專利名稱：光學(xué)元件安裝用基片及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學(xué)元件安裝用基片。
背景技術(shù)：
以往，在由激光二極管或光電二極管構(gòu)成的光半導(dǎo)體元件與光纖或透鏡進(jìn)行光結(jié)合的光學(xué)元件安裝用基片中，可傳輸最大傳輸信號頻率為10GHz的高頻信號的光學(xué)元件安裝用基片由專利文獻(xiàn)1-日本特開2002-50821號公報公開。
可是，對于上述現(xiàn)有技術(shù)例子中公開的光學(xué)元件安裝用基片，在以下方面不盡理想。在高頻的信號，例如頻率超過10GHz的信號中，對傳輸損失的抑制不充分。由于最大膜厚10um的電介質(zhì)層(例如由SiO2構(gòu)成)的厚度不充分，不容易形成抑制了傳輸損失的(例如3dB/cm以下)的傳輸線路，即薄膜配線圖案。此外，硅基片必須使用電阻率為10000Ω.cm以上的特殊基片。此外，在為了達(dá)到該電阻率而制造非攙雜的硅基片時，在制造方法上控制該值是困難的。此外，難以規(guī)定在10000Ω.cm以上。再者，由于使用這種特殊電阻率的基片，難以提高生產(chǎn)效率，也不容易降低成本。
此外，由于電介質(zhì)層被成膜于整個基片的表面上，在光纖用的V槽內(nèi)部也形成約10um的電介質(zhì)層。因此，該電介質(zhì)層容易因硅的各向異性蝕刻使形成的高精度V槽的形狀等所形成的槽精度降低。其結(jié)果，不容易提高光纖的搭載精度(被動校準(zhǔn)精度)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的為提供一種解決上述的至少一個問題的光學(xué)元件安裝用基片。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的解決方案如下。
光學(xué)元件安裝用基片的特征為，具有具備透鏡或光纖搭載部的第一基片，形成于上述第一基片的一主面上、具備配線層的第二基片，其中上述配線層具備與上述透鏡或光纖光學(xué)連接的激光二極管搭載部及與上述激光二極管電連接的連接部。
此外優(yōu)選具有以下結(jié)構(gòu)。
(1)光學(xué)元件安裝用基片的特征為，具有具備透鏡或光纖搭載部的第一基片，形成于上述第一基片的一主面上、具備配線層且電阻率比上述第一基片高的第二基片，其中上述配線層具備與上述透鏡或光纖光學(xué)連接的激光二極管搭載部及與上述激光二極管電連接的連接部。
此外，上述第二基片也可為電阻率比第一基片高的基片。
上述第二基片的特征為在與上述第一基片的上述透鏡搭載部對應(yīng)的區(qū)域中具有開口部。
或者，上述第二基片的端部位于上述透鏡搭載部的周圍。
上述第一基片為硅基片。上述第二基片為玻璃基片。
采用這些方案，能夠提供解決至少上述一個技術(shù)問題的光學(xué)元件安裝用基片。此外，能夠構(gòu)成可用于高頻信號的裝置(例如能夠抑制、降低10GHz以上的高頻信號的傳輸損失)。此外，能夠減小傳輸損失對硅基片的電阻率的依存關(guān)系，提供能夠使用通用的硅基片的構(gòu)造?；蛘?，在確保用于搭載光纖及透鏡的V槽的精度的同時，還能夠提供基片難以產(chǎn)生翹曲的構(gòu)造，特別是可抑制基片因溫度變動而翹曲量增大，即有助于提供抑制激光二極管與光纖的光結(jié)合的損失增大的構(gòu)造。
(2)光學(xué)元件安裝用基片的特征為，具有具備透鏡搭載部的第一基片，與上述第一基片的一主面相對面地形成、具備激光二極管的搭載部及與上述激光二極管連接的配線層的第二基片，以及與上述第一基片的上述一主面相反一側(cè)的主面相對面地形成的第三基片。
形成于例如第一基片上的其它基片與僅形成于例如第一基片的一面上的場合相比，能夠抑制因溫度變動對基片的翹曲的助長。作為上述其它的基片是例如電介質(zhì)基片。其結(jié)果，在激光二極管與光纖搭載于上述的基片上時能夠抑制在光結(jié)合上產(chǎn)生偏差，能抑制結(jié)合損失加大。
此外，作為更優(yōu)選的具體的方案，光學(xué)元件安裝用基片的特征為，具有具備透鏡或光纖搭載部的第一基片，與上述第一基片的一主面相對面地形成、具備與上述透鏡或光纖光學(xué)連接的激光二極管的搭載部及有與上述激光二極管的連接部的配線層且電阻率比上述第一基片高的第二基片，以及與上述第一基片的上述一主面相反側(cè)的主面相對面地形成、電阻率比上述第一基片高的第三基片。
此外，例如，上述第二基片與上述第三基片的線膨脹系數(shù)的差比上述第二基片的線膨脹系數(shù)與上述第一基片的線膨脹系數(shù)的差小。
另外，例如，上述第二基片的特征為，在上述第一基片的與上述透鏡搭載部相對應(yīng)的區(qū)域上具有開口部?；蛘?，上述第二基片的端部位于上述透鏡搭載部的周圍。此外，上述第三基片面積比上述第二基片的面積大。
此外，例如，上述第三基片為玻璃基片。作為一方案，第二基片與第三基片可為由相同材料構(gòu)成的電介質(zhì)基片。
如后上述，優(yōu)選第二基片，或者在具有第三基片的場合的第二基片或第三基片、最好是第二和第三基片做得比第一基片更薄?；蛟谄渌臓顩r下，優(yōu)選第二基片，或者在具有第三基片的場合的第二基片或第三基片、最好是第二和第三基片做得比第一基片更厚。
此外，優(yōu)選第二基片和第三基片的厚度差比第二基片與第一基片的厚度差更小。作為一例，可考慮在測定誤差的范圍內(nèi)是相同的。
