專利名稱：半導(dǎo)體晶圓及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系與半導(dǎo)體有關(guān)，尤指一種半導(dǎo)體晶圓及其制造方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)半導(dǎo)體晶圓包括一晶圓主體與在該晶圓主體上間隔形成的復(fù)數(shù)個芯片，用于定義作為每兩個芯片之間一界限的一切割道。因此，每一該等芯片(亦稱為一模擬IC芯片)為基于硅基板所組成的一集成電路。
在將每一該等芯片切割成一單獨(dú)組件之前，必須執(zhí)行一晶圓測試，以確保每一該等芯片系在一最佳條件下發(fā)揮作用。一般而言，每一該等芯片包括在該芯片內(nèi)部間隔形成的復(fù)數(shù)個焊墊(bond pad)與復(fù)數(shù)個端子墊，其中該等端子墊可為測試墊(test pad)，用于經(jīng)由諸如探針卡或剪切墊(trim pad)之一測量工具來測量該芯片的電壓，以調(diào)整該芯片的參考電壓及其參考功能。
因此，通常采用雷射切割與電調(diào)整兩種調(diào)整方法來調(diào)整該等芯片。執(zhí)行雷射切割來切割保險(xiǎn)絲，使得一旦保險(xiǎn)絲受到切割，芯片的性能會相應(yīng)改變。然而，雷射切割操作既昂貴又復(fù)雜，以致會大幅增加芯片的制造成本。此外，在操作雷射切割過程中，不能預(yù)測每一芯片的電壓，以致不能使每一芯片的品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)化。
另一調(diào)整方法系藉由電剪切方式來執(zhí)行，其中在每一該等芯片上施加一電流來剪切該保險(xiǎn)絲。由于可有選擇地控制該電流，故可有選擇地將保險(xiǎn)絲從該等芯片移除，以便產(chǎn)生該芯片的參考電壓及其參考功能。
此外，傳統(tǒng)半導(dǎo)體晶圓具有數(shù)個缺點(diǎn)。由于端子墊系置放于每一該等芯片內(nèi)部，故該芯片之尺寸必須足夠大，以便使該等焊墊、端子墊以及保險(xiǎn)絲保持于適當(dāng)位置。因此，每一該等芯片尺寸有限，則芯片上僅能容納一定數(shù)量的焊墊或是端子墊。換言之，位于每一該等芯片上的復(fù)雜集成電路會受限于該等芯片之尺寸，以致大幅增加該半導(dǎo)體晶圓的制造成本。
此外，當(dāng)將該等芯片從半導(dǎo)體晶圓上切除時，該等端子墊會保留在每一該等芯片之上。然而，端子墊系僅用于測量相應(yīng)芯片之電壓或可程序化剪切該保險(xiǎn)絲。測量結(jié)束后，端子墊便無用處。因此，該等端子墊會浪費(fèi)每一該等芯片的有限空間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的系提供一種半導(dǎo)體晶圓，其中該等端子墊系沿一半導(dǎo)體晶圓之一切割道置放，并與該芯片電連接，以便擴(kuò)大芯片的使用面積。
本發(fā)明的另一目的系提供一種半導(dǎo)體晶圓，其中一導(dǎo)電配置系從該切割道向該芯片延伸，以使該端子墊與該芯片電連接，使得當(dāng)將芯片從該晶圓主體切除后，僅藉由沿該切割道切除該導(dǎo)電配置即可將端子墊從芯片上移除。
本發(fā)明的另一目的系提供一種半導(dǎo)體晶圓，其中該端子墊系制作為一梳型形成，使一切割工具沿該切割道切除該芯片時，其可將保留在該切割工具切割尖端上的殘?jiān)鼫p至最少，從而加強(qiáng)芯片的切割操作。
本發(fā)明的另一目的系提供一種半導(dǎo)體晶圓，其中該端子墊系從該芯片移至晶圓主體之切割道，使得芯片的可使用面積得以擴(kuò)大，且芯片中可加入更多集成電路以加強(qiáng)芯片的功能。
本發(fā)明的另一目的系提供一種半導(dǎo)體晶圓，其中并未改變該芯片實(shí)質(zhì)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，從而可藉由任何現(xiàn)有剪切測試來測試該半導(dǎo)體晶圓，將本發(fā)明的制造成本減至最少。
