專利名稱：用于制造布線的方法和用于制造半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制造布線的方法和通過使用微滴釋放(dropletdischarging)方法制造半導(dǎo)體器件的方法。特別地，本發(fā)明涉及用于形成起柱狀物作用的導(dǎo)體的布線的制造方法，以及用于制造半導(dǎo)體器件以便通過微滴釋放方法將上層圖案與下層圖案連接起來的方法。
背景技術(shù)：
近年中，將使用微滴釋放方法(比如噴墨)形成圖案應(yīng)用于平板顯示器領(lǐng)域，并且得到了積極的發(fā)展。微滴釋放方法應(yīng)用于制造EL層、濾色器、等離子體顯示器的電極等中，這是由于它具有因?yàn)榭梢灾苯永L圖而不需要掩模、該方法可以容易地應(yīng)用于大基板、材料可用性高等許多優(yōu)點(diǎn)。
使用微滴釋放方法的工藝具有不需要掩模的主要優(yōu)點(diǎn)。然而，當(dāng)使下層和上層接觸時(shí)，需要形成接觸孔或起柱狀物作用的金屬圓柱；因此，需要諸如曝光和顯影的光刻步驟序列。
作為具有高精確度和優(yōu)良形狀的柱狀物的形成方法，比如，存在一種方法，通過該方法將非感光有機(jī)樹脂膜填充在形成在光致抗蝕劑層中的開口部分中，并且，將光致抗蝕劑層上的非感光有機(jī)樹脂膜完全回蝕刻，直到露出光致抗蝕劑層，通過將其整個(gè)表面暴露于光并顯影來除去光致抗蝕劑層，并從而獲得具有預(yù)期形狀的非感光有機(jī)樹脂層(參考文獻(xiàn)1日本專利特開No.2001-267230，第一頁(yè)，附圖1)。
當(dāng)如參考文獻(xiàn)1采用光刻步驟時(shí)，步驟數(shù)目增加，因而生產(chǎn)率下降。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到上述問題，本發(fā)明的目的在于提供用于制造布線的方法和制造半導(dǎo)體器件的方法，其在連接上層圖案和下層圖案中不需要光刻步驟。
在本發(fā)明中采用下文中的裝置以解決現(xiàn)有技術(shù)的問題。
本發(fā)明的制造布線的方法包括步驟局部釋放包括導(dǎo)電材料的合成物，并形成起柱狀物作用的電導(dǎo)體以接觸基板上的第一圖案；形成絕緣體以覆蓋電導(dǎo)體；蝕刻絕緣體以露出電導(dǎo)體；以及形成與露出的電導(dǎo)體接觸的第二圖案。該制造步驟在圖1A到1D中示出。
制造本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的方法，包括步驟局部釋放包括導(dǎo)電材料的合成物，并形成起柱狀物作用的電導(dǎo)體以接觸包括在半導(dǎo)體中的雜質(zhì)區(qū)；形成絕緣體以覆蓋電導(dǎo)體；蝕刻絕緣體以露出電導(dǎo)體；以及形成與露出的電導(dǎo)體接觸的圖案。
制造本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的方法，包括步驟形成包括一種導(dǎo)電類型雜質(zhì)的半導(dǎo)體以接觸第一圖案；層疊第一絕緣體和半導(dǎo)體以接觸包括一種導(dǎo)電類型雜質(zhì)的半導(dǎo)體；通過釋放合成物形成第二圖案以接觸第一絕緣體；通過使用第二圖案為掩模，同時(shí)構(gòu)圖包括一種導(dǎo)電類型雜質(zhì)的半導(dǎo)體、該半導(dǎo)體和第一絕緣體，其后，除去第二圖案；局部釋放包括導(dǎo)電材料的合成物，并形成起柱狀物作用的電導(dǎo)體以接觸基板上的第一圖案；形成第二絕緣體以覆蓋電導(dǎo)體；蝕刻第二絕緣體以露出該電導(dǎo)體；并形成與露出的電導(dǎo)體接觸的第三圖案。半導(dǎo)體為非晶半導(dǎo)體，且這些步驟在圖2A到2E中示出。
制造本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的方法，包括步驟形成接觸形成在半導(dǎo)體上的第一絕緣體的第一圖案；使用第一圖案為掩模添加雜質(zhì)到半導(dǎo)體中；局部釋放包括導(dǎo)電材料的合成物，并形成起柱狀物作用的電導(dǎo)體以接觸包括在半導(dǎo)體中的雜質(zhì)區(qū)；形成第二絕緣體以覆蓋電導(dǎo)體；蝕刻第二絕緣體以露出電導(dǎo)體；以及形成與露出的電導(dǎo)體接觸的第二圖案。半導(dǎo)體為多晶半導(dǎo)體且這些步驟在圖3A到3E中示出。
上述制造布線的方法和制造半導(dǎo)體器件的方法中，合成物通過微滴釋放單元釋放。微滴釋放單元對(duì)應(yīng)于提供有出口的噴嘴，和配備有一個(gè)噴嘴或多個(gè)噴嘴的頭。該噴嘴配備有壓電元件或使發(fā)熱器產(chǎn)生熱以產(chǎn)生氣泡的加熱器，并排出溶液。通過微滴釋放單元局部地釋放和淀積合成物形成電導(dǎo)體。電導(dǎo)體優(yōu)選地形成為圓柱形。從出口釋放的合成物是一種其中將諸如銀、金、銅或氧化銦錫的導(dǎo)電材料溶解或分散在溶劑中。另外，通過回蝕刻法或CMP法蝕刻覆蓋電導(dǎo)體形成的絕緣體。絕緣體通過釋放包括樹脂的合成物形成。
本發(fā)明的一個(gè)特征為通過微滴釋放方法形成電導(dǎo)體，在制造用于連接上部和下部圖案的布線中，通過在下層圖案上形成起柱狀物作用的電導(dǎo)體來連接上層圖案。根據(jù)本發(fā)明，上層和下層圖案能彼此連接而不形成接觸孔。因此，由于諸如抗蝕劑涂敷、曝光、顯影、后烘焙和蝕刻的步驟，例如，在形成接觸孔中必須的那些步驟能被減少，從而實(shí)現(xiàn)了生產(chǎn)率的提高。
參考附圖，閱讀下面的詳細(xì)描述將使本發(fā)明的這些和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)變得更加明顯。


