專利名稱：蝕刻掩模的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制造有機(jī)電致發(fā)光元件等的構(gòu)圖方法，更具體地，涉及蝕刻掩模。
背景技術(shù)：
公知地，有機(jī)電致發(fā)光元件是利用有機(jī)化合物材料薄膜(下文中稱為“有機(jī)膜”)的元件，該有機(jī)化合物材料薄膜通過注入電流來實(shí)現(xiàn)電致發(fā)光(下文中稱為“EL”)。有機(jī)EL元件例如由按順序?qū)盈B在一透明基板上的透明電極、一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)膜、以及金屬電極構(gòu)成。
例如具有作為發(fā)光部分的多個(gè)有機(jī)EL元件和矩陣型顯示板的有機(jī)EL顯示板由按順序?qū)盈B的多個(gè)水平行電極(包括透明電極層)、一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)膜、以及多個(gè)垂直列電極(與該多個(gè)行電極交叉并包括金屬電極層)。將各個(gè)行電極形成為帶狀，并且將這些行電極以預(yù)定的間隔彼此平行地設(shè)置。以同樣的方式設(shè)置列電極。通過這種方式，使矩陣型顯示板設(shè)置有圖像顯示裝置，該圖像顯示裝置由形成在該多個(gè)行電極和列電極的交叉部分處的多個(gè)有機(jī)EL元件的多個(gè)發(fā)光像素構(gòu)成。
在有機(jī)EL顯示板的制造過程中，在將透明電極層形成在透明基板上之后形成有機(jī)膜。通過氣相淀積等方法來形成該有機(jī)膜，其中一層或更多層薄膜與發(fā)光像素相對應(yīng)。
薄膜的傳統(tǒng)構(gòu)圖方法包括光刻法和激光燒蝕法。
在光刻法中，首先將抗蝕劑施加在形成在基板上的薄膜上，然后對抗蝕劑進(jìn)行曝光。此后，通過在顯影劑溶液中溶解預(yù)定圖案的抗蝕劑曝光部分(正型)，或者通過使抗蝕劑部分變得難以溶化(負(fù)型)，來形成抗蝕劑掩模，并且通過蝕刻該薄膜，形成具有被蝕刻部分和未蝕刻部分的圖案。
此外，使用激光燒蝕法，通過將聚焦激光照射到薄膜上來汽化并剝離(stripped)薄膜，并通過選擇性地重復(fù)該過程，形成具有被剝離部分和未剝離部分的圖案。(參見日本專利申請?zhí)亻_No.H01-14995)。
作為制造有機(jī)EL元件的一種方法的示例，當(dāng)通過諸如旋涂的濕式工藝等在基板(其上已構(gòu)圖有第一顯示電極)的整個(gè)表面上形成有機(jī)膜時(shí)，必須去除電極引線部分上的有機(jī)膜以實(shí)現(xiàn)與第一顯示電極相接觸。為此，通過諸如上述的剝離工藝來進(jìn)行構(gòu)圖。
通常，當(dāng)使用用于薄膜構(gòu)圖的光刻法來制造有機(jī)EL元件時(shí)，存在下述問題由于光刻膠中的溶劑滲透有機(jī)EL元件，而使有機(jī)EL元件的特性劣化，或者在抗蝕劑烘干過程中，有機(jī)EL元件會受到高溫的影響，或者抗蝕劑顯影溶液或蝕刻溶液會滲透有機(jī)EL元件。
不能將光刻法用于對溶劑(例如，顯影溶液)敏感的有機(jī)膜。此外，利用激光燒蝕法，激光的聚焦范圍為從幾十到最多幾百微米(μm)，并具有在大區(qū)域中執(zhí)行構(gòu)圖工藝時(shí)所需時(shí)間相當(dāng)長的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決這些問題，本發(fā)明提供了一種干蝕刻掩模，其能夠形成在有機(jī)EL元件等中使用的有機(jī)膜等的精確圖案；使用該干蝕刻掩模的一種構(gòu)圖方法；可以提高制造效率的一種有機(jī)EL元件；以及這些顯示板的制造方法。
為了實(shí)現(xiàn)此目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種具有通孔的蝕刻掩模，該通孔用于只曝露要被蝕刻的表面，該蝕刻掩模包括凸出周邊部分，該凸出周邊部分在該通孔的周邊處凸出；以及由該凸出周邊部分所包圍的凹進(jìn)部分。
為了實(shí)現(xiàn)此目的，根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于在薄膜上形成預(yù)定圖案的薄膜圖案形成方法，該方法包括在一基板上形成至少一個(gè)薄膜；以及執(zhí)行干蝕刻工藝以將干蝕刻掩模設(shè)置在已形成的至少一個(gè)薄膜上并向該至少一個(gè)薄膜施加蝕刻氣體；其中該干蝕刻掩模設(shè)置有只曝露要被蝕刻的表面的通孔，并設(shè)置有在該通孔的周邊處凸出的凸出周邊部分、以及由該凸出周邊部分所包圍的凹進(jìn)部分。
為了實(shí)現(xiàn)此目的，根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于制造有機(jī)電致發(fā)光元件的方法，該有機(jī)電致發(fā)光元件包括設(shè)置在多個(gè)電極層之間并進(jìn)行電致發(fā)光的至少一個(gè)有機(jī)膜，該方法包括在一基板上形成至少一個(gè)有機(jī)膜；以及執(zhí)行干蝕刻工藝以將該干蝕刻掩模設(shè)置在已形成的至少一個(gè)有機(jī)膜上并向該至少一個(gè)有機(jī)膜中的至少一個(gè)施加蝕刻氣體；其中該干蝕刻掩模設(shè)置有只曝露要被蝕刻的表面的通孔，并設(shè)置有在該通孔的周邊處凸出的凸出周邊部分、以及由該凸出周邊部分所包圍的凹進(jìn)部分。
