專利名稱：制造半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法，尤其是涉及這樣一種制造半導(dǎo)體器件的方法，其可以簡(jiǎn)化半導(dǎo)體器件的制造工藝。
背景技術(shù)：
一般來(lái)說(shuō)，用于半導(dǎo)體器件的DRAM的制造工藝按照下述順序執(zhí)行隔離工藝、柵極電極形成工藝、位線形成工藝、電容器形成工藝以及金屬布線形成工藝。
圖1和2示出了用于解釋一種制造半導(dǎo)體器件的常規(guī)方法的布局圖。在這里，圖1示出了一個(gè)半導(dǎo)體器件的布局圖，對(duì)于該半導(dǎo)體器件來(lái)說(shuō)，已經(jīng)執(zhí)行了一個(gè)柵極形成工藝和一個(gè)島狀插塞形成工藝。圖2示出了一個(gè)半導(dǎo)體器件的布局圖，對(duì)于該半導(dǎo)體器件來(lái)說(shuō)，已經(jīng)在參照?qǐng)D1描述過(guò)的柵極形成工藝和島狀插塞形成工藝之后，執(zhí)行了位線接觸部形成工藝、位線形成工藝、存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸部形成工藝以及存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電極形成工藝。
還有，圖3A至3I是沿著圖1和2中所示A-B線的剖視圖。圖4A至4E是沿著圖1和2中所示C-D線的剖視圖。此外，圖5A至5D是沿著圖1和2中所示E-F線的剖視圖。
如圖1、3A和4A中所示，根據(jù)所述制造半導(dǎo)體器件的常規(guī)方法，預(yù)先制備一個(gè)半導(dǎo)體襯底1，該半導(dǎo)體襯底1具有一個(gè)場(chǎng)區(qū)(未示出)和一個(gè)有源區(qū)(未示出)。接著，針對(duì)襯底1的場(chǎng)區(qū)執(zhí)行一個(gè)淺溝槽隔離(shallow trenchisolation，STI)工藝，由此形成一個(gè)隔離層2。
接著，如圖1、3B和4B中所示，在于包括隔離層2的襯底上形成一個(gè)柵極線3之后，形成一個(gè)第一絕緣層4，用于覆蓋住柵極線3的結(jié)構(gòu)。此后，利用柵極線3作為掩模，針對(duì)整個(gè)襯底執(zhí)行一個(gè)離子注入工藝，由此在形成于下部襯底上的柵極線3之間形成源極/漏極區(qū)域(S1/D1)(在圖1中示出)。
此后，如圖3C和4C所示，在針對(duì)第一絕緣層4執(zhí)行CMP工藝之后，該第一絕緣層4被有選擇地進(jìn)行蝕刻，由此形成接觸孔5，用于顯露出所述源極區(qū)域或者漏極區(qū)域。接著，形成填充在接觸孔5中的導(dǎo)電性插塞6。
接著，如圖3D中所示，在于包括導(dǎo)電性插塞6的襯底的整個(gè)表面上形成一個(gè)第二絕緣層7之后，該第二絕緣層7如圖4D中所示那樣被有選擇地進(jìn)行蝕刻，由此形成一個(gè)位線接觸部8，用于顯露出導(dǎo)電性插塞6。
此后，如圖3E和4E中所示，在形成了用于填充位線接觸部8的位線9之后，在位線9的結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上形成一個(gè)第三絕緣層10。此時(shí)，盡管沒(méi)有示出，但是在位線9的一側(cè)形成一個(gè)絕緣墊片，由此防止在下一個(gè)工藝中位線9與電容器發(fā)生短路。
接著，如圖3F和5A中所示，在通過(guò)有選擇地蝕刻第三絕緣層和第二絕緣層而形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸部11之后，如圖3G和5B中所示那樣，形成一個(gè)填充在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸部11中的島狀插塞12。
接著，如圖3H和5C中所示，在包括島狀插塞12的襯底的整個(gè)表面上形成一個(gè)第四絕緣層13。