在附圖中圖1A至1D示出了用于制造本發(fā)明的布線的方法；圖2A至2E示出了制造本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的方法；圖3A至3E示出了制造本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的方法；圖4A和4B示出了制造本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的方法，尤其是，制造具有顯示功能的半導(dǎo)體器件的方法；圖5示出了用于制造本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的方法，尤其是，用于制造具有多層布線的半導(dǎo)體器件的方法；圖6A和6B表示微滴釋放裝置的實(shí)例，其用于制造本發(fā)明的布線和半導(dǎo)體器件；圖7A至7C是面板的頂視圖和剖面圖，其是應(yīng)用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個(gè)模式；圖8A和8B是面板的頂視圖和剖面圖，其是應(yīng)用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個(gè)模式；圖9A至9C表示應(yīng)用本發(fā)明的電子裝置；圖10A至10F表示應(yīng)用本發(fā)明的電子裝置；和圖11A至11D表示用于制造本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的方法。
具體實(shí)施例方式
參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施模式。在下文中將描述的本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中，在不同的附圖中通常使用表示同一部件的相同的參考數(shù)字。
參考圖1A至圖1D描述用于制造本發(fā)明布線的方法。
使用由硼硅酸鋇玻璃、硼硅酸鋁玻璃或類似物形成的玻璃基板、石英基板、硅基板、金屬基板、不銹鋼基板或具有能抵抗在制造步驟中的處理溫度的抗熱塑料基板作為基板10(圖1A)。如果需要，在基板10上形成由絕緣體制成的基膜。然后，通過已知的方法比如濺射法、汽相淀積法，CVD法或微滴釋放法在基板10上形成由電導(dǎo)體(導(dǎo)體)或半導(dǎo)體形成的圖案11。
然后，形成起柱狀物作用的電導(dǎo)體12，以通過微滴釋放單元14局部釋放包括導(dǎo)電材料的合成物而與圖案11接觸。優(yōu)選的是電導(dǎo)體12通過淀積該釋放的合成物形成為圓柱形。這是因?yàn)橥ㄟ^使用圓柱形電導(dǎo)體12容易將下層的圖案與上層圖案接觸。注意，圖1A表示淀積合成物的模式。
術(shù)語(yǔ)“圓柱形”為被三個(gè)平面包圍的立體形狀，即，柱狀平面和與匯流條交叉且相互平行的兩個(gè)平面(下文中，稱為第一平面和第二平面)。在許多情況下，第一平面和第二平面具有同樣的圓形。然而，本發(fā)明中的術(shù)語(yǔ)“圓柱形”包括第一平面和第二平面的形狀不同的情況。作為實(shí)際的問題，通過微滴釋放法形成的電導(dǎo)體12中，形成下層的第一平面的面積大于上層的第二平面的面積。優(yōu)選的是在形成圓柱形電導(dǎo)體12中，其上層的直徑為0.01到10μm(優(yōu)選地，0.1到5μm)，其下層的直徑為0.1到100μm(優(yōu)選地，1到10μm)和其高度為0.05到5μm(優(yōu)選地，0.1到3μm)。注意，表示電導(dǎo)體12的直徑或高度極大地取決于下層和上層的圖案的材料或用于釋放的條件。
另外，電導(dǎo)體12的形狀可以是使上層圖案和下層圖案之間的接觸成為可能的形狀，而不限于圓柱形形狀。例如，它可以形成具有類似圓錐、類似立方體、類似矩形立體、類似圓柱形(類似管)、類似圓柱體或類似角形圓柱形狀。上面描述了電導(dǎo)體12的直徑或高度取決于各種參數(shù)，例如，下層圖案11的材料和釋放合成物的條件。例如，電導(dǎo)體12的高度取決于下層圖案11的材料。特別地，它取決于圖案11的材料為親水的還是疏水的。換言之，它取決于圖案11材料的接觸角。例如，在其中銀(Ag)被溶解或分散在十四烷溶劑中的合成物用于電導(dǎo)體12，并且四種材料，即氮化鉭(TaN)和鎢(W)的疊層(W/TaN)、非晶半導(dǎo)體(a-Si)、多晶半導(dǎo)體(p-Si)和氮氧化硅(SiON)用于下層圖案11的情況下，以W/TaN＞a-Si＞p-Si＞SiON的順序獲得淀積的高度。因此，為了形成具有滿意形狀的電導(dǎo)體12，其中圓柱形電導(dǎo)體12的上平面和下平面的直徑很小并且高度大，合成物的釋放速度可以降低，通過改變釋放條件可以改變合成物的粘度。此外，通過反復(fù)釋放一滴或多滴的合成物和釋放后的熱處理，可以調(diào)整電導(dǎo)體12的高度。
用于繪制圖案的微滴釋放單元14是具有用于釋放微滴的裝置的單元通稱，尤其是，對(duì)應(yīng)于具有用于合成物出口的噴嘴或裝配有一個(gè)噴嘴或多個(gè)噴嘴的頭。微滴釋放單元14的噴嘴直徑可設(shè)為0.02到100μm(優(yōu)選30μm或更小)，從噴嘴釋放的合成物數(shù)量可設(shè)為0.001pl到100pl(優(yōu)選10pl或更少)。釋放的數(shù)量與噴嘴直徑尺寸成比例地增加。根據(jù)電導(dǎo)體12的期望直徑可以適當(dāng)?shù)馗淖儑娮熘睆?。進(jìn)一步，目標(biāo)與噴嘴出口之間的距離優(yōu)選地盡可能小，以滴在預(yù)期位置，并且它設(shè)為約0.1到3mm(優(yōu)選1mm或更小)。
對(duì)于從出口釋放的合成物，使用其中電導(dǎo)體被溶解或分散在溶劑中的材料。該電導(dǎo)體可以是諸如銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銥(Ir)、銠(Rh)、鎢(W)、鋁(Al)的金屬，鹵化銀納米顆?；蚍稚⒌募{米顆粒?？蛇x擇地，其為用作透明的導(dǎo)體膜的氧化銦錫(ITO)、有機(jī)銦、有機(jī)錫，氧化鋅(ZnO)、氮化鈦(TiN)等。然而，從出口釋放的合成物優(yōu)選的是其中金、銀、銅材料考慮特定的阻抗值在溶劑中溶解或分散。進(jìn)一步優(yōu)選的是使用具有低阻抗的銀或銅。使用銅的情況下，還可以提供阻擋膜用于雜質(zhì)的測(cè)量。溶劑為諸如乙酸丁脂和乙酸乙酯的酯、諸如異丙醇和乙醇的醇，諸如丁酮和丙酮的有機(jī)溶劑等。優(yōu)選地，合成物粘度設(shè)為50cp或更小，以便防止干燥，或從出口平滑地釋放合成物。合成物的表面張力優(yōu)選為40mN/m或更小。使用的合成物和類似物的粘度可以根據(jù)使用的溶劑和預(yù)期的使用適當(dāng)調(diào)整。例如，其中ITO、有機(jī)銦或有機(jī)錫溶解或分散在溶劑中的合成物其粘度為5到50mPa·S，其中銀溶解或分散在溶劑中的合成物其粘度為5到20mPa·S，其中金溶解或分散在溶劑中的合成物其粘度為10到20mPa·S。
