專利名稱：有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置(Organic Electro-luminescentDisplay Device)，尤系關(guān)于裝置基板上配置多個(gè)像素以形成像素區(qū)域(pixel region)，且在各像素包含有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件，及為驅(qū)動(dòng)該有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)用晶體管的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
近幾年來(lái)，使用有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置，系以替代陰極射線管(CRT)及液晶顯示(LCD)的顯示裝置，受人注目。例如具備做為驅(qū)動(dòng)該有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件的交換光元件(switching element)用薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)的電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置的研究開(kāi)發(fā)，亦在多方進(jìn)行。
圖7為有關(guān)該有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置的部分平面圖。而圖8即為該有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置的剖面圖。
有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置，系在裝置基板100上，配置像素基板200以及在該周邊作為驅(qū)動(dòng)電路的水平驅(qū)動(dòng)電路250與垂直驅(qū)動(dòng)電路260。由垂直驅(qū)動(dòng)電路260對(duì)像素基板200的各像素供應(yīng)像素選擇信號(hào)亦即柵極信號(hào)Gn。而水平驅(qū)動(dòng)電路250，即依水平掃描信號(hào)向像素基板200的各像素，提供顯示信號(hào)Dm的電路者，分別使用移位緩存器(shiftregister)構(gòu)成之。
像素基板200系將多個(gè)像素配置成一矩陣狀者。圖7中僅表示其中的一個(gè)像素GS。茲將該像素GS說(shuō)明如下供應(yīng)柵極信號(hào)Gn的柵極信號(hào)線201，及提供顯示信號(hào)Dm的漏極信號(hào)線202互為交叉狀，而在該兩信號(hào)線的交叉點(diǎn)附近，配置有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件203；驅(qū)動(dòng)該有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件203的驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管204，及為選擇像素的像素選擇用晶體管205。
在驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管204的漏極204d施加正電源電壓PVdd，復(fù)將驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管(TFT)204的源極204s連于有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件203的陽(yáng)極。亦在像素選擇用晶體管205的柵極連接?xùn)艠O信號(hào)線201，由該柵極信號(hào)線201供應(yīng)柵極信號(hào)Gn。又于像素選擇用晶體管205的漏極連接漏極信號(hào)線202，由該漏極信號(hào)線202供給顯示信號(hào)Dm。像素選擇用晶體管205的源極則連接于驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管204的柵極。
有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件203，系由陽(yáng)極、陰極以及形成于該陽(yáng)極與陰極間的發(fā)光元件層構(gòu)成。而于陰極施加有負(fù)電源電壓CV。
驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管204的柵極連接于保持電容器206。也就是說(shuō)將保持電容器206的一方電極連接在驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管204的柵極，另一方電極即連接于保持電容器的電極207。而保持電容器206系由保持對(duì)應(yīng)于顯示信號(hào)Dm的電荷，設(shè)定為經(jīng)由像素選擇用薄膜晶體管205保持施加于驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管204柵極的顯示信號(hào)Dm，持續(xù)1個(gè)電場(chǎng)(field)期間者。