此后，如圖3I和5D中所示，在通過(guò)有選擇地蝕刻第四絕緣層而形成用于顯露出島狀插塞12的接觸孔14之后，以這樣一種方式形成電容器的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電極15，即該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電極15被連接在島狀插塞12上，同時(shí)覆蓋住接觸孔14的內(nèi)壁。此后，依次形成一個(gè)介電層16和一個(gè)板狀電極17，使得電容器的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電極15被介電層16和板狀電極17覆蓋。
一般來(lái)說(shuō)，由于位線垂直于柵極線排列，并且位線接觸部必須將位線連接到源極區(qū)域上，所以優(yōu)選地是該位線接觸部被形成在源極區(qū)域的中部。
但是，根據(jù)制造半導(dǎo)體器件的常規(guī)方法，盡管在隔離工藝之后依次執(zhí)行柵極線形成工藝、位線形成工藝以及電容器形成工藝，但是由于位線穿越用于形成電容器的漏極區(qū)域，所以難以理想地使得位線接觸部對(duì)齊源極區(qū)域。
還有，由于無(wú)法同時(shí)蝕刻存儲(chǔ)元區(qū)域(a cell area)的位線接觸部和外圍電路區(qū)域的位線接觸部，所以位線接觸部工藝被執(zhí)行兩次。因此，這種制造半導(dǎo)體器件的工藝較為復(fù)雜。此外，為了借助于島狀插塞制造連接于漏極的電容器，還需要在有源區(qū)的漏極中形成該島狀插塞，從而使得必須執(zhí)行一個(gè)額外的島狀插塞形成工藝。因此，制造半導(dǎo)體器件的工藝更為復(fù)雜。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明已經(jīng)著力解決現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的前述問(wèn)題，并且本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法，其中一個(gè)電容器被形成在第一襯底的第一表面上，一個(gè)第二襯底被粘結(jié)在具有所述電容器的第一襯底的第一表面上，并且針對(duì)第一襯底和第二襯底依次執(zhí)行隔離工藝、柵極線形成工藝以及位線形成工藝，從而無(wú)需額外的島狀插塞，并且所述位線接觸部形成工藝可一次完成，而不是分兩次完成，由此簡(jiǎn)化了半導(dǎo)體制造工藝。
為了實(shí)現(xiàn)所述目的，在此提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括下述步驟提供一個(gè)第一襯底和一個(gè)第二襯底；在第一襯底的第一表面上形成一個(gè)電容器和一個(gè)柵極線；在第一襯底的所得結(jié)構(gòu)上形成一個(gè)絕緣層；將第二襯底粘結(jié)到第一襯底上的絕緣層上；以這樣一種方式使得所得到的結(jié)構(gòu)發(fā)生翻轉(zhuǎn)，即第一襯底的第二表面成為所得到結(jié)構(gòu)的上表面；對(duì)第一襯底的第二表面進(jìn)行拋光，去除預(yù)定的厚度；通過(guò)針對(duì)第一襯底的第二表面執(zhí)行一個(gè)隔離工藝來(lái)形成一個(gè)用于限定出有源區(qū)的隔離層，其中所述第二表面已經(jīng)經(jīng)受了拋光處理；以及在第一襯底中的有源區(qū)上形成一個(gè)位線。
優(yōu)選地是，所述第二襯底是選自于下述物質(zhì)中的任何一種硅晶片、玻璃襯底和塑料襯底。
優(yōu)選地是，所述有源區(qū)以這樣一種方式被構(gòu)圖，即各列中的有源區(qū)被均勻地排列成與各排相匹配。