為了防止堵塞的噴嘴并制造高精細(xì)的圖案，電導(dǎo)體的顆粒直徑優(yōu)選地盡可能小，盡管它取決于每一噴嘴的直徑和圖案的期望形狀。優(yōu)選地，顆粒直徑為0.1μm或更小。通過已知方法比如電解、霧化、減濕(wet reducing)制造合成物，其顆粒尺寸通常約0.5到10μm。然而，使用氣體蒸發(fā)法的情況下，以分散劑保護(hù)的每個(gè)納米分子是微小的，并且尺寸約為7nm。而且，當(dāng)納米顆粒的每一表面覆蓋涂敷材料時(shí)，室溫下，溶劑中的納米顆粒并不聚集，而是均勻地分散在溶劑中，表現(xiàn)出與水狀流體相似的屬性。因此，優(yōu)選使用涂敷材料。
當(dāng)釋放合成物的步驟在減壓下進(jìn)行時(shí)，從釋放合成物到將它附著到目標(biāo)的期間，合成物的溶劑是揮發(fā)性的，因此，可以消除干燥和烘焙步驟。由于氧化膜未形成在電導(dǎo)體表面上，優(yōu)選的是在減壓下進(jìn)行該步驟。
釋放合成物后，執(zhí)行干燥和烘焙的一個(gè)或全部步驟。干燥和烘焙各是熱處理中的一個(gè)步驟。例如，干燥在100℃下進(jìn)行3分鐘，而烘焙在從200到350℃的溫度下進(jìn)行15到30分鐘，并且它們的目的、溫度和時(shí)間是不同的。干燥和烘焙步驟通過激光輻射、快速熱退火、加熱爐等在常壓或減壓下執(zhí)行。注意，該熱處理可以在形成電導(dǎo)體12后或在電導(dǎo)體12上形成絕緣體后進(jìn)行，因而，時(shí)間選擇沒有特別地限制。可以加熱基板以有利地進(jìn)行干燥和烘焙步驟。此時(shí)溫度取決于基板等的材料，但一般為100到800℃(優(yōu)選200到350℃)。通過這些步驟，納米顆粒彼此相接觸，并且一起熔合和熔合接合通過硬化和收縮周圍中的樹脂而加速，并揮發(fā)合成物中的溶劑或者化學(xué)地去除分散劑。
連續(xù)波或脈沖氣體激光器或固態(tài)激光器可以用于激光輻射。準(zhǔn)分子激光器、YAG激光器等列舉作為前面的氣體激光器，而使用YAG、摻雜Cr的YVO4、Nd等的晶體的激光器列舉為后面的固態(tài)激光器。注意，關(guān)于激光的吸收因子，優(yōu)選使用連續(xù)波激光器?？商鎿Q地，可以使用結(jié)合脈沖振蕩和連續(xù)波的所謂混合激光輻射法。然而，根據(jù)基板10的耐熱性，激光輻射的熱處理可以為了不破壞基板10而瞬間地執(zhí)行幾微秒到幾十秒。在惰性氣體氣氛中通過發(fā)射紫外光到紅外光的紅外燈、鹵素?zé)艋蝾愃莆飦砜焖偬岣邷囟?，通過瞬間地加熱幾微秒到幾分鐘，執(zhí)行快速熱退火(RTA)。該處理瞬間完成，因此，充分地單獨(dú)加熱頂表面上的薄膜，而不影響其下的膜。弱耐熱性的基板10不受影響。
下一步，形成絕緣體15以覆蓋起柱狀物作用的電導(dǎo)體12(圖1B)。尤其是，通過使用諸如等離子體CVD、濺射法、SOG(旋涂式玻璃)、旋涂法或微滴釋放法的已知方法，在基板10的整個(gè)表面上形成50nm到5μm(優(yōu)選100nm到2μm)厚的絕緣體15，以覆蓋電導(dǎo)體12。以包括硅的絕緣膜的單層或疊層，比如氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜和氮氧化硅膜形成絕緣體15。然而，優(yōu)選的是根據(jù)布線電容使用具有低介電常數(shù)的材料(優(yōu)選具有4或更小的相對(duì)介電常數(shù))，例如，可以使用有機(jī)材料比如丙烯、苯并環(huán)丁烯、聚對(duì)二甲苯基、閃光或發(fā)光的聚酰亞胺。因?yàn)楫?dāng)之后形成電導(dǎo)體時(shí)，由于良好的平面性而不導(dǎo)致過分的膜薄化或臺(tái)階部分中的斷開，因此優(yōu)選的是有機(jī)材料用于絕緣體15。另外，當(dāng)具有低介電常數(shù)的材料用于層間絕緣膜時(shí)，布線電容減少，因此，可能形成多層布線和提供能實(shí)現(xiàn)高性能和高功用的半導(dǎo)體器件。為了在使用有機(jī)材料作為絕緣體15的情況下，防止脫氣或類似情況，使用材料比如鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、諸如硅化鈦(TiSix)或硅化鉬(MoSix)的硅化物膜、多晶硅膜、鈮(Nb)、氮氧化鈦(TiON)、鎢(W)、氮化鎢(WN)、氮化鈦鎢(TiWN)、鉭(Ta)的材料可以形成阻擋膜。阻擋膜可以具有單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。通過阻擋膜，提高附著性、容易嵌入、減少接觸電阻和給出穩(wěn)定性是可能的。
下一步，蝕刻絕緣體15以露出起柱狀物作用的電導(dǎo)體12。(圖1C)。尤其是，通過回刻蝕法或CMP法(化學(xué)機(jī)械研磨)蝕刻絕緣體15，以致于露出電導(dǎo)體12的尖端。該步驟是通過去除在電導(dǎo)體12上形成絕緣體15所產(chǎn)生的凸起部分來整平表面的步驟。同時(shí)，蝕刻絕緣體15，直到不僅去除凸起部分，而且露出電導(dǎo)體的頂表面。
然后，以已知的方法形成由電導(dǎo)體或半導(dǎo)體制成的圖案17，以便與露出的電導(dǎo)體12接觸(圖1D)。通過上述步驟，通過在圖案11上提供起柱狀物作用的用于連接圖案17的電導(dǎo)體12，圖案11和圖案17能相互連接。
注意，根據(jù)節(jié)拍時(shí)間，期望使用微滴釋放法形成圖案11和圖案11的一個(gè)或全部。這可以通過交換填充有合成物的噴嘴或交換填充在噴嘴中的合成物來實(shí)現(xiàn)。另外，當(dāng)通過微滴釋放法形成時(shí)，由于使用掩模的光刻步驟是不必要的，因此實(shí)現(xiàn)了生產(chǎn)率提高。
使用本發(fā)明，通過微滴釋放法形成起柱狀物作用的電導(dǎo)體12能使上層與下層圖案彼此相連，而不形成接觸孔。因此，由于形成接觸孔的步驟，比如抗蝕劑涂敷、曝光、顯影、后烘焙和蝕刻能省略，因此實(shí)現(xiàn)了生產(chǎn)率提高。進(jìn)一步，由于材料的可用性顯著地提高且處理的廢液量減少，使用微滴釋放法的本發(fā)明能提供對(duì)環(huán)境問題的解決方案的貢獻(xiàn)處理。而且，根據(jù)本發(fā)明，從所謂的第五代基板(一側(cè)是一米或更大)向前的基板能容易地處理。由于在常壓下不需要真空機(jī)制，帶來了清潔室中印記(foot print)的控制增加效果。
參考圖2A至2E、3A至3E以及4A和4B描述用于制造本發(fā)明半導(dǎo)體器件的方法。