另外，例如，光學(xué)元件安裝用基片具有與激光二極管電連接的配線、與上述激光二極管光學(xué)連接的透鏡或光纖的設(shè)置部，與上述激光二極管光學(xué)連接的光電二極管的設(shè)置部，設(shè)置與上述光電二極管電連接的配線的設(shè)置部。例如，具有作為硅基片的上述第一基片，設(shè)置在上述第一基片的一主面上的第二基片，設(shè)置在上述第一基片的上述一主面的里面上的第三基片，在上述第二基片上具有上述激光二極管的設(shè)置部、上述配線、上述光電二極管的設(shè)置部，在上述第一基片上具有上述透鏡或上述光纖的設(shè)置部。
此外，例如，在上述第一基片的上述第二基片側(cè)表面上形成薄膜。例如，基片成分為與周圍的氧結(jié)合而形成的氧化膜。此外，例如，在上述第一基片的上述第三基片側(cè)表面上形成薄膜。它也可以是上述的氧化膜。
(3)光學(xué)元件安裝用基片的特征為，具有具備透鏡搭載部的第一基片，形成于上述第一基片的一主面上的第一區(qū)域中、具備激光二極管的搭載部及與上述激光二極管電連接的第一配線層、電阻率比上述第一基片高的激光二極管搭載用基片，形成于上述第一基片的上述一主面上的第二區(qū)域內(nèi)、具備光電二極管的搭載部及與上述光電二極管電連接的第二配線層、電阻率比上述第一基片高的光電二極管搭載用基片。
上述透鏡搭載部也可為光纖搭載部。
例如，上述激光二極管搭載用基片與上述光電二極管搭載用基片優(yōu)選具有對上述第二基片所說明的至少幾種狀態(tài)。例如，這些基片為電阻率比上述第一基片高的基片。此外，這些基片優(yōu)選具有相同的主結(jié)構(gòu)材料。更優(yōu)選的是在制造誤差或測定誤差的范圍內(nèi)由相同成分構(gòu)成。
(4)光學(xué)元件安裝用基片的特征為，具有具備具有激光二極管的搭載部及與上述激光二極管電連接的連接部的第一配線層、電阻率比上述第一基片高的激光二極管搭載用基片，形成于上述激光二極管搭載用基片的上述激光二極管搭載部所形成的面的相反一側(cè)的面上、具備與上述激光二極管光學(xué)連接的透鏡或光纖的搭載部的第一襯底基片，具備具有光電二極管的搭載部及與上述光電二極管電連接的連接部的第二配線層、電阻率比上述第一基片高的光電二極管搭載用基片，形成于上述光電二極管搭載用基片的上述光電二極管搭載部所形成的面的相反一側(cè)的面上的第二襯底基片。
(5)上述的光學(xué)元件安裝用基片的制造方法包含以下工序。在第一基片的一主面上設(shè)置透鏡或光纖的區(qū)域內(nèi)形成槽的槽形成工序，在形成了上述槽的第一基片的上述槽所形成的主面上結(jié)合第二基片的結(jié)合工序，在與上述第二基片的上述結(jié)合后的主面相反一側(cè)的主面上形成與激光二極管電連接的電極膜及與上述電極膜電連接并與來自外部的配線電連接的配線層的導(dǎo)電膜形成工序，以護(hù)膜覆蓋由上述導(dǎo)電膜形成工序形成的膜的護(hù)膜形成工序，將上述護(hù)膜形成圖案、在與第二基片的上述形成槽的區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域中形成開口部的工序。
通過形成上述開口部，除去覆蓋了槽區(qū)域的第二基片，使第二基片的面積比上述第一基片更小。
此外，具有設(shè)置激光二極管、與激光二極管電連接的配線、與上述激光二極管光學(xué)連接的透鏡或光纖、與上述激光二極管光學(xué)連接的光電二極管、與上述光電二極管電連接的的配線的設(shè)置部的光學(xué)元件安裝用基片的制造方法的特征具有如下工序通過對硅基片進(jìn)行各向異性蝕刻形成槽的工序、將上述硅基片與第一基片及第二基片結(jié)合的工序、在上述第一基片上形成激光二極管設(shè)置部、配線和光電二極管設(shè)置部的工序，對上述第一基片的一部分進(jìn)行蝕刻，使形成于上述硅基片上的上述槽露出的工序。
使用上述光學(xué)元件安裝用基片安裝的光學(xué)元件具有第一基片、設(shè)置于上述第一基片的一主面上的第二基片、設(shè)置于上述第一基片的上述一主面的里面上的第三基片，在上述第二基片上具有激光二極管、與激光二極管電連接的配線、與上述激光二極管光學(xué)連接的光電二極管、與上述光電二極管電連接的配線，在上述第一基片上具有與上述激光二極管光學(xué)連接的透鏡或光纖。
通過這些光學(xué)元件安裝用基片，能夠至少解決上述問題之一。
此外，即使在傳輸信號為高頻(例如10GHz以上)的場合，也能夠容易地形成抑制傳輸損失的傳輸線路。
另外，通過使用通用的電阻率的硅基片，能夠提高生產(chǎn)效率，降低制造成本。
此外，由于可以不在透鏡或光纖設(shè)置用的蝕刻槽內(nèi)形成厚的電介質(zhì)膜，因而能夠很好地確保蝕刻槽的形狀精度，從而能夠維持搭載于蝕刻槽內(nèi)的透鏡或光纖的搭載精度。
本發(fā)明的效果是，利用本發(fā)明的光學(xué)元件安裝用基片，能夠至少解決上述問題之一。


圖1為本發(fā)明的第一實(shí)施例的光學(xué)元件安裝用基片的立體圖。
圖2為圖1所示的光學(xué)元件安裝用基片的分解立體圖。
圖3為在硅基片的表面上形成結(jié)合用蝕刻槽的、圖1的光學(xué)元件安裝用基片的分解立體圖。
圖4為表示在第一玻璃基片或第二玻璃基片的結(jié)合面上形成結(jié)合用玻璃蝕刻槽的結(jié)構(gòu)的分解立體圖。
圖5為表示在第一玻璃基片上設(shè)置臺階部的結(jié)構(gòu)的光學(xué)元件安裝用基片的立體圖。
圖6為本發(fā)明的第二實(shí)施例的光學(xué)元件安裝用基片的立體圖。