與此同時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)所述目的，在此提供了一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括下述步驟提供一個(gè)第一襯底和一個(gè)第二襯底；在第一襯底的第一表面上形成一個(gè)電容器；在包括所述電容器的第一襯底上形成一個(gè)第一絕緣層；將第二襯底粘結(jié)到第一襯底的第一絕緣層上；以這樣一種方式使得所得到的結(jié)構(gòu)發(fā)生翻轉(zhuǎn)，即第一襯底的第二表面成為所得到結(jié)構(gòu)的上表面；對(duì)第一襯底的第二表面進(jìn)行拋光，去除預(yù)定的厚度；通過(guò)針對(duì)第一襯底執(zhí)行一個(gè)隔離工藝來(lái)形成一個(gè)用于限定出有源區(qū)的隔離層，其中所述第一襯底已經(jīng)經(jīng)受了拋光處理；以及在第一襯底中的有源區(qū)上依次形成一個(gè)位線和一個(gè)柵極線。在這里，所述第二襯底是選自于下述物質(zhì)中的任何一種硅晶片、玻璃襯底和塑料襯底。
通過(guò)下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本發(fā)明的前述目的、特征以及優(yōu)點(diǎn)將更為清楚，其中
圖1和2示出了用于解釋一種制造半導(dǎo)體器件的常規(guī)方法的布局圖；圖3A至3I是沿著圖1和2中所示A-B線的剖視圖；圖4A至4E是沿著圖1和2中所示C-D線的剖視圖；圖5A至5D是沿著圖1和2中所示E-F線的剖視圖；圖6和7示出了用于解釋一種根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的布局圖；圖8A至8H是沿著圖6和7中所示G-H線的剖視圖；圖9A至9H是沿著圖6和7中所示I-J線的剖視圖；圖10是一個(gè)平面圖，示出了成排、成列相匹配的均勻排布的有源區(qū)；圖11和12示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；圖13A至13I是沿著圖11和12中所示K-L線的剖視圖；圖14A至14I是沿著圖11和12中所示M-N線的剖視圖；以及圖15是一個(gè)平面圖，示出了成排、成列相匹配的均勻排布的有源區(qū)。
具體實(shí)施例方式
下面，將參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行描述。在下面的描述和附圖中，相同的附圖標(biāo)記用于指代相同或者相似的組成部分，并且將省略對(duì)這些相同或者相似組成部分的重復(fù)性描述。
圖6和7示出了用于解釋根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的布局圖。圖6示出了一個(gè)半導(dǎo)體器件的布局圖，對(duì)于該半導(dǎo)體器件來(lái)說(shuō)，已經(jīng)執(zhí)行了一個(gè)電容器形成工藝。同樣，圖7也示出了一個(gè)半導(dǎo)體器件的布局圖，對(duì)于該半導(dǎo)體器件來(lái)說(shuō)，已經(jīng)執(zhí)行了一個(gè)柵極線形成工藝和一個(gè)位線形成工藝。
還有，圖8A至8H是沿著圖6和7中所示G-H線的剖視圖，而圖9A至9H是沿著圖6和7中所示I-J線的剖視圖。
根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法包括下述步驟如圖6、8A和9A中所示，在一個(gè)包括硅的第一襯底20的第一表面上形成一個(gè)柵極線(G)。還有，在于包括柵極線(G)的襯底20的整個(gè)表面上形成一個(gè)第一絕緣層21之后，該第一絕緣層21被有選擇地進(jìn)行蝕刻，由此形成一個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸部22。
接著，如圖8B和9B中所示，在形成了一個(gè)填充在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸部22中的導(dǎo)電性插塞23之后，在所得結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上形成一個(gè)第二絕緣層24。
