專利名稱：整合性散熱基板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種散熱基板及其制作方法，特別是涉及一種整合性散熱基板及其制作方法。
背景技術(shù)：
長(zhǎng)久以來，電子及光電元件的散熱在本身功率輸出不大的情況下，由塑料所制備的基板就能同時(shí)滿足散熱及電氣絕緣的需求。由于資訊及通訊等科技產(chǎn)物于近幾年來不斷地趨向普及化，例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶(Dynamic Random Access Memory；DRAM)等相關(guān)電子產(chǎn)品市場(chǎng)需求量的增加，半導(dǎo)體及光電元件在制程上也隨著產(chǎn)業(yè)的需求演進(jìn)到超大型集成電路(Very Large Scale Integration；VLSI)的制作方式，由此，利用多重內(nèi)連接線(Multilevel Interconnects)來制作元件電路(Circuit)所伴隨而來的散熱問題，將是開發(fā)散熱基板業(yè)者所需克服的一大難題。
參見圖1，一種現(xiàn)有的整合性散熱基板1，包含一鋁基板11、一高分子環(huán)氧樹脂(Epoxy)膜12及數(shù)銅導(dǎo)線13。
該高分子環(huán)氧樹脂膜12是形成在該鋁基板11的一上表面。
該等銅導(dǎo)線13是利用濕式的電鍍法(Electrochemical plating)形成在該高分子環(huán)氧樹脂膜12的一上表面。
值得注意的是，由于該高分子環(huán)氧樹脂膜12與該等銅導(dǎo)線13之間的表面性質(zhì)差異大，因此該等銅導(dǎo)線13不易附著于該高分子環(huán)氧樹脂膜12的上表面。為增加兩者之間的附著性，于電鍍?cè)摰茹~導(dǎo)線13前需另外進(jìn)行一系列的前處理步驟，例如粗化(Roughening)，及在該高分子環(huán)氧樹脂膜12表面利用氧化還原作用依序進(jìn)行敏化(Sensitizing)及活化(Activation)等步驟。
上述現(xiàn)有的整合性散熱基板1具有以下缺點(diǎn)(一)該高分子環(huán)氧樹脂膜12的熱傳導(dǎo)率(thermal conductivity)極低，只有0.2W/m/K，這使得該整合性散熱基板1無法符合集成電路產(chǎn)業(yè)的散熱需求，并導(dǎo)致元件的使用壽命下降。
(二)為增加該等銅導(dǎo)線13在該高分子環(huán)氧樹脂膜12上的附著性，于電鍍?cè)摰茹~導(dǎo)線13前仍需進(jìn)行制造程序繁瑣復(fù)雜的前處理步驟。
(三)延續(xù)缺點(diǎn)(二)，該高分子環(huán)氧樹脂膜12表面粗化的結(jié)果，無法制得低線寬的線路。
(四)濕式電鍍法將對(duì)環(huán)境帶來水污染的問題。
此種現(xiàn)有的整合性散熱基板1具有熱傳導(dǎo)率不足、制造程序繁瑣復(fù)雜、影響元件使用壽命、無法制作低線寬的線路及造成水污染等缺點(diǎn)，因此，如何制作出散熱性佳的整合性散熱基板并改善前面所述等缺點(diǎn)，是目前開發(fā)散熱基板的相關(guān)業(yè)者所需克服的一大難題。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種整合性散熱基板，可提供較現(xiàn)有環(huán)氧樹脂更佳的散熱效果，且可使形成在該金屬基板上的金屬氧化物絕緣層具有更高的致密性，以及良好的附著效果。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種制作整合性散熱基板的方法。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種整合性散熱基板，其特征在于其包含一具有一表面的金屬基板；一可熱傳導(dǎo)并具有一表面的金屬氧化物絕緣體，形成在該金屬基板的表面上；及數(shù)導(dǎo)線，形成在該金屬氧化物絕緣體的表面上。
