專利名稱：隔離半導(dǎo)體元件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元件，更具體地，涉及一種使用淺溝隔離(STI)隔離半導(dǎo)體元件的方法。
背景技術(shù)：
眾所周知，在半導(dǎo)體集成電路的制造中，已使用元件隔離技術(shù)對(duì)晶體管和電容器之類的單獨(dú)元件進(jìn)行電絕緣。在各種元件隔離方法中，局部硅氧化(LOCOS)方法和淺溝隔離(STI)方法得到普遍應(yīng)用。
LOCOS方法在硅基片的活性區(qū)形成一個(gè)氮化物層掩模圖案，并且使用掩模圖案作為掩模來熱氧化硅基片。然而，然而LOCOS方法具有這樣的缺點(diǎn)氧化層形成在一個(gè)寬闊的區(qū)域，并且在氧化層和硅基片之間的交界面出現(xiàn)鳥嘴侵蝕現(xiàn)象。因此，在高度集成的元件中，應(yīng)用該方法受到限制。因?yàn)镾TI方法通過在基片上形成一條淺溝，然后把氧化層埋入到所述溝中而形成元件隔離區(qū)域，所以，該限制使得STI方法在高度集成的元件中得到廣泛的應(yīng)用。
圖1A至1C是說明采用傳統(tǒng)的STI方法隔離半導(dǎo)體元件的方法的截面圖。
參見圖1A，墊氧化層11和墊氮化層12沉積在諸如硅材料制成的基片10上。墊氧化層11和墊氮化層12通過使用元件隔離掩模進(jìn)行蝕刻而形成圖案。從這個(gè)蝕刻工藝開始，基片10上暴露出一元件隔離區(qū)域。在此，墊氧化層11用作緩沖層，以阻隔由基片10和墊氮化層12間的直接接觸所產(chǎn)生的應(yīng)力。墊氮化層12用作蝕刻掩模，以在化學(xué)機(jī)械研磨CMP工藝中形成溝和蝕刻終止層。
接下來，將所述基片的暴露部分蝕刻到預(yù)先設(shè)定的厚度，從而形成一條溝。然后，在所述溝的側(cè)壁上形成一個(gè)氧化層13。之后，在上述所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上形成一個(gè)氮化層14。此處，形成氮化層14是為了通過抑制硼分離現(xiàn)象而提高元件的性能。在氮化層14形成之后，元件隔離氧化層15沉積在包括氮化層14的基片結(jié)構(gòu)上，從而完全填充所述溝槽。
參見圖1B，在元件隔離氧化層15上進(jìn)行CMP工藝加工，直到暴露墊氮化層12的表面。
參見圖1C，墊氮化層12通過采用濕蝕刻的方法去除，同時(shí)，氮化層14的上部無意中也受到蝕刻。
雖然，氮化層14形成在溝槽的側(cè)壁上，用于改善元件的特性，在對(duì)墊氮化層12進(jìn)行濕蝕刻時(shí)，氮化層14的上部被蝕刻掉。這樣，元件隔離氧化層15在活性區(qū)的邊界區(qū)域也受到損壞，導(dǎo)致產(chǎn)生如圖1C所示的溝壑。
圖2是示出上述溝壑的生成的詳圖。如圖所示，在對(duì)包括一基片210、一個(gè)墊氧化層211、一個(gè)氧化層212、一個(gè)墊氮化層213、一個(gè)氮化層215和一個(gè)元件隔離氧化層216的基片結(jié)構(gòu)進(jìn)行平面化處理之后，進(jìn)行濕蝕刻工藝加工。然而，當(dāng)通過濕蝕刻加工蝕刻墊氮化層213時(shí)，氮化層215上部部分的一側(cè)幾乎全部暴露出來，因此對(duì)于濕蝕刻加工更為敏感。因此，在濕蝕刻加工中，氮化層215的暴露部分也受到蝕刻。被蝕刻的氮化層215用標(biāo)號(hào)215A標(biāo)記。
作為這種擴(kuò)大的蝕刻的結(jié)果，所生成的溝壑的深度變得更深，導(dǎo)致電場(chǎng)集中在一個(gè)區(qū)域，并且殘留物會(huì)在后續(xù)的形成字線等工藝過程中殘留下來。這些殘留物導(dǎo)致架橋現(xiàn)象。
更進(jìn)一步地，在高度集成的半導(dǎo)體元件中，由于活性區(qū)的尺寸相對(duì)于溝壑的尺寸成比例地減小，晶體管的臨界電壓的變化范圍很大程度取決于溝壑的尺寸。如果為了補(bǔ)償所述的臨界電壓，加大用于控制臨界電壓的離子植入量，則會(huì)產(chǎn)生通道阻抗增大的問題。其結(jié)果是，在實(shí)施STI工藝的過程中產(chǎn)生的溝壑成為降低元件特性的主要因素。