最初，參考圖2A至2E以及4A，描述了根據(jù)本發(fā)明用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中制造使用非晶硅(a-Si)的底柵型薄膜晶體管，并形成連接該薄膜晶體管的布線。
通過微滴釋放方法在基板100上形成電導(dǎo)體101和102，然后，層疊N型非晶硅103、非晶半導(dǎo)體104和絕緣體105以覆蓋電導(dǎo)體101和102(圖2A)。然后，通過微滴釋放方法在絕緣體105上形成電導(dǎo)體106。此時(shí)，在絕緣體105中形成凹部，并通過利用該凹部作為堤來提高著陸(landing)的精確性(釋放(滴落)合成物并使其附著到期望部分的精確性)，由此，可以在期望部分上形成電導(dǎo)體106。接著，形成由諸如聚酰亞胺或抗蝕劑的有機(jī)絕緣體構(gòu)成的掩模107，并同時(shí)通過利用掩模107構(gòu)圖N型非晶半導(dǎo)體103、非晶半導(dǎo)體104和絕緣體105，以形成N型非晶半導(dǎo)體108、非晶半導(dǎo)體109和絕緣體110(圖2B)。
隨后，通過微滴釋放方法形成起柱狀物作用的電導(dǎo)體111和112以便接觸電導(dǎo)體101和102。此時(shí)，優(yōu)選的是電導(dǎo)體111和112形成為圓柱形。接著，形成絕緣體113以覆蓋電導(dǎo)體111和112(圖2C)。然后，蝕刻絕緣體113以露出電導(dǎo)體111和112(圖2D)。此時(shí)，蝕刻絕緣體113以露出電導(dǎo)體111和112的頂表面。形成電導(dǎo)體114和115以接觸電導(dǎo)體111和112露出的頂表面(圖2E)。在此，通過微滴釋放方法形成電導(dǎo)體114和115。通過上述步驟，通過在電導(dǎo)體101和102之上提供用于與電導(dǎo)體114和115連接的電導(dǎo)體111和112，可以將上部和下部圖案彼此連接起來。包括上述步驟的本發(fā)明可以在不形成接觸孔的情況下使上部和下部圖案彼此連接起來。
接著，形成電導(dǎo)體116以接觸電導(dǎo)體115。該電導(dǎo)體116之后起像素電極的作用。然后，在電導(dǎo)體116上形成取向膜117(圖4A)。制備其上層疊有濾色器121，相對(duì)電極120和取向膜119的基板122，通過密封部分(未示出)的熱硬化將基板100和基板122附著起來，此后，注入液晶118以完成使用液晶元件配備有顯示功能的半導(dǎo)體器件。將偏振片123和1234附著到基板100和122上。
接下來，參考圖3S至3E以及4B，描述用于根據(jù)本發(fā)明制造半導(dǎo)體器件的方法，其中制造使用多晶半導(dǎo)體(p-Si)的頂柵型薄膜晶體管，并形成連接該薄膜晶體管的布線。
在基板200上形成半導(dǎo)體，并在該半導(dǎo)體上形成絕緣體204。此后，通過微滴釋放方法在絕緣體204上形成電導(dǎo)體205(圖3A)。然后，以電導(dǎo)體205為掩模，通過在半導(dǎo)體中添加雜質(zhì)形成摻有雜質(zhì)的雜質(zhì)區(qū)202和203以及溝道形成區(qū)201。通過微滴釋放方法形成起柱狀物作用的電導(dǎo)體206至208，以接觸雜質(zhì)區(qū)202和203以及電導(dǎo)體205(圖3B)。此時(shí)，優(yōu)選的是電導(dǎo)體206至208形成為圓柱形。形成絕緣體209以覆蓋電導(dǎo)體206至208(圖3C)。
然后，蝕刻絕緣體209以露出電導(dǎo)體206至208(圖3D)。此時(shí)，蝕刻絕緣體209以便露出電導(dǎo)體206至208的頂表面。接著，形成電導(dǎo)體210至212以接觸露出的電導(dǎo)體206至208(圖3E)。這里，通過微滴釋放方法形成電導(dǎo)體210至212。通過上述步驟，通過在雜質(zhì)區(qū)202和203以及電導(dǎo)體205之上提供用于與電導(dǎo)體210至212連接的起柱狀物作用的電導(dǎo)體206至208，將上部和下部圖案彼此連接起來。具有上述步驟的本發(fā)明可以在不形成接觸孔的情況下使上部和下部圖案彼此連接起來。
接著，形成電導(dǎo)體213以接觸電導(dǎo)體212。該電導(dǎo)體213在以后起像素電極的作用。形成起堤作用的絕緣體214，在絕緣體214上形成電致發(fā)光層215，并在電致發(fā)光層215上形成電導(dǎo)體216。電導(dǎo)體213、電致發(fā)光層215和電導(dǎo)體216的疊層等價(jià)于發(fā)光元件。對(duì)于由發(fā)光元件發(fā)射的光來說，有光向基板側(cè)發(fā)射的頂部發(fā)射，光向相對(duì)側(cè)發(fā)射的底部發(fā)射，和通過形成由透明材料或具有足以透光的厚度的一對(duì)電極，而使光向基板側(cè)和相對(duì)側(cè)發(fā)射的雙重發(fā)射。可以應(yīng)用它們中的任何一種。通過上述步驟，完成使用發(fā)光元件配備有顯示功能的半導(dǎo)體器件。
隨后，參考圖11A至11D，描述用于根據(jù)本發(fā)明形成半導(dǎo)體器件的方法，其中形成使用非晶半導(dǎo)體的溝道保護(hù)型薄膜晶體管，并形成連接該薄膜晶體管的布線。
在基板300上形成電導(dǎo)體311并形成絕緣體312以覆蓋電導(dǎo)體311(圖11A)。然后，在整個(gè)表面上形成非晶半導(dǎo)體，并在整個(gè)表面上形成絕緣體以覆蓋非晶半導(dǎo)體。通過使用掩模僅構(gòu)圖絕緣體，以形成絕緣層314用作蝕刻停止層。在整個(gè)表面上形成N型非晶半導(dǎo)體以覆蓋絕緣層314，然后，用掩模同時(shí)構(gòu)圖非晶半導(dǎo)體和N型非晶半導(dǎo)體，以形成非晶半導(dǎo)體層313和N型非晶半導(dǎo)體層315和316。然后，形成連接N型非晶半導(dǎo)體層315和316的電導(dǎo)體317和318。
接著，通過微滴釋放方法形成起柱狀物作用的電導(dǎo)體319以接觸電導(dǎo)體318。此時(shí)，電導(dǎo)體319形成為圓柱形。接下來，形成絕緣體320以覆蓋電導(dǎo)體319(圖11B)。