所述的整合性散熱基板，其特征在于該金屬氧化物絕緣體為該金屬基板的氧化物。
所述的整合性散熱基板，其特征在于該金屬基板是由選自于下組中的一種金屬材料所制成鋁、鈦、鎂、它們的組合物。
所述的整合性散熱基板，其特征在于該導(dǎo)線是由選自于下組中的一種導(dǎo)電金屬材料所制成銅、銀、鋅、鈦及鎢。
本發(fā)明還提供一種制作整合性散熱基板的方法，其特征在于其包含以下步驟(A)提供一金屬基板；(B)利用一陽極微弧技術(shù)于該金屬基板上形成一可供熱傳導(dǎo)的金屬氧化物絕緣層；及(C)利用一真空鍍膜于該金屬氧化物絕緣層上披覆一具有一預(yù)定圖案的金屬膜，以界定出數(shù)金屬導(dǎo)線，該真空鍍膜是使用一選自于下列所構(gòu)成的群組中的物理氣相沉積技術(shù)陰極電弧放電離子鍍、濺鍍、電子束蒸鍍及熱蒸鍍。
所述的制作整合性散熱基板的方法，其特征在于在該步驟(C)所形成的該金屬導(dǎo)線，是由一放置在該金屬氧化物絕緣層上的具有該預(yù)定圖案的遮罩，利用該真空鍍膜披覆該金屬膜所制備而得。
所述的制作整合性散熱基板的方法，其特征在于在該步驟(C)所形成的該金屬導(dǎo)線，是由下列步驟所形成(a)利用一微影蝕刻于該金屬氧化物絕緣層上形成一具有該預(yù)定圖案的光阻層；(b)利用該真空鍍膜于具有該光阻層的金屬氧化物絕緣層上形成該金屬膜；及(c)移除該光阻層以形成該金屬導(dǎo)線。
所述的制作整合性散熱基板的方法，其特征在于該金屬基板是由選自于下組中的一種金屬材料所制成鋁、鈦、鎂，及它們的組合。
所述的制作整合性散熱基板的方法，其特征在于該金屬基板是一由鋁金屬材料所制成的鋁基板，該金屬氧化物絕緣層是將該鋁基板放置在一具有一電解質(zhì)組成物的電解浴中，于一預(yù)定溫度下進(jìn)行該陽極微弧技術(shù)達(dá)一預(yù)定時(shí)間所制備而得的一氧化鋁絕緣層，該電解質(zhì)組成物是由一氨水溶液所構(gòu)成，該氨水溶液具有一含有鹽類的組份以及一輔助添加劑，其中該含有鹽類的組份包含一選自于下列所構(gòu)成的群組中的水溶性鹽類磷酸鹽、鉻酸鹽、硅酸鹽、碳酸鹽，及此等的組合；該輔助添加劑是一可解離出醋酸根離子的化合物。
所述的制作整合性散熱基板的方法，其特征在于該物理氣相沉積技術(shù)是使用陰極電弧放電離子鍍，將該具有金屬氧化物絕緣層的金屬基板放置在一具有一氣體源的反應(yīng)腔體內(nèi)的一基座上，在一預(yù)定工作壓力下利用一電源供應(yīng)器于一陰極金屬靶材上提供一預(yù)定電壓以形成一預(yù)定電流，進(jìn)而在該陰極金屬靶材的一表面上產(chǎn)生一電弧放電以形成一群金屬原子及離子，使該等金屬原子及離子形成在該金屬氧化物絕緣層上達(dá)一預(yù)定施鍍時(shí)間以形成該金屬導(dǎo)線。
本發(fā)明的功效在于該金屬氧化物絕緣體可提供較現(xiàn)有環(huán)氧樹脂佳的散熱效果，且借由本發(fā)明的方法中的陽極微弧技術(shù)，可使形成在該金屬基板上的金屬氧化物絕緣層具有更高的致密性。

下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明圖1是一側(cè)視剖面示意圖，說明一種現(xiàn)有的整合性散熱基板。
圖2是一側(cè)視剖面示意圖，說明本發(fā)明的整合性散熱基板。
圖3是一制作流程圖，說明本發(fā)明制作整合性散熱基板的方法。
圖4是一同一顆發(fā)光二極管利用不同的散熱基板所得的時(shí)間溫度曲線比較圖。