為了實(shí)現(xiàn)此目的，根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機(jī)電致發(fā)光元件，該有機(jī)電致發(fā)光元件通過一種有機(jī)電致發(fā)光元件制造方法來制造，該方法包括以下步驟在其上預(yù)先敷設(shè)有電極層的基板上形成至少一個(gè)有機(jī)膜；以及執(zhí)行干蝕刻工藝以將干蝕刻掩模設(shè)置在該已形成的至少一個(gè)有機(jī)膜上并向該至少一個(gè)有機(jī)膜施加蝕刻氣體，該有機(jī)電致發(fā)光元件包括至少一個(gè)電致發(fā)光膜，該至少一個(gè)電致發(fā)光膜構(gòu)成該電極層以及任何其它后續(xù)形成的電極層；其中該干蝕刻掩模設(shè)置有只曝露要被蝕刻的表面的通孔，并設(shè)置有在該通孔的周邊處凸出的凸出周邊部分、以及由該凸出周邊部分所包圍的凹進(jìn)部分。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的蝕刻掩模的示意性平面圖；圖2是沿圖1中的線AA的剖面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的蝕刻掩模的示意性平面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的蝕刻掩模的放大部分的平面圖；圖5是沿圖3中的線AA的剖面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜圖案形成方法中的基板的一部分的示意性剖面圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜圖案形成方法中的基板的一部分的示意性剖面圖；
圖8是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜圖案形成方法中的基板的一部分的示意性剖面圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)EL元件制造方法中的基板的一部分的示意性剖面圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)EL元件制造方法中的基板的一部分的示意性剖面圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)EL元件制造方法中的基板的一部分的示意性剖面圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)EL元件制造方法中的基板的一部分的示意性剖面圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)EL元件制造方法中的基板的一部分的示意性剖面圖；圖14是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)EL元件制造方法中的基板的一部分的示意性剖面圖；圖15是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)EL元件制造方法中的基板的一部分的示意性剖面圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的蝕刻掩模的示意性剖面圖；圖17是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于干蝕刻的掩模的示意性剖面圖；圖18是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于干蝕刻的掩模的示意性平面圖；圖19是沿圖18中的線AA的剖面圖；圖20示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的用于干蝕刻的掩模的制造工藝中的掩模母版(mask mother matrix)的局部放大剖面圖；圖21示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的用于干蝕刻的掩模的制造工藝中的掩模母版的局部放大剖面圖；圖22示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的用于干蝕刻的掩模的制造工藝中的掩模母版的局部放大剖面圖；圖23示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的用于干蝕刻的掩模的制造工藝中的掩模母版的局部放大剖面圖；圖24示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的用于干蝕刻的掩模的制造工藝中的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)和掩模母版的局部放大剖面圖；圖25示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于干蝕刻的掩模的局部放大剖面圖；圖26示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于干蝕刻的掩模的制造工藝中的掩模母版的局部放大剖面圖；圖27示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于干蝕刻的掩模的制造工藝中的掩模母版的局部放大剖面圖；圖28示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于干蝕刻的掩模的制造工藝中的掩模母版的局部放大剖面圖；圖29示意性地示出了在根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于干蝕刻的掩模的電鑄制造工藝中的母芯片(die)的局部放大剖面圖；圖30示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的用于干蝕刻的掩模的電鑄制造工藝中的母芯片的局部放大剖面圖；圖31示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的用于干蝕刻的掩模的電鑄制造工藝中的母芯片的局部放大剖面圖；圖32示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的用于干蝕刻的掩模的電鑄制造工藝中的母芯片的局部放大剖面圖；圖33示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的用于干蝕刻的掩模的電鑄制造工藝中的母芯片的局部放大剖面圖；圖34示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的用于干蝕刻的掩模的電鑄制造工藝中的母芯片的局部放大剖面圖；圖35顯示了根據(jù)本發(fā)明該實(shí)施例的使用用于干蝕刻的掩模的干蝕刻設(shè)備；圖36是表示根據(jù)本發(fā)明這些實(shí)施例的有機(jī)EL器件的電壓對電流密度的初始特性的曲線圖；圖37是表示根據(jù)本發(fā)明這些實(shí)施例的有機(jī)EL器件的電流密度對亮度的初始特性的曲線圖；
