專利名稱：薄膜晶體管陣列面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)是最廣泛使用的平板顯示裝置之一，由形成電場產(chǎn)生電極的兩個顯示板和介于其之間的液晶層組成，向電極施加電壓重新排列液晶層，從而調(diào)整通過液晶層的光透射率。
液晶顯示器中，目前主要使用的是在兩顯示板上分別設(shè)置電場產(chǎn)生電極的液晶顯示器。其中，在一個顯示板上多個像素電極以行列的形態(tài)排列、另一顯示板上一個共同電極覆蓋顯示板全面的液晶顯示裝置被成為主流顯示器。該液晶顯示器中圖像顯示通過向各像素電極施加另外電壓而形成。為此，與各像素電極連接控制向像素電極施加電壓的三端子元件的薄膜晶體管，在顯示板上設(shè)置傳送控制該薄膜晶體管的信號的柵極線和傳送向像素電極施加電壓的數(shù)據(jù)線。
這種液晶顯示器陣列面板具有層疊多個導(dǎo)電層和絕緣層的層結(jié)構(gòu)。柵極線、數(shù)據(jù)線、及像素電極由互不相同的導(dǎo)電層(以下分別稱為柵極導(dǎo)電體、數(shù)據(jù)導(dǎo)電體、及像素導(dǎo)電體)組成，并通過絕緣層分離，通常從下往上順次排列。
具有這種層狀結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管陣列面板通過多次薄膜形成及光學(xué)蝕刻工序制造，其中通過如何少量次數(shù)的光學(xué)蝕刻工序形成何種程度穩(wěn)定的元件是決定制造成本的重要因素。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于，提供一種用少量次數(shù)的光學(xué)蝕刻工序制造薄膜晶體管陣列面板的方法，并提供一種調(diào)整間隔材料支柱密度，使其容易進行液晶注入的薄膜晶體管陣列面板及其制造方法。而且，本發(fā)明目的在于，提供一種防止由半導(dǎo)體層露出部分和間隔材料支柱之間接觸引起的閾值電壓變化的薄膜晶體管陣列面板及其制造方法。
優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的制造薄膜晶體管陣列面板的方法，包括以下工序在基片上形成柵極線；在柵極線上連續(xù)沉積柵極絕緣層和半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上沉積下部導(dǎo)電層和上部導(dǎo)電層；對上部導(dǎo)電層、下部導(dǎo)電層及半導(dǎo)體層進行光學(xué)蝕刻；光學(xué)蝕刻鈍化層露出上部導(dǎo)電層第一部分和第二部分；除去上部導(dǎo)電層第一及第二部分，以露出下部導(dǎo)電層第一部分和第二部分；形成覆蓋下部導(dǎo)電層第一部分的像素電極；除去下部導(dǎo)電層的第二部分以露出半導(dǎo)體層一部分；在半導(dǎo)體層露出部分上形成間隔材料支柱。
而且，在鈍化層光學(xué)蝕刻工序中，和上部導(dǎo)電層第一部分層一起露出與其鄰接的柵極絕緣。
優(yōu)選地，在形成像素電極的工序中，與下部導(dǎo)電層第一部分一起覆蓋露出柵極絕緣層的像素電極。
優(yōu)選地，在光學(xué)蝕刻鈍化層的工序中，露出上部導(dǎo)電層第三部分。
優(yōu)選地，在除去導(dǎo)電層工序中，除去上部導(dǎo)電層第三部分，以露出下部導(dǎo)電層第三部分。
優(yōu)選地，柵極線包括下部層和上部層。
優(yōu)選地，在光學(xué)蝕刻鈍化層的工序中，一起蝕刻柵極絕緣層，以露出柵極線上部層一部分。
此外，在除去上部導(dǎo)電層的工序中，一起除去柵極線上部層的露出部分，以露出柵極線下部層一部分。
而且，還包括覆蓋露出所述下部導(dǎo)電層第三部分和所述柵極線下部層的部分的接觸輔助部件的工序。
優(yōu)選地，由相同材料形成柵極線上部層和上部導(dǎo)電層。
而且，優(yōu)選地，柵極線上部層和上部導(dǎo)電層由Cr組成，柵極線下部層和下部導(dǎo)電層由Al或Al-Nd合金形成。
優(yōu)選地，還包括半導(dǎo)體層包含本征半導(dǎo)體層和非本征半導(dǎo)體層，除去下部導(dǎo)電層后，除去非本征半導(dǎo)體層露出部分的工序。