上述構(gòu)成的電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置的動(dòng)作說(shuō)明如下唯于本說(shuō)明中，暫定驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管204為P通道型，而像素選擇用晶體管205即為N通道型者。
當(dāng)柵極信號(hào)Gn于1水平期間成為”高”(H)準(zhǔn)位時(shí)，像素選擇用薄膜晶體管205導(dǎo)通(on)。即由漏極信號(hào)線202經(jīng)由像素選擇用晶體管205，將顯示信號(hào)Dm施加于驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管204的柵極。然后，依供給于該柵極的顯示信號(hào)Dm，使驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管204的源.漏極電導(dǎo)(conductance)變化，且以對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流，經(jīng)由驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管204供給于有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件203，使有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件203點(diǎn)亮。
然而若有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件203吸收水分時(shí)，該特性將劣化。于是以往乃如圖8所示，使用環(huán)氧樹(shù)脂所成的密封樹(shù)脂301將封裝玻璃基板300黏貼在上述裝置基板100上。復(fù)于封裝基板300的相對(duì)于裝置基板100側(cè)的表面形成凹部302，而于該凹部302底部黏貼干燥劑層303。
<專利文獻(xiàn)1>日本.特開(kāi)2002-175029號(hào)公報(bào)。
(發(fā)明所欲解決的問(wèn)題)唯如圖7及8圖所示，在驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管204上層形成覆蓋該驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管204的有機(jī)層間絕緣膜208，藉由設(shè)在該有機(jī)層間絕緣膜208的觸接孔，將驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管204的源極204s連接在有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件203的陽(yáng)極。因有機(jī)層間絕緣膜208系低應(yīng)力、低介質(zhì)常數(shù)(low-dielectric constant)的較厚的構(gòu)成，且為廉價(jià)，故具有適于作為層間絕緣膜的特性，在反方面，卻具有水分透過(guò)率(容許水分透過(guò)的比率)較高的特性。
因此，由有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置外部經(jīng)過(guò)密封樹(shù)脂301進(jìn)入的水分的一部分，即通過(guò)該有機(jī)層間絕緣膜208而到達(dá)像素區(qū)域200，而有導(dǎo)致有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件203的特性劣化的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，于本發(fā)明的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置，系在裝置基板上，配置多個(gè)像素為矩陣狀形成為像素區(qū)域，而在該像素區(qū)域的各像素設(shè)置有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件，及為驅(qū)動(dòng)該有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)用晶體管。再將有機(jī)層間絕緣膜形成于驅(qū)動(dòng)用晶體管上層，有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件的下層位置。然后，以配置于像素區(qū)域的周邊區(qū)域上的密封構(gòu)件，將封裝基板黏貼于裝置基板，而有機(jī)層間絕緣膜即由設(shè)在密封構(gòu)件與像素區(qū)域間的間斷區(qū)域予以分開(kāi)。
由此，即使有水分由外部通過(guò)密封構(gòu)件侵入有機(jī)層間絕緣膜，能以上述間斷區(qū)域阻止該水分的侵入，防止水再侵入像素區(qū)域。


圖1為本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置的部分平面圖。