圖7為本發(fā)明的第四實(shí)施例的光學(xué)元件安裝用基片的立體圖。
圖8為表示安裝光電二極管的第四玻璃基片的安裝結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖9為表示圖1所示的光學(xué)元件安裝用基片的制造流程的流程圖。
圖10為在本發(fā)明的光學(xué)元件安裝用基片上安裝了激光二極管、光電二極管、球面透鏡時的立體圖。
圖11為在激光二極管組件上安裝本發(fā)明的光學(xué)元件安裝用基片時的上面示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下，根據(jù)附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)地說明。此外，以下的實(shí)施例不過示出了包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)的一實(shí)施例。本發(fā)明并不限于作為實(shí)施例說明的例子。
圖1為本發(fā)明的第一實(shí)施例的光學(xué)元件安裝用基片的立體圖。光學(xué)元件安裝用基片由作為第一基片的一例的半導(dǎo)體基片的硅基片1、作為形成于上述第一基片的一主面?zhèn)鹊牡诙囊焕牡谝徊ＡЩ?、和作為形成于與上述第一基片的上述一主面相反一側(cè)的第三基片的一例的第二玻璃基片3構(gòu)成。以比第一玻璃基片2及第二玻璃基片3厚的基片為例子表示硅基片1。此外，第一玻璃基片2與第二玻璃基片3為厚度大致相同的電介質(zhì)基片。第二基片與第三基片的電阻率的差比第二基片與第一基片的電阻率的差要小。例如，由在制造誤差和測量誤差的范圍內(nèi)相同材料的玻璃構(gòu)成。這些電介質(zhì)基片可為具有電阻率(Ω/cm2)比半導(dǎo)體的硅基片1高的絕緣性的基片。此外，例如，硅基片1與第一玻璃基片2通過氧化膜4、例如作為自然氧化膜或熱氧化膜的SiO2薄膜結(jié)合，硅基片1與第二玻璃基片3同樣地通過氧化膜4、即SiO2薄膜結(jié)合。第一玻璃基片2及第二玻璃基片3位于氧化膜4的SiO2薄膜上。硅基片1最好為以結(jié)晶面方位(100)為主表面的單晶硅基片。此外，例如在其表面形成自然氧化膜4、即SiO2薄膜，在其一部分上形成利用各向異性蝕刻形成的蝕刻槽5及倒棱錐體槽6。與蝕刻槽5附近的蝕刻槽5的中心線線對稱地形成倒棱錐體槽6。在第一玻璃基片2的表面上分別形成氮化鉭薄膜電阻8，氧化鉭薄膜電容器9，用于與激光二極管進(jìn)行電連接的激光二極管用通用薄膜電極10，形成于激光二極管用通用薄膜電極10上的、作為用于安裝激光二極管的軟釬焊膜的激光二極管用AuSn軟釬焊薄膜11，用于與光電二極管進(jìn)行電連接的光電二極管用薄膜電極14，相同的光電二極管用第一通用薄膜電極12，光電二極管用第二通用薄膜電極13，形成于光電二極管用薄膜電極14上的作為用于安裝光電二極管的軟釬焊膜的光電二極管用第一AuSn軟釬焊薄膜17，形成于光電二極管用第一通用薄膜電極12上的作為用于安裝光電二極管用的軟釬焊膜的光電二極管用第二AuSn軟釬焊薄膜15，形成于光電二極管用通用薄膜電極13上的作為用于安裝光電二極管的軟釬焊膜的光電二極管用第三AuSn軟釬焊薄膜16，用于測定激光二極管動作時的基片的表面溫度的薄膜溫度傳感器18，用于反射來自激光二極管的出射光、將光線向光電二極管入射的玻璃蝕刻槽7。
如圖所示，氮化鉭薄膜電阻8及氧化鉭薄膜電容器9形成于形成安裝激光二極管的激光二極管用AuSn軟釬焊薄膜11的位置附近。被激光二極管及光電二極管傳輸?shù)某^10GHz的高頻電信號傳輸?shù)缴鲜龅g薄膜電阻8及激光二極管用通用薄膜電極10等薄膜元件中。再者，蝕刻槽5為利用來安裝光纖及透鏡的槽，倒棱錐槽6可用作利用于得到安裝光纖及透鏡的位置的標(biāo)識用槽。例如，在將外形為圓筒形的透鏡安裝于蝕刻槽5中的場合，透鏡的安裝高度、即透鏡的光軸中心由蝕刻槽5的寬度決定。其原因是，由于蝕刻槽5通過硅的各向異性蝕刻形成，蝕刻槽5的側(cè)面由硅的結(jié)晶面的{111}面構(gòu)成，通常與底面的(100)面的角度為54.7°。這樣，由于蝕刻槽5的側(cè)面與底面的角度為一定，透鏡的中心高度就由蝕刻槽5的寬度決定。此時，如果通過激光二極管用AuSn軟釬焊薄膜11安裝在第一玻璃基片2上的激光二極管的光點(diǎn)(光出射口)與透鏡的中心一致，得到光的結(jié)合，光軸一致。可以通過使這些光軸保持一致求出蝕刻槽5的寬度。
此外，透鏡長度方向的定位可將形成于蝕刻槽5附近的倒棱錐槽6用作基準(zhǔn)標(biāo)識。此外，硅基片1只要表示了面方位{100}，也可為其它方位，硅基片1的電阻率可為任意的電阻率。優(yōu)選1000Ωcm以下。其原因是，由于傳輸10GHz以上的高頻信號的第一玻璃基片2與由濺射法或化學(xué)氣相沉積法(CVD-Chemical Vapor Deposition)形成的薄膜相比為很厚的基片，能夠抑制作為襯底的基片的硅基片1的電阻率對由第一玻璃基片2上的薄膜元件構(gòu)成的高頻傳輸線路(電極圖案)的傳輸特性所施加的影響。
傳輸線路的損失分為導(dǎo)體損失與電介質(zhì)損失二部分。在本實(shí)施例中，由于在電介質(zhì)損失低的第一玻璃基片2上形成由薄膜元件構(gòu)成的傳輸線路，因而大致決定了導(dǎo)體損失。如果在傳遞線路中使用膜厚較厚的金屬膜，則導(dǎo)體損失基本上可忽略不計(jì)。在本實(shí)施例中由于可容易地實(shí)現(xiàn)金屬膜的厚膜化，因而能夠降低傳輸線路的損失。
