lgoff短的偏置長(zhǎng)度Lroff，使所述R單元象素具有在所述G單元象素和B單元象素的電阻值之間的電阻值。
雖然本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例中的多個(gè)柵極包括兩個(gè)柵極，也可以形成下述的一種結(jié)構(gòu)，其中通過(guò)使得所述R、G和B單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的多個(gè)柵極之間的偏置區(qū)具有彼此不同的幾何結(jié)構(gòu)，而與柵極的數(shù)量和多個(gè)柵極的結(jié)構(gòu)無(wú)關(guān)，使得所述R、G和B單元象素的電阻值彼此不同。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，通過(guò)調(diào)整在所述R、G和B單元象素的多個(gè)柵極之間的偏置區(qū)的尺寸(W/L)并且改變所述偏置區(qū)的電阻值，可以實(shí)現(xiàn)白平衡。例如，通過(guò)使在所述R、G和B單元象素的多個(gè)柵極之間的偏置區(qū)的總長(zhǎng)度為定值并且形成彼此具有不同寬度的偏置區(qū)，所述R、G和B單元象素的偏置區(qū)可以形成為具有彼此不同的電阻值。而且，通過(guò)使在所述R、G和B單元象素的多個(gè)柵極之間的偏置區(qū)的寬度相同并且調(diào)整所述偏置區(qū)的總長(zhǎng)度不同，所述R、G和B單元象素的所述偏置區(qū)也可以形成彼此具有不同的電阻值。
還有，根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例，通過(guò)調(diào)整在所述R、G和B單元象素的多個(gè)柵極之間的偏置區(qū)的尺寸，并且同時(shí)調(diào)整在所述R、G和B單元象素的偏置區(qū)內(nèi)未摻入雜質(zhì)的偏置部分的長(zhǎng)度，對(duì)所述多個(gè)柵極之間的偏置區(qū)的電阻值進(jìn)行調(diào)整，從而可以實(shí)現(xiàn)白平衡。
圖5到圖7表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一有機(jī)發(fā)光二極管的平面結(jié)構(gòu)，其中僅限于顯示所述R、G和B單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管。
參考圖5，一個(gè)R單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管113包括一半導(dǎo)體層510、一柵電極531和535、和一個(gè)源/漏電極551和555。所述半導(dǎo)體層510包括多個(gè)溝道層523和527，它們?cè)趯?duì)應(yīng)于所述多個(gè)柵極531和535的部分上形成，并且在所述多個(gè)溝道層523和527的側(cè)面形成所述高濃度源極/漏極區(qū)521和525。所述高濃度源極/漏極區(qū)521和525分別通過(guò)所述接觸541和545與所述源/漏電極551和555電連接。
而且，所述半導(dǎo)體層510進(jìn)一步包括在所述多個(gè)柵極531和535之間形成的偏置區(qū)560，即在所述多個(gè)溝道層523和527之間。所述偏置區(qū)560具有的導(dǎo)電類型與所述源極/漏極區(qū)521和525的導(dǎo)電類型相同，并且為一個(gè)具有相當(dāng)?shù)碗s質(zhì)濃度的區(qū)域。
參考圖6，一個(gè)G單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管123包括一半導(dǎo)體層610、一多個(gè)柵極631和635、和一個(gè)源/漏電極651和655。所述半導(dǎo)體層610包括多個(gè)溝道層623和627，它們?cè)趯?duì)應(yīng)于所述多個(gè)柵極631和635的部分上形成，并且在所述多個(gè)溝道層623和627的側(cè)面形成所述高濃度源極/漏極區(qū)621和625。所述高濃度源極/漏極區(qū)621和625分別通過(guò)所述接觸641和645與所述源/漏電極651和655電連接。
而且，所述半導(dǎo)體層610進(jìn)一步包括在所述多個(gè)柵極631和635之間形成的偏置區(qū)660，即在所述多個(gè)溝道層623和627之間。所述偏置區(qū)660是一個(gè)未摻有雜質(zhì)的本征區(qū)域。因此，在具有最高發(fā)光效率的所述G單元象素中，在所述多個(gè)柵極631和635之間的偏置區(qū)660沒(méi)有摻入雜質(zhì)，使其電阻值高于摻入有相對(duì)低雜質(zhì)濃度的所述R單元象素的偏置區(qū)560的電阻值。
參考圖7，一個(gè)B單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管133包括一半導(dǎo)體層710、多個(gè)柵極731和735、和一個(gè)源/漏電極751和755。所述半導(dǎo)體層710包括多個(gè)溝道層723和727，它們?cè)趯?duì)應(yīng)于所述多個(gè)柵極731和735的部分上形成，并且在所述多個(gè)溝道層723和727的一個(gè)側(cè)面形成所述高濃度源極/漏極區(qū)721和725。所述高濃度源極/漏極區(qū)721和725分別通過(guò)所述接觸741和745與所述源/漏電極751和755電連接。