圖38是表示根據(jù)本發(fā)明這些實(shí)施例的有機(jī)EL器件的驅(qū)動時(shí)間對亮度的初始特性的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照

本發(fā)明的實(shí)施例。
干蝕刻掩模圖1示出了本發(fā)明第一實(shí)施例的干蝕刻掩模(下面簡稱為“掩?！?30。圖1示出了從要進(jìn)行蝕刻的對象的側(cè)面觀察到的掩模的示意性平面圖。掩模30包括阻隔部分30a，其覆蓋除了要進(jìn)行蝕刻的表面之外的表面；和通孔31，其使得能夠曝露要進(jìn)行蝕刻的表面。阻隔部分30a具有周邊部分30b，其在通孔31的周邊處突出，并接觸和包圍除了要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域以外的區(qū)域；以及被周邊部分30b包圍的凹進(jìn)部分30c。也就是說，周邊部分30b的厚度L大于阻隔部分30a的凹進(jìn)部分30c的厚度B。掩模30設(shè)置有多個(gè)通孔31，以使得蝕刻氣體可以通過。例如，掩模30由諸如鎳和不銹鋼(SUS)的金屬制成。
如圖2所示，當(dāng)進(jìn)行干蝕刻時(shí)對通孔31下面的區(qū)域進(jìn)行蝕刻，同時(shí)掩模30與形成在基板上的薄膜2接觸，但是阻隔部分30a下面的區(qū)域，包括凹進(jìn)(凹陷)部分30c，未被蝕刻且保持不變。此時(shí)，與形成在基板上的薄膜2的接觸區(qū)只是阻隔部分30a的凸出部分(即，周邊部分30b)與部分薄膜2相接觸的區(qū)域，如圖2所示。因此，由于凹進(jìn)部分30c，而使得阻隔部分30a不與薄膜接觸，并且不會損壞薄膜2。當(dāng)要進(jìn)行蝕刻的薄膜易于損壞時(shí)，或者當(dāng)進(jìn)行蝕刻后在剩余區(qū)域上形成另一層或多層薄膜時(shí)，這種方式很有效。
圖3示出了根據(jù)第二實(shí)施例的干蝕刻掩模300(下文中稱為“第二掩模300”)。圖3示出了從要進(jìn)行蝕刻的對象的側(cè)面觀察到的掩模的示意性平面圖。第二掩模300是上述第一實(shí)施例的掩模30的反向掩模(reversedmask)。第二掩模300設(shè)置有阻隔部分30a，其包括凸出周邊部分30b和凹進(jìn)部分30c；以及類似于第一實(shí)施例中的多個(gè)通孔31。此外，如圖4所示，通孔31被作為網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301的所謂網(wǎng)格掩模覆蓋。網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301具有多個(gè)通孔31a(或網(wǎng)孔)。該多個(gè)通孔31a中的每一個(gè)的表面面積都小于通孔31的表面面積。
如圖5所示，與網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301集成為一體的阻隔部分30a的凸出部分(即，周邊部分30b)只與形成在基板上的薄膜2的一部分接觸，并且阻隔部分30a的凹進(jìn)部分30c不與形成在基板上的薄膜接觸。此外，可以通過具有形成為網(wǎng)或網(wǎng)格的通孔31的網(wǎng)格掩模301實(shí)現(xiàn)自由形狀的構(gòu)圖。如果該網(wǎng)與要進(jìn)行蝕刻的表面之間的距離較小，即，如果周邊部分30b的厚度L不夠，則等離子體氣體或其它這種蝕刻氣體在通孔部分的網(wǎng)后面(在薄膜側(cè))不能很好的流通，而可能存在殘留的網(wǎng)狀薄膜2。為此，必須確保周邊部分30b的厚度L達(dá)到使得蝕刻氣體能夠充分流通的程度。各向同性蝕刻對于蝕刻氣體的良好流通是優(yōu)選的。在這種情況下，周邊部分30b的厚度L必須等于或大于網(wǎng)格掩模的行寬。雖然周邊部分30b的厚度L還取決于蝕刻方法，但是周邊部分30b的厚度L通常優(yōu)選地在10到1000μm的范圍內(nèi)，或者更為優(yōu)選地，在50到500μm的范圍內(nèi)。此外，掩模的網(wǎng)格密度優(yōu)選地為10個(gè)網(wǎng)格到1000個(gè)網(wǎng)格，或者更為優(yōu)選地為100個(gè)網(wǎng)格到1000個(gè)網(wǎng)格。
使用對蝕刻氣體具有抵抗力的材料作為網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301和阻隔部分30a的材料。例如，在等離子體灰化(ashing)設(shè)備中使用的諸如奧氏體不銹鋼(SUS)的金屬。
使用利用傳統(tǒng)蝕刻掩模的干蝕刻的構(gòu)圖方法的問題在于由于掩模強(qiáng)度不夠大而使得蝕刻掩模彎曲，例如，當(dāng)掩模圖案使得通孔部分較大并具有多個(gè)發(fā)光部分的精細(xì)島狀圖案或者具有剝離圖案，但阻隔部分為精細(xì)圖案時(shí)。因此，不能形成精細(xì)圖案。然而，通過根據(jù)本實(shí)施例的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301，可以提高蝕刻掩模的剛度，并且可以形成精細(xì)島狀圖案和行間(line-and-space)圖案。
使用干蝕刻的薄膜圖案形成方法如圖6所示，作為薄膜形成工藝，在基板1(例如，抗蝕刻氣體的玻璃)上形成薄膜2。所淀積的薄膜2可以是有機(jī)的或無機(jī)的。
隨后，作為蝕刻工藝，如圖7所示使第一實(shí)施例的掩模30與基板1上的薄膜2相接觸，并且通過將通孔31下方的區(qū)域曝露在蝕刻氣體環(huán)境中來進(jìn)行蝕刻。
在蝕刻工藝之后，如圖8所示曝露通孔31下面的基板1。由于掩模30為凹陷的或者為凹形，所以不會損壞保持在阻隔部分30a下面的薄膜2的表面。
包括干蝕刻工藝的有機(jī)EL元件制造方法如圖9所示，在玻璃基板上形成抗干蝕刻的第一顯示電極E1。
隨后，如圖10所示，在整個(gè)基板表面和第一顯示電極E1上形成一層或多層預(yù)定的有機(jī)膜21。該階段的薄膜形成方法可以為濕式工藝(例如旋涂法或絲網(wǎng)印刷法等)或者干式工藝(例如真空汽相淀積)。此外，該預(yù)定的有機(jī)膜21可以是聚合材料層和/或非聚合材料層。也可以在該階段形成直至有機(jī)發(fā)光層的所有層。
