專利名稱：上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素的制造方法及其結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管像素的制造方法及其結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種可以大幅簡化掩模制造方法以降低制造成本的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素的制造方法及其結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
對于電腦周圍裝置而言，顯示器是一重要的輸出裝置，尤其是在近年來要求其周邊裝置的外型輕薄短小的情況下，薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)隨之被廣泛應(yīng)用。然而，近年來，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)是一種新型的顯示技術(shù)，其利用不同種類的有機(jī)分子之間具有不同的能量帶，當(dāng)不同能量帶的電子與空穴相結(jié)合時，會有不同的能量發(fā)射出來，即成為不同顏色的發(fā)光源，而不需要一般TFT-LCD顯示器中所使用的背光(Back Light)，因此可以降低顯示器的整體外觀厚度并減少制造成本，成為市場上的明日之星。
然而，目前較新的有機(jī)發(fā)光二極管技術(shù)，同樣具有自發(fā)光的優(yōu)點，也不需要背光模塊(Backlight module)，并且不需要濾色片(Color Filter)，更具有與薄膜晶體管液晶顯示器至少相當(dāng)?shù)脑S多優(yōu)點，例如高對比度(100∶1)，暗視和亮視畫質(zhì)都很好、可全彩化且具有可撓性，可采用塑膠底材；除此之外，還具有優(yōu)于薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)之處，例如結(jié)構(gòu)簡單、耐用性高、成本低、驅(qū)動電壓(僅3-9V)低且省電、超過160度的寬視角、亮度高(100cd/m2)、反應(yīng)速度快(10μs)等。由此看來，對于前景看好的顯示器產(chǎn)業(yè)，有機(jī)發(fā)光二極管顯示技術(shù)的確是很具潛力并值得主要發(fā)展的技術(shù)。
圖1示出了典型有機(jī)發(fā)光二極管像素的結(jié)構(gòu)示意圖。其基本原理為施加一外加偏壓V，使電子空穴分別經(jīng)過空穴傳輸層2000a(Hole Transport Layer)和電子傳輸層3000a(Electron Transport Layer)后，進(jìn)入一具有發(fā)光特性的有機(jī)發(fā)光層4000，并在其內(nèi)結(jié)合時，形成一“激發(fā)光子”(exciton)后，將能量釋放出來而回到基態(tài)，部分用來當(dāng)作有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光源，其余的75％是以磷光或熱的形式回歸到基態(tài)。由于所選擇的發(fā)光材料能階(band gap)的不同，可使這部分的能量以不同顏色的光的形式釋放出來，而形成有機(jī)發(fā)光二極管的由陽極2000ITO(indium tin oxide)經(jīng)玻璃基板1000透出的向下發(fā)光現(xiàn)象。
然而，有機(jī)發(fā)光二極管為了實現(xiàn)高精細(xì)的畫質(zhì)以及更多的發(fā)光利用率，其設(shè)計多已轉(zhuǎn)變?yōu)樯习l(fā)光(top-emitting)型。圖2示出了改進(jìn)的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素的結(jié)構(gòu)示意圖。在上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管中，其下電極1300由可透光的ITO(銦錫氧化物)變?yōu)榭煞瓷涞慕饘賹?，加上有機(jī)發(fā)光層1400及上電極1200，經(jīng)由玻璃基板1100上發(fā)光。
圖3示出了按照九道掩模完成的驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管像素的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)結(jié)構(gòu)示意圖，其為Toshiba公司公開的有關(guān)CMOS-TFT制造方法的美國專利US 6,037,195，該專利公開的驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管像素的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體需采用九道掩模才能完成。
另外，圖4示出了按照五道掩模完成的驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管像素的P型薄膜晶體管結(jié)構(gòu)示意圖，其為LG公開的PMOS-TFT制造方法的美國專利US6,338,977，該專利公開的驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管像素的P型薄膜晶體管采用五道掩模才能完成。