圖2為本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置的剖面圖。
圖3系表示有關(guān)本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置的像素區(qū)域及其周邊區(qū)域的剖面圖。
圖4系表示有關(guān)本發(fā)明第2實(shí)施形態(tài)的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置的像素區(qū)域及其周邊區(qū)域的剖面圖。
圖5系表示有關(guān)本發(fā)明第3實(shí)施形態(tài)的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置的像素區(qū)域及其周邊區(qū)域的剖面圖。
圖6系表示有關(guān)本發(fā)明第4實(shí)施形態(tài)的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置的像素區(qū)域及其周邊區(qū)域的剖面圖。
圖7系有關(guān)習(xí)用有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置的剖分平面圖。
圖8系有關(guān)習(xí)用有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置的剖面圖。
100裝置基板 200像素基板(像素區(qū)域)201柵極信號(hào)線202漏極信號(hào)線203有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件 204驅(qū)動(dòng)用晶體管(TFT)205像素選擇用晶體管(TFT)206保持電容 207保持電容電極208有機(jī)層間絕緣膜211主動(dòng)層212柵極絕緣層213柵極電極214第1層間絕緣膜 215漏極電極216A、216B有機(jī)層間絕緣膜217源極電極 218陽(yáng)極層219第3層間絕緣膜 220空穴輸送層221發(fā)光層222電子輸送層223陰極層230保護(hù)膜250水平驅(qū)動(dòng)電路 260垂直驅(qū)動(dòng)電路300封裝基板 301密封樹(shù)脂302凹部 303干燥劑層具體實(shí)施方式
繼之，就本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)，參照附圖詳述于后圖1為有關(guān)本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置的部分平面圖。圖2為該剖面圖。在圖1及圖2中，其與圖7及圖8相同的構(gòu)成部分，即僅附注同相同符號(hào)，而省略該部分的說(shuō)明。
有機(jī)層間絕緣膜216A、216B形成于驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管204上層，藉由設(shè)在有機(jī)層間絕緣膜216B的觸接孔，將驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管204的漏極連接于有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件203的陽(yáng)極。而該有機(jī)層間絕緣膜216A、216B系以例如丙烯酸(acryl)系樹(shù)脂形成。
有機(jī)層間絕緣膜216A、216B系由設(shè)在密封樹(shù)脂301與像素區(qū)域200間的間斷區(qū)域S予以分開(kāi)。換言之，以有機(jī)層間絕緣膜216B覆蓋像素區(qū)域200，而以有機(jī)層間絕緣膜216A覆蓋像素區(qū)域200的周邊區(qū)域，并且延伸至裝置基板100的端部。在間斷區(qū)域S，當(dāng)然無(wú)有機(jī)層間絕緣膜216A、216B的存在。
于像素區(qū)域200的周邊，配置水平驅(qū)動(dòng)電路250及垂直驅(qū)動(dòng)電路260，但間斷區(qū)域S則配置于水平驅(qū)動(dòng)電路250與像素區(qū)域200間及垂直驅(qū)動(dòng)電路260與像素區(qū)域200間。密封樹(shù)脂301雖系夾持于裝置基板100與封裝基板300間，但如圖1所示，系配置在包含水平驅(qū)動(dòng)電路250及垂直驅(qū)動(dòng)電路260的區(qū)域。
如上所述，依本發(fā)明，有機(jī)層間絕緣膜216A、216B系由設(shè)于密封樹(shù)脂301與像素區(qū)域200間的間斷區(qū)域S予以分開(kāi)，因此，即使有外部水分通過(guò)密封樹(shù)脂301侵入像素區(qū)域200周邊的有機(jī)層間絕緣膜216A，亦能阻止水分由上述間斷區(qū)域S侵入，因而，水分不致于侵入鄰接像素區(qū)域200側(cè)的有機(jī)層間絕緣膜216B。
再如圖2所示，通過(guò)密封樹(shù)脂301等部分而進(jìn)入裝置基板100與封裝基板300間隙的水分，即由干燥劑層303予以吸收。因此，可解除于像素區(qū)域200的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件203因水分侵入而導(dǎo)致特性劣化的問(wèn)題。