圖2為圖1所示的光學(xué)元件安裝用基片的分解立體圖的一例。第一玻璃基片2及第二玻璃基片3最好為熱膨脹系數(shù)約33×10-7/℃、與硅基片1的熱膨脹系數(shù)(23.3×10-7/℃)接近，在內(nèi)部含有較多的4％左右的Na2O的玻璃(例如硼硅酸玻璃)，并為能夠與硅基片1陽極結(jié)合的玻璃。例如電阻率在20℃下為4×1014Ωcm左右。如圖所示，在形成由硅的各向異性蝕刻形成的蝕刻槽5及倒棱錐槽6、表面上形成了自然氧化膜4、即SiO2薄膜的硅基片1，通過陽極結(jié)合等與第一玻璃基片2和第二玻璃基片3結(jié)合構(gòu)成。第一玻璃基片2通過陽極結(jié)合等結(jié)合在形成了蝕刻槽5及倒棱錐槽6的硅基片1的主面上，第二玻璃基片3通過陽極結(jié)合等結(jié)合在硅基片1的里面上。第一玻璃基片2需要成為與硅基片1結(jié)合后不遮住蝕刻槽5及倒棱錐槽6的形狀。圖2所示的第一玻璃基片2的形狀為一例，只要為不覆蓋蝕刻槽5及倒棱錐槽6的形狀，可為任意的形狀。如圖所示，第一玻璃基片2的結(jié)合面的面積比硅基片1的表面的面積相比較小?；蛑辽傥g刻槽具有位于第一玻璃基片的端部之外的區(qū)域。另一方面，在第二玻璃基片3上不形成氮化鉭薄膜電阻8等薄膜元件，因而容易制作成使其具有與硅基片1的寬度和長度相同的寬度和長度。即，結(jié)合的面積最好為硅基片1、第二玻璃基片3都相等。例如，作為第二基片的第一玻璃基片2的面積和作為第三基片的第二玻璃基片3的面積之差比作為第一基片的硅基片1的面積與第二基片的的面積之差更小。第一玻璃基片2及第二玻璃基片3雖可在加工成圖2所示的形狀后與硅基片1陽極結(jié)合，但最好是在結(jié)束了各向異性蝕刻的硅片與玻璃片以片狀首先陽極結(jié)合，在形成氮化鉭薄膜電阻8等薄膜元件后，以干腐蝕設(shè)置玻璃蝕刻槽7及開口部。這種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)由于是由第一玻璃基極2與第二玻璃基片3將硅基片1夾在中間的構(gòu)造，因而可以說是難以助長由溫度變動引起基片的翹曲的結(jié)構(gòu)。理由是，例如作為一例，如果第一玻璃基片2與第二玻璃基片3為同一材料，由于它們的線膨脹系數(shù)相同，基片由于溫度變動只會引起向長度方向伸長，而幾乎沒有翹曲。
圖3為作為其它方案，使用在硅基片1的表面上形成結(jié)合用蝕刻槽19的基片的場合，圖1的光學(xué)元件安裝用基片的分解立體圖的一例。除結(jié)合用蝕刻槽19形成于硅基片1上以外，其它結(jié)構(gòu)與圖2的情況相同。如果形成結(jié)合用蝕刻槽19，由于硅基片1與第一玻璃基片2結(jié)合的面積減小，其優(yōu)點(diǎn)是能夠減小結(jié)合時所施加的壓力，并且在結(jié)合后難以發(fā)生基片的翹曲。由于同樣的理由，在硅基片1的里面也形成有結(jié)合用的蝕刻槽。
圖4為作為其它方案，示出以在第一玻璃基片2的結(jié)合面與第二玻璃基片3的結(jié)合面上形成結(jié)合用玻璃蝕刻槽20來替代在硅基片1的表里兩面形成的結(jié)合用蝕刻槽19的情況的實(shí)施例。這種結(jié)構(gòu)也具有能夠減小結(jié)合時施加的壓力，并且在結(jié)合后難以發(fā)生基片的翹曲的優(yōu)點(diǎn)。
圖5為表示將作為電介質(zhì)基片的第一玻璃基片2上的激光二極管設(shè)置處和光電二極管的設(shè)置處設(shè)置于比第一玻璃基片2的基片表面低的位置上的例子的光學(xué)元件安裝用基片的立體圖。由于激光二極管設(shè)置處和光電二極管的設(shè)置處位于比第一玻璃基片2的基片表面低的位置上，在第一玻璃基片2上形成有高度調(diào)整槽21。圖5實(shí)施例的光學(xué)元件安裝用基片除高度調(diào)整槽21設(shè)置于第一玻璃基片2上以外，其余的結(jié)構(gòu)與圖1相同。
用于與激光二極管進(jìn)行電連接的激光二極管用通用薄膜電極10形成于第一玻璃基片2的表面和高度調(diào)整槽21內(nèi)。同樣地，用于與光電二極管進(jìn)行電連接的光電二極管用薄膜電極14和光電二極管用第一通用薄膜電極12及光電二極管用第二通用薄膜電極13形成于第一玻璃基片2的表面和高度調(diào)整槽21內(nèi)。此外，作為用于安裝激光二極管的軟釬焊膜的激光二極管用AuSn軟釬焊薄膜11及作為用于安裝光電二極管的軟釬焊膜的光電二極管用第一AuSn軟釬焊薄膜17、和光電二極管用第二AuSn軟釬焊薄膜15及光電二極管用第三AuSn軟釬焊薄膜16形成于高度調(diào)整槽21內(nèi)。在將外形為圓筒形的透鏡安裝在蝕刻槽5內(nèi)的場合，如果高度調(diào)整槽21形成于第一玻璃基片2上，與僅通過蝕刻槽5的寬度調(diào)整透鏡中心的高度情況相比，容易使透鏡中心與激光二極管的光點(diǎn)相一致。在此，對于激光二極管設(shè)置處與光電二極管設(shè)置處位于比第一玻璃基片2的基片表面低的位置上的情況進(jìn)行了敘述，但也可與此相反地使這些設(shè)置處位于比第一玻璃基片2的基片表面高的位置上。
下面，對圖1的實(shí)施例的變形后的其它實(shí)施例進(jìn)行說明。雖然基本上可具有與圖1腥同的結(jié)構(gòu)，但第二實(shí)施例的第一玻璃基片2比硅基片1更厚。更優(yōu)選的是第二玻璃基片3也比硅基片1更厚的方案。第一玻璃基片2與第二玻璃基片3為由相同材料的玻璃構(gòu)成的電介質(zhì)基片，為大約相同厚度的基片。由于這些基片為電介質(zhì)基片，當(dāng)然與硅基片相比為電阻率高的絕緣基片。通過第一玻璃基片2上的薄膜元件，10GHz以上的高頻電信號傳輸?shù)郊す舛O管及光電二極管。與圖1所示的第一實(shí)施例相比，由于在第一玻璃基片上形成有硅基片1的厚度較薄的、作為與10GHz以上的傳輸信號相對應(yīng)的傳輸線路的薄膜元件，因而可進(jìn)行與硅基片1的電阻率無關(guān)的、不損害傳輸特性的低損耗的信號傳輸。