以上的現(xiàn)有技術(shù)不論是有機(jī)發(fā)光二極管像素的P型薄膜晶體管或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體都需要大量的掩模制造方法。然而，熟悉半導(dǎo)體技術(shù)的業(yè)界人士都知道，減少掩模數(shù)目是制造方法上的一大創(chuàng)舉，即使節(jié)省一道掩模，成本都可以顯著降低。因此，這些現(xiàn)有技術(shù)明顯地浪費生產(chǎn)成本，嚴(yán)重削減產(chǎn)業(yè)競爭力。
因此，本發(fā)明在于提供一種上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素制造方法，該制造方法比傳統(tǒng)薄膜晶體管制造方法減少至少兩道掩模，與傳統(tǒng)的薄膜晶體管制造方法相比，可大幅度降低制造方法成本。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素制造方法，其結(jié)合薄膜晶體管的第二金屬層和上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管，應(yīng)用于發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素的結(jié)構(gòu)，其可以去除用于輸入空穴和向下透光的ITO層，而且，也可以去除連接第二金屬層與ITO之間的絕緣層及其所需的接觸孔。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供一種上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素制造方法，其中以互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)作為驅(qū)動，包括以下步驟(a)在一基板上限定出至少兩個多晶硅島并限定出N+植入?yún)^(qū)域；(b)依次淀積柵極絕緣層和柵極金屬層，并限定出柵極；(c)進(jìn)行N-植入，以形成輕摻雜漏極區(qū)域；(d)用光阻只遮住N型元件的預(yù)定區(qū)，并暴露P型元件的預(yù)定區(qū)，以進(jìn)行P+摻雜；(e)淀積一層間介電層，并對其處理以形成接觸孔；以及(f)淀積一源極/漏極金屬層，限定出源極/漏極圖案，并且該源極/漏極金屬延伸至上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素區(qū)，以用作該上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的下電極。
本發(fā)明還提供一種上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素制造方法，其中以P型薄膜晶體管作為驅(qū)動，包括以下步驟(a)在一基板上限定出至少一個多晶硅島且依次淀積柵極絕緣層和柵極金屬層，并限定出柵極；(b)進(jìn)行P+摻雜；(c)淀積一層間介電層，并對其處理以形成接觸孔；(d)淀積一源極/漏極金屬層，限定出源極/漏極圖案，并且該源極/漏極金屬延伸至上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素區(qū)，以用作該上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的下電極。
本發(fā)明還提出了一種上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素的結(jié)構(gòu)，其包括有薄膜晶體管，該晶體管用來驅(qū)動上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管，所述晶體管包括限定完成至少一源極/漏極圖案之一的源極/漏極金屬層；上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管，其包括有上電極、有機(jī)發(fā)光層和下電極；其特征在于該上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的下電極通過該薄膜晶體管的源極/漏極金屬層延伸至該上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素區(qū)形成。


圖1示出了一典型的有機(jī)發(fā)光二極管像素的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2示出了改進(jìn)的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3示出了現(xiàn)有技術(shù)以九道掩模完成的驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管像素的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖；圖4示出了現(xiàn)有技術(shù)以五道掩模完成的驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管像素的P型薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5A至5H示出了按照本發(fā)明第一實施例的以P型薄膜晶體管驅(qū)動上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素的制造方法與結(jié)構(gòu)示意圖；圖6A至6H示出了按照本發(fā)明第二實施例的以互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體驅(qū)動上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素的制造方法與結(jié)構(gòu)示意圖；圖7A和7B示出了現(xiàn)有技術(shù)的典型的有機(jī)發(fā)光二極管像素與本發(fā)明上述實施例的視圖的比較。其中附圖標(biāo)記為1000，1100-玻璃基板2000-陽極2000a-空穴注入層2000b-空穴傳輸層3000-陰極3000a-電子傳輸層4000，1400-有機(jī)發(fā)光層1200-上電極1300-下電極1，299-玻璃基板2-無源層5，301-第一絕緣層6-第一導(dǎo)電層8-P+多晶硅區(qū)10-N+多晶硅區(qū)11-N-多晶硅區(qū)12，310-第二絕緣層13-第二導(dǎo)電層