其次，就像素區(qū)域200及其周邊區(qū)域的構(gòu)造進(jìn)一步予以詳述。圖3系表示像素區(qū)域200的一個(gè)像素GS的驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管204及其周邊區(qū)域的部分剖面圖。在石英玻璃、或無(wú)堿玻璃等所成的透明絕緣性基板100上，形成驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管204及有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件203。其中，驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管204，系由于非晶硅膜照射雷射光予以多晶硅化所成的主動(dòng)層211；依SiO-2膜及SiN膜的順序堆積的柵極絕緣膜212，及Cr、Mo等高融點(diǎn)金屬所成的柵極電極213系依序予以形成者。且在該主動(dòng)層211設(shè)有通道(channel)及該通道兩側(cè)的源極204s及漏極204d。
然后，在柵極絕緣膜212及主動(dòng)層211上全面，依SiO2膜、SiN膜及SiO2膜的順序堆積成第1層間絕緣膜214。再且，在對(duì)應(yīng)于漏極204d設(shè)置的觸接孔充填A(yù)l等金屬，而形成漏極電極215。將該漏極電極215連接于驅(qū)動(dòng)電源PVdd。另一方面，亦于對(duì)應(yīng)源極204s設(shè)觸接孔充填A(yù)l等金屬，而形成源極電極217。
復(fù)于全面，形成由SiN膜所成的保護(hù)膜230，以形成第2層間絕緣膜亦即有機(jī)層間絕緣膜216B，然后，在該有機(jī)層間絕緣膜216B，對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管204的源極204s位置形成觸接孔，藉由該觸接孔，將與源極電極217觸接的由ITO所成的透明電極，亦即有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件203的陽(yáng)極層218形成在有機(jī)層間絕緣膜216B上。該陽(yáng)極層218系就每一像素GS間斷為各島嶼狀予以形成者。
將第3層間絕緣膜219形成在陽(yáng)極層218周邊，去除陽(yáng)極層218上的第3層間絕緣膜219。有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件203系以陽(yáng)極層218、空穴(hole)輸送層330、發(fā)光層221、電子輸送層222、陰極層223的順序積層而成。
另一方面，在周邊區(qū)域中，將像素區(qū)域200的柵極絕緣層212、第1層間絕緣膜214延伸在透明絕緣性基板100上，且在第1層間絕緣膜214上形成漏極信號(hào)線202。漏極信號(hào)線202系以鋁或鋁合金形成，并由保護(hù)膜230予以覆蓋。
復(fù)于漏極信號(hào)線202上，經(jīng)由該保護(hù)膜230，形成有機(jī)層間絕緣膜216A、216B。有機(jī)層間絕緣膜216B系由像素區(qū)域200連續(xù)至該周邊區(qū)域，唯在有機(jī)層間絕緣膜216A與有機(jī)層間絕緣膜216B間，系由間斷區(qū)域S予以分開(kāi)。且于有機(jī)層間絕緣膜216A上，承載密封樹(shù)脂301端部。該間斷區(qū)域S的分開(kāi)寬度，系以能防止侵入密封樹(shù)脂301的水分經(jīng)由有機(jī)層間絕緣膜216A侵入該鄰接有機(jī)層間絕緣膜216B的充分寬度的5μm以上為宜。
其次，就本發(fā)明的第2實(shí)施形態(tài)說(shuō)明于后在第1實(shí)施形態(tài)中，系使密封樹(shù)脂301的端部位于有機(jī)層間絕緣膜216A上，但得知圖4所示，使密封樹(shù)脂301的端部位于有機(jī)層間絕緣膜216A與有機(jī)層間絕緣膜及216B的間斷區(qū)域S中。依據(jù)該構(gòu)造，密封樹(shù)脂301的端部將與像素區(qū)域200側(cè)的有機(jī)層間絕緣膜216B，相隔一定距離d1，因而，能防止侵入密封樹(shù)脂301的水分侵入有機(jī)層間絕緣膜216B。
其次，說(shuō)明本發(fā)明的第3實(shí)施形態(tài)。前述本發(fā)明的第1及第2實(shí)施形態(tài)，系如圖4及圖5所示，該漏極信號(hào)線202系由鋁等的單一層予以配線者。但于本實(shí)施形態(tài)中，系如圖6所示，該漏極信號(hào)線202系由以鋁等形成的上層配線202A與藉由第1層間絕緣膜214的下層配線202B構(gòu)成。
也就是說(shuō)下層配線202B系在形成驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管204的柵極電極213同一制程形成，且具同一材質(zhì)的配線，又于該下層配線202B的兩端部上的第1層間絕緣膜214形成觸接孔，藉由該觸接孔將上層配線202A連接于下層配線202B的兩端部。然后，將有機(jī)層間絕緣膜216A、216B的間斷區(qū)域S配置在下層配線202B上的第1層間絕緣膜214上，且由有機(jī)層間絕緣膜216A、216B覆蓋上層配線202A。
