專利名稱：有機發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光裝置，并更具體地，涉及一種通過形成黑矩陣的數(shù)據(jù)布線和柵極布線來改善對比度的有機發(fā)光裝置，所述黑矩陣具有透明導(dǎo)電材料和高反射性金屬材料之間的濃度梯度。
背景技術(shù)：
圖1示出了一種傳統(tǒng)有源矩陣有機發(fā)光裝置(active matrix organic lightemitting device，AMOLED)的平面構(gòu)造，其聚焦在由紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)單位像素組成的像素上。
參照圖1，傳統(tǒng)的AMOLED包括多個彼此絕緣并沿一個方向設(shè)置的柵極線110，多個彼此絕緣并沿與柵極線110交叉的方向設(shè)置的數(shù)據(jù)線120，以及與柵極線110交叉的電源線130，電源線與數(shù)據(jù)線120平行設(shè)置并彼此絕緣。所述AMOLED還包括由柵極線110、數(shù)據(jù)線120和電源線130形成的多個像素部分140，以及具有設(shè)置在各像素部分140中的開口155的多個像素電極150。
盡管在圖中未示出，R、G和B單位像素被設(shè)置在各像素部分140中，并且每個像素單元包括薄膜晶體管、電容器以及與像素電極150耦合的場致發(fā)光(EL)器件。通孔160連接像素電極150和所述薄膜晶體管的源極電極和漏極電極中的一個。
當(dāng)EL器件發(fā)射光束時，由于外部光被金屬材料如薄膜晶體管的柵極電極、源極和漏極電極、電容器電極和其他布線反射，故具有上述平面結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)有機發(fā)光裝置存在對比度降低的問題。由于外部光的高反射率，使得廣泛暴露于外部光的可移動顯示器存在對比度降低的問題。
為了阻止由外部光反射所引起的對比度降低，可在顯示器的前表面上附加偏振器?？墒?，因為偏振器本身遮擋從有機發(fā)光層發(fā)射的光束，所以使用所述偏振器會引起生產(chǎn)成本增加以及造成對比度降低的已降低了的透射率。
可選地，由Cr/CrOx或有機層構(gòu)成的黑矩陣被單獨地形成在形成有薄膜晶體管和電容器的區(qū)域上?？墒?，需要單獨的掩模工序以形成黑色矩陣，這使得制造工藝相對復(fù)雜化。
當(dāng)通過減少對外部光的反射率來改善對比度時，重要的是實現(xiàn)黑色比實現(xiàn)白色更努力。韓國專利申請No.2001-0085187已經(jīng)公開了一種技術(shù)，運用該技術(shù)，可通過使用底部發(fā)光型的有源矩陣有機發(fā)光裝置中的濃度梯度層(MIHL，metal insulator hybrid layer，金屬絕緣混合層)形成所述黑矩陣?？墒?，這種技術(shù)需要形成所述黑矩陣的單獨工序。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個示意性實施例提供一種有機發(fā)光裝置，其通過最小化外部光的反射率來改善對比度。
本發(fā)明的另一示意性實施例提供一種有機發(fā)光裝置，其通過形成材料的柵極布線和數(shù)據(jù)布線而不需要單獨的黑色矩陣，所述材料具有透明導(dǎo)電材料和金屬材料之間的濃度梯度。
本發(fā)明的又一示意性實施例提供一種薄膜晶體管，其包括形成在絕緣襯底上的半導(dǎo)體層、柵極電極以及與半導(dǎo)體層相連的源極電極和漏極電極，其中所述柵極電極、源極電極和漏極電極中的至少一個由導(dǎo)電光吸收材料形成。同樣，有機發(fā)光裝置的柵極布線和數(shù)據(jù)布線中的至少一個可包含導(dǎo)電光吸收材料。
在本發(fā)明的又一示意性實施例中，所述有機發(fā)光裝置為底部發(fā)光型。至少一個電極可由濃度梯度層形成，在濃度梯度層中，透明導(dǎo)電材料的含量朝向襯底逐漸增加，而金屬材料的含量離開襯底逐漸增加。所述像素可包括晶體管、電容器和EL器件。所述柵極布線可包括從柵極線、晶體管的柵極電極、電容器電極以及電源線中選出的至少一個，以及數(shù)據(jù)布線可包括從數(shù)據(jù)線、晶體管的源極電極和漏極電極、電容器電極以及電源線中選出的至少一個。柵極布線與數(shù)據(jù)布線的每一個可形成在除從EL器件發(fā)射光束的襯底區(qū)域之外的襯底上，并還包括光吸收材料圖案，形成所述光吸收材料圖案以便與所述柵極布線電分離。