優(yōu)選地，根據(jù)本法明的薄膜晶體管陣列面板，包括在基片上形成并包含下部層和上部層的柵極線；在柵極線上形成的柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成的半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成的歐姆接觸部件；在歐姆接觸部件上形成并包含下部層和上部層的源極和漏極；在源極及所述漏極上形成并具有露出漏極下部層一部分的第一接觸孔及露出半導(dǎo)體層第一部分的開口部的鈍化層；在鈍化層上形成并通過第一接觸孔與漏極下部層接觸的像素電極；在半導(dǎo)體層露出部分上形成的間隔材料支柱。
優(yōu)選地，開口部一部分邊界與半導(dǎo)體層第一部分邊界一致。
而且，優(yōu)選地，漏極上部層的至少一部分邊界與第一接觸孔一部分邊界一致。
而且，優(yōu)選地，柵極線下部層第一部分露出于上部層外面，鈍化層還具有露出柵極線下部層第一部分的第二接觸孔，第一部分邊界與第二接觸孔邊界一致。
而且，優(yōu)選地，還包括覆蓋柵極線下部層第一部分的接觸輔助部件。
優(yōu)選地，柵極線及數(shù)據(jù)線下部層由Cr組成，柵極線及數(shù)據(jù)線上部層由Al組成。
根據(jù)本發(fā)明的制造薄膜晶體管陣列面板的方法，包括以下工序在基片上形成柵極線；在柵極線上連續(xù)沉積柵極絕緣層和半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上沉積下部導(dǎo)電層和上部導(dǎo)電層；對上部導(dǎo)電層、下部導(dǎo)電層、及半導(dǎo)體層進行光學(xué)蝕刻；沉積鈍化層；光學(xué)蝕刻鈍化層露出上部導(dǎo)電層第一部分和第二部分；除去上部導(dǎo)電層第一及第二部分，以露出下部導(dǎo)電層第一部分和第二部分；形成覆蓋下部導(dǎo)電層第一部分的像素電極；除去下部導(dǎo)電層的第二部分以露出半導(dǎo)體層一部分；在半導(dǎo)體層露出部分上形成間隔材料支柱，優(yōu)選地，由柵極線和數(shù)據(jù)線限定的多個像素中，在某個像素的半導(dǎo)體露出部分上用狹縫曝光形成第一間隔材料，在另外露出半導(dǎo)體層的部分上用完全曝光第二間隔材料支柱。
而且，根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管陣列面板，包括在基片上形成并包含下部層和上部層的柵極線；在柵極線上形成的柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成的半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成的歐姆接觸部件；在歐姆接觸部件上形成并包含下部層和上部層的源極和漏極；在源極及所述漏極上形成并具有露出漏極下部層一部分的第一接觸孔及露出半導(dǎo)體層第一部分的開口部的鈍化層；在鈍化層上形成并通過第一接觸孔與漏極下部層接觸的像素電極，優(yōu)選地，由柵極線和數(shù)據(jù)線限定的多個像素中，在某個像素的半導(dǎo)體露出部分上形成第一間隔材料支柱，在另外露出半導(dǎo)體層的部分上形成第二間隔材料支柱。
優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的制造薄膜晶體管陣列面板的方法，包括以下工序在基片上形成柵極線；在柵極線上連續(xù)沉積柵極絕緣層和半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上沉積下部導(dǎo)電層和上部導(dǎo)電層；對上部導(dǎo)電層、下部導(dǎo)電層、及半導(dǎo)體層進行光學(xué)蝕刻；沉積鈍化層；光學(xué)蝕刻鈍化層露出上部導(dǎo)電層第一部分和第二部分；除去上部導(dǎo)電層第一及第二部分，以露出下部導(dǎo)電層第一部分和第二部分；形成覆蓋下部導(dǎo)電層第一部分的像素電極；除去下部導(dǎo)電層的第二部分以露出半導(dǎo)體層一部分；沉積氮化層以覆蓋半導(dǎo)體層露出部分；在覆蓋半導(dǎo)體露出部分的氮化層上形成間隔材料支柱。