然后，蝕刻絕緣體320以露出電導(dǎo)體319(圖11C)。此時(shí)，蝕刻絕緣體320以露出電導(dǎo)體319的頂表面。然后，形成電導(dǎo)體321和322以接觸電導(dǎo)體319露出的頂表面。注意，電導(dǎo)體322等價(jià)為像素電極，且通過將其形成在絕緣體320上可以提高孔徑比。通過上述步驟，通過在電導(dǎo)體318上提供用于連接電導(dǎo)體321的起柱狀物作用的電導(dǎo)體319，可以將上部和下部圖案連接起來。具有上述步驟的本發(fā)明可以在不形成接觸孔的情況下使上部和下部圖案彼此連接起來。
在以上描述中，N型半導(dǎo)體作為包括一種導(dǎo)電類型雜質(zhì)的半導(dǎo)體的例子。本發(fā)明不限于使用N型半導(dǎo)體作為包括一種導(dǎo)電類型雜質(zhì)的半導(dǎo)體的模式，且可以采用其它類型的半導(dǎo)體。
本實(shí)施模式可以適用于實(shí)施模式1。
參考圖5，描述用于根據(jù)本發(fā)明制造半導(dǎo)體器件的方法，其中制造多層布線。
圖5是其中在基板200上形成五層的半導(dǎo)體器件的剖面圖。示出了在第一層中形成薄膜晶體管220至222、并在第二至第五層中形成布線的情況。本發(fā)明適用于制造用于連接所有層中上部和下部圖案的起柱狀物作用的電導(dǎo)體。
優(yōu)選地將包括多層布線的半導(dǎo)體器件用作功能電路，其中需要合并大量的半導(dǎo)體元件諸如CPU。在不形成多層布線的情況下，需要將布線制造在和形成在第一層中的半導(dǎo)體元件(這里指薄膜晶體管)的柵電極、或源/漏布線相同的層中。因此，需要將布線引出，成品率由此變得更差，或者排列面積變大。在這種情況下，除了通過減小半導(dǎo)體元件的尺寸之外，不能實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的小型化。另一方面，當(dāng)根據(jù)用于制造本發(fā)明布線的方法制造多層布線時(shí)，可以在不形成接觸孔的情況下將上部和下部圖案彼此連接起來；由此可以提高成品率。通過使第一層中的元件之間的寬度變窄可以實(shí)現(xiàn)更高的集成度，并且可以制造其上層中的布線。因此，可以實(shí)現(xiàn)大幅度小型化。由于不需要進(jìn)一步引出布線，可以獲得更低的電阻并實(shí)現(xiàn)更高的速度。
由于良好的平面性，當(dāng)以后形成導(dǎo)體時(shí)，不會(huì)引起過度的膜薄化或臺(tái)階部分中的斷開，因此優(yōu)選的是將具有低介電常數(shù)的有機(jī)材料用作上層和下層之間的絕緣體。此外，由于降低了布線電容，因此可以提供能夠?qū)崿F(xiàn)高性能和高功能的半導(dǎo)體器件。
參考圖6A和6B，描述在制造本發(fā)明的布線和半導(dǎo)體器件中使用的微滴釋放裝置的示例。首先，參考圖6A簡(jiǎn)要描述微滴釋放裝置的結(jié)構(gòu)。微滴釋放單元(未示出)，其配備有其中在單軸方向上排列有多個(gè)噴嘴的頭，控制微滴釋放單元的控制器和CPU(未示出)，固定基板6401并在XYθ方向上移動(dòng)的工作臺(tái)6403等作為該裝置的必不可少的部件。參考數(shù)字6402表示用于設(shè)置微滴釋放單元的固定器(框架)，具有其中設(shè)置圖6B所示的微滴釋放單元的結(jié)構(gòu)。工作臺(tái)6403還具有利用真空夾盤等固定基板6401的功能。然后，通過從微滴釋放單元的各噴嘴的出口向基板6401釋放合成物而形成圖案。
通過控制器由CPU控制工作臺(tái)6403和微滴釋放單元。通過CPU還控制諸如CCD攝像機(jī)(未示出)的成像裝置。成像裝置檢測(cè)標(biāo)記的位置并向CPU提供所檢測(cè)的信息。在形成圖案中，可以移動(dòng)微滴釋放單元并在固定微滴釋放單元的同時(shí)移動(dòng)工作臺(tái)6403。注意，當(dāng)移動(dòng)微滴釋放單元時(shí)，有必要考慮合成物的加速、配備有微滴釋放單元的噴嘴與要處理的目標(biāo)之間的距離、以及環(huán)境。
此外，雖然未示出，但為了所釋放的合成物著陸的精確性，作為附屬部件，可以提供用于上下移動(dòng)微滴釋放單元的機(jī)構(gòu)、對(duì)其的控制單元等。因此，取決于被釋放合成物的性質(zhì)，可以改變頭與基板6401之間的距離。此外，可以配置用于在工作區(qū)中提供清潔空氣并降低灰塵的清洗單元等。雖然未示出，如果需要，可以提供用于加熱基板的單元或用于測(cè)量諸如溫度和壓強(qiáng)的特性值的單元等，其可以共同受控于提供在機(jī)殼外的控制單元。而且，當(dāng)借助LAN電纜、無線LAN、光纖等將控制單元連接成產(chǎn)品控制系統(tǒng)等時(shí)，可以從外部均勻地控制生產(chǎn)過程，其結(jié)果提高了生產(chǎn)率。為了加快被釋放并著陸的合成物的干燥，或除去合成物的溶劑組分，可以通過抽氣在低壓下操作微滴釋放單元。
圖6B示出了微滴釋放單元。在圖6B中，參考數(shù)字6404表示壓電元件，6405和6406表示固定器(框架)并被設(shè)置在圖6A中所示的固定器(框架)6402中。參考數(shù)字6407表示出口。在圖6B中，示出了使用壓電元件的所謂壓電系統(tǒng)的情況；然而，根據(jù)溶液材料，可以使用這樣的系統(tǒng)，其中通過由加熱熱發(fā)生器產(chǎn)生的氣泡將溶液排出。在這種情況下，用熱發(fā)生器取代壓電元件。此外，具有溶液室流動(dòng)路徑、額外的溶液室、流體抵抗部分、用于加壓的室和用于溶液的出口的溶液可潤(rùn)濕性對(duì)釋放微滴來說是重要的。因此，在每個(gè)流動(dòng)路徑中可以形成用于調(diào)整材料可潤(rùn)濕性的碳膜、樹脂膜等。此外，在固定器(框架)6405和6406的內(nèi)部提供布線、供料管等。當(dāng)將圖6B所示的微滴釋放單元附著到圖6A所示的裝置時(shí)，將布線連接到用于控制壓電元件的驅(qū)動(dòng)器電路，并將供料管連接到填充有合成物的槽中。
參考圖7A至7C，本實(shí)施例描述本發(fā)明所適用的半導(dǎo)體器件其中一種模式的面板的外部特征。圖7A是面板的頂視圖，其中通過密封材料4005將形成在第一基板4001上的像素部分4002和掃描線驅(qū)動(dòng)器電路4004密封在第二基板4006和第一基板之間，圖7B是沿圖7A的A-A’的剖面圖，且圖7C是沿圖7A的A’-A”的剖面圖。