另外，在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)元件中，大規(guī)模的集成也導(dǎo)致元件隔離區(qū)域的尺寸逐漸減小。比如，在80納米(nm)左右的工藝中，所述的元件隔離區(qū)域的尺寸被減小到0.12微米(μm)，元件隔離區(qū)域的減小導(dǎo)致這樣的趨勢(shì)溝槽的側(cè)壁變得更厚，而溝槽的底部邊角由于在所述溝槽中局部產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力而變得更薄。這種趨勢(shì)如圖3A所示。
因?yàn)樵诓捎酶邷匮趸に囆纬裳趸瘜拥倪^程中，氧化層底部的生長率與氧化層側(cè)部的成長率不同，可觀察到溝槽的不同厚度。
而且，因?yàn)樗鲈綦x區(qū)域的尺寸減小，氧化層也更可能局部地生長。因此，生長率不同所產(chǎn)生的應(yīng)力不會(huì)被釋放而會(huì)累積起來，導(dǎo)致應(yīng)力的增大。
圖3B是用于說明在氧化層33的側(cè)壁33A和底部33B之間的顯著厚度差異帶來的所述問題的一圖表。在對(duì)P通道金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)采用STI方法的情況下，設(shè)置在溝槽中的氧化層33的側(cè)壁33A和底部33B之間的厚度差異可導(dǎo)致不能獲得元件隔離層的適當(dāng)擊穿電壓電平。而且，這種厚度差異還會(huì)成為導(dǎo)致減小元件隔離層的間隙填充余量的因素。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的之一在于，提供一種可以在實(shí)施STI方法的過程中在半導(dǎo)體元件中能夠防止在一元件隔離層和一活性區(qū)之間的邊界區(qū)域產(chǎn)生溝壑的元件隔離方法。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于，提供一種可以在采用STI方法形成元件隔離層時(shí)，最小化側(cè)向氧化層的側(cè)壁和底部表面間的厚度差異的隔離半導(dǎo)體元件的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種隔離半導(dǎo)體元件的方法，其包括以下步驟形成一個(gè)半成品的基片，其帶有一溝槽和位于基片上的帶有圖案的墊氮化層；在所述溝槽的至少一部分上形成一個(gè)第一氧化層；在所述第一氧化層和所述帶有圖案的墊氮化層上形成一個(gè)第二氧化層；在所述第二氧化層上形成一個(gè)氮化層；在所述第二氧化層上形成一個(gè)隔離氧化層；對(duì)所述隔離氧化層進(jìn)行蝕刻，其中，所述第二氧化層作為所述氮化層的蝕刻終止層。
在本發(fā)明的另一方面，還提供一種隔離半導(dǎo)體元件的方法，其包括以下的步驟在一基片的上形成一個(gè)溝槽；除所述溝槽之外的，在所述基片頂面形成一個(gè)帶有圖案的墊氮化層；在所述溝槽上形成一個(gè)第一氧化層；在所述帶有圖案的墊氮化層和所述第一氧化層之上形成一個(gè)第二氧化層；在所述第二氧化層上形成一個(gè)氮化層；在溝槽中填充隔離氧化層；采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝對(duì)所述隔離層進(jìn)行平整化處理，直到暴露所述帶有圖案的墊氮化層；及，去除所述帶有圖案的墊氮化層。
在本發(fā)明的又一方面，還提供一種半導(dǎo)體元件，其包括一帶有溝槽的基片；一個(gè)在所述溝槽中形成的第一氧化層；一個(gè)在所述第一氧化層上沉積而成的第二氧化層；一個(gè)形成于所述第二氧化層上的氮化層；和一個(gè)填充到所述溝槽中的隔離層。


根據(jù)下文結(jié)合附圖給出的具體實(shí)施例，可以更好地理解本發(fā)明的上述及其它目的和技術(shù)特征，其中所述附圖包括圖1A至1C是說明傳統(tǒng)的隔離半導(dǎo)體元件的方法的截面圖；圖2示出在傳統(tǒng)的STI方法中溝壑的產(chǎn)生情況的詳細(xì)視圖；圖3A是顯示在所述溝槽中形成的側(cè)向氧化層的側(cè)壁和底部間的厚度差異隨集成度的增加而顯著增加的趨勢(shì)的圖表；圖3B是顯示溝槽中的側(cè)向氧化層的側(cè)壁和底部間的顯著厚度差異問題的示意圖；圖4是顯示在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的具體實(shí)施例中，如何防止溝壑形成的一個(gè)示意圖；和圖5A至圖5F是說明根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例隔離半導(dǎo)體元件的方法的截面圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中，參考附圖根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例詳細(xì)描述隔離半導(dǎo)體元件的方法。