優(yōu)選地，將間隔材料作為蝕刻防止層蝕刻氮化層，只留下覆蓋半導(dǎo)體層露出部分的氮化層。
根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管陣列面板，包括在基片上形成并包含下部層和上部層的柵極線；在柵極線上形成的柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成的半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成的歐姆接觸部件；在歐姆接觸部件上形成并包含下部層和上部層的源極和漏極；在源極及漏極上形成并具有露出漏極下部層一部分的第一接觸孔及露出半導(dǎo)體層第一部分的開口部的鈍化層；在鈍化層上形成并通過第一接觸孔與漏極下部層接觸的像素電極，在半導(dǎo)體露出部分上形成的間隔材料支柱，在半導(dǎo)體層露出部分和間隔材料支柱之間形成的氮化層。


本發(fā)明的上述和其它優(yōu)點將通過參考附圖詳細(xì)地描述其優(yōu)選實施例，從而變得更加明顯，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖2A及圖2B是沿著圖1的線IIa-IIa′及線IIb-IIb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖3、圖5、圖7及圖10是根據(jù)本發(fā)明實施例制造圖1、圖2A及圖2B的薄膜晶體管陣列面板的中間工序中的薄膜晶體管陣列面板布局圖，是其順序排列的圖；圖4A及圖4B是分別沿著圖3的線IVa-IVa′及線IVb-IVb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖6A及圖6B是分別沿著圖5的線VIa-VIa′及線VIb-VIb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖8A及圖8B是分別沿著圖7的線VIIIa-VIIIa′及線VIIIb-VIIIb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖9A及圖9B是分別沿著圖7的線VIIIa-VIIIa′及線VIIIb-VIIIb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖，是圖8A及圖8B下一工序圖；圖10是圖9A和9B所示工序的下一步工序的薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖11A及圖11B是分別沿著圖10的線XIa-XIa′及線XIb-XIb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖；
圖12A及圖12B是分別沿著圖10的線XIa-XIa′及線XIb-XIb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖，是圖11A及圖11B下一工序圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器薄膜晶體管陣列面板圖，是在6個像素中1個像素上形成第二間隔材料支柱、剩余5個像素上形成第一間隔材料支柱的薄膜晶體管陣列面板圖；圖14A是用狹縫曝光形成第一間隔材料的圖，圖14B是用完全曝光形成第二間隔材料的圖；圖15是根據(jù)本發(fā)明又一實施例的液晶顯示器薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖16A及圖16B是沿著圖15的線XVIa-XVIa′及線XVIb-XVIb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖17A及圖17B是分別沿著圖10的線XIa-XIa′及線XIb-XIb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖，是圖12A及圖12B下一工序圖；以及圖18A及圖18B是分別沿著圖10的線XIa-XIa′及線XIb-XIb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖，是圖17A及圖17B下一工序圖。