此乃如第1及第2實(shí)施形態(tài)，將漏極信號(hào)線202以鋁等的單一層予以配線時(shí)，在間斷區(qū)域S中，漏極信號(hào)線202不為較厚的有機(jī)層間絕緣膜216A、216B覆蓋，因而在之后蝕刻陽(yáng)極層218而留存于預(yù)定區(qū)域時(shí)，有蝕刻到保護(hù)膜230而有導(dǎo)致下層的漏極信號(hào)線202受到傷害之虞而設(shè)者。因此，如本實(shí)施形態(tài)，在間斷區(qū)域S使上層配線202A傍通(bypass)到下層配線202B，再將上層配線202A以有機(jī)層間絕緣膜216A、216B覆蓋，即可使漏極信號(hào)線202避免受到蝕刻傷害。
繼而說(shuō)明本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)。于第3實(shí)施形態(tài)中，系使密封樹(shù)脂301端部位于有機(jī)層間絕緣膜216A上，但得如圖6所示，使密封樹(shù)脂301的端部位于有機(jī)層間絕緣膜216A與有機(jī)層間絕緣膜216B的間斷區(qū)域S中的位置。在此種構(gòu)造中，亦使密封樹(shù)脂301端部與像素區(qū)域200側(cè)的有機(jī)層間絕緣膜216B分開(kāi)一定距離d2，因而，能防止侵入密封樹(shù)脂301的水分侵入有機(jī)層間絕緣膜216B。
于上述各實(shí)施形態(tài)中，皆設(shè)有隔開(kāi)有機(jī)層間絕緣膜216A、216B的間斷區(qū)域S，唯于本發(fā)明并不限定于設(shè)置上述層間絕緣膜，亦可適用于作為其它用途的如保護(hù)膜或平坦化絕緣膜等的有機(jī)絕緣膜，即可由設(shè)定同樣的間斷區(qū)域，防止水分侵入。
于上述實(shí)施形態(tài)中，必定在密封樹(shù)脂301下層的大略全面配置有機(jī)層間絕緣膜216A者。唯本發(fā)明得為不同的構(gòu)成。如上述，有機(jī)層間絕緣膜216A在進(jìn)行像素區(qū)域內(nèi)的陽(yáng)極層218蝕刻時(shí)，有使漏極信號(hào)線202等配線免于蝕刻傷害的保護(hù)作用。換言之，在沒(méi)有漏極信號(hào)線202等的鋁、或鋁合金配線形成的區(qū)域，即無(wú)需形成有機(jī)層間絕緣膜216A。因此，亦可予以作成同樣的圖案(patterning)。唯于此時(shí)，系在密封樹(shù)脂301下層配置已作成圖案的有機(jī)層間絕緣膜216A，故于有機(jī)層間絕緣膜216A或在密封樹(shù)脂301，設(shè)有一定間隔寬度或預(yù)定的間斷距離d1。
于上述各實(shí)施形態(tài)中，系使用玻璃為封裝基板300，但該封裝基板并不限于玻璃，得使用塑料或不透明材料。但以具有與密封樹(shù)脂的良佳黏貼性為宜。
于上述各實(shí)施形態(tài)中，系以底部放射(bottom-emission)型的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置為范例予以說(shuō)明。但亦適用于頂端放射(top-emission)型的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置。
(發(fā)明的效果)如依本發(fā)明，即使有外部水分通過(guò)密封樹(shù)脂而侵入有機(jī)層間絕緣膜，亦得由有機(jī)層間絕緣膜的間斷區(qū)域予以阻止，因而，得以防止水分的進(jìn)一步侵入像素區(qū)域，由此，可提升有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置的可靠性。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置，系具有裝置基板；在上述裝置基板上，配置由多個(gè)含有有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件的像素形成的像素區(qū)域；藉由配置在上述像素區(qū)域的周邊區(qū)域的密封構(gòu)件，黏貼于上述裝置基板的封裝基板，及配置于上述裝置基板上，而由設(shè)置在上述密封構(gòu)件與上述像素區(qū)域間的間斷區(qū)域予以分開(kāi)的有機(jī)絕緣膜者。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置，其中，上述有機(jī)絕緣膜由丙烯酸系樹(shù)脂形成。
3.一種有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置，系具有裝置基板；在上述裝置基板上，配置多個(gè)像素而劃定像素區(qū)域，各像素含有有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件及為驅(qū)動(dòng)該有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)用晶體管，而于上述驅(qū)動(dòng)用晶體管上層，上述有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件的下層配置的有機(jī)層間絕緣膜，及藉由配置在上述像素區(qū)域的周邊區(qū)域上的密封構(gòu)件，黏貼于上述裝置基板的封裝基板；且將上述有機(jī)層間絕緣膜，以設(shè)置在上述密封構(gòu)件與上述像素區(qū)域間的間斷區(qū)域予以分開(kāi)。