圖4是顯示在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的具體實(shí)施例中，如何防止溝壑形成的一個(gè)示意圖與圖2相比，在包括一個(gè)墊氮化層413和一個(gè)第一氧化層412的型面上采用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法形成一個(gè)第二氧化層450。當(dāng)采用濕蝕刻工藝去除所述墊氮化層413時(shí)，第二氧化層450可以起到減少氮化層415的損失的作用。也就是說，第二氧化層45用于作為氮化層415的蝕刻終止層。在此，在濕蝕刻工藝之后得到的氮化層用標(biāo)號(hào)415B標(biāo)記。由于這個(gè)附加的第二氧化層450，可以防止溝壑產(chǎn)生。
如同上所示，最終得到的氧化層是在兩個(gè)步驟中形成的。在第一個(gè)步驟中，采用氧化工藝形成一個(gè)第一氧化層，即圖4中的第一氧化層412。然后，在第二個(gè)步驟中，采用特殊的沉積方法形成一個(gè)第二氧化層，即在此優(yōu)選實(shí)施例中的第二氧化層450。
如果所述氧化層分兩個(gè)步驟形成具有一些優(yōu)點(diǎn)。首先，可能減小在氧化工藝中長成的第一氧化層的厚度。因此，在熱氧化工藝中產(chǎn)生的溝槽底部邊緣的機(jī)械應(yīng)力能夠得以減小。機(jī)械應(yīng)力的減小可以在接面漏電方面帶來好處。
其次，在氧化工藝中長成的第一氧化層的厚度的減小可確保較大的活性區(qū)。因?yàn)檠趸に囀寡鯏U(kuò)散到基片中，在基片上形成一個(gè)氧化層，活性區(qū)會(huì)隨著氧化層厚度的增加而變得較小。而且工作區(qū)面積減小較少可提高DRAM元件的刷新特性和良率。最后，上述的分兩步形成氧化層的方法也可以適用于高度集成的元件。
第三，如上所述，由氧化工藝形成的所述第一氧化層具有較薄的厚度，而由CVD之類的沉積工藝形成所述第二氧化層具有氧化層所需整個(gè)厚度的其余厚度。這種方法可使所述氧化層在所述溝槽中具有一致的厚度。更具體地說，因?yàn)檠趸に囃ㄟ^向基片擴(kuò)散氧而形成氧化層，傳統(tǒng)所采用的氧化工藝產(chǎn)生有害的機(jī)械應(yīng)力和不一致的氧化層厚度。相反，因?yàn)镃VD方法是采用沉積的方法形成氧化層，用于形成第二氧化層的CVD方法不會(huì)產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力。因此，CVD沉積方法可得到厚度一致的氧化層。如果形成的氧化層的厚度一致，可增加用于間隙填充具元件隔離氧化層的溝槽的余量。而且，在上述元件隔離方法應(yīng)用于在P通道金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的情況下，氧化層的厚度一致具有防止不能獲得元件隔離氧化層的適當(dāng)擊穿電壓電平的作用。
圖5A至5F是說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的隔離半導(dǎo)體元件的方法的截面圖。
參見圖5A，在基片501上，采用硅之類的材料形成一個(gè)緩沖氧化層502和一個(gè)墊氮化層503，以在后續(xù)的形成溝槽的蝕刻工藝中作為蝕刻掩模，并在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中作為蝕刻終止層。此時(shí)，緩沖氧化層502的厚度在大約50.(埃)至大約100.的范圍內(nèi)，而墊氮化層503的厚度在大約500.至大約700.的范圍內(nèi)。
緩沖氧化層502可以起到防止由基片501和墊氮化層503間的直接接觸而導(dǎo)致的應(yīng)力所產(chǎn)生的作用。雖然，優(yōu)選實(shí)施例舉例說明了形成在單層中的緩沖氧化層502，為相同的目的，也可形成一多層多晶硅和氧化物層及一氧氮化物層構(gòu)成的疊層。而且，緩沖氧化層502的形成也可以省略?；?01可由硅或其它半導(dǎo)體化合物形成。