圖6為本發(fā)明的第二實(shí)施例的光學(xué)元件安裝用基片的立體圖。光學(xué)元件安裝用基片由硅基片1和第二玻璃基片3、第三玻璃基片22和第四玻璃基片23構(gòu)成。硅基片1在此場合為比第二玻璃基片3、第三玻璃基片22和第四玻璃基片23的厚度厚的基片。反之，硅基片1也可以是比這些玻璃基片薄的基片。第二玻璃基片2、第三玻璃基片22和第四玻璃基片23為大致相同厚度、相同材料的玻璃構(gòu)成的電介質(zhì)基片。因此，與硅基片1相比，這些玻璃基片的電阻率較高，為絕緣性高的基片。相對于第三玻璃基片22與第四玻璃基片23通過自然氧化膜4、即SiO2薄膜結(jié)合于硅基片1的表面上，第二玻璃基片3通過自然氧化膜4、即SiO2薄膜結(jié)合于硅基片1的里面上。
即、第二玻璃基片3第三玻璃基片22及第四玻璃基片23位于自然氧化膜4的SiO2薄膜上。硅基片1為其一主面為結(jié)晶面方位(100)的單晶硅基片，在其表面上形成自然氧化膜4，在其一部分上形成由硅的各向異性蝕刻形成的蝕刻槽5及倒棱錐槽6。與蝕刻槽5附近的蝕刻槽5的中心線線對稱地形成有倒棱錐槽6。與硅基片1結(jié)合的第三玻璃基片22和第四玻璃基片23被分開。在第三玻璃基片22上形成有氮化鉭薄膜電阻8，氧化鉭薄膜電容器9，用于與激光二極管進(jìn)行電連接的激光二極管用通用薄膜電極10，形成于激光二極管用通用電極10上的、作為用于安裝激光二極管的軟釬焊膜的激光二極管用AuSn軟釬焊薄膜11，用于測定激光二極管工作時的基片的表面溫度的薄膜溫度傳感器18。激光二極管通過激光二極管用AuSn軟釬焊薄膜11安裝在第三玻璃基片22上。此時，10GHz以上的高頻電信號通過氮化鉭薄膜電阻8及激光二極管用通用薄膜電極10施加到激光二極管上。此外，硅基片1只要表現(xiàn)為面方位{100}，也可為其它方位，硅基片1的電阻率可為任意的電阻率。其理由為，由于傳輸高頻信號的第三玻璃基片22與由濺射法或化學(xué)氣相沉積法(CVD-Chemical VaporDeposition)形成的薄膜相比為很厚的基片，作為襯底的基片的硅基片1的電阻率不會對由第三玻璃基片22上的薄膜元件構(gòu)成的高頻傳輸線路(電極圖案)的傳輸特性施加影響。另一方面，在第四玻璃基片23上形成用于與光電二極管進(jìn)行電連接的光電二極管用薄膜電極14，相同的光電二極管用第一通用薄膜電極12，光電二極管用第二通用薄膜電極13、形成于光電二極管用薄膜電極14上的作為用于安裝光電二極管的軟釬焊膜的光電二極管用第一AuSn軟釬焊薄膜17，形成于光電二極管用第一通用薄膜電極12上的作為用于安裝光電二極管用的軟釬焊膜的光電二極管用第二AuSn軟釬焊薄膜15，形成于光電二極管用通用薄膜電極13上的作為用于安裝光電二極管的軟釬焊膜的光電二極管用第三AuSn軟釬焊薄膜16。光電二極管通過上述各AuSn軟釬焊薄膜安裝在第四玻璃基片23上。此時，來自光電二極管的高頻電信號可通過上述光電二極管用薄膜電極14等，信號波形不會劣化地傳輸?shù)轿挥诠鈱W(xué)元件安裝用基片的外部的信號處理用IC。
在此場合，硅基片1的電阻率作為使形成于第四玻璃基片23上的傳輸線路的傳輸特性劣化的影響因素可以忽略不計(jì)。其理由為，由于傳輸來自光電二極管的高頻電信號的第四玻璃基片23與電介質(zhì)薄膜相比為很厚的基片，作為襯底的基片的硅基片1的電阻率不會對由第四玻璃基片23上的薄膜元件構(gòu)成的高頻傳輸線路的傳輸特性施加影響。
這樣，即使設(shè)置激光二極管的玻璃基片與設(shè)置光電二極管的玻璃基片為不同的基片，也不會使高頻電信號傳輸?shù)膫鬏斕匦粤踊４送猓瑸榱艘种苹穆N曲及因溫度變動引起的對基片翹曲的促進(jìn)，最好與圖1至圖5所示的實(shí)施例同樣地在硅基片1的里面上結(jié)合有由矯正翹曲用的相同材料構(gòu)成的玻璃基片。此外，結(jié)合于硅基片1的里面上的第二玻璃基片3與硅基片1的結(jié)合面也可比硅基片1的里面的面積小，此外，也可局部分割。最好將第二玻璃基片3做成在將第三玻璃基片22及第四玻璃基片23與硅基片1結(jié)合后的基片的翹曲予以矯正的構(gòu)造。因此，第二玻璃基片3不必一定為與第二玻璃基片22及第四玻璃基片23大致相同厚度的基片。
此外，作為第三實(shí)施例的光學(xué)元件安裝用基片，如基片的翹曲能夠通過將硅基片1的厚度做的足夠厚進(jìn)行抑制，則可做成在圖1的構(gòu)造中除去第二玻璃基片3的結(jié)構(gòu)。由于與硅基片1結(jié)合的第三玻璃基片22及第四玻璃基片23的結(jié)合面積相對于圖1所示的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)較小，結(jié)合后的基片的翹曲與圖1的第一實(shí)施例相比較小。此外，光學(xué)元件安裝用基片能夠做成沒有以前的實(shí)施例中設(shè)置的第二玻璃基片3的形式。但與在硅基片1的里面上結(jié)合第二玻璃基片3的情況相比，存在因溫度變動引起的基片翹曲增大的危險。但是，只要在對于元件特性來說不成其為問題的范圍內(nèi)即可。通過極力減小第三玻璃基片22及第四玻璃基片23的結(jié)合面積，或者減小這些基片的厚度，或者增加硅基片1的厚度，都能夠減小因溫度變動引起的基片的翹曲。因此，能夠?qū)⒁驕囟茸儎右鸬募す舛O管和光電二極管及安裝在蝕刻槽5中的透鏡等的光軸的偏差抑制到最小限度。