14-保護(hù)層15-像素電極15a-接觸窗300s-源電極300d-漏電極303D-漏極303S-源極100，200-基板102，202-多晶硅島103，204-柵極絕緣層104，205-柵極金屬層104a，205a-柵極102a，202c-P+摻雜區(qū)105，207-層間介電層106，208-接觸孔107，209-源極/漏極圖案107a，209a-下電極108，211-無機(jī)保護(hù)層109，210-有機(jī)發(fā)光層110，211-上電極202a-N+摻雜區(qū)202b-N-摻雜區(qū)206-光阻701，704-掃描金屬線702，705-數(shù)據(jù)金屬線703，707-像素電極706-第二導(dǎo)電層708-接觸孔
具體實施例方式
為了對本發(fā)明的目的、特征及功能有進(jìn)一步的理解，現(xiàn)結(jié)合

本發(fā)明的實施例。當(dāng)然，本發(fā)明可以有多種不同實施例，并不只限于本說明書中所述內(nèi)容。
本發(fā)明涉及一種上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素的制造方法和結(jié)構(gòu)，然而，本發(fā)明的附圖只是示例性的說明，并不是按照實際尺寸繪制，也沒能反映出結(jié)構(gòu)中各層次的實際尺寸和特點。
圖5A至5H示出了按照本發(fā)明第一實施例的以P型薄膜晶體管驅(qū)動上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素的制造方法與結(jié)構(gòu)示意圖；首先提供一基板100，依次淀積無源層101和非晶硅層(α-Si)，接著執(zhí)行激光退火(Laser Annealing)、半導(dǎo)體離子注入(Semiconductor IonImplantation)等一般發(fā)光二極管形成多晶硅的制造方法，再以第一掩模執(zhí)行曝光顯影等步驟，在該基板100上限定出至少一多晶硅島102，如圖5A所示。其中，該基板100可為玻璃、塑膠、石英或硅晶等至少其中一種材料制成。
接著，在該基板100上依次淀積柵極絕緣層(Gate Insulator)103和柵極金屬層(Gate)104，并以第二道掩模限定出柵極104a，如圖5C所示。其中柵極絕緣層103為一般半導(dǎo)體常用的絕緣層材料，如二氧化硅等；而柵極金屬層104由釹(Nd)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、銅(Cu)等至少其中一種金屬制成。
接下來為本發(fā)明的重點之一，執(zhí)行自我對準(zhǔn)式(self-alignment)P+摻雜，限定出P+摻雜區(qū)102a，摻雜物質(zhì)為B2H6、BF2+等，如圖5D所示。
淀積一層間介電層105(Inter-Layer Dielectric，ILD)，并以第三道掩模挖開若干接觸孔106至多晶硅島102的上方。其中，該層間介電層105的材料為如SiOx和SiNx等無機(jī)或有機(jī)絕緣層。
接下所述為本發(fā)明的重點，淀積源極/漏極金屬層，再以第四道掩模限定出源極/漏極圖案107(Drain/Source)，且該源極/漏極金屬另外延伸至上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素區(qū)，以直接作為該上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的下電極107a。至此，驅(qū)動上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素的P型薄膜晶體管的制造方法已完成，并僅以四道掩模完成，比現(xiàn)有技術(shù)所示的六道掩模工序至少降低兩道工序，大大降低了制造方法難度。
再淀積一無機(jī)保護(hù)層108，并在該層間介電層105的部分區(qū)域上限定出無機(jī)保護(hù)層108，可用來阻隔水和氧氣等的滲透。接著在該作為上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的下電極107a的源極/漏極金屬層上，依次形成有機(jī)發(fā)光層109(EML)和上電極110。這樣，下電極107a、有機(jī)發(fā)光層109、上電極110形成一完整的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素的制造方法和結(jié)構(gòu)。
其中，有機(jī)發(fā)光層109由一般有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光層材料形成，如具有高發(fā)光效率的小分子有機(jī)染料、Alq2(藍(lán)光)、Alq3(綠光)或有機(jī)聚合物材料(如聚對苯乙烯類PPV)等材料。而由于本發(fā)明為上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管，因此在上電極110的選擇上，必須是可透光的材料，所以ITO(銦錫氧化物)、IZO(銦鋅氧化物)這樣的金屬氧化物，性能穩(wěn)定而且透光，便成了最佳的材料選擇。由于元件材料的選取并非本發(fā)明的重點，在此不再贅述。