在圖7A和7B中，提供密封材料4005以環(huán)繞每個(gè)均形成在第一基板4001上的像素部分4002和掃描線驅(qū)動(dòng)器電路4004。在像素部分4002和掃描線驅(qū)動(dòng)器電路4004上提供第二基板4006。由此，通過第一基板4001、密封材料4005和第二基板4006用液晶4007將像素部分4002和掃描線驅(qū)動(dòng)器電路4004密封在一起。將在分開制備的基板上由多晶半導(dǎo)體形成的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路4003安裝在第一基板4001上與由密封材料4005所包圍區(qū)域不同的區(qū)域上。
本實(shí)施例描述示例，其中將具有使用多晶半導(dǎo)體的晶體管的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路附著在第一基板4001上，但是信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路可以由使用單晶半導(dǎo)體的晶體管形成并附著。圖7B例示了包括在信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路4003中的由多晶半導(dǎo)體形成的晶體管4009。而且，本實(shí)施例示出了信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路4003分開地形成并安裝在第一基板4001上的示例，但是本實(shí)施例不限于這種結(jié)構(gòu)。掃描線驅(qū)動(dòng)器電路可以分開地形成并安裝，或僅一部分信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路或掃描線驅(qū)動(dòng)器電路可以分開地形成并安裝。
形成在第一基板4001上的像素部分4002和掃描線驅(qū)動(dòng)器電路4004具有多個(gè)晶體管，且圖7B例示了包含在像素部分4002中的晶體管4010。晶體管4010是其中使用非晶半導(dǎo)體作為溝道部分的晶體管。液晶元件是其中電連接到晶體管4010的像素電極4030、形成在第二基板4006上的相對(duì)電極4031和液晶4007相互重疊的部分。提供球形間隔物4035以控制像素電極4030與相對(duì)電極4031之間的距離(單元間隙)。如圖7C所示，通過引線4014和4015以及起柱狀物作用的電導(dǎo)體4017，從連接端4016提供施加到分開形成的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路4003和掃描線驅(qū)動(dòng)器電路4004或像素部分4002的不同類型的信號(hào)和電位。通過各向異性導(dǎo)電膜4019將連接端4016電連接到FPC4018的端。
本發(fā)明適用于制造構(gòu)成晶體管4010的布線或制造起柱狀物作用的電導(dǎo)體4017。注意，雖然未示出，上述面板可以具有取向膜、偏振片、濾色器或屏蔽膜。雖然示出了使用液晶元件作為顯示元件的情況，但可以應(yīng)用諸如自發(fā)光元件的顯示元件。

參考圖8A和8B，本實(shí)施例描述應(yīng)用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件其中一種模式的面板的外部特征。具體地，參考圖8A和8B，描述其中在相同表面上安裝像素部分、用于控制像素部分的驅(qū)動(dòng)器電路、存儲(chǔ)器和CPU的面板。圖8A是面板的頂視圖且圖8B是沿圖8A的A-A’的剖面圖。
圖8A示出了面板的外觀。面板配備有在玻璃基板5400上以矩陣形式排列的多個(gè)像素的像素部分5401、在像素部分5401外圍的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路5402和掃描線驅(qū)動(dòng)器電路5403。在基板5400上提供對(duì)應(yīng)于VRAM(視頻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、RAM或ROM的存儲(chǔ)器5406和CPU5405。并且，在基板5400上設(shè)置用于提供控制信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路5402和掃描線驅(qū)動(dòng)器電路5403的信號(hào)的輸入端部分5411、存儲(chǔ)器5406和CPU5405。通過FPC5412從外部電路將諸如視頻信號(hào)的信號(hào)提供給輸入端部分5411。提供密封材料(未示出)以環(huán)繞像素部分5401、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路5402和掃描線驅(qū)動(dòng)器電路5403，通過密封材料將基板5400和相對(duì)基板5409附著起來。相對(duì)基板5409可以僅提供在像素部分5401和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路5402以及掃描線驅(qū)動(dòng)器電路5403上，或可以提供在整個(gè)表面上。然而，優(yōu)選的是，提供散熱器以接觸可能發(fā)熱的CPU5405。
圖8B是其中像素部分5401、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路5402和CPU5405提供在基板5400上的面板的剖面圖。像素部分5401包括晶體管5430和電容元件5429，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)器電路5402包括包含CMOS電路等的元件組5431，而CPU5405包括元件組5440和布線組5441。在基板5400和相對(duì)基板5409之間提供間隔物5435b。在像素部分5401上提供暴露給研磨處理的取向膜5435a、液晶層5423、取向膜5424、相對(duì)電極5425和濾色器5426。偏振片5428和5427附著在基板5400和相對(duì)基板5409上。本發(fā)明適用于制造構(gòu)成晶體管5430、電容元件5429、元件組5431和5440的布線，或適用于制造構(gòu)成布線組5441的布線。