具體實(shí)施方式參閱圖2，本發(fā)明整合性散熱基板包含一具有一表面21的金屬基板2、一可供熱傳導(dǎo)并具有一表面31的金屬氧化物絕緣體3，及數(shù)導(dǎo)線4。
適用于本發(fā)明的該金屬基板2是由選自于下組中的一種金屬材料所制成鋁(Al)、鈦(Ti)、鎂(Mg)，及它們的組合。其中，使用于本發(fā)明的該金屬基板2是一由鋁金屬材料所制成的鋁基板。
該金屬氧化物絕緣體3是形成在該金屬基板2的表面21上。較佳地，該金屬氧化物絕緣體3是該金屬基板2的氧化物。其中，在本發(fā)明的整合性散熱基板的該金屬氧化物絕緣體3，是一由該鋁基板所形成的氧化鋁絕緣層。
該等導(dǎo)線4是形成在該金屬氧化物絕緣體3的表面上31。適用于本發(fā)明的該等導(dǎo)線4是由選自于下組中的一種導(dǎo)電金屬材料所制成銅(Cu)、銀(Ag)、鋅(Zn)、鈦及鎢(W)。其中，使用于本發(fā)明的該等導(dǎo)線4是由銅的金屬材料所制成。
另外，上述所提及整合性散熱基板可以由本發(fā)明的制作整合性散熱基板的方法制備而得。參閱圖3，該方法包含以下步驟(A)提供一金屬基板；(B)利用一陽極微弧技術(shù)于該金屬基板上形成一可供熱傳導(dǎo)的金屬氧化物絕緣層；及(C)利用一真空鍍膜于該金屬氧化物絕緣層上披覆一具有一預(yù)定圖案的金屬膜，以界定出數(shù)金屬導(dǎo)線。
其中，該真空鍍膜是使用一選自于下列所構(gòu)成的群組中的物理氣相沉積(physical vapor deposition)技術(shù)陰極電弧放電離子鍍(cathodic arc plasma ion plating)、濺鍍(sputtering)、電子束蒸鍍(e-beam evaporation)及熱蒸鍍(thermal evaporation)。
在一較佳實(shí)施例中，該步驟(C)所形成的該等金屬導(dǎo)線，是借由一放置在該金屬氧化物絕緣層上的具有該預(yù)定圖案的遮罩(mask)，利用該真空鍍膜披覆該金屬膜所制備而得。又在另一較佳實(shí)施例中，該步驟(C)所形成的該等金屬導(dǎo)線，是借由下列步驟所形成(a)利用一微影蝕刻(photolithography)于該金屬氧化物絕緣層上形成一具有該預(yù)定圖案的光阻層(photoresist)；(b)利用該真空鍍膜于具有該光阻層的金屬氧化物絕緣層上形成該金屬膜；及(c)移除該光阻層以形成該等金屬導(dǎo)線。
較佳地，該金屬基板是由一選自于下列群組中的金屬材料所制成鋁、鈦、鎂，及此等的組合。在一較佳具體例中，該金屬基板是一由鋁金屬材料所制成的鋁基板。
該金屬氧化物絕緣層是將該鋁基板放置在一具有一電解質(zhì)(electrolyte)組成物的電解浴中，于一預(yù)定溫度下進(jìn)行該陽極微弧技術(shù)達(dá)一預(yù)定時(shí)間所制備而得的一富含氧化鋁絕緣層。該電解質(zhì)組成物是由一氨水溶液(ammoniacal solution)所構(gòu)成。該氨水溶液具有一含有鹽類的組份以及一輔助添加劑。
其中，適用于本發(fā)明的該含有鹽類的組份，包含一選自于下列所構(gòu)成的群組中的水溶性鹽類磷酸鹽(phosphate)、鉻酸鹽(chromate)、硅酸鹽(silicate)、碳酸鹽(carbonate)，及此等的組合。較佳地，該含有鹽類的組份包含磷酸鹽及鉻酸鹽。更佳地，該含有鹽類的組份是包含磷酸鉀(potassium dihydrogenphosphate)及鉻酸鉀(potassium chromate)。
該輔助添加劑是一可解離出醋酸根離子(acetate ions)的化合物。較佳地，該輔助添加劑是一可解離出醋酸根離子的鹽類。更佳地，該輔助添加劑是醋酸銅(copper acetate)。在一較佳實(shí)施例中，該氨水溶液具有一介于2vol.％到6vol.％濃度，該磷酸鉀在該組成物中的濃度是介于0.3M到0.6M，該鉻酸鉀在該組成物中的濃度是介于0.08M到0.3M，該醋酸根離子在該組成物中的濃度是介于0.08M到0.5M。