隨后，如圖11所示將第二掩模300設(shè)置在有機(jī)膜21之上，并使用該掩模進(jìn)行干蝕刻。在對所有的有機(jī)膜進(jìn)行了干蝕刻之后，進(jìn)行構(gòu)圖以形成如圖12所示的有機(jī)膜圖案21p。
隨后，如圖13所示在有機(jī)膜圖案21p上形成第二顯示電極E2。
此外，在有機(jī)EL元件制造工藝中，當(dāng)在干蝕刻之后層疊第二有機(jī)膜時(shí)，以同樣的方式執(zhí)行這些步驟直到圖12所示的步驟為止，但是此后，如圖14所示，使用真空汽相淀積設(shè)備等，并使用掩模等，在第一有機(jī)膜上形成第二有機(jī)膜21p2(該第二有機(jī)膜21p2可以包括多個(gè)層)作為圖案。此后，如圖15所示在第二有機(jī)薄膜21p2上形成第二顯示電極E2。
包括干蝕刻工藝的有機(jī)EL顯示板制造方法的示例通過使用根據(jù)第二實(shí)施例的掩模的有機(jī)EL元件制造方法制造無源矩陣型有機(jī)EL顯示板。
首先，由于將多個(gè)發(fā)光部分限定在行電極和列電極(即，第一和第二顯示電極)的交叉部分，所以如下所述在透明基板上形成互相平行延伸的多個(gè)第一顯示電極(陽極)。
制備一透明玻璃基板，通過濺射，在其主表面上形成膜厚1500埃()的銦錫氧化物(下文中稱為“ITO”)。隨后，使用由Tokyo Ohka Kogyo Co.，Ltd生產(chǎn)的光刻膠AZ6112在ITO膜上形成帶狀圖案。將基板浸入氯化鐵和鹽酸的混合水溶液中，對未被抗蝕劑覆蓋的部分ITO膜進(jìn)行蝕刻。最后，將基板浸入丙酮并去除抗蝕劑，從而獲得多個(gè)平行第一顯示電極的圖案。
此后，將通過在有機(jī)溶劑中溶解摻有酸的聚苯胺(polyaniline)衍生物而獲得的涂漬溶液旋涂于在形成第一顯示電極的步驟中所獲得的基板的第一顯示電極的整個(gè)表面上以形成薄膜。緊接著，在加熱板(hotplate)上對基板進(jìn)行加熱以使溶劑汽化，從而在第一顯示電極上獲得膜厚為450埃()的聚苯胺薄膜。
隨后，將第二實(shí)施例的網(wǎng)格掩膜設(shè)置于在形成導(dǎo)電聚合膜的步驟中所獲得的基板上的聚苯胺薄膜上的預(yù)定位置處。
將附連有網(wǎng)格掩模的基板放入等離子體灰化設(shè)備，并在下述條件下進(jìn)行4分鐘的蝕刻平面平行陽極耦合(plane-parallel anodecoupling)、RF 1000 W、O2225sccm、Ar75sccm、壓力62Pa、80℃，然后去除網(wǎng)格掩模。結(jié)果，網(wǎng)格掩模的通孔部分下面的聚苯胺薄膜部分被完全去除，并且曝露出第一顯示電極的一部分的圖案，同時(shí)在阻隔部分下面要成為有機(jī)EL器件的顯示部分的多個(gè)聚苯胺薄膜部分保持未損壞狀態(tài)。應(yīng)該注意到，形成網(wǎng)格掩模的凸出部分以避免發(fā)光部分的影響。此外，等離子體灰化設(shè)備是抗蝕劑剝離設(shè)備，其中在等離子體氣體和抗蝕劑之間發(fā)生了反應(yīng)，使抗蝕劑汽化并將其去除。例如，諸如抗蝕劑材料的有機(jī)材料變?yōu)榕c氧等離子體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的CO2、H2O、O2等以變?yōu)闅鈶B(tài)并從基板上去除。
隨后，通過在干蝕刻步驟中獲得的基板上的聚苯胺薄膜上的預(yù)定位置處進(jìn)行汽相淀積，來依次形成膜厚為250埃()的NPABP(4，4’-雙[N-(1-萘基)N-苯基氨基]聯(lián)苯)和膜厚為600埃的Alq3(三(8-羥基喹啉)鋁)作為有機(jī)膜。
隨后，在有機(jī)膜形成步驟中獲得的基板上的有機(jī)膜上形成相互平行延伸并與第一顯示電極垂直的多個(gè)第二顯示電極。具體地說，通過在Alq3薄膜上的預(yù)定位置處采用淀積方法形成膜厚為1000埃的多個(gè)Al-Li合金帶，由此在基板上完成以矩陣形式設(shè)置的多個(gè)有機(jī)EL元件。
隨后，在N2氣氛中，在其上形成有在第二顯示電極形成步驟中所獲得的多個(gè)有機(jī)EL元件的基板與施加有BaO干燥劑的玻璃基板的凹進(jìn)部分周邊之間提供粘合劑，由此密封多個(gè)有機(jī)EL元件，并完成根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL顯示板。
結(jié)果，已密封的有機(jī)EL顯示板的發(fā)光性能優(yōu)異，并且由于不使掩模與有機(jī)膜接觸，所以不會觀察到諸如黑點(diǎn)、微粒粘合和有機(jī)膜損壞的缺陷。
雖然上述實(shí)施例為無源矩陣型有機(jī)EL顯示板，但是很明顯本發(fā)明可以應(yīng)用于有源矩陣型有機(jī)EL顯示板。此外，雖然本實(shí)施例是根據(jù)包括多個(gè)第一顯示電極、有機(jī)膜和多個(gè)第二顯示電極的有機(jī)EL元件的最簡單結(jié)構(gòu)來進(jìn)行說明的，但是也可以在基板上設(shè)置其它組件，例如在日本專利申請No.H08-315981和No.H08-227276中公開的屏障壁(barrier wall)。在這種情況下，這些組件不易毀壞，并且本發(fā)明更為有效。
在另一實(shí)施例中，如圖16所示可以增加凸出部分以更為可靠地避免掩模凹進(jìn)部分與要進(jìn)行蝕刻的表面以外的表面接觸。在這種情況下，在由周邊部分所包圍的凹進(jìn)部分處的不發(fā)光部分處設(shè)置輔助凸出部分30D。在沒有網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301以及在提供網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301的情況下也可以采用輔助凸出部分30D。
在另一實(shí)施例中，為了避免在進(jìn)行等離子體蝕刻時(shí)在絕緣基板上的掩模(該掩模由諸如奧氏體不銹鋼(SUS)的金屬制成)中積聚電荷，可以提供與掩模的一部分相連的接地部分310，例如，如圖17所示的阻隔部分30a將掩模接地到等離子體灰化設(shè)備的電極上。
在上述實(shí)施例中，掩模的凹進(jìn)部分不與基板接觸，因此，沒有微粒粘附到有機(jī)膜上，并且不會損壞有機(jī)膜，因此可以提供具有有機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯示板，該有機(jī)EL顯示板可以提供優(yōu)異的顯示性能并且沒有缺陷。