具體實施例方式
為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明，現(xiàn)參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。但是，本發(fā)明可表現(xiàn)為不同形式，它不局限于在此說明的實施例。
在附圖中，為了清楚起見夸大了各層的厚度及區(qū)域。在全篇說明書中對相同元件附上相同的符號，應(yīng)當(dāng)理解的是當(dāng)提到層、區(qū)域、基片、和基片等元件在別的部分“之上”時，指其直接位于別的元件之上，或者也可能有別的元件介于其間。相反，當(dāng)某個元件被提到“直接”位于別的部分之上時，指并無別的元件介于其間。
下面，參照附圖詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明實施例的薄膜晶體管陣列面板及其制造方法。
首先，參照圖1、圖2、及圖2B詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的薄膜晶體管陣列面板。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的薄膜晶體管陣列面板布局圖，圖2A及圖2B是沿著圖1的線IIa-IIa′及線IIb-IIb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖。
在絕緣基片110上形成傳送柵極信號的多條柵極線121。柵極線121主要以橫向延伸，各柵極線121一部分向上突出，形成多個柵極124。
柵極線121包括物理性質(zhì)不同的層，即包括下部層和其上面的上部層。上部層由低電阻金屬組成，例如鋁或鋁合金等系列金屬組成，使減少柵極信號延遲或電壓下降。與其不同，下部層由另一材料組成，特別是與氧化銦錫(ITO)或氧化鋅錫(IZO)物理、化學(xué)、電接觸特性優(yōu)秀的材料組成，例如，鉬、鉬合金(諸如鉬-鎢合金)、鉻下部層和上部層組合的優(yōu)選例為像Cr/Al，Cr/Al-Nd合金等由互相不同的蝕刻條件蝕刻的兩個層。在圖2A及圖2B中，柵極124下部層和上部層分別用附圖標(biāo)號124p、124q表示，與另外部分接觸的柵極線121末端129下部層和上部層分別用附圖標(biāo)號129p、129q表示，除去末端129上部層129q一部分，露出下部層129p。
柵極線121上形成由氮化硅等類組成的柵極絕緣層140。
在柵極絕緣層140上形成由氫化非晶硅(簡稱為“a-Si”)等組成的多個線形半導(dǎo)體層151。線形半導(dǎo)體層151主要以縱向延伸，從此多個突起部154向柵極124延伸。
在半導(dǎo)體層151上形成由硅化物或重?fù)诫sn型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅類材料組成的數(shù)個線形及島狀歐姆接觸部件161、165。線形接觸部件161具有多個突起部163，該突起部163和島狀接觸部件165成雙位于半導(dǎo)體層151突起部154上。
半導(dǎo)體層151和歐姆接觸部件161、165側(cè)面也成傾斜，傾斜度為30-80°。
歐姆接觸部件161、165上分別形成多條數(shù)據(jù)線171和多條漏極175。
數(shù)據(jù)線171主要以縱向延伸與柵極線121交叉，并傳送數(shù)據(jù)電壓。在各數(shù)據(jù)線171中向漏極175兩側(cè)延伸的多個分支形成源極173。成堆源極173和漏極175被分開。柵極124、源極173及漏極175與半導(dǎo)體突起部154一起形成薄膜晶體管，薄膜晶體管通道在源極173和漏極175之間的突起部154形成。
