專利名稱：一種用于半導(dǎo)體芯片制作中的圖形電極金屬膜剝離方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是一種用于半導(dǎo)體芯片制作中金屬膜圖形電極金屬膜剝離方法。本方法主要用于半導(dǎo)體芯片制作中電極的制作，特別適合于不能用光刻腐蝕的方法制造半導(dǎo)體芯片圖形電極的情況。
背景方法在半導(dǎo)體芯片制作過(guò)程中，圖形電極的制作是芯片制作中最后關(guān)鍵的一步，圖形電極制作失敗，會(huì)使整個(gè)芯片制作前功盡棄，因此，在半導(dǎo)體芯片制作的發(fā)展過(guò)程中，總是根據(jù)不同芯片對(duì)圖形電極的要求，尋求最好的圖形電極制作方法。金屬膜的光刻腐蝕是制造半導(dǎo)體芯片圖形電極方法之一，但有些金屬膜(多層金屬膜，用化學(xué)品難腐蝕或根本無(wú)法腐蝕的金屬膜)采用光刻腐蝕方法是難以或無(wú)法實(shí)現(xiàn)的，只能采用剝離方法；為了使金屬膜剝離容易進(jìn)行，常采用負(fù)性光刻膠作為剝離介質(zhì)，但負(fù)性光刻膠存在除膠清洗難的問(wèn)題；采用單層正性光刻膠作為剝離介質(zhì)時(shí)，由于顯影后的光刻膠剖面為“正臺(tái)”，剝離質(zhì)量難以保證；本發(fā)明提供了一種采用雙層正性光刻膠作為剝離介質(zhì)的新方法，這種方法簡(jiǎn)單易行，使芯片圖形電極的剝離十分可靠。

發(fā)明內(nèi)容
半導(dǎo)體芯片制作過(guò)程中的圖形電極制作是事關(guān)芯片制作成敗的關(guān)鍵，采用雙層正性光刻膠作為剝離介質(zhì)的新方法，能得到所希望的“倒臺(tái)”光刻膠剖面，使電子束蒸發(fā)后的金屬膜的剝離變得十分容易，本發(fā)明的方法步驟是(1)涂第一層正性光刻膠，烘烤；烘烤溫度是攝氏80-100度，時(shí)間是10-60分鐘；(2)涂第二層正性光刻膠；烘烤；
(3)圖形暴光；顯影；時(shí)間是10-60秒；(4)電子束蒸發(fā)電極金屬膜；(5)電極金屬膜剝離；(6)丙酮超聲，去離子水沖洗，N2吹干。
本發(fā)明獨(dú)特之處是通過(guò)兩次涂敷正性光刻膠，這不僅是簡(jiǎn)單的增加了剝離膠的厚度，更重要的是通過(guò)調(diào)節(jié)工藝條件，能得到非常有利于剝離的所謂“倒臺(tái)”光刻膠剖面。
本發(fā)明益處在于1.采用雙層涂敷正性光刻膠，調(diào)節(jié)光刻條件，能得到“倒臺(tái)”光刻膠剖面；2.圖形電極剝離容易，可靠；3.電極剝離方法實(shí)現(xiàn)了圖形的自對(duì)準(zhǔn)，提高了電極精度；4.特別適合于不能用光刻腐蝕的方法制造半導(dǎo)體芯片圖形電極的情況。


圖1半導(dǎo)體芯片制作中的圖形電極金屬膜剝離步驟簡(jiǎn)圖
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1，首先在清洗干凈的晶片上涂第一層正性光刻膠，進(jìn)行低溫烘烤，通過(guò)低溫烘烤，烘烤溫度是攝氏80-100度，時(shí)間是10-60分鐘；可除去膠中大部分溶劑，避免第二層膠與第一層絞互相混合溶解；在第一層正性光刻膠上再涂第二層正性光刻膠，進(jìn)行二次烘烤，目的也是為了除去膠中大部分溶劑，使膠有一定的強(qiáng)度，便于光刻操作；然