圖6A至6H示出了按照本發(fā)明第二實施例的以互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)驅(qū)動的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素制造方法與結(jié)構(gòu)示意圖。
如第一實施例所述，先提供一基板200，依次淀積無源層201以及非晶硅層，然后進(jìn)行激光退火、半導(dǎo)體離子植入等一般發(fā)光二極管形成多晶硅的制造方法，再以第一掩模進(jìn)行曝光顯影等步驟，在該基板200上限定出至少兩個多晶硅島202，如圖6A所示。其中，與第一實施例相同，該基板200可以由玻璃、塑膠、石英或硅晶等至少其中一種材料制成。
如圖6B所示，利用光阻203和第二道掩模在該基板200上限定出N+植入?yún)^(qū)，其中以V族元素如PH3、POCl3等對兩多晶硅島之一進(jìn)行N+植入，以形成N+摻雜區(qū)202a(如圖6C所示)。
接著去除光阻203，并在該基板200上依次淀積柵極絕緣層204和柵極金屬層205，并以第三道掩模限定出柵極205a，如圖6D所示。其中柵極絕緣層204由一般半導(dǎo)體常用的絕緣層材料制成，如二氧化硅等；而柵極金屬層205為釹、鋁、鉻、鉬、銅等至少其中一種金屬制成。
接下來為本發(fā)明的重點之一，進(jìn)行自我對準(zhǔn)式的N-植入，以形成N-摻雜區(qū)202b，摻雜物為PH3等，如圖6D所示。
然后以第四道掩模暴露出P型元件的預(yù)定區(qū)域，光阻206只遮住N型元件預(yù)定區(qū)，并對另一多晶硅島202執(zhí)行P+摻雜，以形成P+摻雜區(qū)202c。很明顯，由于在此摻雜過程中，光阻206只遮住N型元件的預(yù)定區(qū)，其它區(qū)域為自我對準(zhǔn)植入，故制造方法范圍比傳統(tǒng)方法大，也是本發(fā)明的重點之一，如圖6E所示。
去除光阻206，再淀積層間介電層207(ILD)，并以第五道掩模挖開接觸孔208至多晶硅島202上方，如圖6F所示。其中，該層間介電層207的材料為如SiOx和SiNx等無機(jī)或有機(jī)絕緣層。
接下所述為本發(fā)明的重點，淀積源極/漏極金屬層，再以第六道掩模限定出源極/漏極圖案209，且該源極/漏極金屬還延伸到上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素區(qū)，以直接作為該上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的下電極209a。至此，驅(qū)動上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素的CMOS薄膜晶體管的制造方法已完成，并僅以六道掩模完成，比現(xiàn)有技術(shù)所示的九道掩模工序至少降低三道工序，使整個制造方法減少很多。
再淀積一無機(jī)保護(hù)層212，并在該層間介電層207的部分區(qū)域上限定出無機(jī)保護(hù)層212，可用來阻隔水和氧氣等的滲透。接著在該作為上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的下電極209a的源極/漏極金屬層上，依次形成有機(jī)發(fā)光層210(EML)和上電極211。這樣，下電極209a、有機(jī)發(fā)光層210、上電極211形成一完整的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素的制造方法和結(jié)構(gòu)。
其中，有機(jī)發(fā)光層210由一般有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光材料制成，如具有高發(fā)光效率的小分子有機(jī)染料、Alq2(藍(lán)光)、Alq3(綠光)或有機(jī)聚合物材料(如聚對苯乙烯類PPV)等材料。而由于本發(fā)明為上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管，因此在上電極211的選擇上，必須是可透光的材料，所以ITO、IZO這樣的金屬氧化物，性能穩(wěn)定而且透光，便成了最佳的材料選擇。
這樣，本發(fā)明實施例形成的以P型薄膜晶體管或CMOS晶體管驅(qū)動上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素的制造方法和結(jié)構(gòu)，其中上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的下電極為由該薄膜晶體管的源極/漏極延伸至該上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素區(qū)形成。這樣，可大幅度減少制造方法中掩模的使用。
此外，若將本發(fā)明所提出的方法應(yīng)用于傳統(tǒng)的像素設(shè)計中，可能會導(dǎo)致孔徑比下降的問題(如圖7A)。其中，701掃描金屬線和數(shù)據(jù)金屬線702分別使用第一金屬層和第二金屬層制造，而數(shù)據(jù)金屬線702和像素電極703同時利用第二金屬層制造時，必須間隔出一段距離以免發(fā)生短路，所以像素電極703的面積將受到限制。若使用圖7B的新型像素設(shè)計，則可以有效增大孔徑比。該設(shè)計中的掃描金屬線704和數(shù)據(jù)金屬線705大部分使用第一金屬層制造，只是在數(shù)據(jù)金屬線705跨越掃描金屬線704時，才從接觸孔708用第二金屬層連接并跨越，這可以使第二金屬層形成的像素電極707能與數(shù)據(jù)金屬線705和掃描金屬線704重疊，因而增加孔徑比。