此后，如圖8C和9C中所示，在通過(guò)有選擇地蝕刻所述第二絕緣層而形成了用于顯露出導(dǎo)電性插塞23的接觸孔25之后，以這樣一種方式形成電容器的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電極26，即該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電極26被連接在導(dǎo)電性插塞23上，同時(shí)覆蓋住接觸孔25的內(nèi)壁。接著，在電容器的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電極26上依次形成一個(gè)介電層27和一個(gè)板狀電極28，由此制成電容器。
接著，如圖8D和9D中所示，在電容器的板狀電極28的結(jié)構(gòu)上形成一個(gè)第三絕緣層29。
此后，提供一個(gè)形成有第一絕緣層31的第二襯底30。在這里，第二襯底30可以是選自于下述物質(zhì)中的任何一種硅襯底、玻璃襯底和塑料襯底。接著，第二襯底30的第一絕緣層31被粘結(jié)在第一襯底的第三絕緣層29上。
接著，如圖8E和9E中所示，使得粘結(jié)起來(lái)的第一和第二襯底以這樣一種方式發(fā)生翻轉(zhuǎn)，即第一襯底的第二表面(與形成有所述電容器的第一表面相對(duì)的表面)變?yōu)檎辰Y(jié)起來(lái)的第一和第二襯底的上表面。
此后，如圖8F和9F中所示，對(duì)第一襯底的第二表面進(jìn)行蝕刻，去除預(yù)定的厚度。
接著，如圖7、8G和9G中所示，針對(duì)已經(jīng)被蝕刻的第一襯底的第二表面執(zhí)行一個(gè)隔離工藝，以便形成一個(gè)隔離層40。附圖標(biāo)記20a代表一個(gè)有源區(qū)，其是圖7中被標(biāo)記為S2/D2的部分。
接著，如圖8H和9H中所示，在包括隔離層40和有源區(qū)20a的襯底上形成一個(gè)第四絕緣層42。
此后，第四絕緣層被有選擇地進(jìn)行蝕刻，以便形成一個(gè)用于顯露出有源區(qū)20a的位線接觸部43，并且形成一個(gè)填充在位線接觸部43中的位線44。接著，形成一個(gè)第五絕緣層45，使得該第五絕緣層45覆蓋住所述位線。
圖10是一個(gè)平面圖，示出了成排、成列相匹配的均勻排布的有源區(qū)。
如圖10中所示，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，有源區(qū)(A1)成排、成列相匹配地均勻排布，從而使得與通過(guò)常規(guī)方法制成的存儲(chǔ)元相比，其能夠制造出小型尺寸的存儲(chǔ)元，其中在所述常規(guī)方法中，有源區(qū)相互偏移，與排和列無(wú)關(guān)。附圖標(biāo)記B1和C1分別代表位線和柵極線。
根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，在將第二襯底粘結(jié)到具有柵極線和電容器的第一襯底的第一表面上之后，針對(duì)第一襯底的第二表面執(zhí)行隔離工藝。此后，形成所述位線。由此，無(wú)需執(zhí)行用于形成額外島狀插塞的工藝，該島狀插塞被連接在源極區(qū)域上以便形成位線。此外，無(wú)需考慮存儲(chǔ)元區(qū)域和外圍電路區(qū)域，可以一次完成所述位線接觸部形成工藝。
圖11和12示出了一種半導(dǎo)體器件的布局圖，用于解釋根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法。圖11示出了一個(gè)半導(dǎo)體器件的布局圖，對(duì)于該半導(dǎo)體器件來(lái)說(shuō)，已經(jīng)執(zhí)行了一個(gè)電容器形成工藝。同樣，圖12也示出了一個(gè)半導(dǎo)體器件的布局圖，對(duì)于該半導(dǎo)體器件來(lái)說(shuō)，已經(jīng)執(zhí)行了一個(gè)柵極線形成工藝和一個(gè)位線形成工藝。
還有，圖13A至13I是沿著圖11和12中所示K-L線的剖視圖。而圖14A至14I是沿著圖11和12中所示M-N線的剖視圖。