適用于本發(fā)明的該預(yù)定溫度，是介于0℃到150℃。較佳地，該預(yù)定溫度是介于0℃到40℃。
適用于本發(fā)明的該預(yù)定時(shí)間是介于20分鐘到150分鐘。較佳地，該預(yù)定時(shí)間是介于20分鐘到100分鐘。
在一較佳具體例中，該物理氣相沉積技術(shù)是使用陰極電弧放電離子鍍，將該具有金屬氧化物絕緣層的金屬基板放置在一具有一氣體源的反應(yīng)腔體內(nèi)的一基座上，在一預(yù)定工作壓力下利用一電源供應(yīng)器于一陰極金屬靶材上提供一預(yù)定電壓以形成一預(yù)定電流，進(jìn)而在該陰極金屬靶材產(chǎn)生一電弧放電以形成一群金屬原子及金屬離子，使該等金屬原子及離子形成在該金屬氧化物絕緣層上達(dá)一預(yù)定施鍍時(shí)間以形成該等金屬導(dǎo)線。
適用于本發(fā)明的該金屬靶材是由一選自于下列所構(gòu)成的群組中的金屬材料所制成銅、銀、鋅、鈦及鎢。在一較佳實(shí)施例中，該金屬靶材是由銅的金屬材料所制成。
適用于本發(fā)明的該氣體源是一選自于下列群組中的背景氣體氬氣(Ar2)、氮?dú)?N2)、氫氣(H2)及此等的組合。在一較佳具體例中，該背景氣體是氬氣。
較佳地，該預(yù)定工作壓力是介于0.1Pa到100Pa，該預(yù)定電壓是介于20V到30V，該預(yù)定電流是介于10A到150A，該預(yù)定施鍍時(shí)間是介于10分鐘到300分鐘。
<實(shí)施例一>
將一鋁基板放置在一由濃度為4.5vol.％的氨水溶液所構(gòu)成的電解質(zhì)組成物的電解浴中，于0℃到40℃的溫度下，以0.045A/cm2的電流密度進(jìn)行該陽極微弧技術(shù)達(dá)30分鐘，以便于在該鋁基板上制備形成一厚度約為15μm的氧化鋁絕緣層。在該實(shí)施例一中，該磷酸鉀在該組成物中的濃度是0.5M、該鉻酸鉀在該組成物中的濃度是0.1M，該醋酸銅在該組成物中的濃度是0.35M。有關(guān)于陽極微弧技術(shù)的相關(guān)說明可見于RU2,181,392、CN1,311,354及DE4,104,847等專利。以上所提到的前案專利，在此并入本案作為參考資料。
利用一陰極電弧放電離子鍍?cè)谠撗趸X絕緣層上形成數(shù)導(dǎo)線。首先，將該成長(zhǎng)有該氧化鋁絕緣層的鋁基板放置在一反應(yīng)腔體內(nèi)的一基座上，并在該氧化鋁絕緣層上放置一具有一預(yù)定圖案的遮罩(以雷射雕刻而成的遮板)，利用氬氣為氣體源在4Pa的工作壓力下利用一電源供應(yīng)器于一陰極的銅金屬靶材上提供一25V的電壓以形成一90A的電流，進(jìn)而在該銅金屬靶材表面產(chǎn)生一電弧放電以形成一群銅原子及銅離子，同時(shí)于該放置基板的基座上施一脈沖模式(-50V(40％)+78V(60％))的偏壓，使該等銅原子及銅離子形成在該遮罩及該氧化鋁絕緣層上達(dá)100分鐘的施鍍時(shí)間以形成一銅金屬膜，最后將該遮罩移除以形成具有該預(yù)定圖案的銅導(dǎo)線。
此處所使用的陽極微弧技術(shù)，不同于傳統(tǒng)陽極處理是由于在該鋁基板表面形成散雜的微小弧點(diǎn)(Micro-arc)較多，具有較高的電弧能量，于該電解浴中的鋁離子在釋出后經(jīng)由電弧氧化的速度較快，所形成氧化鋁絕緣層的厚度較厚也具有較高的純度，且其致密性佳孔洞率低。因此，在后續(xù)制作銅導(dǎo)線的過程中，可避免銅金屬填補(bǔ)于氧化鋁絕緣層的空隙中而產(chǎn)生短路的問題。