本發(fā)明的另一目的系提供一種剪切保險(xiǎn)絲半導(dǎo)體晶圓，其中其制程較簡單，即將該端子墊從該芯片內(nèi)重新定位為沿晶圓的切割道來置放，并經(jīng)由導(dǎo)電配置將端子墊與該芯片電連接。因此，本發(fā)明中不需要額外的組件，可進(jìn)一步降低本發(fā)明的制造成本。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體晶圓，其包括一晶圓主體；復(fù)數(shù)個模擬IC芯片，其間隔且對齊地形成于該晶圓主體之上，每兩個芯片間之一區(qū)域定義為一切割道，其中每一芯片具有在其內(nèi)部形成的內(nèi)部電路以及沿該切割道形成的至少一端子墊；
一導(dǎo)電配置，其包括形成于晶圓主體之上的至少一導(dǎo)電組件，將端子墊與該芯片之內(nèi)部電路電連接，使得當(dāng)沿切割道將芯片從晶圓主體上切除后，可將端子墊從該芯片中切除，而該內(nèi)部電路保留在芯片中。
一種用于制造半導(dǎo)體晶圓之方法，所述方法包括以下步驟(a)于一晶圓主體之上間隔且對齊地形成復(fù)數(shù)個模擬IC芯片，每兩個芯片間之一區(qū)域定義為一切割道，其中每一該等芯片具有在其內(nèi)部形成的一內(nèi)部電路以及至少一端子墊；(b)沿著鄰近該個別芯片之該晶圓主體的該切割道上安置排列該端子墊；(c)于該晶圓主體上形成一導(dǎo)電組件，使該端子墊與該芯片之內(nèi)部電路電連接；以及(d)沿該晶圓主體之該切割道將該芯片從該晶圓主體切除，以便將該端子墊從該芯片移除，并將該內(nèi)部電路保留在該芯片中。


圖1為本發(fā)明一較佳具體實(shí)施例之半導(dǎo)體晶圓的上視圖；圖2為本發(fā)明之上述較佳具體實(shí)施例之一端子墊電連接模擬IC芯片之半導(dǎo)體晶圓透視圖；圖3為依據(jù)本發(fā)明之上述較佳具體實(shí)施例之該半導(dǎo)體晶圓上一端子墊電連接的模擬IC芯片的剖面透視圖。
實(shí)施方式本案得藉由以下列圖標(biāo)與詳細(xì)說明參考圖1，系本案較佳具體實(shí)施例之半導(dǎo)體晶圓的上視圖。其中，該半導(dǎo)體晶圓包括一晶圓主體10，以及間隔并對齊地形成于晶圓主體10之上的復(fù)數(shù)個模擬IC芯片20，每兩個芯片20間之一區(qū)域定義為一切割道11。其中，每一該等芯片20具有在芯片內(nèi)部形成的一內(nèi)部電路21以及沿切割道11形成的至少一端子墊22。
該半導(dǎo)體晶圓進(jìn)一步包括一導(dǎo)電配置30，其包括形成于晶圓主體10之上的至少一導(dǎo)電組件31，以便將端子墊22與內(nèi)部電路21電連接，使得當(dāng)沿切割道11將芯片20從晶圓主體10上切除后，可將端子墊22從芯片20中切除，使內(nèi)部電路21保留在芯片20中。
本發(fā)明進(jìn)一步提供一制造該半導(dǎo)體晶圓程序，其包括以下步驟(1)于晶圓主體10上間隔并對齊地形成該等模擬IC芯片20，每兩個芯片20間之一區(qū)域定義為一切割道11。
(2)沿著在鄰近個別芯片20之晶圓主體10的切割道11上安置排列該端子墊22。
(3)于晶圓主體10上形成導(dǎo)電組件31，以便將端子墊22與該芯片20的內(nèi)部電路21電連接。
(4)沿切割道11將芯片20從晶圓主體10上切除，以便將端子墊22從該芯片20移除，使該內(nèi)部電路21保留在芯片20中。
依據(jù)該較佳具體實(shí)施例，每一該等芯片20均可提供精確性能的一模擬IC。因此，每一該等芯片20的電壓測量可以準(zhǔn)確。同樣，每一該等芯片20均得到剪切以可程序化該芯片20，以產(chǎn)生一參考電壓與一參考功能。
藉由互相電連接的復(fù)數(shù)個集成電路來構(gòu)造每一該等芯片20，以形成內(nèi)部電路21。其中，端子墊22系經(jīng)由導(dǎo)電組件31來與個別芯片20的內(nèi)部電路21電連接。
端子墊22系作為從該芯片20之集成電路處電延伸的一剪切墊而具體化。從而，每一該等芯片20另外具有從該端子墊22處電延伸的一保險(xiǎn)絲23，以使個別芯片20均適合于剪切以產(chǎn)生該芯片20的參考電壓及參考功能。然而，端子墊22可為一測試墊，用于與該測量工具電耦合，以測量該芯片20的電壓。