在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法中，如圖11、13A和14A中所示，在于一個(gè)包括硅的第一襯底120的第一表面上形成一個(gè)第一絕緣層121之后，該第一絕緣層121被有選擇地進(jìn)行蝕刻，由此形成一個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸部122。
接著，如圖13B和14B中所示，在形成了一個(gè)填充在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸部122中的導(dǎo)電性插塞123之后，在所得到結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上形成一個(gè)第二絕緣層124。
此后，如圖13C和14C中所示，在通過(guò)有選擇地蝕刻所述第二絕緣層而形成了用于顯露出導(dǎo)電性插塞123的接觸孔125之后，以這樣一種方式形成電容器的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電極126，即該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電極126被連接在導(dǎo)電性插塞123上，同時(shí)覆蓋住接觸孔125的內(nèi)壁。接著，在電容器的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電極126上依次形成一個(gè)介電層127和一個(gè)板狀電極128。
接著，如圖13D和14D中所示，在板狀電極128的結(jié)構(gòu)上形成一個(gè)第三絕緣層129。
此后，提供一個(gè)具有第一絕緣層131的第二襯底130。在這里，第二襯底130可以是選自于下述物質(zhì)中的任何一種硅襯底、玻璃襯底和塑料襯底。接著，該第二襯底130被粘結(jié)在第一襯底的第三絕緣層129上。此時(shí)，第一襯底的第三絕緣層129和第二襯底的第一絕緣層131對(duì)齊，以便使得第一襯底的第三絕緣層129與第二襯底的第一絕緣層131發(fā)生接觸。
接著，如圖13E和14E中所示，使得粘結(jié)起來(lái)的第一和第二襯底以這樣一種方式發(fā)生翻轉(zhuǎn)，即第一襯底的第二表面(與具有所述電容器的第一表面相對(duì)的表面)是粘結(jié)起來(lái)的第一和第二襯底的上表面。
此后，如圖13F和14F中所示，對(duì)第一襯底的第二表面進(jìn)行蝕刻，去除預(yù)定的厚度。
接著，如圖12、13G和14G中所示，針對(duì)已經(jīng)被蝕刻的第一襯底的第二表面執(zhí)行一個(gè)隔離工藝，以便形成一個(gè)隔離層140。此時(shí)，附圖標(biāo)記120a代表一個(gè)有源區(qū)，其是圖12中被標(biāo)記為S3/D3的部分。
接著，如圖13H和14H中所示，在于隔離層140和有源區(qū)120a上形成柵極線之后，形成一個(gè)覆蓋該柵極線的第四絕緣層142。
此后，如圖13I和14I中所示，第四絕緣層被有選擇地進(jìn)行蝕刻，以便形成一個(gè)用于顯露出有源區(qū)的位線接觸部143，并且形成一個(gè)填充在位線接觸部143中的位線144。接著，形成一個(gè)第五絕緣層145，以便使得該第五絕緣層145覆蓋住所述位線的結(jié)構(gòu)。
圖15是一個(gè)平面圖，示出了成排、成列相匹配的均勻排布的有源區(qū)。
如圖15中所示，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，與本發(fā)明的第一實(shí)施例相類似，有源區(qū)(A2)成排、成列相匹配地均勻排布，從而使得與通過(guò)常規(guī)方法制成的存儲(chǔ)元相比，其能夠制造出一個(gè)小型尺寸的存儲(chǔ)元，其中在所述常規(guī)方法中，各列的有源區(qū)與行無(wú)關(guān)地相互偏移。附圖標(biāo)記B2和C2分別代表位線和柵極線。