在頂部發(fā)光型有機發(fā)光裝置的示意性實施例中，所述濃度梯度層可以是這樣的，即金屬材料的含量朝向所述襯底逐漸增加，而透明導(dǎo)電材料的含量遠(yuǎn)離所述襯底逐漸增加。
在雙側(cè)發(fā)光型的有機發(fā)光裝置的示意性實施例中，至少一個電極可由所述濃度梯度層形成，其中金屬材料的含量朝向其中心部分逐漸增加，而透明導(dǎo)電材料的含量遠(yuǎn)離中心部分朝向襯底和襯底的相對部分逐漸增加。


對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，通過參照附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例，使得本發(fā)明的上述及其他特征和優(yōu)勢變得更清晰。
圖1為傳統(tǒng)有機發(fā)光裝置的布局圖；圖2A為根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光裝置的布局圖；圖2B為根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光裝置中單位像素的布局圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明實施例的底部發(fā)光型有機發(fā)光裝置的截面構(gòu)造；圖4為根據(jù)本發(fā)明實施例的頂部發(fā)光型有機發(fā)光裝置的截面構(gòu)造；圖5為根據(jù)本發(fā)明實施例的雙側(cè)發(fā)光型有機發(fā)光裝置的截面構(gòu)造。
具體實施例方式
在下文中，將參照附圖更充分地說明本發(fā)明，所述附圖中示出了本發(fā)明的示意性實施例。可是，本發(fā)明可以以不同的形式實施并不應(yīng)認(rèn)為限制于此處所闡明的實施例。更適合地，提供這些示意性實施例以使公開透徹和完整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地表達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為清楚起見，層的厚度以及區(qū)域被放大。整個說明書中，相同的標(biāo)記指代相同的元件。
圖2A為根據(jù)本發(fā)明示意性實施例的有機發(fā)光裝置的平面示意圖，其中像素具有R、G和B單位像素。圖2B為關(guān)于圖2A中有機發(fā)光裝置的一個單位像素的平面結(jié)構(gòu)的實例。
參照圖2A和2B，根據(jù)本發(fā)明的示意性實施例的有源矩陣有機發(fā)光裝置(AMOLED)包括多個相互絕緣并沿一個方向設(shè)置的柵極線210，以及多個相互絕緣并沿與柵極線210交叉的方向設(shè)置的數(shù)據(jù)線220。進(jìn)一步，電源線230與柵極線210交叉并沿與數(shù)據(jù)線220平行的方向設(shè)置，且相互絕緣。另外，AMOLED可以包括多個由柵極線210、數(shù)據(jù)線220和電源線230形成的像素區(qū)域240。柵極線210、數(shù)據(jù)線220和電源線230可由光吸收材料形成，所述光吸收材料具有金屬材料和透明導(dǎo)電材料之間的濃度梯度。
在每個像素電極250中設(shè)置R、G和B單位像素。各像素包括兩個薄膜晶體管260和280、電容器270和具有像素電極250的EL器件。
可用作開關(guān)的薄膜晶體管260可以包括具有源極和漏極區(qū)域的半導(dǎo)體層261，與柵極線210相連并由光吸收材料形成的柵極電極263，所述光吸收材料具有金屬材料和透明導(dǎo)電材料之間的濃度梯度。薄膜晶體管260可進(jìn)一步包括源極電極265和漏極電極267，其通過接觸孔264和266分別與半導(dǎo)體層261的源極和漏極區(qū)域相連，并由具有金屬材料和透明導(dǎo)電材料之間的濃度梯度的光吸收材料形成。
可用于驅(qū)動的薄膜晶體管280可包括具有源極和漏極區(qū)域的半導(dǎo)體層281和由光吸收材料形成的柵極電極283，所述光吸收材料具有金屬材料和透明導(dǎo)電材料之間的濃度梯度。所述薄膜晶體管280可以進(jìn)一步包括源極電極285和漏極電極287，其通過接觸孔284和286分別與半導(dǎo)體層281的源極和漏極區(qū)域相連。它們由具有金屬材料和透明導(dǎo)電材料之間的濃度梯度的光吸收材料形成。