另外，此處的陰極電弧放電離子鍍，由于在該陰極靶材上所施加的低電壓所形成的高電流，可使該陰極靶材表面形成電弧放電，進(jìn)而提高該銅金屬的離化(ionization)率，從而自該銅金屬靶材表面釋放大量動(dòng)能的銅離子。因此，此陰極電弧放電離子鍍技術(shù)具有極高的鍍膜成長(zhǎng)速率，亦可使得最后形成在該氧化鋁絕緣層上的銅導(dǎo)線具有附著性高及致密性佳等特點(diǎn)。
由上所述，參閱圖4，將本發(fā)明的方法所制備而得的整合性散熱基板應(yīng)用在發(fā)光二極管上，與現(xiàn)有的散熱基板1相比較下，該實(shí)施例一所制備而得的整合性散熱基板具有較佳的散熱效果。值得一提的是，該氧化鋁絕緣層具有35W/m/K的熱傳導(dǎo)率，可有效地將該發(fā)光二極管所產(chǎn)生的熱能經(jīng)該發(fā)光二極管由該整合性散熱基板帶走。此處的測(cè)試條件，是在0.75A的驅(qū)動(dòng)電流下維持3小時(shí)所量測(cè)到的升溫曲線。
<實(shí)施例二>
該實(shí)施例二大致上是與該實(shí)施例一相同，其不同處在于該等銅導(dǎo)線的制備過程。在該實(shí)施例二中，該等銅導(dǎo)線是先利用一微影蝕刻技術(shù)于該氧化鋁絕緣層上形成一具有該預(yù)定圖案的光阻層，繼而利用相同于該實(shí)施例一中的制程條件于具有該光阻層的氧化鋁絕緣層上形成一銅金屬膜，最后移除該光阻層以形成該等銅導(dǎo)線。
因此，由本發(fā)明的方法所制備而得的整合性散熱基板，可整理出下列幾項(xiàng)特點(diǎn)一、該金屬氧化物絕緣體3(氧化鋁絕緣層)的厚度足以提供有效的電氣絕緣。
二、該金屬氧化物絕緣體3(氧化鋁絕緣層)純度高且致密性佳，在制作導(dǎo)線過程中可有效降低短路等問題。
三、該金屬氧化物絕緣體3(氧化鋁絕緣層)具有35W/m/K的熱傳導(dǎo)率，可有效地將設(shè)置在本發(fā)明的散熱基板上的元件所產(chǎn)生的熱能帶走。
四、由于該等導(dǎo)線4(銅導(dǎo)線)的附著性高，具有品質(zhì)佳的熱機(jī)械性質(zhì)。因此，仍可抵抗在使用過程中因元件升溫而產(chǎn)生的熱應(yīng)力。
五、由于該等導(dǎo)線4(銅導(dǎo)線)的致密性佳，具有較低的電阻系數(shù)(Electrical Resistivity)，因此，可有效地降低焦耳熱的產(chǎn)生。
六、根據(jù)上述的特點(diǎn)三、四及五，可使得設(shè)置在本發(fā)明的整合性散熱基板的元件具有較長(zhǎng)的使用壽命。
七、該陰極電弧放電離子鍍可避免掉現(xiàn)有的電鍍銅所造成的水污染問題。
八、透過該陰極電弧放電離子鍍，可借由微影蝕刻技術(shù)制作出線寬較低的銅導(dǎo)線。
九、上述所提到的陽極微弧技術(shù)及陰極電弧放電離子鍍具有極高的成膜速率，因此可降低制作過程中所需的時(shí)間成本。
歸納上述，本發(fā)明的整合性散熱基板及其制作方法具有散熱效果佳、焦耳熱問題小、制程所需時(shí)間成本低、導(dǎo)線線寬可精密化及使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，所以確實(shí)能達(dá)到本發(fā)明的目的。
權(quán)利要求
1.一種整合性散熱基板，其特征在于其包含一具有一表面的金屬基板；一可熱傳導(dǎo)并具有一表面的金屬氧化物絕緣體，形成在該金屬基板的表面上；及數(shù)導(dǎo)線，形成在該金屬氧化物絕緣體的表面上。
2.如權(quán)利要求1所述的整合性散熱基板，其特征在于該金屬氧化物絕緣體為該金屬基板的氧化物。
3.如權(quán)利要求2所述的整合性散熱基板，其特征在于該金屬基板是由選自于下組中的一種金屬材料所制成鋁、鈦、鎂、它們的組合物。