圖7為本發(fā)明的第四實(shí)施例的光學(xué)元件安裝用基片的立體圖。相對于圖6所示的結(jié)構(gòu)，其為沒有第四玻璃基片23的結(jié)構(gòu)，而僅將第三玻璃基片22通過自然氧化膜4、即SiO2薄膜結(jié)合在硅基片1上。為第四玻璃基片23位于自然氧化膜4的SiO2薄膜上的結(jié)構(gòu)。作為用于安裝光電二極管的基片的第四玻璃基片23安裝在與硅基片1不同的基底基片24上，設(shè)置在能夠得到與激光二極管光結(jié)合的位置上。另一方面，通過第三玻璃基片22上的激光二極管用AuSn軟釬焊薄膜11，安裝在第三玻璃基片22上的激光二極管和安裝在蝕刻槽中的透鏡的光軸一致。即使采用這種結(jié)構(gòu)，也能將10GHz以上的高頻電信號在各玻璃基片上傳輸，能夠抑制傳輸特性的劣化。此外，由于是利用大致相同厚度的玻璃基片將硅基片夾持住的結(jié)構(gòu)，因而可抑制因溫度變動引起的光軸的偏差。此外，如果使用受光有效面積大的面受光型的光電二極管，即使在與硅基片1分體的基片上安裝第四玻璃基片23，也能夠容易地進(jìn)行與激光二極管的光結(jié)合。即使在這種結(jié)構(gòu)中也能夠滿足所要求的特性。
安裝作為用于安裝光電二極管的基片的第四玻璃基片23的基底基片24也可安裝在圖8所示的硅基片1上。在此場合，第四玻璃基片23通過自然氧化膜4、即SiO2薄膜結(jié)合于圖7中安裝第三玻璃基片22的與硅基片1不同的硅基片1上。當(dāng)然，通過第四玻璃基片23上的光電二極管用第一AuSn軟釬焊薄膜17、光電二極管用第二AuSn軟釬焊薄膜15、光電二極管用第三AuSn軟釬焊薄膜16，光電二極管安裝在第四玻璃基片23上。在硅基片1上形成蝕刻槽5及倒棱錐槽6，做成在該位置上能夠搭載透鏡的結(jié)構(gòu)得到與激光二極管的光結(jié)合。在這樣安裝光電二極管及透鏡后，能夠容易地與安裝在圖7所示的光學(xué)元件安裝用基片上的激光二極管光軸一致。
此外，由于上述任一個實(shí)施例中在蝕刻槽5及倒棱錐槽6內(nèi)均沒有形成自然氧化膜4以外的薄膜，因而能夠維持因硅的各向異性形成的構(gòu)造、即維持精度。
再者，構(gòu)成由薄膜元件形成的傳輸線路的金屬膜最好為膜厚3μm左右的厚膜，以降低、抑制傳輸線路的導(dǎo)體損失。
以下，使用圖9對圖1所示結(jié)構(gòu)的光學(xué)元件安裝用基片的制造方法進(jìn)行說明。該制造方法的特征為通過硅的各向異性蝕刻在硅基片上形成多個不同形狀的槽(深度不同的槽或大小不同的槽)，此后，將玻璃基片結(jié)合在硅基片上，在玻璃基片上形成薄膜電阻及薄膜電極等薄膜元件后，利用于腐蝕對玻璃基片進(jìn)行蝕刻。在此，圖9示出的剖面圖是為了便于理解具有特征結(jié)構(gòu)的光學(xué)元件安裝用基片的制作方法。因此，與圖1所示的光學(xué)元件安裝用基片的剖面不一致。按照圖9的工序a)至工序f)的順序?qū)χ圃旆椒ㄟM(jìn)行說明。
a)首先，在結(jié)晶面方位(100)的硅基片1的兩面上形成Si3N4/SiO2層疊膜(未圖示)。SiO2膜(例如膜厚160nm)為由熱氧化形成的熱氧化膜，Si3N4膜(例如膜厚160um)為利用減壓化學(xué)氣相沉積法(CVD-Chemical Vapor Deposition)形成的膜。其次，在該Si3N4/SiO2層疊膜上設(shè)置用于形成蝕刻槽5及倒棱錐槽6的開口部。在這種方法中，可使用以往的半導(dǎo)體技術(shù)中所使用的光刻法(護(hù)膜的涂布、曝光、顯影、形成護(hù)膜圖案并將護(hù)膜作為掩膜劑將圖案轉(zhuǎn)印在Si3N4/SiO2層疊膜上)，在Si3N4/SiO2層疊膜的蝕刻中可使用活性離子蝕刻法(RIE-Reactive IonEtching)。此后，用濃度為40wt％的氫氧化鉀水溶液(溫度70℃)進(jìn)行硅的各向異性蝕刻。此時，蝕刻槽5的深度蝕刻至所希望的深度、例如蝕刻到450μm。倒棱錐槽6(圖9中未圖示)由于由Si3N4/SiO2層疊膜形成的掩膜開口部較小，因而在蝕刻槽5的蝕刻深度達(dá)到450μm前出現(xiàn){111}面，成為V形狀的槽、即倒棱錐的形狀，外觀上成為停止蝕刻的狀態(tài)。這樣，利用硅的各向異性蝕刻形成的不同形狀的槽(深度不同的槽、大小不同的槽)雖由深度最深的槽的蝕刻的速度決定，但可同時形成多個槽。此后，使用熱磷酸、BHF(HF+NH4F混合水溶液)將Si3N4/SiO2層疊膜依次剝離。之后，將硅基片1放置于大氣中時，就在基片1的表、里面上形成自然氧化膜4。
b)其次，通過陽極結(jié)合將硅基片1與線膨脹系數(shù)與硅基片相近、作為第一玻璃基片2的、在內(nèi)部含有較多的4％左右的Na2O的硼硅酸玻璃結(jié)合。例如，可通過基片加熱溫度400℃、施加電壓600V進(jìn)行結(jié)合。再者，通過同樣方法將與第一玻璃基片2相同厚度的第二玻璃基片3與硅基片1結(jié)合。此時，可在加熱器上將第一玻璃基片2和第二玻璃基片3層疊在硅基片1上，在第一玻璃基片2上施加電壓并結(jié)合，接著在第二玻璃基片3上施加電壓并結(jié)合。通過這種方法能夠極力降低因結(jié)合引起的基片的翹曲。