本發(fā)明的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素的制造方法和結(jié)構(gòu)具有至少下列優(yōu)點1、本發(fā)明所使用的方法在于結(jié)合薄膜晶體管的第二金屬層，即源極/漏極金屬層和上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管，以應(yīng)用于上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管。故可以去除用于輸入空穴和向下透光的ITO層，而且，也可以去除連接第二金屬層與ITO之間的絕緣層以及所需的接觸孔。
2、本發(fā)明的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素的制造方法和結(jié)構(gòu)，此方法比傳統(tǒng)薄膜晶體管制造方法減少了至少兩道掩模，與傳統(tǒng)的薄膜晶體管制造方法相比，可以大幅度降低生產(chǎn)成本。
3、本發(fā)明可有效降低制造方法復(fù)雜度，或在相同單位面積內(nèi)提供更多的布線空間，從而可以提高布線密度、降低生產(chǎn)成本、提高企業(yè)競爭力。
4、本發(fā)明的制造方法可以容易被本技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)人士理解并實施，并且不需要復(fù)雜的制造方法，也不需要大幅更改現(xiàn)有的技術(shù)設(shè)備，具有比現(xiàn)有技術(shù)更好的可靠度。
綜上所述，本發(fā)明提供的制造方法成品率高，有效地改善了現(xiàn)有的制造方法困難和成品率低的缺點，并且本發(fā)明的整體制造方法容易、成本非常低廉、量產(chǎn)高，其充分體現(xiàn)出本發(fā)明的目的并具有實施的進(jìn)步性，極其具有產(chǎn)業(yè)利用價值。
當(dāng)然，上述的僅為本發(fā)明的較佳實施例，并非用以限制本發(fā)明的實施范圍，任何熟悉該領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本發(fā)明的精神所做的修改，均屬于本發(fā)明的范圍，因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍以下述的權(quán)利要求作為依據(jù)。
權(quán)利要求
1.一種上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素制造方法，其中以互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS作為驅(qū)動，其特征在于，該方法包括如下步驟(a)提供一基板，在該基板上限定出至少兩個多晶硅島；(b)在該基板上限定出N+植入?yún)^(qū)域；(c)依次淀積柵極絕緣層和柵極金屬層，并限定出柵極；(d)進(jìn)行N-植入，以形成輕摻雜漏極LDD區(qū)域；(e)用光阻遮住N型元件的預(yù)定區(qū)，并暴露P型元件的預(yù)定區(qū)，以進(jìn)行P+摻雜；(f)淀積層間介電層，并挖開接觸孔；以及(g)淀積源極/漏極金屬層，限定出源極/漏極圖案，并且該源極/漏極金屬延伸至上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素區(qū)，以作為該上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的下電極。
2.按照權(quán)利要求1所述的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素制造方法，其特征在于，在步驟(g)之后還可進(jìn)一步包括一步驟(h)在該作為上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管下電極的源極/漏極金屬層上，依次形成有機(jī)發(fā)光層和上電極。
3.按照權(quán)利要求1所述的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素制造方法，其特征在于，在步驟(g)之后還可包括一步驟(g1)在該部分層間介電層上形成無源保護(hù)層。
4.按照權(quán)利要求1所述的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素制造方法，其特征在于，在步驟(d)所述的執(zhí)行N-植入形成輕摻雜漏極區(qū)域通過自我對準(zhǔn)式的N-植入完成。
5.按照權(quán)利要求1所述的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素制造方法，其特征在于，在步驟(e)中，在光阻遮住N型元件預(yù)定區(qū)域的其它區(qū)域為自我對準(zhǔn)植入。
6.按照權(quán)利要求1所述的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素制造方法，其特征在于，所述基板由玻璃、塑膠、石英或硅晶中的一種制成。
7.按照權(quán)利要求1所述的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素制造方法，其特征在于，所述柵極金屬層由鋁、鉻、鉬、銅等至少其中一種金屬制成。