而且，所述半導(dǎo)體層710進(jìn)一步包括在所述多個(gè)柵極731和735之間形成的偏置區(qū)760，即在所述多個(gè)溝道層723和727之間。在這種情況下，所述B單元象素的所述偏置區(qū)760具有的導(dǎo)電類型與源極/漏極區(qū)721和725的導(dǎo)電類型相同，并且為一個(gè)摻入雜質(zhì)的濃度高于所述R單元象素的偏置區(qū)560的濃度的區(qū)域。因此，在具有最低發(fā)光效率的所述B單元象素的所述多個(gè)柵極73 1和735之間的偏置區(qū)760被摻入高濃度的雜質(zhì)，使所述偏置區(qū)760具有的電阻值在所述R、G和B單元象素中最低。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，彼此具有不同發(fā)光效率的所述R、G和B單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道層具有相同的尺寸，并且在所述單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的多個(gè)柵極之間的偏置區(qū)的長(zhǎng)度Lroff、Lgoff和Lboff被形成為相同值。這些偏置區(qū)被形成為具有彼此不同的電阻值，從而實(shí)現(xiàn)白平衡。
也就是，具有最高發(fā)光效率的G單元象素的偏置區(qū)660未摻入雜質(zhì)，使所述偏置區(qū)660具有一高電阻值。同時(shí)，具有最低發(fā)光效率的所述B單元象素的偏置區(qū)760被摻入高濃度的雜質(zhì)，使其形成為具有低電阻值。發(fā)光效率處于所述G單元象素和B單元象素的發(fā)光效率之間的R單元象素的偏置區(qū)560被摻入低濃度的雜質(zhì)，使其形成的電阻值在所述G單元象素和B單元象素的電阻值之間。
盡管在本發(fā)明的實(shí)施例中所示的多個(gè)柵極由兩個(gè)柵極組成，在本發(fā)明其它的實(shí)施例中，對(duì)于所述R、G和B單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管，能夠具有彼此不同的電阻值而與所述多個(gè)柵極的結(jié)構(gòu)和所述柵極的數(shù)量無(wú)關(guān)。而且，盡管所示的G單元象素的偏置區(qū)未摻入雜質(zhì)，并且所示的所述R單元象素和所述B單元象素的偏置區(qū)分別摻有高和低濃度的雜質(zhì)，對(duì)于所述R、G和B單元象素的驅(qū)動(dòng)晶體管的偏置區(qū)，也能夠被摻入彼此不同的濃度，以便具有不同的電阻值，從而實(shí)現(xiàn)白平衡。
根據(jù)上述的本發(fā)明實(shí)施例，通過(guò)調(diào)整所述R、G和B單元象素的多個(gè)柵極間的偏置區(qū)的電阻值或調(diào)整所述偏置區(qū)的幾何結(jié)構(gòu)，在不增加具有驅(qū)動(dòng)晶體管的所述R、G和B單元象素中占據(jù)的象素面積的條件下就能夠?qū)崿F(xiàn)白平衡。
雖然參考具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，應(yīng)該明白，本公開的目的僅在于以示例的方式說(shuō)明本發(fā)明，而不是限制本發(fā)明的范圍。并且本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不背離本發(fā)明的范圍和精神條件下可以做出各種修改和改變。
權(quán)利要求
1.一種平板顯示器，包括多個(gè)象素，其中每個(gè)所述多個(gè)象素包括分別表現(xiàn)紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)的R、G和B單元象素，并且其中每個(gè)所述單元象素包括具有多個(gè)柵極的晶體管，其中所述R、G和B單元象素中至少兩個(gè)單元象素的晶體管均包括在所述多個(gè)柵極之間彼此具有不同幾何結(jié)構(gòu)的偏置區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述平板顯示器，其中所述R、G和B單元象素均還包括分別由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光裝置，其中用于驅(qū)動(dòng)具有所述R、G和B單元象素的晶體管中最高發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)的電阻值高于用于驅(qū)動(dòng)具有相對(duì)低發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)的電阻值。
3.如權(quán)利要求1所述平板顯示器，其中在所述R、G和B單元象素的所述晶體管的所述多個(gè)柵極之間的所述偏置區(qū)的總長(zhǎng)度相同，并且其中未摻有雜質(zhì)的所述偏置區(qū)內(nèi)的部分的偏置長(zhǎng)度彼此不同。
4.如權(quán)利要求3所述平板顯示器，其中所述R、G和B單元象素均還包括分別由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光裝置，其中用于驅(qū)動(dòng)具有所述晶體管中最高發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)的偏置長(zhǎng)度比用于驅(qū)動(dòng)具有相對(duì)低發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)的偏置長(zhǎng)度長(zhǎng)。
5.如權(quán)利要求1所述平板顯示器，其中在所述R、G和B單元象素的所述晶體管的所述多個(gè)柵極之間的偏置區(qū)的總長(zhǎng)度相同，并且所述偏置區(qū)具有彼此不同的寬度。