c)在第一玻璃基片2上形成氮化鉭薄膜電阻8、氧化鉭薄膜電容器9(圖9中未示出)、激光二極管用通用薄膜電極10、激光二極管用AuSn軟釬焊薄膜11(圖9中未示出)、光電二極管用薄膜電極14(圖9中未示出)、光電二極管用第一通用薄膜電極12(圖9中未示出)、光電二極管用第二通用薄膜電極13(圖9中未示出)、光電二極管用第一AuSn軟釬焊薄膜17(圖9中未示出)、光電二極管用第二AuSn軟釬焊薄膜15(圖9中未示出)、光電二極管用第三AuSn軟釬焊薄膜16(圖9中未示出)、薄膜溫度傳感器18(圖9中未示出)。首先，形成Au(例如膜厚3μ)/Pt(例如膜厚300nm)/Ti(例如膜厚100nm)薄膜(未圖示)。成膜方法適用濺射法、真空蒸鍍法的任一種。在此場合，只要是金屬膜，也可是除此以外的金屬膜，也可為Al薄膜或Cr薄膜等單層膜。但是，為了降低、抑制由薄膜圖案構(gòu)成的傳輸線路的導(dǎo)體損失，最表面的金屬膜最好是膜厚3μm左右的厚膜。接著，利用光刻法形成護(hù)膜圖案，將其作為掩膜通過離子銑削對Au/Pt/Ti薄膜進(jìn)行蝕刻。此后，使用剝離液、氧研磨將護(hù)膜剝離，形成激光二極管用通用薄膜電極10、光電二極管用薄膜電極14、光電二極管用第一通用薄膜電極12、光電二極管用第二通用薄膜電極13。接著，利用分離(リフトオフ)法分別形成氮化鉭薄膜、氧化鉭薄膜、薄膜電容器用上部Au/Pt/Ti薄膜、薄膜溫度傳感器用Pt/Ti薄膜。此時，氮化鉭薄膜及氧化鉭薄膜可通過濺射法成膜。在此場合的濺射中，前者可適用在氬保護(hù)氣中導(dǎo)入微量的氮?dú)鈦沓赡さ姆磻?yīng)濺射法、后者適用在氬保護(hù)氣中導(dǎo)入氧氣成膜的反應(yīng)濺射法。Pt/Ti薄膜可使用濺射法或真空蒸鍍法的任一種方法成膜。這樣，在第一玻璃基片2上形成各薄膜元件。
d)將例如1000cp左右的粘性高的陰性護(hù)膜涂布在第一玻璃基片2上，利用光刻法得到厚膜護(hù)膜圖案25。厚膜護(hù)膜圖案25的厚度為例如100μm左右。此時，可同時形成用于形成玻璃蝕刻槽7(圖9中未圖示)的護(hù)膜開口部。
e)通過玻璃的感應(yīng)偶合等離子體(ICP-Inductively Coupled Plasma)干腐蝕，在第一玻璃基片2上形成蝕刻開口部26及玻璃蝕刻槽7。開口部26可位于蝕刻槽5的位置。
f)通過氧研磨及護(hù)膜剝離液，將厚膜護(hù)膜圖案25剝離。此后，利用噴霧涂布法將陽性型護(hù)膜(未圖示)涂布在基片表面上。其后，通過光刻法形成護(hù)膜圖案(未圖示)。此時的護(hù)膜圖案為與激光二極管用AuSn軟釬焊薄膜11(圖9中未示出)、光電二極管用第一AuSn軟釬焊薄膜17(圖9中未示出)、光電二極管用第二AuSn軟釬焊薄膜15(圖9中未示出)、光電二極管用第三AuSn軟釬焊薄膜16(圖9中未示出)對應(yīng)的護(hù)膜圖案。AuSn軟釬焊薄膜(例如Au薄膜80％、Sn薄膜20％)為Au薄膜與Sn薄膜的層疊薄膜，合計(jì)膜厚為3μm。AuSn軟釬焊薄膜使用真空蒸鍍法成膜，通過分離法形成各圖案。
通過依次進(jìn)行如上的各工序能夠得到本發(fā)明的光學(xué)元件安裝用基片。圖10為表示在圖1所示的光學(xué)元件安裝用基片上安裝激光二極管32、光電二極管33、非球面透鏡31時的狀態(tài)的示意圖。非球面透鏡31用粘結(jié)劑固定在蝕刻槽5中，激光二極管32及光電二極管33通過對激光二極管用AuSn軟釬焊薄膜11、光電二極管用第一AuSn軟釬焊薄膜17、光電二極管用第二AuSn軟釬焊薄膜15、光電二極管用第三AuSn軟釬焊薄膜16進(jìn)行加熱并使它們?nèi)芑?反流)，從而將光學(xué)元件安裝用基片具體地分別固定在第一玻璃基片2上。此時，通過被動式校準(zhǔn)固定從而使激光二極管32、光電二極管33、非球面鏡31的光軸一致。為了使這些光軸一致，當(dāng)然，蝕刻槽5的寬度、第一玻璃基片2的厚度、安裝激光二極管32的第一玻璃基片2上的位置、安裝光電二極管的第一玻璃基片2上的位置、形成蝕刻槽5的位置被預(yù)先確定。為了將10GHz以上的高頻電信號施加到安裝了這樣的各光學(xué)零部件的光學(xué)元件安裝用基片上并向外部輸送光信號，通過引線結(jié)合進(jìn)行各零部件電連接。由于是處理高頻電信號，為了縮短用于進(jìn)行電氣連線的各導(dǎo)線34的長度，預(yù)先將氮化鉭薄膜電阻8、氧化鉭薄膜電容器9、激光二極管用通用薄膜電極10、光電二極管用薄膜電極14、光電二極管用第一通用薄膜電極12、光電二極管用第二通用薄膜電極13、薄膜溫度傳感器18形成于最佳位置。在此的氮化鉭薄膜電阻8起到電信號的消除振蕩和終端電阻的作用。由激光二極管32將電信號變換為光信號，從激光二極管32出射的光信號通過非球面鏡31向光纖等外部傳輸。此時，從激光二極管32出射的光信號由光電二極管33監(jiān)控。在此，雖示出了用導(dǎo)線34在光學(xué)元件安裝用基片內(nèi)的配線及向光學(xué)元件安裝用基片外的配線，但并不限于此。也可對應(yīng)于在光學(xué)元件安裝用基片內(nèi)部形成貫通孔，由在其內(nèi)部填充了金屬的通孔(ビアホ-ル)配線將各元件進(jìn)行電連接。在此場合，能夠矯正由于導(dǎo)線34的寄生電感的影響導(dǎo)致的高頻電信號的的波形的失真。