在基板5400上形成電路的元件由使用多晶半導(dǎo)體(多晶硅)的元件形成，該多晶半導(dǎo)體(多晶硅)具有更優(yōu)良的特性，例如作為溝道部分優(yōu)于非晶半導(dǎo)體的遷移率，因此，可以實(shí)現(xiàn)在相同表面上的單片電路。如此，可以獲得面板和系統(tǒng)的多功能，在該面板中可以在和像素部分相同的基板5400上額外地集成諸如CPU或存儲(chǔ)器的功能電路，并將驅(qū)動(dòng)器電路稱作板上系統(tǒng)。由于減少了連接外部IC的數(shù)目，具有上述結(jié)構(gòu)的面板可以實(shí)現(xiàn)小型化、輕重量和薄型化。非常有效的是，將該面板應(yīng)用于最近迅速普及的便攜式終端。注意，雖然未示出，面板可以具有光屏蔽膜等。雖然示出了使用液晶元件作為顯示元件的情況，但是可以應(yīng)用諸如自發(fā)光元件的其它顯示元件。
根據(jù)本發(fā)明形成的電子裝置的實(shí)例包括攝影機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、諸如汽車音響的音頻播放器、膝上型個(gè)人電腦、游戲機(jī)、便攜式信息終端(例如移動(dòng)電腦、蜂窩電話、便攜式游戲機(jī)或電子圖書)、提供有記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置，例如家用游戲機(jī)(典型的是，提供有可以再現(xiàn)諸如DVD(數(shù)字多功能盤)的記錄介質(zhì)、并顯示圖像的顯示器的裝置)等。電子裝置的實(shí)際例子在圖9A至9C和10A至10F中示出。
圖9A示出了包括機(jī)殼9501、顯示部分9502等的40英寸大型液晶電視。圖9B示出了與個(gè)人電腦一起使用、并包括機(jī)殼9601、顯示部分9602等的監(jiān)視器。圖9C示出了包括機(jī)殼9801、顯示部分9802等的膝上型個(gè)人電腦。本發(fā)明適用于制造每個(gè)均包括顯示部分9502、9602和9802的面板，特別地，適用于制造連接到以薄膜晶體管為代表的半導(dǎo)體元件的布線。如圖9A至9C所示的電子裝置，依據(jù)成本或工藝，優(yōu)選地由用以非晶半導(dǎo)體形成溝道部分的薄膜晶體管(a-SiTFT)來形成每個(gè)均包括10英寸或更大尺寸的顯示部分9502、9602和9802的面板。由于通過使用非晶半導(dǎo)體可以省略制造步驟中的結(jié)晶步驟，因此可以提供廉價(jià)的電子裝置。此外，當(dāng)由a-SiTFT形成顯示部分時(shí)，由于響應(yīng)速度，優(yōu)選使用液晶元件作為顯示元件。注意，通過a-SiTFT形成顯示部分的面板如圖7A至7C所示，因此，可以參考圖7A至7C的圖。
圖10A示出了包括主體9101、顯示部分9202等的便攜式終端。圖10C示出了包括主體9201、顯示部分9202等的PDA。圖10D示出了包括主體9301、顯示部分9302等的目鏡型顯示器。圖10E示出了包括主體9401、顯示部分9402等的便攜式游戲機(jī)。圖10F示出了包括顯示部分9701和9702等的數(shù)字?jǐn)z像機(jī)。圖10B是包括顯示部分9102的面板的示例。顯示部分9102在面板上集成有驅(qū)動(dòng)器電路9104，和諸如CPU或存儲(chǔ)器的功能電路9103。如此，由于可以減少連接外部IC的數(shù)目，因此具有其中集成有驅(qū)動(dòng)器電路和功能電路的面板的電子裝置可以實(shí)現(xiàn)小型化、輕重量和薄型化，并具有用于便攜式終端的有效結(jié)構(gòu)。因此，優(yōu)選的是，除包括顯示部分9102的面板外，將驅(qū)動(dòng)器電路或功能電路集成在包括顯示部分9202、9302、9402、9701和9702的各自的面板上。本發(fā)明適用于制造包括顯示部分9102、9202、9302、9402、9701和9702的各面板，特別地，適用于制造連接到以薄膜晶體管為代表的半導(dǎo)體元件的布線。此外，本發(fā)明適用于制造集成在各個(gè)面板上的驅(qū)動(dòng)器電路或功能電路，具體地，適用于制造連接半導(dǎo)體元件的布線或多層布線。注意，其中集成了驅(qū)動(dòng)器電路和功能電路的面板如圖8A和8B所示，因此，可以參考圖8A和8B的圖。為了通過集成功能電路9103和驅(qū)動(dòng)器電路9104實(shí)現(xiàn)單片電路，采用以多晶半導(dǎo)體(多晶硅)形成溝道部分的薄膜晶體管，其中多晶半導(dǎo)體(多晶硅)具有更優(yōu)良的特性，例如優(yōu)于非晶半導(dǎo)體的遷移率。在上述電子裝置中，優(yōu)選將自發(fā)光型發(fā)光元件應(yīng)用于諸如蜂窩電話的便攜式終端，作為設(shè)置在顯示部分中的顯示元件。自發(fā)光型發(fā)光元件不需要背光；因此，與液晶元件相比，可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)薄型化、小型化和輕重量。
本申請(qǐng)基于2003年8月15日向日本專利局申請(qǐng)的序列號(hào)為2003-294021的日本專利申請(qǐng)，在此引入其內(nèi)容作為參考。
雖然已經(jīng)參考附圖通過實(shí)施模式和實(shí)施例的方式全面描述了本發(fā)明，應(yīng)當(dāng)理解，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說各種改變和改進(jìn)都是顯然的。因此，除非這種改變和改進(jìn)脫離了下文中限定的本發(fā)明的范圍，否則應(yīng)認(rèn)為它們包括其內(nèi)。
權(quán)利要求
1.用于制造布線的方法，包括步驟在基板上形成第一圖案；局部釋放包括導(dǎo)電材料的合成物，以在第一圖案上形成起柱狀物作用的電導(dǎo)體；形成絕緣體以覆蓋該電導(dǎo)體；蝕刻該絕緣體以至少露出該電導(dǎo)體的頂表面；以及在該電導(dǎo)體露出的頂表面上形成第二圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造布線的方法，其中該合成物包括銀、金、銅或氧化銦錫。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造布線的方法，其中通過回蝕刻法或CMP法蝕刻該絕緣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造布線的方法，其中通過釋放包括樹脂的合成物形成該絕緣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造布線的方法，其中通過釋放包括導(dǎo)電材料的合成物形成第一和第二圖案其中之一或兩者。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造布線的方法，其中通過光刻步驟形成第一和第二圖案其中之一或兩者。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，該半導(dǎo)體器件用于電子裝置，該電子裝置選自40英寸大型液晶電視、監(jiān)視器、膝上型個(gè)人電腦、便攜式終端、目鏡型顯示器、便攜式游戲機(jī)和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)之中。