電容器270可包括下電極271，其通過接觸孔268與開關(guān)晶體管260的漏極電極267相連以及與驅(qū)動晶體管280的柵極電極283相連，其由具有金屬材料和透明導(dǎo)電材料之間的濃度梯度的遮光材料形成。電容器270可以進(jìn)一步包括與電源線230相連的上電極273，其由具有金屬材料和透明導(dǎo)電材料之間的濃度梯度的光吸收材料形成。所述像素電極250通過通孔257與驅(qū)動晶體管280的漏極電極287相連。所述驅(qū)動晶體管280的源極電極285與電源線230相連。
本發(fā)明具有上述構(gòu)造的示意性實施例的AMOLED可由光吸收材料形成以保護(hù)柵極布線與數(shù)據(jù)布線免受外部光的影響。由于遮光層用于柵極布線和數(shù)據(jù)布線，具有濃度梯度的薄膜由從Al、Mo、Cu、Ti、Ag或具有高反射率的類似材料中選出的至少一種金屬材料以及由從ITO、IZO、ZnO、IO、TO或具有高透射率的類似材料中選出的至少一種透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。
濃度梯度層(如MIHL，金屬絕緣體混合層)可以是在金屬材料和透明導(dǎo)電材料之間的光吸收材料的薄膜。金屬材料和透明導(dǎo)電材料之間的濃度可連續(xù)地變化以便連續(xù)地改變折射率?？蛇x地，所述濃度可以不連續(xù)地變化。濃度梯度層可以是光密度大于4的黑矩陣層，其中該層吸收散射的入射光而不反射光束。
所述濃度梯度層不局限于用作布線。所述濃度梯度層可包括金屬材料和透明導(dǎo)電材料，使得它具有導(dǎo)電率，并且也可用作黑矩陣，因為它通過遮蔽從外部入射的光束而防止外部光被反射。
所述布線可由濃度梯度層形成，其中透明導(dǎo)電材料和金屬材料的含量按照距所述布線表面的深度連續(xù)地變化，使得所述透明材料的含量沿從EL器件的有機薄膜層發(fā)射光束的同一方向逐漸增加，而所述金屬材料的含量沿該發(fā)射光束的相反方向逐漸增加。
所述布線可由這樣的濃度梯度層構(gòu)成，其中透明導(dǎo)電材料的含量朝向襯底200逐漸增加，而金屬材料的含量遠(yuǎn)離襯底200逐漸增加?？蛇x地，所述布線可由這樣的濃度梯度層構(gòu)成，其中金屬材料的含量朝向襯底200逐漸增加，而透明導(dǎo)電材料的含量遠(yuǎn)離襯底200逐漸增加。進(jìn)一步地，所述布線也可由這樣的濃度梯度層構(gòu)成，其中金屬材料的含量朝向其中心部分逐漸增加，而透明導(dǎo)電材料的含量朝向兩側(cè)的每一側(cè)逐漸增加。
所述柵極布線可以是柵極線210和柵極電極263、283，以及電容器270的下電極271和上電極273之間的相應(yīng)電極，例如，當(dāng)使用與柵極電極相同的材料形成下電極271時，例如是所述電容器270的下電極271。另外，當(dāng)與柵極電極同時形成電源線230時，所述柵極布線也可包括電源線230。
所述數(shù)據(jù)布線可以是數(shù)據(jù)線220、源極電極265和漏極電極267，以及電容器270的下電極271和上電極273之間的對應(yīng)電極，例如，當(dāng)使用與源極和漏極電極相同的材料形成上電極273時，例如是電容器270的上電極273。另外，當(dāng)與源極和漏極電極同時形成電源線230時，所述數(shù)據(jù)布線也可包括電源線230。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的底部發(fā)光型有機發(fā)光裝置的截面構(gòu)造。其包括EL器件、電容器、柵極線、數(shù)據(jù)線和與EL器件相連的薄膜晶體管。
參照圖3，所述薄膜晶體管301包括具有在絕緣襯底300的緩沖層310上的源極區(qū)321和漏極區(qū)323的半導(dǎo)體層，以及形成在柵極絕緣層330上的柵極電極341。源極電極361和漏極電極363被形成在層間絕緣層350上，并通過各自的接觸孔351和353與源極區(qū)321和漏極區(qū)323相連。