干蝕刻掩模的制造方法圖18示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的用于干蝕刻的掩模330(下文中稱為第三掩模330)。圖18示出了從要進(jìn)行蝕刻的對象的側(cè)面觀察到的掩模的示意性平面圖。中心區(qū)域中的六個(gè)阻隔部分30a與蝕刻后要保留薄膜的多個(gè)部分相對應(yīng)。此外，周邊部分上的阻隔部分30ap用作為與基板(或與形成在基板上并要進(jìn)行處理的薄膜)相接觸的框架體，以便增加基板與第三掩模330的接觸面積以實(shí)現(xiàn)兩者之間的穩(wěn)定接觸。
圖19示出了沿圖18所示的第三掩模330的線AA的剖面圖。第三掩模330具有下述結(jié)構(gòu)，其中整體地連接非連續(xù)構(gòu)件，即，網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301和阻隔部分30a。將阻隔部分和第三掩模330的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301附連在一起，其中阻隔部分的厚度為t2，而網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301的厚度為t1，網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301包括深度為“d”的凹進(jìn)部分。優(yōu)選地，形成周邊部分中的阻隔部分30ap，以使得在掩模330與基板相接觸的一側(cè)沒有凹進(jìn)部分，以提高第三掩模330的強(qiáng)度。
第三掩模的制造方法可以通過例如下面的制造工藝制造第三掩模330。
如圖20所示，例如，在由不銹鋼制成的平板的掩模母版MM的兩側(cè)上分別形成抗蝕劑圖案RP1、RP2。在抗蝕劑圖案RP1中設(shè)置用于只曝露要進(jìn)行蝕刻的表面的孔P1(該孔與圖19的通孔31相對應(yīng))。在另一個(gè)抗蝕劑圖案RP2中設(shè)置用于只曝露要進(jìn)行蝕刻的表面的孔P2和P3(該孔P2和P3與圖19的通孔31和凹進(jìn)部分30c相對應(yīng))。
如圖21所示，在掩模母版MM的兩側(cè)執(zhí)行濕蝕刻處理。具體地說，使用包含例如酸的材料的溶液以溶解掩模母版MM，來在掩模母版MM的兩側(cè)對其進(jìn)行蝕刻。
如圖22所示，通過蝕刻形成通孔31和凹進(jìn)部分30c。當(dāng)凹進(jìn)部分30c的深度達(dá)到所需深度并且穿透孔31的部分時(shí)，蝕刻完成。
如圖23所示，剝除掩模母版MM兩側(cè)已構(gòu)圖的抗蝕劑。例如，可以使用堿性溶液、有機(jī)溶劑或氧等離子體處理來剝除已構(gòu)圖的抗蝕劑。因此，對在其周邊具有阻隔部分30ap的掩模母版MM設(shè)置了通孔31和凹進(jìn)部分30c。
如圖24所示，將網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301附連到所獲得的掩模母版MM上。然后，通過粘合劑或通過電鍍處理將在另一制造工藝中制造的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301附連在周邊部分中的阻隔部分30ap和阻隔部分30a的凹進(jìn)部分30c的相對側(cè)。由此，如圖19所示提供第三掩模330。
可以使用類似的蝕刻工藝制造網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301。另選地，可以通過電鑄(電鍍)技術(shù)制造網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301。此外，可以通過組合由諸如金屬或纖維構(gòu)成的線來制造網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301。
參照圖20到圖22，描述了通過使用雙側(cè)蝕刻來形成阻隔部分30a的方法，但是，可以分別對每一側(cè)執(zhí)行蝕刻處理。另選地，可以通過使用電鑄技術(shù)來形成阻隔部分30a。
第四掩模及其制造方法圖25示出了第四掩模340的剖面圖。第四掩模340具有下述結(jié)構(gòu)，其中通過在一個(gè)片段上進(jìn)行蝕刻來形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301和阻隔部分30a，而不是將其形成為非連續(xù)構(gòu)件的集成體。在第四掩模340中，只在周邊部分的阻隔部分30ap與阻隔部分30a之間的通孔31中形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301。第四掩模340的總厚度為t1，在阻隔部分30a中設(shè)置厚度為“d”的凹進(jìn)部分。優(yōu)選地，形成周邊部分中的阻隔部分30ap以使得在第四掩模340與基板相接觸的一側(cè)上沒有凹進(jìn)部分，以提高第四掩模340的強(qiáng)度。
例如，可以通過下面的制造工藝制造第四掩模340。
如圖26所示，在例如由不銹鋼制成的平板的掩模母版MM的兩側(cè)上分別形成抗蝕劑圖案RP1、RP2。在抗蝕劑圖案RP1中設(shè)置用于只曝露要進(jìn)行蝕刻的表面的孔P4(該孔P4與圖25中的通孔31a相對應(yīng))。在另一個(gè)抗蝕劑圖案RP2中設(shè)置用于只曝露要進(jìn)行蝕刻的表面的孔P2和P3(該孔P2和P3與圖25的通孔31和凹進(jìn)部分30c相對應(yīng))。
如圖27所示，在掩模母版MM的兩側(cè)執(zhí)行濕蝕刻處理。具體地，使用包含例如酸的材料的溶液以溶解掩模母版MM，來在掩模母版MM的兩側(cè)對其進(jìn)行蝕刻。
如圖28所示，通過蝕刻形成通孔31a、通孔31和凹進(jìn)部分30c。當(dāng)凹進(jìn)部分30c的深度達(dá)到所需深度并且穿透通孔31a和通孔31的部分時(shí)，蝕刻完成。
然后，剝除掩模母版MM兩側(cè)已構(gòu)圖的抗蝕劑。例如，可以使用堿性溶液、有機(jī)溶劑或氧等離子體處理來剝除已構(gòu)圖的抗蝕劑。因此，如圖25所示，對在其周邊具有阻隔部分30ap的掩模母版MM設(shè)置網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301、通孔31和凹進(jìn)部分30c。