8.用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括步驟局部釋放包含導(dǎo)電材料的合成物，以在包括于半導(dǎo)體中的雜質(zhì)區(qū)上形成起柱狀物作用的電導(dǎo)體；形成絕緣體以覆蓋該電導(dǎo)體；蝕刻該絕緣體以至少露出該電導(dǎo)體的頂表面；以及在該電導(dǎo)體露出的頂表面上形成圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中該合成物包括銀、金、銅或氧化銦錫。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中通過回蝕刻法或CMP法蝕刻該絕緣體。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中通過釋放包括樹脂的合成物形成該絕緣體。
12.根據(jù)權(quán)利要求8的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，該半導(dǎo)體器件用于電子裝置，該電子裝置選自40英寸大型液晶電視、監(jiān)視器、膝上型個(gè)人電腦、便攜式終端、目鏡型顯示器、便攜式游戲機(jī)和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)之中。
13.用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括步驟在第一圖案上形成包括一種導(dǎo)電類型雜質(zhì)的半導(dǎo)體；在該包括一種導(dǎo)電類型雜質(zhì)的半導(dǎo)體上層疊半導(dǎo)體和第一絕緣體；通過釋放合成物在第一絕緣體上形成第二圖案；通過使用第二圖案作為掩模，同時(shí)構(gòu)圖該包括一種導(dǎo)電類型雜質(zhì)的半導(dǎo)體、該半導(dǎo)體和第一絕緣體，此后，除去第二圖案；局部釋放包括導(dǎo)電材料的合成物，以便在基板上的第一圖案上形成起柱狀物作用的電導(dǎo)體；形成第二絕緣體以覆蓋該電導(dǎo)體；蝕刻第二絕緣體以至少露出該電導(dǎo)體的頂表面；以及在該電導(dǎo)體露出的頂表面上形成第三圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中該合成物包括銀、金、銅或氧化銦錫。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中通過回蝕刻法或CMP法蝕刻第二絕緣體。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中通過釋放包括樹脂的合成物形成第二絕緣體。
17.根據(jù)權(quán)利要求13的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，該半導(dǎo)體器件用于電子裝置，該電子裝置選自包括40英寸大型液晶電視、監(jiān)視器、膝上型個(gè)人電腦、便攜式終端、目鏡型顯示器、便攜式游戲機(jī)和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)之中。
18.用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括步驟在半導(dǎo)體上形成第一絕緣體；在第一絕緣體上形成第一圖案；通過利用第一圖案作為掩模，將雜質(zhì)添加到該半導(dǎo)體中；局部釋放包括導(dǎo)電材料的合成物，以在包括于半導(dǎo)體中的雜質(zhì)區(qū)上形成起柱狀物作用的電導(dǎo)體；形成第二絕緣體以覆蓋該電導(dǎo)體；蝕刻第二絕緣體以至少露出該電導(dǎo)體的頂表面；以及在該電導(dǎo)體露出的頂表面上形成第二圖案。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中該合成物包括銀、金、銅或氧化銦錫。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中通過回蝕刻法或CMP法蝕刻第二絕緣體。
21.根據(jù)權(quán)利要求18的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中通過釋放包括樹脂的合成物形成第二絕緣體。
22.根據(jù)權(quán)利要求18的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，該半導(dǎo)體器件用于電子裝置，該電子裝置選自包括40英寸大型液晶電視、監(jiān)視器、膝上型個(gè)人電腦、便攜式終端、目鏡型顯示器、便攜式游戲機(jī)和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)之中。
全文摘要
本發(fā)明提供用于制造布線的方法和用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其在連接上層圖案和下層圖案中不需要光刻步驟。根據(jù)本發(fā)明，局部釋放包括導(dǎo)電材料的合成物，并在基板上的第一圖案上形成起柱狀物作用的電導(dǎo)體，形成絕緣體以覆蓋電導(dǎo)體，蝕刻絕緣體以露出電導(dǎo)體的頂表面，并在電導(dǎo)體已露出的頂表面上形成第二圖案。
文檔編號(hào)H01L21/84GK1581447SQ20041005776
公開日2005年2月16日 申請(qǐng)日期2004年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月15日
發(fā)明者福地邦彥 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所