如圖3所示，具有一梳狀的端子墊22，定義復(fù)數(shù)個端子齒221，其間隔地形成于晶圓主體10之切割道11上。其中，導(dǎo)電組件31系從晶圓主體10之切割道11延伸至該芯片20，以使端子墊22的端子齒221與芯片20的內(nèi)部電路21電連接。
值得一提的是為將芯片20從晶圓主體10上切除，可采用一切割工具(如具有鉆石頭的一切割裝置)沿晶圓主體10之切割道11來切割，以便單獨(dú)將芯片20從晶圓主體10上分開。然而，當(dāng)該切割工具之切割尖端沿晶圓主體10之切割道11滑動切割時，端子墊22的殘?jiān)鼤Ａ粼诰哂袖忼X狀邊緣的切割工具之切割尖端上。因此，為防止端子墊22的殘?jiān)鼤埩粼诰哂袖忼X狀邊緣的切割工具之切割尖端上，將端子墊22作為一梳狀結(jié)構(gòu)。當(dāng)切割工具之切割尖端沿端子墊22的端子齒221滑動切割時，使殘留在該切割工具之切割尖端上的殘?jiān)鼫p至最少。
由金屬層制成的該導(dǎo)電組件31從晶圓主體10之切割道11延伸至芯片20，以使端子墊22與芯片20的內(nèi)部電路21電連接。另外，導(dǎo)電組件31可由多晶層(Poly layer)制成，使端子墊22與芯片20的內(nèi)部電路21電連接。
因此，當(dāng)將端子墊22做為剪切墊時，該導(dǎo)電配置30更包括從導(dǎo)電組件32向保險(xiǎn)絲23電延伸的一輔助導(dǎo)電組件32，使保險(xiǎn)絲23適合于透過該輔助導(dǎo)電組件32藉由端子墊22的剪切墊來剪切。在芯片20剪切后，如第三圖所示將端子墊22做為的剪切墊從芯片20處移除。
另外，值得一提的，保險(xiǎn)絲23系置放于芯片20內(nèi)部，以便在將芯片20從晶圓主體10上切除之后，該保險(xiǎn)絲23可保留在芯片20內(nèi)部。此外，由于已沿晶圓主體10之切割道11將芯片20從晶圓主體10上切除，故可將晶圓主體10之切割道11上的導(dǎo)電組件31之一部分從芯片20中移除。
當(dāng)將端子墊22作為測試墊來具體化時，芯片20中不需要保險(xiǎn)絲23。將導(dǎo)電組件32從晶圓主體10之切割道11延伸至該芯片20，使做為測試墊的端子墊22與芯片20的內(nèi)部電路21電連接。因此，在測出芯片20的電壓后，將做為測試墊的端子墊22從芯片20移除。
由于端子墊22系沿晶圓主體10之切割道11置放，實(shí)質(zhì)上擴(kuò)大了芯片20的使用面積，從而可向芯片20中加入更多集成電路。與端子墊系設(shè)置于芯片內(nèi)部的傳統(tǒng)芯片相比，此一配置可提高芯片之功能。此外，當(dāng)將端子墊22作為測試墊來具體化時、或?yàn)榧羟行酒?0，當(dāng)端子墊22做為剪切墊來具體化時，可用端子墊22來測試芯片20。因此，在調(diào)整或測試芯片20之后，端子墊22不會再為芯片20執(zhí)行任何功能，因而可將端子墊22從芯片20移除，而僅在芯片20中保留內(nèi)部電路21，以用于操作。
上述本發(fā)明之具體實(shí)施例與圖標(biāo)系使熟知此技術(shù)之人士所能了解，然而本專利之權(quán)利范圍并不局限在上述實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶圓，其特征在于所述半導(dǎo)體晶圓包括一晶圓主體；復(fù)數(shù)個模擬IC芯片，其間隔且對齊地形成于該晶圓主體之上，每兩個芯片間之一區(qū)域定義為一切割道，其中，每一該等芯片具有在其內(nèi)部形成的一內(nèi)部電路以及沿該切割道形成的至少一端子墊；一導(dǎo)電配置，包括形成于該晶圓主體之上的至少一導(dǎo)電組件，以便將該端子墊與該芯片之該內(nèi)部電路電連接，使得當(dāng)沿該切割道將該芯片從該晶圓主體切除后，可將該端子墊從該芯片中切除，而該內(nèi)部電路保留在該芯片中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于所述半導(dǎo)體晶圓中具有一梳型的該端子墊具有復(fù)數(shù)個端子齒，該等端子齒系間隔地形成于該晶圓主體之該切割道上，以便該導(dǎo