第四掩模的另一制造方法下面說明通過電鑄來制造第四掩模340的制造方法。
如圖29所示，在由例如不銹鋼制成的平板的掩模母芯片MD的主表面上形成第一光刻膠圖案PP1。在第一光刻膠圖案PP1中設(shè)置用于只曝露其上要沉淀或淀積金屬的表面的孔OP、OP0、OP1(該孔OP、OP0、OP1與圖25中的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301、周邊上的阻隔部分30ap和阻隔部分30a相對應(yīng))，同時(shí)覆蓋其它區(qū)域。
如圖30所示，例如，制備其中設(shè)置有陽極并充滿包括鎳離子的溶液的電鑄容器(未示出)。將母芯片MD浸入該電鑄容器。將該母芯片MD用作為陰極，使直流電流流過該陰極和陽極預(yù)定時(shí)間。在母芯片MD的曝露表面中進(jìn)行鎳(Ni)的電解淀積，以形成具有厚壁厚的鎳金屬層ML。
如圖31所示，當(dāng)用于阻隔部分的凹進(jìn)部分和網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的金屬層ML的厚度達(dá)到預(yù)定的膜厚(t1-d)時(shí)，從電鑄容器中取出母芯片MD以進(jìn)行清洗。
如圖32所示，在形成在母芯片MD上的第一光刻膠圖案PP1和金屬層ML上形成第二光刻膠圖案PP2。在第二光刻膠圖案PP2中設(shè)置用于只曝露其上要淀積金屬的表面(這些表面與圖25中的周邊上的阻隔部分30ap和阻隔部分的周邊部分30b相對應(yīng))的孔OP2和OP3，同時(shí)覆蓋其它區(qū)域。
如圖33所示，以與上述相同的方式將其上具有第二光刻膠圖案PP2的母芯片MD浸入其中設(shè)置有陽極并充滿包括鎳離子的溶液的電鑄容器中。將該母芯片MD用作為陰極，使直流電流流過該陰極和陽極預(yù)定時(shí)間。在母芯片MD的曝露表面上執(zhí)行鎳(Ni)電解淀積，以形成具有厚壁厚的鎳金屬層ML2。當(dāng)用于周邊的阻隔部分以及周邊部分的金屬層ML1和金屬層ML2的總厚度達(dá)到預(yù)定的總膜厚時(shí)，從電鑄容器中取出母芯片MD以進(jìn)行清洗。
如圖34所示，例如，通過使用堿性溶液、有機(jī)溶劑或氧等離子體處理來剝除第一和第二光刻膠圖案。
然后，從母芯片MD上分離金屬層ML1和ML2的疊層。由此，完成圖25中所示的第四掩模340的制造。
當(dāng)在本實(shí)施例中通過電鑄(沉淀法)制造第四掩模時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)±1微米(μm)范圍的高處理精度，由此可以提高厚度精度。
實(shí)施例-1使用電鑄法制造掩模步驟1網(wǎng)格結(jié)構(gòu)301的制造在由不銹鋼制成的母芯片上執(zhí)行網(wǎng)格形狀的Ni電鑄。只去除母芯片以制造網(wǎng)格結(jié)構(gòu)(該網(wǎng)格結(jié)構(gòu)與圖19的上半部分相對應(yīng))。
所制造的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的厚度(與圖19中的“t1”相對應(yīng))為0.2mm、尺寸為50mm×50mm、L/S為0.025mm/0.038mm(相當(dāng)于400個(gè)網(wǎng)格)。
步驟2阻隔部分的制造與步驟1無關(guān)，在不銹鋼母芯片上執(zhí)行兩次Ni電鑄以形成具有凹進(jìn)部分的阻隔部分圖案(相當(dāng)于圖19的下半部分)，以使得凹進(jìn)部分面對母芯片。所制造的阻隔部分的厚度(與圖19中的“t2”相對應(yīng))為0.2mm、尺寸為12mm×9mm。凹進(jìn)部分的深度(與圖19中的“d”相對應(yīng))為0.1mm，尺寸為11.6mm×8.6mm。換言之，與基板接觸的周邊部分的寬度為0.1mm。
步驟3附連工藝在步驟1和步驟2中所制造的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)和阻隔部分上執(zhí)行Ni電鑄，同時(shí)將網(wǎng)格結(jié)構(gòu)和阻隔部分附連在一起并固定，以形成為整體。然后，去除阻隔部分的母芯片。使網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的線寬變寬，且L/S為0.029mm/0.034mm。
步驟4加固框架安裝由不銹鋼制成的加固框架的厚度為2mm、尺寸為50mm×50mm，框架寬度為3mm，使用粘合劑將加固框架固定在步驟3中所制造的掩模的周邊(周邊部分的阻隔部分的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)上)，以提高掩模的強(qiáng)度，由此完成本實(shí)施例-2有機(jī)膜的構(gòu)圖步驟1聚苯胺薄膜的形成充分清洗玻璃基板，并在玻璃基板上旋涂摻有酸的聚苯胺溶液。在進(jìn)行旋涂之后，通過加熱來使玻璃基板干燥，以形成厚度約25nm的聚苯胺薄膜。
步驟2干蝕刻使用螺釘將在實(shí)施例-1中制造的掩模固定在步驟1中所形成的玻璃基板上，同時(shí)使掩模與玻璃基板緊密接觸。然后，使用由Mori engineeringCo.，Ltd生產(chǎn)的等離子體設(shè)備(干蝕刻設(shè)備)V-1000在聚苯胺薄膜上執(zhí)行各種條件下的干蝕刻處理。
在下面的表1中總結(jié)各種蝕刻條件，并在圖35中示出了說明蝕刻處理的示意圖。如圖35所示將基板設(shè)置在下電極上。此外，下電極和上電極中的每一個(gè)的尺寸為280mm×280mm，下電極和上電極之間的距離為40mm。所使用的高頻(RF)電源的頻率為13.6MHz。
本實(shí)施例中以兩種模式執(zhí)行蝕刻處理，即，在一種模式中如圖35所示將RF電源與下電極相連(下文中稱為RIE模式)，而在另一模式中將RF電源與上電極相連(下文中稱為DP模式)。
表1

注意在表1中，“結(jié)果”表示被蝕刻部分的狀態(tài)。在對應(yīng)于表1中的各種蝕刻條件設(shè)置的“結(jié)果”中，“最好”表示完全去除，“優(yōu)良”表示剩余網(wǎng)格圖案的殘留物質(zhì)，“好”表示剩余微量薄膜。