所述電容器303包括與柵極電極341同時形成在柵極絕緣層330上的下電極345，以及與源極和漏極電極361和365同時形成在層間絕緣層350上的上電極365。柵極線347可與柵極電極341同時形成在所述柵極絕緣層330上，并且數(shù)據(jù)線367可與源極和漏極電極361和365同時形成在層間絕緣層350上。盡管在附圖中未示出，所述電源線230可與這里的數(shù)據(jù)線同時形成，即使它也可以與柵極線或數(shù)據(jù)線同時形成。
所述EL器件305包括下電極381，其可以是形成在鈍化層370上的透射電極并與薄膜晶體管301的源極和漏極電極361和363之一相耦接，例如，通過通孔375例如與漏極電極363相接合。所述EL器件也可包括形成在開口395上的有機薄膜層383，所述開口由下電極381上的像素限定層390所確定；以及形成在所述襯底整個表面上的上電極385。
根據(jù)一個示意性實施例的有機發(fā)光裝置具有底部發(fā)光構(gòu)造，其中光束從襯底300發(fā)出。所述柵極布線包括柵極電極341、電容器的下電極345和柵極線347，并且數(shù)據(jù)布線包括源極和漏極電極361和363、電容器的上電極365、數(shù)據(jù)線367和電源線。所述柵極布線與數(shù)據(jù)布線可具有金屬材料和透明導(dǎo)電材料之間的濃度梯度層，其中透明導(dǎo)電材料的含量朝向發(fā)射光束的襯底逐漸增加，而金屬材料的含量遠(yuǎn)離襯底300逐漸增加。
在本發(fā)明的一個實施例中，包含柵極電極341、柵極線347以及電容器的下電極345的柵極布線可通過在襯底的整個表面上沉積和構(gòu)圖柵極電極材料而形成。包括源極和漏極電極361和363、電容器的上電極365和數(shù)據(jù)線367的數(shù)據(jù)布線可通過在所述襯底的整個表面上沉積和構(gòu)圖源極和漏極電極材料而形成。
在另一個實施例中，柵極電極材料被沉積在除襯底的發(fā)光區(qū)域外的整個襯底表面上并可被構(gòu)圖，使得在柵極布線被構(gòu)圖時柵極電極材料可保留在柵極絕緣層330上，所述光束從有機薄膜層383通過所述發(fā)光區(qū)域發(fā)出。當(dāng)所述源極和漏極電極材料被沉積在除襯底發(fā)光區(qū)域外的整個襯底表面上時，在數(shù)據(jù)布線被構(gòu)圖時源極和漏極電極材料可被構(gòu)圖以保留在層間絕緣層350上，所述光束從有機薄膜層383通過所述發(fā)光區(qū)域發(fā)出。
相應(yīng)地，所述柵極布線可起到布線以及用于遮蔽光束的黑矩陣的作用，并且保留在除發(fā)光區(qū)域以外的區(qū)域上的柵極電極材料圖案可起到用于遮蔽光束的黑矩陣層的作用。所述數(shù)據(jù)布線可起到布線以及用于遮蔽光束的黑矩陣的作用，并且保留在除發(fā)光區(qū)域以外的區(qū)域上的源極和漏極電極材料圖案可起到用于遮蔽光束的黑矩陣層的作用。
因此，可形成與布線電分離的黑矩陣層而沒有額外的掩模工序，并可改善遮光效果。在底部發(fā)光型有機發(fā)光裝置中，保留的柵極電極材料圖案以及源極和漏極電極材料圖案可形成在除發(fā)光區(qū)域以外的區(qū)域上，并與柵極布線與數(shù)據(jù)布線分別電分離。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的頂部發(fā)光型有機發(fā)光裝置的截面構(gòu)造。其包括EL器件、電容器、柵極線、數(shù)據(jù)線和與EL器件相連的薄膜晶體管。圖4中所示的有機發(fā)光裝置在結(jié)構(gòu)上可與前述示意性實施例基本相同，除了所述布線的濃度梯度層的構(gòu)造以及上電極485可由透射電極形成。
根據(jù)一個示意性實施例的有機發(fā)光裝置具有頂部發(fā)光構(gòu)造，光通過透射的上電極485發(fā)出。所述柵極布線可包括柵極電極441、電容器的下電極445和柵極線447，以及所述數(shù)據(jù)布線可包括源極電極461和漏極電極463、電容器的上電極465、數(shù)據(jù)線467和電源線。所述柵極布線與所述數(shù)據(jù)布線可具有金屬材料和透明導(dǎo)電材料之間的濃度梯度層，其中透明導(dǎo)電材料的含量沿光發(fā)射的方向(也就是遠(yuǎn)離襯底400的方向)逐漸增加，而金屬材料的含量朝向所述襯底400逐漸增加。