由數(shù)據(jù)線171及漏極175還有下部層171p、175p和位于其上面的上部層171q、175q組成。如同柵極線121，下部層171p、175p和上部層171q、175q組合的優(yōu)選例為像Cr/Al、Cr/Al-Nd合金由互相不同蝕刻條件蝕刻的兩個層，在圖2A及圖2B中，源極173下部層和上部層分別用附圖標(biāo)號173p、173q表示，與另外部分接觸的數(shù)據(jù)線171末端部分179下部層和上部層分別用附圖標(biāo)號179p、179q表示，除去末端部分179上部層179q一部分露出下部層179p。
數(shù)據(jù)線171及漏極175下部層171p、175p和上部層171q、175q也如同柵極線121其側(cè)面約30-80°傾斜。
歐姆接觸部件161、165只在其下部半導(dǎo)體層151和其上部數(shù)據(jù)線171及漏極175之間存在，并具有降低它們之間接觸電阻的作用。半導(dǎo)體層151若除了薄膜晶體管所在的突起部154之外，基本上與數(shù)據(jù)線171、漏極175及其下部歐姆接觸部件161、165具有相同的平面形態(tài)。
在數(shù)據(jù)線171及漏極175上形成由平坦化特性優(yōu)秀并具有感光性的有機材料、由等離子化學(xué)汽相沉積形成的a-Si:C:O，a-Si:O:F等低電容率絕緣材料、或無機材料的氮化硅類組成的鈍化層180。
在鈍化層180上具有分別露出數(shù)據(jù)線171的末端179及漏極175及與漏極175鄰接的柵極絕緣層140的多個接觸孔182、185，還具有與柵極絕緣層140一起露出柵極線121末端129的多個接觸孔181。鈍化層180具有露出半導(dǎo)體層151的突起部154一部分的開口部189。
接觸孔181、182只露出柵極線121及數(shù)據(jù)線171末端部分129、179的下部層129p、179p、175p，其邊界與上部層129q、179q、175q邊界一致。而且接觸孔185露出漏極下部層175p及鄰接?xùn)艠O絕緣層140。而且，開口部189邊界線與半導(dǎo)體層151突起部154的露出部分邊界線一致。
在鈍化層180上形成多個像素電極190及多個接觸輔助部件81、82，它們由ITO、IZO類的透明材料組成。這時，連接漏極175和像素電極190的接觸孔185較寬地形成到相鄰的柵極絕緣層140，可以防止過度蝕刻引起的漏極上部層175q的底切。因此，柵極絕緣層140上形成的像素電極190和漏極下部層175p之間接觸面積也較寬，所以防止產(chǎn)生接觸不良。
像素電極190通過接觸孔185與漏極175物理、電連接，接收來自漏極175的數(shù)據(jù)電壓。接收數(shù)據(jù)電壓的像素電極190與接收共同電壓的另外顯示板(未示出)共同電極(未示出)一起產(chǎn)生電場，以重新排列兩電極之間的液晶分子。
像素電極190和共同電極形成電容器(下面成為“液晶電容器”)，當(dāng)關(guān)閉薄膜晶體管之后也能保持施加的電壓，為了加強電壓保持功能，設(shè)置與液晶電容器并連的另外電容器，將它稱為存儲電容器。存儲電容器由像素電極190和與其連接的另外柵極線121(稱為前端柵極線)或單獨形成的存儲電極等重疊形成。存儲電極與柵極線121相同層組成，與柵極線121分離接收共同電壓等電壓。為了增加存儲電容器的靜電容量，即為了增加存儲容量，應(yīng)使重疊部分面積變大或在鈍化層180下面設(shè)置與像素電極190連接并與前端柵極線或存儲電極重疊的導(dǎo)電體，以便使兩者之間的距離變近。
接觸輔助部件81、82通過接觸孔181、182分別與柵極線末端129及數(shù)據(jù)線末端179連接。接觸輔助部件81、82具有補充柵極線121及數(shù)據(jù)線171各末端129、179和外部裝置的接觸粘合性并保護它們的作用，但非必需，適用與否具有選擇性。
最后，在鈍化層180及半導(dǎo)體層151突起部154的露出部分上形成間隔材料支柱320。間隔材料支柱320保持液晶顯示裝置的兩顯示板之間距離，保護半導(dǎo)體層151露出部分，可以由感光性有機層類組成。