后進(jìn)行圖形對(duì)準(zhǔn)與暴光；再進(jìn)行顯影，時(shí)間是10-60秒，通過(guò)調(diào)節(jié)烘膠，暴光，顯影條件，以得到“倒臺(tái)”光刻膠剖面；對(duì)顯影后的晶片進(jìn)行清洗，烘烤；利用電子束蒸發(fā)設(shè)備進(jìn)行TiPtAu電極金屬膜蒸發(fā)，蒸發(fā)順序是Ti膜，Pt膜，Au膜；蒸發(fā)后，從蒸發(fā)設(shè)備真空室中取出蒸發(fā)晶片；將取出的蒸發(fā)晶片放入丙酮中浸泡，完成電極金屬膜剝離；將完成剝離的晶片進(jìn)行丙酮超聲，去離子水沖洗清潔處理，除去晶片上殘留的光刻膠及附著的金屬碎末。
實(shí)施例2，首先在清洗干凈的晶片上涂第一層正性光刻膠，進(jìn)行低溫烘烤，烘烤溫度是攝氏80-100度，時(shí)間是10-60分鐘；通過(guò)低溫烘烤，可除去膠中大部分溶劑，避免第二層膠與第一層絞互相混合溶解；在第一層正性光刻膠上再涂第二層正性光刻膠，進(jìn)行二次烘烤，目的也是為了除去膠中大部分溶劑，使膠有一定的強(qiáng)度，便于光刻操作；然后進(jìn)行圖形對(duì)準(zhǔn)與暴光；再進(jìn)行顯影，時(shí)間是10-60秒，通過(guò)調(diào)節(jié)烘膠，暴光，顯影條件，以得到“倒臺(tái)”光刻膠剖面；對(duì)顯影后的晶片進(jìn)行清洗，烘烤；利用電子束蒸發(fā)設(shè)備進(jìn)行TiAlNiAu電極金屬膜蒸發(fā)，蒸發(fā)順序是Ti膜，Al膜，Ni膜，Au膜；蒸發(fā)后，從蒸發(fā)設(shè)備真空室中取出蒸發(fā)晶片；將取出的蒸發(fā)晶片放入丙酮中浸泡，完成電極金屬膜剝離；將完成剝離的晶片進(jìn)行丙酮超聲，去離子水沖洗清潔處理，除去晶片上殘留的光刻膠及附著的金屬碎末。
權(quán)利要求
1.一種用于半導(dǎo)體芯片制作中的圖形電極金屬膜剝離方法，由以下主要步驟構(gòu)成(1)涂第一層正性光刻膠，烘烤；烘烤溫度是攝氏80-100度，時(shí)間是10-60分鐘；(2)涂第二層正性光刻膠；烘烤；(3)圖形暴光；顯影；時(shí)間是10-60秒；(4)電子束蒸發(fā)電極金屬膜；(5)電極金屬膜剝離；(6)丙酮超聲，去離子水沖洗，N2吹干。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種用于半導(dǎo)體芯片制作中的圖形電極金屬膜剝離方法。當(dāng)半導(dǎo)體芯片電極采用化學(xué)方法代以腐蝕的金屬膜時(shí)，圖形電極只好采用剝離方法獲得。本發(fā)明提供了一種采用雙層正性光刻膠作為剝離介質(zhì)的新方法本方法的特點(diǎn)是得到“倒臺(tái)”光刻膠剖面，使電子束蒸發(fā)后的金屬膜的剝離變得十分容易；采用該方法所得到圖形電極完好，邊緣清晰，附著力牢；方法簡(jiǎn)單易行，工藝可靠；適合于半導(dǎo)體芯片制作中多層金屬膜圖形電極的制作。
文檔編號(hào)H01L21/768GK1767153SQ20041003617
公開(kāi)日2006年5月3日 申請(qǐng)日期2004年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月25日
發(fā)明者徐之韜, 邱樹(shù)添 申請(qǐng)人:廈門三安電子有限公司