8.按照權(quán)利要求1所述的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素制造方法，其特征在于，所述源極/漏極金屬由鋁、鉻、鉬、銅等至少其中一種金屬制成。
9.一種上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素制造方法，其中以P型薄膜晶體管作為驅(qū)動，其特征在于，該方法包括如下步驟(a)提供一基板，在該基板上限定出至少一多晶硅島；(b)依次淀積柵極絕緣層和柵極金屬層，并限定出柵極(c)進(jìn)行P+摻雜；(d)淀積層間介電層，并挖開接觸孔；(e)淀積源極/漏極金屬層，限定出源極/漏極圖案，并且該源極/漏極金屬延伸至上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素區(qū)，以作為該上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的下電極。
10.按照權(quán)利要求9所述的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素制造方法，其特征在于，在步驟(e)之后還可進(jìn)一步包括一步驟(f)在該作為上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管下電極的源極/漏極金屬層上，依次形成有機(jī)發(fā)光層和上電極。
11.按照權(quán)利要求9所述的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素制造方法，其特征在于，在步驟(e)之后還可包括一步驟(e1)在該層間介電層的部分區(qū)域上形成無源保護(hù)層。
12.按照權(quán)利要求9所述的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素制造方法，其特征在于，在步驟(c)所述的進(jìn)行P+摻雜通過自我對準(zhǔn)式的P+植入完成。
13.按照權(quán)利要求9所述的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素制造方法，其特征在于，所述基板由玻璃、塑膠、石英或硅晶中的一種制成。
14.按照權(quán)利要求9所述的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素制造方法，其特征在于，所述柵極金屬層由鋁、鉻、鉬、銅等至少其中一種金屬制成。
15.按照權(quán)利要求9所述的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素制造方法，其特征在于，所述源極/漏極金屬由鋁、鉻、鉬、銅等至少其中一種金屬制成。
16.一種上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素的結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括有一薄膜晶體管，該晶體管用來驅(qū)動上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管，并且所述晶體管包括有限定至少一源極/漏極圖案之一的源極/漏極金屬層；一上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管，其包括上電極、有機(jī)發(fā)光層和下電極；其特征在于該上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的下電極通過該薄膜晶體管的源極/漏極金屬層延伸至上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素區(qū)形成。
17.按照權(quán)利要求16所示的上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述源極/漏極金屬由鋁、鉻、鉬、銅等至少其中一種金屬制成。
全文摘要
一種上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管像素的制造方法和結(jié)構(gòu)，其制造方法步驟包括在基板上限定出至少兩個多晶硅島并限定出摻雜植入?yún)^(qū)域；依次淀積柵極絕緣層和柵極金屬層，并限定出柵極；進(jìn)行離子植入，形成摻雜區(qū)域；淀積層間介電層，并挖開接觸孔；淀積源極/漏極金屬層，限定出源極/漏極圖案，并且該源極/漏極圖案延伸至上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素區(qū)，以作為該上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的下電極。其結(jié)構(gòu)上的特征在于，該上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的下電極由該薄膜晶體管的源極/漏極金屬層延伸至該上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的像素區(qū)形成。
文檔編號H01L33/00GK1743928SQ20041005727
公開日2006年3月8日 申請日期2004年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月30日
發(fā)明者吳永富, 鄭君丞, 葉永輝 申請人:財團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院