根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，在制備了電容器之后，執(zhí)行一個(gè)隔離工藝。此后，依次執(zhí)行一個(gè)柵極線工藝和一個(gè)位線工藝。由此，無(wú)需執(zhí)行用于形成一個(gè)被連接到源極區(qū)域的額外島狀插塞的工藝來(lái)形成位線。此外，無(wú)需考慮存儲(chǔ)元區(qū)域和外圍電路區(qū)域，可以一次實(shí)現(xiàn)所述位線接觸部形成工藝。
如前所述，根據(jù)本發(fā)明，在將其上形成有柵極線和電容器的第一襯底的第一表面粘結(jié)到第二襯底上之后，針對(duì)第一襯底的第二表面執(zhí)行一個(gè)隔離工藝。此后，形成一個(gè)位線。由此，無(wú)需執(zhí)行用于形成一個(gè)額外島狀插塞的工藝，為了形成位線，所述額外島狀插塞將被連接在源極區(qū)域上，從而簡(jiǎn)化半導(dǎo)體器件的制造工藝。而且，無(wú)需考慮存儲(chǔ)元區(qū)域和外圍電路區(qū)域，可以一次完成所述位線接觸部形成工藝，從而進(jìn)一步簡(jiǎn)化半導(dǎo)體器件的制造工藝。
因此，根據(jù)本發(fā)明，各列中的有源區(qū)與各排相匹配地均勻排布，從而使得與通過(guò)常規(guī)方法制成的存儲(chǔ)元相比，其能夠制造出一個(gè)小型尺寸的存儲(chǔ)元，其中在所述常規(guī)方法中，各列中的有源區(qū)與排無(wú)關(guān)地相互偏移。
此外，根據(jù)本發(fā)明，由于無(wú)需在位線的一側(cè)形成絕緣墊片，以防止在將電容器連接到漏極區(qū)域上的工藝中電容器與位線發(fā)生短路，所以可以省略針對(duì)所述位線進(jìn)行的絕緣墊片形成工藝。
與此同時(shí)，根據(jù)本發(fā)明，在制備了電容器之后，執(zhí)行一個(gè)隔離工藝。此后，依次執(zhí)行一個(gè)柵極線工藝和一個(gè)位線工藝。由此，無(wú)需執(zhí)行一個(gè)用于形成額外島狀插塞的工藝，為了形成位線，所述額外島狀插塞將被連接在源極區(qū)域上，從而使得制造半導(dǎo)體器件的工藝得以簡(jiǎn)化。此外，無(wú)需考慮存儲(chǔ)元區(qū)域和外圍電路區(qū)域，可以一次實(shí)現(xiàn)所述位線接觸部形成工藝，從而使得制造半導(dǎo)體器件的工藝更為簡(jiǎn)化。
盡管已經(jīng)為了例證目的對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是本技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員將會(huì)明白的是，在不脫離由所附權(quán)利要求公開的本發(fā)明的保護(hù)范圍和精神實(shí)質(zhì)的條件下，可以進(jìn)行多種修改、添加和替換。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括下述步驟i)提供一第一襯底和一第二襯底；ii)在所述第一襯底的第一表面上形成一電容器；iii)在第一襯底的所得結(jié)構(gòu)上形成一絕緣層；iv)將所述第二襯底粘結(jié)到所述第一襯底的所述絕緣層上；v)以這樣一種方式使得所得結(jié)構(gòu)發(fā)生翻轉(zhuǎn)，即所述第一襯底的第二表面是所得結(jié)構(gòu)的上表面；vi)對(duì)所述第一襯底的所述第二表面進(jìn)行拋光，去除預(yù)定的厚度；vii)通過(guò)針對(duì)已經(jīng)經(jīng)過(guò)了拋光工藝的所述第一襯底的所述第二表面執(zhí)行隔離工藝來(lái)形成一限定出有源區(qū)的隔離層；以及viii)在所述第一襯底中的所述有源區(qū)上形成一位線。
2.如權(quán)利要求1中所述的方法，其中，所述第二襯底是選自于由硅晶片、玻璃襯底和塑料襯底構(gòu)成的組中的任意一種。
3.如權(quán)利要求1中所述的方法，其中所述有源區(qū)以這樣一種方式被構(gòu)圖，即各列的所述有源區(qū)與各排相匹配地均勻排列。
4.如權(quán)利要求1中所述的方法，其中在步驟ii)中，一柵極線與所述電容器一起制成。