6.如權(quán)利要求5所述平板顯示器，其中所述R、G和B單元象素均還包括分別由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光裝置，其中用于驅(qū)動(dòng)具有所述晶體管中最高發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)的偏置寬度比用于驅(qū)動(dòng)具有相對(duì)低發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)的偏置寬度寬。
7.如權(quán)利要求1所述平板顯示器，其中在所述R、G和B單元象素的所述晶體管的多個(gè)柵極之間的偏置區(qū)的寬度相同，并且所述偏置區(qū)具有彼此不同的長(zhǎng)度。
8.如權(quán)利要求7所述平板顯示器，其中所述R、G和B單元象素均還包括分別由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光裝置，其中用于驅(qū)動(dòng)具有所述晶體管中最高發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)的偏置長(zhǎng)度比用于驅(qū)動(dòng)具有相對(duì)低發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)的偏置長(zhǎng)度長(zhǎng)。
9.一種平板顯示器，包括多個(gè)象素，其中所述多個(gè)象素均包括分別表現(xiàn)紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)的R、G和B單元象素，并且其中所述單元象素均包括具有多個(gè)柵極的晶體管，其中所述R、G和B單元象素中至少兩個(gè)單元象素的晶體管均包括在所述多個(gè)柵極之間彼此具有不同電阻值的偏置區(qū)。
10.如權(quán)利要求9所述平板顯示器，其中彼此具有不同電阻值的單元象素均分別包括發(fā)光裝置，并且所述用于控制供應(yīng)到每個(gè)單元象素的發(fā)光裝置的電流的晶體管具有相同尺寸的溝道層。
11.如權(quán)利要求9所述平板顯示器，其中所述R、G和B單元象素均包括分別由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光裝置，并且通過(guò)由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的所述發(fā)光裝置的發(fā)光效率來(lái)決定所述晶體管的偏置區(qū)的電阻值。
12.如權(quán)利要求11所述平板顯示器，其中用于驅(qū)動(dòng)具有所述R、G和B單元象素的所述晶體管中最高發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)的電阻值高于用于驅(qū)動(dòng)具有相對(duì)低發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)的電阻值。
13.如權(quán)利要求9所述平板顯示器，其中所述R、G和B單元象素的所述晶體管的所述偏置區(qū)具有彼此不同的摻雜濃度。
14.如權(quán)利要求13所述平板顯示器，其中所述R、G和B單元象素均還包括分別由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光裝置，其中用于驅(qū)動(dòng)具有所述晶體管中最高發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)被摻入的雜質(zhì)濃度低于用于驅(qū)動(dòng)具有相對(duì)低發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)的雜質(zhì)濃度。
15.如權(quán)利要求9所述平板顯示器，其中所述R、G和B單元象素的所述晶體管中至少兩個(gè)晶體管的所述偏置區(qū)被摻入濃度彼此不同的雜質(zhì)。
16.如權(quán)利要求15所述平板顯示器，其中所述R、G和B單元象素均還包括分別由所述晶體管驅(qū)動(dòng)的發(fā)光裝置，并且用于驅(qū)動(dòng)具有在所述至少兩個(gè)晶體管中高發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)被摻入雜質(zhì)的濃度低于其它晶體管的雜質(zhì)濃度。
全文摘要
本發(fā)明公開一種平板顯示器，通過(guò)使所述R、G和B單元象素中的驅(qū)動(dòng)晶體管的多個(gè)柵極之間的偏置區(qū)的偏置長(zhǎng)度或摻雜濃度不同能夠提高白平衡。該平板顯示器包括多個(gè)象素，其中所述象素均包括分別表現(xiàn)紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)的R、G和B單元象素，并且所述單元象素均包括具有多個(gè)柵極的晶體管。所述R、G和B單元象素中至少兩個(gè)單元象素的晶體管的偏置區(qū)在所述多個(gè)柵極之間具有彼此不同的幾何結(jié)構(gòu)。與用于驅(qū)動(dòng)具有相對(duì)低發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)相比，用于驅(qū)動(dòng)具有所述R、G和B單元象素的晶體管中最高發(fā)光效率的發(fā)光裝置的晶體管的偏置區(qū)具有更長(zhǎng)的偏置長(zhǎng)度或更低的摻雜濃度。
文檔編號(hào)H01L27/32GK1541037SQ20041003288
公開日2004年10月27日 申請(qǐng)日期2004年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月17日
發(fā)明者具在本, 樸商一, 李乙浩, 金鎮(zhèn)洙, 鄭鎮(zhèn)雄, 李昌圭 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社