4.一種有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置，系具有裝置基板；在上述裝置基板上，配置多個(gè)像素而劃定像素區(qū)域，各像素含有有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件及為驅(qū)動(dòng)該有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)用晶體管，而于上述驅(qū)動(dòng)用晶體管上層，且系上述有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件下層配置的有機(jī)層間絕緣膜，及藉由配置在上述像素區(qū)域的周邊區(qū)域上的密封構(gòu)件，黏貼于上述裝置基板的封裝基板；且將上述有機(jī)層間絕緣膜，以間斷區(qū)域予以分開(kāi)，以使上述密封構(gòu)件端部配置在上述間斷區(qū)域內(nèi)。
5.如權(quán)利要求3或4所述的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置，其中，上述有機(jī)層間絕緣膜由丙烯酸系樹(shù)脂形成。
6.如權(quán)利要求3或4所述的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置，其中，于上述像素區(qū)域的周邊配置水平驅(qū)動(dòng)電路，而將上述有機(jī)層間絕緣膜的上述間斷區(qū)域配置在上述水平驅(qū)動(dòng)電路與上述像素區(qū)域之間。
7.如權(quán)利要求3或4所述的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置，其中，于上述像素區(qū)域的周邊配置垂直驅(qū)動(dòng)電路，而將上述有機(jī)層間絕緣膜的上述間斷區(qū)域配置在上述垂直驅(qū)動(dòng)電路與上述像素區(qū)域之間。
8.如權(quán)利要求3或4所述的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置，其中，將配置在上述密封構(gòu)件下層的有機(jī)層間絕緣膜，對(duì)應(yīng)于上述有機(jī)層間絕緣膜下層的配線而作成圖案。
9.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置，系具有由上述水平驅(qū)動(dòng)電路向上述像素區(qū)域延伸，且具對(duì)上述驅(qū)動(dòng)用晶體管供應(yīng)顯示信號(hào)的漏極信號(hào)線，而使上述漏極信號(hào)線橫跨上述有機(jī)層間絕緣膜的上述間斷區(qū)域。
10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置，其中，上述漏極信號(hào)線由上層配線及連接于該上層配線的下層配線構(gòu)成，且于上述間斷區(qū)域下方，藉由無(wú)機(jī)絕緣膜配置上述下層配線，而將上述上層配線以上述有機(jī)層間絕緣膜予以覆蓋。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置，系為防止水分侵入像素區(qū)域，且可提升有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置的可靠性者。此有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光顯示裝置系于裝置基板(100)上配置多個(gè)像素成矩陣狀，形成為像素區(qū)域(200)，且在該像素區(qū)域(200)的各像素設(shè)有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件(203)，及為驅(qū)動(dòng)該有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)用晶體管(204)。再以有機(jī)層間絕緣膜(216A)、(216B)形成于上述驅(qū)動(dòng)用晶體管(204)上層，有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件(203)的下層。再經(jīng)由配置在像素區(qū)域的周邊區(qū)域上的密封構(gòu)件(301)，將封裝基板(300)黏貼在裝置基板(100)上，而有機(jī)層間絕緣膜(216A)、(216B)即由設(shè)于密封構(gòu)件(301)與像素區(qū)域(200)間的間斷區(qū)域S而予以分開(kāi)者。
文檔編號(hào)H01L27/32GK1551686SQ20041003729
公開(kāi)日2004年12月1日 申請(qǐng)日期2004年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月8日
發(fā)明者小村哲司, 西川龍司, 司 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社