)電組件從該晶圓主體之該切割道延伸至該芯片，使該端子墊之該端子齒與該芯片之該內(nèi)部電路電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于所述端子墊系做為形成于該晶圓主體之該切割道上的一剪切墊，其中每一該等芯片更包含置放于其中的一保險(xiǎn)絲，以與該端子墊之該剪切墊電連接，用于剪切該芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于所述端子墊系做為形成于該晶圓主體之該切割道上的一剪切墊，其中每一該等芯片更包含置放于其中的一保險(xiǎn)絲，以與做為該剪切墊之該端子墊電連接，用于剪切該芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于所述導(dǎo)電配置更包括從該導(dǎo)電組件向該保險(xiǎn)絲電延伸的一輔助導(dǎo)電組件，以使該保險(xiǎn)絲適合透過該輔助導(dǎo)電組件而藉由做為該剪切墊之該端子墊來剪切。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于所述導(dǎo)電配置更包括從該導(dǎo)電組件向該調(diào)整保險(xiǎn)絲電延伸的一輔助導(dǎo)電組件，以使該調(diào)整保險(xiǎn)絲適合透過該輔助導(dǎo)電組件而藉由做為該剪切墊之該端子墊來剪切.
7.根據(jù)權(quán)利要求1述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于所述端子墊系做形成于該晶圓主體之該切割道上的一測試墊，其中該導(dǎo)電組件系從該晶圓主體之該切割道延伸至該芯片，以使做為該測試墊之該端子墊與該芯片的內(nèi)部電路電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于所述端子墊系做為形成于該晶圓主體之該切割道上的一測試墊，其中該導(dǎo)電組件系從該晶圓主體之該切割道延伸至該芯片，以使做為該測試墊之該端子墊與該芯片的該內(nèi)部電路電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于所述導(dǎo)電組件系由金屬層制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于所述導(dǎo)電組件系由金屬層制成。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于所述導(dǎo)電組件系由金屬層制成。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于所述導(dǎo)電組件系由多晶層制成。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于所述導(dǎo)電組件系由多晶層制成。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體晶圓，其特征在于所述導(dǎo)電組件系由多晶層制成。
15.一種用于制造半導(dǎo)體晶圓之方法，其特征在于所述方法包括以下步驟(a)于一晶圓主體之上間隔且對齊地形成復(fù)數(shù)個模擬IC芯片，每兩個芯片間之一區(qū)域定義為一切割道，其中每一該等芯片具有在其內(nèi)部形成的一內(nèi)部電路以及至少一端子墊；(b)沿著鄰近該個別芯片之該晶圓主體的該切割道上安置排列該端子墊；(c)于該晶圓主體上形成一導(dǎo)電組件，使該端子墊與該芯片之內(nèi)部電路電連接；以及(d)沿該晶圓主體之該切割道將該芯片從該晶圓主體切除，以便將該端子墊從該芯片移除，并將該內(nèi)部電路保留在該芯片中。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的用于制造半導(dǎo)體晶圓之方法，其特征在于所述半導(dǎo)體晶圓中具有一梳狀的該端子墊具有復(fù)數(shù)個端子齒，該等端子齒間隔地形成于該晶圓主體之該切割道上，以便在將該芯片從該晶圓主體切除時，防止該端子墊的殘?jiān)鼤埩粼诰哂袖忼X狀邊緣的一切割工具之切割尖端上，其中該導(dǎo)電組件系從該晶圓主體之該切割道延伸至該芯片，以便將該端子墊的該端子齒與該芯片的該內(nèi)部電路電連接。