本實施例也可通過形成用于遮光的黑矩陣層來增加遮光效應(yīng)，其中所述黑矩陣層與所述布線電分離。在頂部發(fā)光型的有機發(fā)光裝置中，所保留的柵極電極材料圖案以及源極和漏極電極材料圖案分別與包括發(fā)光區(qū)域的襯底上的柵極布線和數(shù)據(jù)布線電分離。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的頂部發(fā)光型有機發(fā)光裝置的截面構(gòu)造，所述發(fā)光裝置具有EL器件、電容器、柵極線、數(shù)據(jù)線以及與EL器件相連的薄膜晶體管。圖5中所示的有機發(fā)光裝置在結(jié)構(gòu)上與前述示意性實施例基本相同，除了所述布線的濃度梯度層的構(gòu)造以及上電極585和下電極581均是可透射的。
在根據(jù)本發(fā)明實施例的雙側(cè)發(fā)光型有機發(fā)光裝置中，從兩側(cè)發(fā)出的光束通過上電極585和下電極581，其為透射電極。所述柵極布線可包括柵極電極541、電容器的下電極545和柵極線547。進(jìn)一步，所述數(shù)據(jù)布線可包括源極電極561和漏極電極563、電容器的上電極565、數(shù)據(jù)線567和電源線。所述柵極布線與數(shù)據(jù)布線可具有金屬材料和透明導(dǎo)電材料之間的濃度梯度層，其中金屬材料的含量朝向其中心部分逐漸增加，而透明導(dǎo)電材料的含量朝光發(fā)射的方向(也就是說，從中心部分到襯底500的方向以及從中心部分到上電極585的方向)逐漸增加。
本發(fā)明的一個實施例也可通過沿柵極布線與數(shù)據(jù)布線形成起遮光作用的黑矩陣層來增加光屏蔽效應(yīng)，所述黑矩陣層與所述布線電分離。在雙側(cè)發(fā)光型有機發(fā)光裝置中，所保留的柵極電極材料圖案和源極與漏極電極材料圖案可以與襯底上除發(fā)光區(qū)域以外區(qū)域上的柵極布線與數(shù)據(jù)布線電分離。
在本發(fā)明的示意性實施例中，所述柵極布線與數(shù)據(jù)布線可通過共濺射(co-sputtering)金屬材料和透明導(dǎo)電材料由具有上述濃度梯度的光吸收材料形成。
在本發(fā)明的示意性實施例中，所述數(shù)據(jù)布線和柵極布線可由黑矩陣材料形成，所述黑矩陣材料具有金屬材料和透明導(dǎo)電層之間的濃度梯度，并且反射外部光線的導(dǎo)電層也可由黑矩陣材料形成以阻止對外部光束的反射。這可以應(yīng)用于具有各種構(gòu)造的有機發(fā)光裝置，而不必限于各像素都具有如圖2B中所示的平面圖的構(gòu)造。
本發(fā)明的示意性實施例按照這樣的實例予以說明，即柵極線和電容器的下電極與所述柵極電極同時形成，而數(shù)據(jù)線、電容器的上電極和電源線與源極和漏極電極同時形成?？墒?，本發(fā)明也適于柵極線、數(shù)據(jù)線、電容器的上下電極和電源線不是與柵極電極以及源極和漏極電極同時形成，而是分別地形成。
根據(jù)本發(fā)明的示意性實施例，如上所述，由具有金屬材料與透明導(dǎo)電材料之間的濃度梯度的光吸收材料形成柵極布線與數(shù)據(jù)布線，可降低所述布線對外部光束的反射以改善對比度。同樣，因為不需要單獨的光屏蔽層，所述工藝可被簡化。
雖然至此已參照示意性實施例說明了記述的本發(fā)明，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，在不脫離由所附權(quán)利要求詳述和闡明的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此說明的本發(fā)明實施例可容易地以各種方式進(jìn)行修改和改變以符合其目的。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，包括形成襯底上的半導(dǎo)體層；柵極電極；和與所述半導(dǎo)體層相連的源極電極和漏極電極，其中所述柵極電極、所述源極電極以及所述漏極電極中的至少一個包括一導(dǎo)電光吸收材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述至少一個電極由具有金屬材料和透明導(dǎo)電材料之間的濃度梯度的濃度梯度層形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中所述透明導(dǎo)電材料的含量朝向所述襯底逐漸增加，而所述金屬材料的含量遠(yuǎn)離所述襯底逐漸增加。