總體而言，在RIE模式中，由于在下電極側(cè)(即基板側(cè))產(chǎn)生等離子體，所以提供了高蝕刻速率并提高了生產(chǎn)率。然而，基板溫度易于升高，從而必須加以注意。例如，存在下述情況，當(dāng)使用低耐熱性的基板或薄膜時(shí)必須對基板進(jìn)行冷卻。相反，在DP模式中，在上電極側(cè)(即，在遠(yuǎn)離基板處)產(chǎn)生等離子體。因此，雖然蝕刻速率低，但是可以抑制基板溫度的升高。
在上述各種條件下執(zhí)行蝕刻之后，對聚苯胺進(jìn)行目測。對未被阻隔部分所覆蓋的部分進(jìn)行了蝕刻，并且以與阻隔部分的形狀大致相同的形狀進(jìn)行了蝕刻。對聚苯胺薄膜圖案的尺寸進(jìn)行測量。對于所有抽樣尺寸的偏差均小于±0.1mm。因此，保證了尺寸精度在一實(shí)用范圍之內(nèi)。因?yàn)橛捎跈C(jī)械固定而使得基板和薄膜的粘合不完全，所以假定獲得±0.1mm內(nèi)的尺寸精度。因此，通過改善基板和掩模的粘合可以獲得更高的構(gòu)圖精度。例如，通過對基板采用磁性物質(zhì)并通過磁體來粘合基板和掩模，可以提高構(gòu)圖精度，由此獲得小于±0.1mm的構(gòu)圖精度。
此外，通過光學(xué)顯微鏡觀察聚苯胺薄膜圖案以檢測蝕刻質(zhì)量。該結(jié)果也在表1中示出。
可將結(jié)果分析如下。
(1)RIE模式和DP模式例如，比較RIE模式的條件C以及DP模式的條件F，即使在DP模式下氣流量大并且蝕刻時(shí)間長，也仍然剩余聚苯胺薄膜。因此，可以確定RIE模式的蝕刻速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于DP模式的蝕刻速率。
(2)蝕刻氣體的種類比較使用O2的條件A、使用Ar/O2混合氣體的條件C和只使用Ar的條件E，當(dāng)使用Ar/O2混合氣體時(shí)在1分鐘內(nèi)進(jìn)行了很好的蝕刻。另一方面，當(dāng)只使用O2時(shí)通過5分鐘的蝕刻也沒有完全去除薄膜，當(dāng)只使用Ar時(shí)在網(wǎng)格結(jié)構(gòu)形狀中剩余殘留物質(zhì)。
在有機(jī)膜的干蝕刻中，Ar物理地蝕刻有機(jī)膜，以使得蝕刻具有各向異性，其中蝕刻可能沿著垂直方向進(jìn)行(即，各向異性蝕刻氣體)。另一方面，O2蝕刻具有化學(xué)蝕刻的主要效果，其中O2蝕刻有機(jī)膜，同時(shí)與有機(jī)材料發(fā)生反應(yīng)以使得蝕刻具有各向同性(即，各向同性蝕刻氣體)。
在只使用Ar的蝕刻中，在網(wǎng)格結(jié)構(gòu)形狀中剩余殘留物質(zhì)。這可能是因?yàn)锳r氣體沒有到達(dá)網(wǎng)的后部周圍。
至于物理蝕刻效果，通常Ar比O2強(qiáng)。當(dāng)在蝕刻處理中在有機(jī)膜的表面上產(chǎn)生難于與O2發(fā)生反應(yīng)的反應(yīng)產(chǎn)物時(shí)，O2不能有效地進(jìn)行蝕刻，然而由于Ar在物理蝕刻效果方面較為優(yōu)越，所以Ar易于進(jìn)行蝕刻。這可能是當(dāng)只使用O2時(shí)蝕刻速率低的原因。
因此，優(yōu)選地使用諸如Ar的惰性氣體和與有機(jī)層發(fā)生反應(yīng)的氣體的混合氣體來進(jìn)行蝕刻，以進(jìn)行均勻的蝕刻并實(shí)現(xiàn)高蝕刻速率。通過使蝕刻氣體到達(dá)網(wǎng)的后部周圍可以實(shí)現(xiàn)均勻的蝕刻。
當(dāng)將本實(shí)施例中的有機(jī)層的構(gòu)圖方法應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光器件時(shí)，則由于有機(jī)層被曝露在等離子體中，所以器件特性的劣化是要考慮的問題。為了檢查該問題進(jìn)行進(jìn)一步的試驗(yàn)。
實(shí)施例-3有機(jī)EL器件1的制造步驟1ITO的形成在尺寸為30mm×30mm的玻璃基板上，將ITO形成為2mm寬的帶狀圖案。
步驟2將聚苯胺薄膜形成為孔注入層充分清洗步驟1的玻璃基板，并在玻璃基板上旋涂作為孔注入層的摻有酸的聚苯胺溶液。在進(jìn)行旋涂之后，通過加熱使玻璃基板干燥，以形成厚度約25nm的聚苯胺薄膜。
步驟3聚苯胺薄膜的蝕刻以類似于實(shí)施例-2的方式執(zhí)行聚苯胺薄膜的蝕刻。所使用的蝕刻條件為表1的條件D。
步驟4制造有機(jī)EL器件中的其它層在步驟3的基板上，通過使用掩模進(jìn)行真空淀積來形成45nm的NPABP、60nm的Alq3和1nm的Li2O。此外，作為陰極，通過沿著與ITO正交的方向進(jìn)行真空電極形成寬為2mm的多個(gè)Al條。
步驟5封裝將附連有作為干燥劑的BaO的凹形玻璃膠合到步驟4的器件并進(jìn)行封裝。由此完成本實(shí)施例的有機(jī)EL器件。
實(shí)施例-4有機(jī)EL器件2的制造除了在實(shí)施例-3的步驟3中利用表1的條件H作為聚苯胺的蝕刻條件以外，基本上以與實(shí)施例-3中相同的方式制造本實(shí)施例的有機(jī)EL器件。
比較示例1除了通過使用擦拭器進(jìn)行擦除來進(jìn)行聚苯胺的構(gòu)圖以外，基本上以與實(shí)施例-3的3)中相同的方式制造本實(shí)施例的有機(jī)EL器件。
對于所制造的器件的評價(jià)圖36和37示出了對于如上所述制造的有機(jī)EL器件的初始特性的測量結(jié)果。此外，在圖38中示出了當(dāng)使用210mA/cm2的DC電流驅(qū)動器件時(shí)的亮度劣化特性。
從圖36-38可見，實(shí)施例-3和實(shí)施例-4的器件顯示了與比較示例1大致相同的特性。因此，可以發(fā)現(xiàn)這些實(shí)施例中的蝕刻方法沒有對構(gòu)成有機(jī)EL器件的有機(jī)層產(chǎn)生不良影響。其原因在于掩模的阻隔部分防止了高能粒子的入射，例如，防止O2和Ar的二次電子或離子進(jìn)入聚苯胺層。
因此，當(dāng)將本實(shí)施例中的蝕刻方法應(yīng)用于有機(jī)EL器件時(shí)，必須使掩模的阻隔部分使用能夠阻止這些在蝕刻過程中產(chǎn)生的高能粒子的材料。優(yōu)選地使用諸如金屬的導(dǎo)電材料，因?yàn)檫@種材料能夠捕獲帶電粒子或離子。