5.如權(quán)利要求1中所述的方法，其中在步驟viii)中，一柵極線與所述位線一起制成。
6.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括下述步驟i)提供一第一襯底和一第二襯底；ii)在所述第一襯底的第一表面上形成一電容器和一柵極線；iii)在所得到的第一襯底結(jié)構(gòu)上形成一絕緣層；iv)將所述第二襯底粘結(jié)到所述第一襯底的所述絕緣層上；v)以這樣一種方式使得所得結(jié)構(gòu)發(fā)生翻轉(zhuǎn)，即所述第一襯底的第二表面是所得到結(jié)構(gòu)的上表面；vi)對(duì)所述第一襯底的所述第二表面進(jìn)行拋光，去除預(yù)定的厚度；vii)通過(guò)針對(duì)已經(jīng)經(jīng)受了拋光工藝的所述第一襯底的所述第二表面執(zhí)行一隔離工藝來(lái)形成一用于限定出有源區(qū)的隔離層；以及viii)在所述第一襯底中的所述有源區(qū)上形成一位線。
7.如權(quán)利要求6中所述的方法，其中，所述第二襯底是選自于由硅晶片、玻璃襯底和塑料襯底構(gòu)成的組中的任意一種。
8.如權(quán)利要求6中所述的方法，其中所述有源區(qū)以這樣一種方式被構(gòu)圖，即各列的有源區(qū)被均勻地排布成與各排相匹配。
9.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括下述步驟i)提供一第一襯底和一第二襯底；ii)在所述第一襯底的第一表面上形成一電容器；iii)在包括所述電容器的所述第一襯底上形成一第一絕緣層；iv)將所述第二襯底粘結(jié)到所述第一襯底的所述第一絕緣層上；v)以這樣一種方式使得所得到的結(jié)構(gòu)發(fā)生翻轉(zhuǎn)，即所述第一襯底的第二表面是所得到結(jié)構(gòu)的上表面；vi)對(duì)所述第一襯底的所述第二表面進(jìn)行拋光，去除預(yù)定的厚度；vii)通過(guò)針對(duì)已經(jīng)經(jīng)受了拋光處理的所述第一襯底執(zhí)行一隔離工藝來(lái)形成一用于限定出有源區(qū)的隔離層；以及viii)在所述第一襯底中的所述有源區(qū)上依次形成一位線和一柵極線。
10.如權(quán)利要求9中所述的方法，其中，所述第二襯底是選自于由硅晶片、玻璃襯底和塑料襯底構(gòu)成的組中的任意一種。
11.如權(quán)利要求9中所述的方法，其中所述有源區(qū)以這樣一種方式被構(gòu)圖，即各列中的有源區(qū)被均勻地排布成與各排相匹配。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種制造半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括下述步驟提供一個(gè)第一襯底和一個(gè)第二襯底；在第一襯底的第一表面上形成一個(gè)電容器和一個(gè)柵極線；在所得到的第一襯底結(jié)構(gòu)上形成一個(gè)絕緣層；將第二襯底粘結(jié)到第一襯底的絕緣層上；以這樣一種方式使得所得到的結(jié)構(gòu)發(fā)生翻轉(zhuǎn)，即第一襯底的第二表面成為所得到結(jié)構(gòu)的上表面；對(duì)第一襯底的第二表面進(jìn)行拋光，去除預(yù)定的厚度；通過(guò)針對(duì)第一襯底的第二表面執(zhí)行一個(gè)隔離工藝來(lái)形成一個(gè)用于限定出一個(gè)有源區(qū)的隔離層，其中所述第二表面已經(jīng)經(jīng)受了拋光處理；以及在第一襯底中的有源區(qū)上形成一個(gè)位線。
文檔編號(hào)H01L21/336GK1622313SQ20041005780
公開日2005年6月1日 申請(qǐng)日期2004年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月28日
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