參見圖5B，墊氮化層503和緩沖氧化層502首先在使用元件隔離掩模的光刻工藝中進(jìn)行蝕刻。在光刻工藝后，形成一個(gè)帶有圖案的墊氮化層503B和一個(gè)帶有圖案的緩沖氧化層502A。然后，以帶有圖案的墊氮化層503B為蝕刻掩模對(duì)基片的一部分進(jìn)行蝕刻，從而形成一溝槽504。在一開放的區(qū)域，帶有圖案的墊氮化層503B具有側(cè)壁503A。
更具體地，在墊氮化層503上形成一層光致抗蝕劑，并使用元件隔離掩模進(jìn)行曝光和顯影工藝處理，以形成一個(gè)光致抗蝕劑圖案。然后，使用光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模對(duì)墊氮化層503和緩沖氧化層502進(jìn)行蝕刻，使用帶有圖案的墊氮化層503B作為蝕刻掩模繼續(xù)對(duì)基片501的所述部分進(jìn)行蝕刻。此后，去除剩余的光致抗蝕劑圖案。
參見圖5C，通過對(duì)溝槽504進(jìn)行氧化工藝處理形成一個(gè)第一氧化層505。在第一氧化層505形成后，采用沉積工藝生成一個(gè)第二氧化層506。優(yōu)選地，盡可能薄地形成第一氧化層505以實(shí)現(xiàn)防止活性區(qū)減小的作用。然而，要求第一氧化層505的厚度具有最小值以確保硅和氧化硅間交界處的特性。也就是說，要求第一氧化層505具有可以防止在硅和氧化硅之間形成不穩(wěn)定的不飽和鍵的最小厚度，以得到穩(wěn)定的成形的分界面。即使第一氧化層505的最小厚度根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則而不同，其最小厚度優(yōu)選地在大約10.到40.的范圍內(nèi)。
形成第一氧化層505的氧化工藝可以是高溫氧化法、快速熱氧化法(RTO)等方法。然而優(yōu)選地選用高溫氧化法。在高溫氧化法中，可以在氧化工藝開始時(shí)加入數(shù)量少于10％的氯化物氣體(Cl)，以最小化基片501和第一氧化層505之間的陷阱位置。優(yōu)選地，干氧化工藝在溫度大約750℃至大約900℃的范圍內(nèi)進(jìn)行，以防止產(chǎn)生界面。
在形成第一氧化層505的氧化工藝中，第一氧化層505不是形成在帶有圖案的墊氮化層503B和側(cè)壁503A的暴露的表面上。即使在不理想的區(qū)域形成了第一氧化層505，第一氧化層505的厚度足以薄到可以忽略不計(jì)。
在所述形成的包括由CVD之類的方法形成的第一氧化層505的結(jié)構(gòu)上，形成一個(gè)第二氧化層506。在此，所述CVD方法在帶有圖案的墊氮化層503B和側(cè)壁503A的暴露表面上平整地沉積第二氧化層506。此時(shí)，所形成的第二氧化層506的厚度加上已確定的第一氧化層505的厚度，產(chǎn)生整個(gè)氧化層的總體厚度。雖然，第二氧化層506的厚度根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則而不同，其厚度的范圍在大約10.至大約100.的范圍內(nèi)。
如上所述，因?yàn)榈诙趸瘜?06形成在帶有圖案的墊氮化層503B的側(cè)壁503A上，可以防止在后續(xù)工藝中的氮化層損失。其作用結(jié)果是可以進(jìn)一步防止溝壑的產(chǎn)生。與傳統(tǒng)所采用的氧化工藝相比，也就是與高溫氧化相比，使用CVD法可以在溝槽504的側(cè)壁和底部表面上均勻地形成第二氧化層506。
參考圖5D，沿著包括第二氧化層506的型面沉積形成氮化層507，直到達(dá)到大約30.至大約70.的厚度。然后，在氮化層507上形成元件隔離氧化層508，以填充溝槽504。具體地，優(yōu)選采用例如高濃度等離子體(HDP)沉積法形成元件隔離氧化層508，高濃度等離子體(HDP)沉積法通過反復(fù)地進(jìn)行可選地沉積與噴鍍氧化層的步驟，可以提供良好的間隙填充性。
參考圖5E，對(duì)元件隔離氧化層508進(jìn)行CMP工藝處理，直到帶有圖案的墊氮化層503B的表面暴露出來。優(yōu)選地，在CMP工藝處理的過程中，帶有圖案的墊氮化層503B的一部分也被蝕刻，使得第二氧化層506不再保持在帶有圖案的墊氮化層503B的表面上。也就是說，如果帶有圖案的墊氮化層503B的厚度是大約600.，平整后的墊氮化層503C的厚度在大約450.至大約550.的范圍內(nèi)。