圖11是表示將圖1所示的光學(xué)元件安裝用基片安裝在蝶式的激光二極管組件上一例的示意圖。激光二極管32、光電二極管33安裝在第一玻璃基片2上，非球面鏡31安裝在硅基片1上，光學(xué)元件安裝用基片安裝在外殼35中。此外，雖未圖示，但用于抑制激光二極管32的發(fā)熱的冷卻用佩爾蒂元件安裝在光學(xué)元件安裝用基片的下部。10GHz以上的高頻電信號通過高頻特性優(yōu)良的插接件39施加于光學(xué)元件安裝用基片上。來自激光二極管32的光信號通過非球面透鏡31、平行光管透鏡36、由套管37固定的光纖38向外部傳輸。采用這種結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的光學(xué)元件安裝用基片可用于激光二極管組件中。
在構(gòu)成如上所述的光學(xué)元件安裝用基片的硅基片1的非球面透鏡搭載用的蝕刻槽5及倒棱錐槽6的形成過程中，雖使用了氫氧化鉀水溶液，但也可使用TMAH(氫氧化四甲銨)及EDP(乙二胺鄰苯二酚水)等能夠進(jìn)行硅的各向異性蝕刻的其它的蝕刻液。但是從蝕刻的形狀及使用的觀點(diǎn)看，氫氧化鉀水溶液較適宜。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)元件安裝用基片，其特征為，具有具備透鏡或光纖搭載部的第一基片，形成于上述第一基片的一主面上、具備配線層的、電阻率比上述第一基片高的第二基片，其中，上述配線層具備與上述透鏡或光纖光學(xué)連接的激光二極管的搭載部及與上述激光二極管電連接的連接部。
2.按照權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件安裝用基片，其特征為，上述第二基片在與上述第一基片的上述透鏡搭載部對應(yīng)的區(qū)域中具有開口部。
3.一種光學(xué)元件安裝用基片，其特征為，具有具備透鏡搭載部的第一基片，與上述第一基片的一主面相對面地形成、具備激光二極管的搭載部及與上述激光二極管連接的配線層、電阻率比上述第一基片高的第二基片，以及與上述第一基片的上述一主面相反一側(cè)的主面相對面地形成、電阻率比上述第一基片高的第三基片。
4.按照權(quán)利要求3所述的光學(xué)元件安裝用基片，其特征為，上述第二基片為玻璃基片。
5.一種光學(xué)元件安裝用基片，其特征為，具備具有透鏡搭載部的第一基片，形成于上述第一基片的一主面上的第一區(qū)域中、具備激光二極管的搭載部及與上述激光二極管電連接的配線層、電阻率比上述第一基片高的激光二極管搭載用基片，形成于上述第一基片的上述一主面上的第二區(qū)域中、具備光電二極管的搭載部及與上述光電二極管電連接的第二配線層、電阻率比上述第一基片高的光電二極管搭載用基片。
6.一種光學(xué)元件安裝用基片，其特征為，具有具備激光二極管的搭載部及與上述激光二極管電連接的第一配線層、電阻率比上述第一基片高的激光二極管搭載用基片，形成于上述激光二極管搭載用基片的上述激光二極管搭載部所形成的而的相反一側(cè)的面上、具備與上述激光二極管光學(xué)連接的透鏡搭載部的第一襯底基片，具備光電二極管的搭載部及與上述光電二極管電連接的第二配線層、電阻率比上述第一基片高的光電二極管搭載用基片，形成于上述光電二極管搭載用基片的上述光電二極管搭載部所形成的面的相反一側(cè)的面上的第二襯底基片。
7.一種光學(xué)元件安裝用基片，其特征為，具有具備透鏡或光纖搭載部的半導(dǎo)體基片和具備配線層的電介質(zhì)基片，其中，上述配線層形成于上述半導(dǎo)體基片的一主面上、具有與上述透鏡或光纖光學(xué)連接的激光二極管的搭載部及與上述激光二極管電連接的連接部。
8.一種光學(xué)元件安裝用基片，其特征為，具有具備透鏡搭載部的第一基片，與上述第一基片的一主面相對面地形成、具備激光二極管搭載部及與上述激光二極管連接的配線層的第二基片，及與上述第一基片的上述一主面的相反一側(cè)的主面相面對地形成的第三基片。
9.一種光學(xué)元件安裝用基片的制造方法，其特征為，包含如下工序在第一基片的一主面上設(shè)置透鏡或光纖的區(qū)域內(nèi)形成槽的槽形成工序，在形成了上述槽的第一基片的上述槽所形成的主面上結(jié)合第二基片的結(jié)合工序，在與上述第二基片的上述結(jié)合后的主面相反一側(cè)的主面上形成與激光二極管電連接的電極膜及與上述電極膜電連接、與來自外部的配線電連接的配線層的導(dǎo)電膜形成工序，以護(hù)膜覆蓋由上述導(dǎo)電膜形成工序所形成的膜的護(hù)膜形成工序，對上述護(hù)膜形成圖案、并在與第二基片的形成上述槽的區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域中形成開口部的工序。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種光學(xué)元件安裝用基片。本發(fā)明的目的在于提供一種克服以往的對于頻率超過10GHz的信號，難以形成圖11的形態(tài)結(jié)構(gòu)的光學(xué)元件安裝用基片。此外，提供一種克服以往的難以得到不容易發(fā)生基片翹曲、特別是不容易助長因溫度變動引起的基片的翹曲的結(jié)構(gòu)的光學(xué)元件安裝用基片。本發(fā)明的光學(xué)元件安裝用基片為，具有硅基片和在上述硅基片上的第一電介質(zhì)基片與第二電介質(zhì)基片，在上述第一基片上具有上述激光二極管的設(shè)置部、上述配線、上述光電二極管的設(shè)置部，在上述硅基片上具有上述透鏡或上述光纖的設(shè)置部。
文檔編號H01S5/062GK1610196SQ20041004836
公開日2005年4月27日 申請日期2004年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月17日
發(fā)明者明石照久, 東山賢史, 竹盛英昭, 廣瀨一弘 申請人:株式會社日立制作所