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中所述金屬材料的含量朝向所述襯底逐漸增加，而所述透明導(dǎo)電材料的含量遠(yuǎn)離所述襯底逐漸增加。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中所述金屬材料的含量朝向其中心部分逐漸增加，而所述透明導(dǎo)電材料的含量遠(yuǎn)離所述中心部分朝向所述襯底逐漸增加。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中所述透明導(dǎo)電材料包括從由ITO、IO、TO、IZO和ZnO構(gòu)成的組中選出的至少一種材料；和所述金屬材料包括從由Al、Mo、Cu、Ti和Ag構(gòu)成的組中選出的至少一種材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中所述濃度梯度連續(xù)變化。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中所述濃度梯度不連續(xù)地變化。
9.一種有機發(fā)光裝置，包括形成在絕緣襯底上的柵極布線與數(shù)據(jù)布線；由所述柵極布線與所述數(shù)據(jù)布線形成的像素部分；以及設(shè)置在所述像素部分中的像素，其中所述柵極布線與所述數(shù)據(jù)布線中的至少一個由至少一種導(dǎo)電光吸收材料形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光裝置，其中所述柵極布線與所述數(shù)據(jù)布線中的至少一個由濃度梯度層形成，所述濃度梯度層具有透明導(dǎo)電材料和金屬材料之間的濃度梯度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光裝置，其中所述透明導(dǎo)電材料的含量沿與光發(fā)射方向相同的方向逐漸增加。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述有機發(fā)光裝置，其中所述有機發(fā)光裝置為一種底部發(fā)光型，并且所述透明導(dǎo)電材料的含量朝向所述襯底逐漸增加，而所述金屬材料的含量遠(yuǎn)離所述襯底逐漸增加。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光裝置，其中所述像素包括晶體管、電容器和EL器件，以及所述柵極布線包括柵極線、所述晶體管的柵極電極、電容器電極和電源線中的至少一個。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光裝置，還包括形成在除光束從所述EL器件發(fā)出的區(qū)域以外的所述襯底上的光吸收材料圖案，其中所述光吸收材料圖案與所述柵極布線電分離。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光裝置，其中所述像素包括晶體管、電容器和EL器件，以及所述數(shù)據(jù)布線包括數(shù)據(jù)線、所述晶體管的源極電極、所述晶體管的漏極電極、電容器電極和電源線中的至少一個。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光裝置，還包括形成在除光束從所述EL器件發(fā)出的區(qū)域以外的所述襯底上的光吸收材料圖案，其中所述光吸收材料圖案與所述數(shù)據(jù)布線電分離。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光裝置，其中所述有機發(fā)光裝置為頂部發(fā)光型，以及所述金屬材料的含量朝向所述襯底逐漸增加，而所述透明導(dǎo)電材料的含量遠(yuǎn)離所述襯底逐漸增加。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機發(fā)光裝置，其中所述像素包括晶體管、電容器和EL器件，以及所述柵極布線包括柵極線、所述晶體管的柵極電極、電容器電極和電源線中的至少一個。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機發(fā)光裝置，還包括形成在包括光束從所述EL器件發(fā)出的區(qū)域的所述襯底上的光吸收材料圖案，其中所述光吸收材料圖案與所述柵極布線電分離。