參考圖5F，通過把上述基片結(jié)構(gòu)浸漬到濕蝕刻溶液(比如磷酸(H3PO4))中，蝕刻掉平整后的墊氮化層503C，以去除氮化層。為了以上的濕蝕刻工藝，首先用緩沖氧化物蝕刻劑(BOE)去除氧化層，比如，第二氧化層506，其可以留在經(jīng)平整后的墊氮化層503C上。接下來，使用H3PO4去除平整后的墊氮化層503C。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，在采用STI法形成元件隔離層時(shí)，可以防止在活性區(qū)和元件隔離區(qū)域之間的界面處產(chǎn)生溝壑。防止溝壑產(chǎn)生進(jìn)一步可以產(chǎn)生這樣的效果可以不用增加用于控制臨界電壓的植入離子的量，而獲得一個(gè)的臨界電壓，并可提高晶體管的性能。具體地，在使用STI法隔離DRAM元件中的單元時(shí)，在一個(gè)單元陣列區(qū)域中的每個(gè)晶體管的臨界電壓一致地分布。
另外，既然基于優(yōu)選實(shí)施例，可以確保較大的活性區(qū)，則可以提高DRAM元件的刷新性能和良率。此外，采用氧化工藝和CVD工藝分兩步形成氧化層可以達(dá)到使分布于溝槽中的氧化層的厚度一致的作用。因此，可以為元件隔離層增加間隙填充余量，防止不能獲得元件隔離層的適當(dāng)擊穿電壓電平。
本發(fā)明包括2003年11月24日在韓國專利局申請(qǐng)的韓國專利申請(qǐng)第KR 2003-0083579號(hào)的主題，其全部?jī)?nèi)容在此結(jié)合參引。
雖然是就一些優(yōu)選實(shí)施例而對(duì)本發(fā)明進(jìn)行的描述，但是本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員可在不偏離如同權(quán)利要求中所界定的本發(fā)明的范圍和主旨的情況下，進(jìn)行各種的變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種隔離半導(dǎo)體元件的方法，其包括以下步驟形成一個(gè)半成品的基片，所述基片上設(shè)有一溝槽和一帶有圖案的墊氮化層；在所述溝槽的至少一部分上形成一個(gè)第一氧化層；在所述第一氧化層和所述帶有圖案的墊氮化層上形成一個(gè)第二氧化層；在所述第二氧化層上形成一個(gè)氮化層；在所述第二氧化層上形成一個(gè)隔離氧化層；和對(duì)所述隔離氧化層進(jìn)行蝕刻，其中，所述第二氧化層用作所述氮化層的蝕刻終止。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述第二氧化層形成在所述第一氧化層上，并位于所述帶有圖案的墊氮化層的側(cè)壁和所述氮化層之間。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述第二氧化層是采用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法形成的。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述第一氧化層是采用高溫氧化方法和快速熱氧化方法兩種方法中的一種形成的。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述第一氧化層具有可確保界面特性的最小厚度。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于在所述高溫氧化工藝的開始階段采用氯化物氣體，最小化所述基片和所述第一氧化層之間交界處的界面陷阱。
7.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述第一氧化層的厚度在大約10埃至大約40埃的范圍內(nèi)。
8.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述第二氧化層的厚度在大約10埃至大約100埃的范圍內(nèi)。
9.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述氮化層的厚度在大約30埃至大約70埃的范圍內(nèi)。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述第二氧化層是采用沉積工藝形成的，包括所述第一氧化層和所述第二氧化層的氧化層具有均勻一致的厚度。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于進(jìn)一步包括一個(gè)位于作為緩沖層的所述墊氮化層下方的墊氧化層。