參照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了說明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解可以對上述實(shí)施例進(jìn)行各種改變和修改。因此所附權(quán)利要求旨在涵蓋所有這些改變和修改。
權(quán)利要求
1.一種蝕刻掩模，其具有只曝露要進(jìn)行蝕刻的表面的通孔，該掩模包括凸出周邊部分，其在所述通孔的周邊處凸出；以及由該凸出周邊部分所包圍的凹進(jìn)部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻掩模，其中所述通孔由具有多個(gè)通孔的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)覆蓋，該多個(gè)通孔中的每一個(gè)的面積均小于所述通孔的面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻掩模，還包括所述蝕刻掩模的周邊部分中的阻隔部分，其位于所述通孔的周邊上的所述凹進(jìn)部分所在側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻掩模，還包括加固框架，其設(shè)置在所述通孔的周邊上的所述凹進(jìn)部分的相對側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻掩模，其中所述凹進(jìn)部分由導(dǎo)電材料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻掩模，其中所述凹進(jìn)部分由金屬制成。
7.一種用于在薄膜上形成預(yù)定圖案的薄膜圖案形成方法，包括在一基板上形成至少一個(gè)薄膜；以及執(zhí)行干蝕刻工藝，以在已形成的所述至少一個(gè)薄膜上設(shè)置干蝕刻掩模，并向所述至少一個(gè)薄膜施加蝕刻氣體；其中所述干蝕刻掩模設(shè)置有用于只曝露要進(jìn)行蝕刻的表面的通孔，并且設(shè)置有在該通孔的周邊處凸出的凸出周邊部分以及由該凸出周邊部分所包圍的凹進(jìn)部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜圖案形成方法，其中所述通孔由具有多個(gè)通孔的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)覆蓋，該多個(gè)通孔中的每一個(gè)的面積均小于所述通孔的面積。
9.一種用于制造有機(jī)電致發(fā)光元件的方法，該有機(jī)電致發(fā)光元件包括設(shè)置在多個(gè)電極層之間并進(jìn)行電致發(fā)光的至少一個(gè)有機(jī)膜，該方法包括在一基板上形成至少一個(gè)有機(jī)膜；以及執(zhí)行干蝕刻處理，以在已形成的所述至少一個(gè)有機(jī)膜上設(shè)置干蝕刻掩模，并向所述至少一個(gè)有機(jī)膜中的至少一個(gè)施加蝕刻氣體；其中所述干蝕刻掩模設(shè)置有用于只曝露要進(jìn)行蝕刻的表面的通孔，并且設(shè)置有在該通孔的周邊處凸出的凸出周邊部分以及由該凸出周邊部分所包圍的凹進(jìn)部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光元件制造方法，其中所述通孔由具有多個(gè)通孔的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)覆蓋，該多個(gè)通孔中的每一個(gè)的面積均小于所述通孔的面積。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的有機(jī)電致發(fā)光元件制造方法，其中所述蝕刻氣體包括各向異性蝕刻氣體。
12.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的有機(jī)電致發(fā)光元件制造方法，其中所述蝕刻氣體包括各向異性蝕刻氣體和各向同性蝕刻氣體。
13.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的有機(jī)電致發(fā)光元件制造方法，其中所述蝕刻氣體包括氧氣。
14.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的有機(jī)電致發(fā)光元件制造方法，其中所述蝕刻氣體包括氧氣和惰性氣體。
15.根據(jù)權(quán)利要求9-14中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件制造方法，其中執(zhí)行干蝕刻工藝的所述步驟實(shí)現(xiàn)所述有機(jī)膜的干蝕刻，同時(shí)將所述基板與高頻電源相連。
16.一種有機(jī)電致發(fā)光元件，該有機(jī)電致發(fā)光元件通過一種有機(jī)電致發(fā)光元件制造方法制造，該方法包括以下步驟在預(yù)先設(shè)置有電極層的基板上形成至少一個(gè)有機(jī)膜；以及執(zhí)行干蝕刻處理，以將干蝕刻掩模設(shè)置在已形成的所述至少一個(gè)有機(jī)膜上，并向所述至少一個(gè)有機(jī)膜施加蝕刻氣體，該有機(jī)電致發(fā)光元件包括至少一個(gè)電致發(fā)光膜，其構(gòu)成所述電極層以及任何其它隨后形成的電極層；其中所述干蝕刻掩模設(shè)置有用于只曝露要進(jìn)行蝕刻的表面的通孔，并設(shè)置有在所述通孔的周邊處凸出的凸出周邊部分以及由該凸出周邊部分所包圍的凹進(jìn)部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中所述通孔由具有多個(gè)通孔的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)覆蓋，該多個(gè)通孔中的每一個(gè)的面積均小于所述通孔的面積。
全文摘要
一種蝕刻掩模，其包括用于只曝露要進(jìn)行蝕刻的表面的通孔；在該通孔的周邊處凸出的凸出周邊部分；以及由該凸出周邊部分所包圍的凹進(jìn)部分。
文檔編號H01L21/00GK1652020SQ20041005822
公開日2005年8月10日 申請日期2004年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月3日
發(fā)明者永山健一, 白鳥昌宏, 吉澤達(dá)矢 申請人:先鋒株式會社