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機發(fā)光裝置，其中所述像素包括晶體管、電容器和EL器件，以及所述數(shù)據(jù)布線包括數(shù)據(jù)線、所述晶體管的源極電極、所述晶體管的漏極電極、電容器電極以及電源線中的至少一個。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機發(fā)光裝置，還包括形成在包括光束從所述EL器件發(fā)出的區(qū)域的所述襯底上的光吸收材料圖案，其中所述光吸收材料圖案與所述數(shù)據(jù)布線電分離。
22.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光裝置，其中所述有機發(fā)光裝置為雙側(cè)發(fā)光型，以及所述金屬材料的含量朝向其中心部分逐漸增加，而所述透明導(dǎo)電材料的含量遠(yuǎn)離所述中心部分朝向所述襯底和所述襯底的相對部分逐漸增加。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的有機發(fā)光裝置，其中所述像素包括晶體管、電容器和EL器件，以及所述柵極布線包括柵極線、所述晶體管的柵極電極、電容器電極和電源線中的至少一個。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的有機發(fā)光裝置，還包括形成在除光束從所述EL器件發(fā)出的區(qū)域以外的所述襯底上的光吸收材料圖案，其中所述光吸收材料圖案與所述柵極布線電分離。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的有機發(fā)光裝置，其中所述像素包括晶體管、電容器和EL器件，以及所述數(shù)據(jù)布線包括數(shù)據(jù)線、所述晶體管的源極電極、所述晶體管的漏極電極、電容器電極以及電源線中的至少一個。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的有機發(fā)光裝置，還包括形成在除光束從所述EL器件發(fā)出的區(qū)域以外的所述襯底上的光吸收材料圖案，其中所述光吸收材料圖案與所述數(shù)據(jù)布線電分離。
27.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光裝置，其中所述透明導(dǎo)電材料包括從ITO、IO、TO、IZO和ZnO構(gòu)成的組中選出的至少一種材料，以及所述金屬材料包括從Al、Mo、Cu、Ti和Ag構(gòu)成的組中選出的至少一種材料。
28.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光裝置，其中所述濃度梯度連續(xù)地變化。
29.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光裝置，其中所述濃度梯度不連續(xù)地變化。
全文摘要
一種有機發(fā)光裝置，通過形成具有高透射率導(dǎo)電材料和高反射率導(dǎo)電材料之間的濃度梯度的黑矩陣的柵極布線與數(shù)據(jù)布線來改善對比度。該裝置包括形成在絕緣襯底上的柵極布線與數(shù)據(jù)布線，由柵極布線與數(shù)據(jù)布線形成的像素部分，設(shè)置在像素部分中的像素，其中柵極布線與數(shù)據(jù)布線中至少一個由導(dǎo)電光吸收材料形成。至少一個布線由具有高透射率導(dǎo)電材料和高反射率導(dǎo)電材料之間的濃度梯度的光吸收材料形成。高反射率導(dǎo)電材料由Al、Mo、Ti、Cu、Ag等的至少一種構(gòu)成，具有高透射率的導(dǎo)電材料由ITO、IO、TO、IZO、ZnO等的至少一種構(gòu)成。柵極布線包括柵極線、柵電極、電容器電極或電源線，而數(shù)據(jù)布線包括數(shù)據(jù)線、源漏電極、電容器電極或電源線。
文檔編號H01L29/04GK1578569SQ20041005495
公開日2005年2月9日 申請日期2004年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月25日
發(fā)明者具在本, 樸志容 申請人:三星Sdi株式會社