12.一種隔離半導(dǎo)體元件的方法，其包括以下的步驟在一基片上形成一溝槽；除所述溝槽之外，在所述基片的頂面形成一個(gè)帶有圖案的墊氮化層；在所述溝槽上形成一個(gè)第一氧化層；在所述帶有圖案的墊氮化層和所述第一氧化層之上形成一個(gè)第二氧化層；在所述第二氧化層上形成一個(gè)氮化層；在所述溝槽中填充一個(gè)隔離氧化層；采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝對(duì)所述隔離層進(jìn)行平整化處理，直到暴露出所述帶有圖案的墊氮化層；及去除所述帶有圖案的墊氮化層。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于所述第一氧化層是采用高溫氧化方法和快速熱氧化方法兩種方法中的一種形成的，而所述第二氧化層是采用化學(xué)氣相沉積法形成的。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于所述第一氧化層具有可確保界面特性的最小厚度。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于執(zhí)行所述化學(xué)機(jī)械研磨工藝實(shí)現(xiàn)把所述帶有圖案的墊氮化層蝕刻掉一部分，以防止所述第一氧化層和所述第二氧化層留在所述帶有圖案的墊氮化層上。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于在化學(xué)機(jī)械研磨工藝平整處理之后，將所述基片結(jié)構(gòu)浸漬到磷酸(H3PO4)化學(xué)溶液中，對(duì)所述墊氮化層進(jìn)行蝕刻。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于在蝕刻所述的帶有圖案的墊氮化層之前，將所述經(jīng)平整處理后的基片結(jié)構(gòu)浸漬到緩沖氧化物蝕刻劑(BOE)的化學(xué)溶液中，去除所述殘留的第一氧化層和第二氧化層。
18.一種半導(dǎo)體元件，其包括一帶有一溝槽的基片；一個(gè)形成于所述溝槽中的第一氧化層；一個(gè)沉積在所述第一氧化層上的第二氧化層；一個(gè)形成于所述第二氧化層上形成的氮化層；和一個(gè)填充到所述溝槽中的隔離層。
19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于所述第一氧化層是采用高溫氧化工藝形成的。
20.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于所述第二氧化層是采用化學(xué)氣相沉積工藝形成的。
21.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于所述第一氧化層的厚度在大約10埃至大約40埃的范圍內(nèi)。
22.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于所述第二氧化層的厚度在大約10埃至大約100埃的范圍內(nèi)。
23.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于所述氮化層的厚度在大約30埃至大約70埃的范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明公開一種隔離半導(dǎo)體元件的方法。所述方法包括以下步驟形成一個(gè)半成品的基片，所述基片設(shè)有一溝槽和一帶有圖案的墊氮化層；在所述溝槽的至少一部分上形成一個(gè)第一氧化層；在所述第一氧化層和所述帶有圖案的墊氮化層上形成一個(gè)第二氧化層；在所述第二氧化層上形成一個(gè)氮化層；在所述第二氧化層上形成一個(gè)隔離氧化層；和對(duì)所述隔離氧化層進(jìn)行蝕刻，其中，所述第二氧化層用作所述氮化層的蝕刻終止。
文檔編號(hào)H01L21/762GK1622309SQ200410050200
公開日2005年6月1日 申請(qǐng)日期2004年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月24日
發(fā)明者林載圻, 孫容宣 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司