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的用于制造半導(dǎo)體晶圓之方法，其特征在于所述端子墊系做為形成于該晶圓主體之該切割道上的一剪切墊，其中每一該等芯片更具有置放于其中的一保險(xiǎn)絲，用于與做為該剪切墊之該端子墊電連接，以便在將該芯片從該晶圓主體切除之前來剪切該芯片。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的用于制造半導(dǎo)體晶圓之方法，其特征在于所述端子墊系做為形成于該晶圓主體之該切割道上的一剪切墊，其中每一該等芯片更具有置放于其中的一保險(xiǎn)絲，用于與做為該剪切墊之該端子墊電連接，以便在將該芯片從該晶圓主體切除之前來剪切該芯片。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的用于制造半導(dǎo)體晶圓之方法，其特征在于所述端子墊系做為形成于該晶圓主體之該切割道上的一測試墊，其中該導(dǎo)電組件系從該晶圓主體之該切割道延伸至該芯片，以便將該端子墊之該測試墊與該芯片之該內(nèi)部電路電連接，從而在將該芯片從該晶圓主體切除之前來測試該芯片。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述用于制造半導(dǎo)體晶圓之方法，其特征在于所述端子墊系做為形成于該晶圓主體之該切割道上的一測試墊，其中該導(dǎo)電組件系從該晶圓主體之該切割道延伸至該芯片，以便將該端子墊之該測試墊與該芯片之該內(nèi)部電路電連接，從而在將該芯片從該晶圓主體切除之前來測試該芯片。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的用于制造半導(dǎo)體晶圓之方法，其特征在于所述導(dǎo)電組件系由金屬層制成。
22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的用于制造半導(dǎo)體晶圓之方法，其特征在于所述導(dǎo)電組件系由金屬層制成。
23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的用于制造半導(dǎo)體晶圓之方法，其特征在于所述導(dǎo)電組件系由金屬層制成。
24.根據(jù)權(quán)利要求15所述的用于制造半導(dǎo)體晶圓之方法，其特征在于所述導(dǎo)電組件系由多晶層制成。
25.根據(jù)權(quán)利要求15所述的用于制造半導(dǎo)體晶圓之方法，其特征在于所述導(dǎo)電組件系由多晶層制成。
26.根據(jù)權(quán)利要求18述的用于制造半導(dǎo)體晶圓之方法，其特征在于所述導(dǎo)電組件系由多晶層制成。
全文摘要
半導(dǎo)體晶圓及其制造方法，包括一晶圓主體；復(fù)數(shù)個模擬IC芯片，其間隔且對齊地形成于該晶圓主體上，一切割道被定義為形成于每兩個芯片間區(qū)域，其中每一芯片具有在其內(nèi)部形成的內(nèi)部電路以及沿該切割道形成的至少一端子墊；以及一導(dǎo)電配置，包括形成于晶圓主體上的至少一導(dǎo)電組件，將端子墊與該芯片內(nèi)部電路電連接，使當(dāng)沿切割道將芯片從晶圓主體上切除后，可將端子墊從該芯片中切除，而該內(nèi)部電路保留在芯片中。制造方法包括以下步驟(a)于晶圓主體上間隔對齊地形成復(fù)數(shù)個模擬IC芯片，每兩個芯片間定義為一切割道，內(nèi)部形成電路端子墊；(b)沿鄰近晶圓主體的切割道上排列該端子墊；(c)晶圓上形成導(dǎo)電組件；(d)將該芯片從該晶圓主體切除。
文檔編號H01L27/00GK1705125SQ20041004600
公開日2005年12月7日 申請日期2004年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月31日
發(fā)明者陳維忠, 張?jiān)伹? 黃照興, 方振宇, 余建朋 申請人:臺灣類比科技股份有限公司