4.如權(quán)利要求1所述的整合性散熱基板，其特征在于該導(dǎo)線是由選自于下組中的一種導(dǎo)電金屬材料所制成銅、銀、鋅、鈦及鎢。
5.一種制作整合性散熱基板的方法，其特征在于其包含以下步驟(A)提供一金屬基板；(B)利用一陽極微弧技術(shù)于該金屬基板上形成一可供熱傳導(dǎo)的金屬氧化物絕緣層；及(C)利用一真空鍍膜于該金屬氧化物絕緣層上披覆一具有一預(yù)定圖案的金屬膜，以界定出數(shù)金屬導(dǎo)線，該真空鍍膜是使用一選自于下列所構(gòu)成的群組中的物理氣相沉積技術(shù)陰極電弧放電離子鍍、濺鍍、電子束蒸鍍及熱蒸鍍。
6.如權(quán)利要求5所述的制作整合性散熱基板的方法，其特征在于在該步驟(C)所形成的該金屬導(dǎo)線，是由一放置在該金屬氧化物絕緣層上的具有該預(yù)定圖案的遮罩，利用該真空鍍膜披覆該金屬膜所制備而得。
7.如權(quán)利要求5所述的制作整合性散熱基板的方法，其特征在于在該步驟(C)所形成的該金屬導(dǎo)線，是由下列步驟所形成(a)利用一微影蝕刻于該金屬氧化物絕緣層上形成一具有該預(yù)定圖案的光阻層；(b)利用該真空鍍膜于具有該光阻層的金屬氧化物絕緣層上形成該金屬膜；及(c)移除該光阻層以形成該金屬導(dǎo)線。
8.如權(quán)利要求5所述的制作整合性散熱基板的方法，其特征在于該金屬基板是由選自于下組中的一種金屬材料所制成鋁、鈦、鎂，及它們的組合。
9.如權(quán)利要求8所述的制作整合性散熱基板的方法，其特征在于該金屬基板是一由鋁金屬材料所制成的鋁基板，該金屬氧化物絕緣層是將該鋁基板放置在一具有一電解質(zhì)組成物的電解浴中，于一預(yù)定溫度下進(jìn)行該陽極微弧技術(shù)達(dá)一預(yù)定時(shí)間所制備而得的一氧化鋁絕緣層，該電解質(zhì)組成物是由一氨水溶液所構(gòu)成，該氨水溶液具有一含有鹽類的組份以及一輔助添加劑，其中該含有鹽類的組份包含一選自于下列所構(gòu)成的群組中的水溶性鹽類磷酸鹽、鉻酸鹽、硅酸鹽、碳酸鹽，及此等的組合；該輔助添加劑是一可解離出醋酸根離子的化合物。
10.如權(quán)利要求5所述的制作整合性散熱基板的方法，其特征在于該物理氣相沉積技術(shù)是使用陰極電弧放電離子鍍，將該具有金屬氧化物絕緣層的金屬基板放置在一具有一氣體源的反應(yīng)腔體內(nèi)的一基座上，在一預(yù)定工作壓力下利用一電源供應(yīng)器于一陰極金屬靶材上提供一預(yù)定電壓以形成一預(yù)定電流，進(jìn)而在該陰極金屬靶材的一表面上產(chǎn)生一電弧放電以形成一群金屬原子及離子，使該等金屬原子及離子形成在該金屬氧化物絕緣層上達(dá)一預(yù)定施鍍時(shí)間以形成該金屬導(dǎo)線。
全文摘要
一種整合性散熱基板及其制作方法，該整合性散熱基板包含一具有一表面的金屬基板；一可供熱傳導(dǎo)并具有一表面的金屬氧化物絕緣體，形成在該金屬基板的表面上；及數(shù)導(dǎo)線，形成在該金屬氧化物絕緣體的表面上。該整合性散熱基板的制作方法，包含以下步驟(A)提供一金屬基板；(B)利用陽極微弧技術(shù)于該金屬基板上形成金屬氧化物絕緣層；(C)利用真空鍍膜于該金屬氧化物絕緣層上披覆金屬膜，以界定出數(shù)金屬導(dǎo)線，該真空鍍膜可使用物理氣相沉積技術(shù)。本發(fā)明可使形成在該金屬基板上的金屬氧化物絕緣層具有更高的致密性，以及更佳的附著效果和散熱效果。
文檔編號(hào)H01L23/12GK1670947SQ200410039738
公開日2005年9月21日 申請(qǐng)日期2004年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月16日
發(fā)明者何主亮 申請(qǐng)人:私立逢甲大學(xué)