根據(jù)本發(fā)明另一實施例，作為像素電極190材料使用透明導(dǎo)電性聚合物，當(dāng)為反射型液晶顯示器時，也可以使用反射性金屬。這時，接觸輔助部件81、82可以由與像素電極190不同的材料，特別是由ITO或IZO組成。
參照圖3至圖12B和圖1、圖2A及圖2B詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明一實施例制造圖1、圖2A及圖2B的液晶顯示器用薄膜晶體管陣列面板的方法。
首先，如圖3、圖4A、及圖4B所示，在透明玻璃等絕緣基片110上用光學(xué)蝕刻工序形成包括多個柵極124的多個柵極線121。柵極線121由下部層和上部層的雙重層組成，下部層由約500厚度的Cr、上部層由約1,000-3,000厚度的Al組成，優(yōu)選地，以2,500左右厚度的Al組成。
如圖5、圖6A及圖6B所示，用化學(xué)沉積方法連續(xù)沉積柵極絕緣層140、本征(內(nèi)稟)非晶硅層、非本征(外賦)非晶硅層，用濺射等類連續(xù)沉積下部金屬層及上部金屬層，然后光學(xué)蝕刻上部及下部金屬層、非本征非晶硅層、及本征非晶硅層，以形成分別包括多個上部及下部導(dǎo)電體174q、174p、多個線形非本征半導(dǎo)體164和多個突起部154的多個線形本征半導(dǎo)體層151。
優(yōu)選地，柵極絕緣層140材料由氮化硅組成，沉積溫度為250～500℃、厚度為約2,000-5,000。優(yōu)選地，本征半導(dǎo)體層151及非本征半導(dǎo)體164厚度分別為500-1,500、300-600。下部導(dǎo)電體174p由約為500厚度的Cr組成，上部導(dǎo)電體174q由約1,000-3,000厚度的Al組成，優(yōu)選地，由約2,500厚度的Al組成。作為上部導(dǎo)電體174q的材料比較適合用包括鋁或2atomic％的Nd的Al-Nd合金，優(yōu)選地，濺射溫度為150℃左右。
下面如圖7、圖8A及圖8B所示，層疊具有3,000厚度的鈍化層180，在其上形成感光層40，然后與柵極絕緣層140一起進行干蝕刻，形成多個接觸孔181、接觸孔181露出柵極線121末端129的上部層129q，接觸孔182、185和開口部189露出上部導(dǎo)電層174q的一部分，即若參照圖1、圖2A及圖2B說明，露出數(shù)據(jù)線171末端部分179的一部分、漏極175一部分及相鄰的柵極絕緣層140、源極173和漏極這時，接觸孔185狹縫曝光相應(yīng)鈍化層180形成，從而可以防止在接觸孔185內(nèi)露出的柵極絕緣層140的過度蝕刻。
更具體地，接觸孔181通過在相應(yīng)部位鈍化層180及柵極絕緣層140上完全曝光及顯像感光層40，并第一蝕刻形成接觸孔181的部分鈍化層180及柵極絕緣層140形成。這時，接觸孔185對相應(yīng)部位鈍化層180上的感光層40用狹縫圖案進行曝光及顯像，以便使要形成接觸孔185的部位鈍化層180不被蝕刻。接著，通過倒蝕刻工序使要形成接觸孔185的部分鈍化層180露出，并進行第二蝕刻，只除去要形成接觸孔185的部分的鈍化層180，形成接觸孔185。因此，當(dāng)通過第一蝕刻對鈍化層180及柵極絕緣層140進行蝕刻，使柵極線121末端部分129的上部層露出時，應(yīng)使要形成接觸孔185的部分的鈍化層180不被蝕刻，從而不會過度蝕刻要形成接觸孔185部分的鈍化層180下面的柵極絕緣層140。
如圖9A及圖9B所示，在原封不動地留下感光層40或除去該感光層40的狀態(tài)下除去柵極線121上部層121p和上部導(dǎo)電體層174q露出部分，露出下部層121p和下部導(dǎo)電體174p，同時完成數(shù)據(jù)線171和漏極175的上部層171q、175q。優(yōu)選地，這時柵極線121上部層121q及上部導(dǎo)電體174q的蝕刻條件是，不蝕刻下部層121p及下部導(dǎo)電體174p。還有，這時被蝕刻的上部導(dǎo)電體174q向鈍化層180下面過度蝕刻，可能產(chǎn)生底切。
下面，如圖11A及圖11B所示，用濺射沉積400-500厚度IZO或ITO，進行光學(xué)蝕刻形成多個像素電極190和多個接觸部件81、82。當(dāng)像素電極190和接觸部件81、82材料為IZO時，作為標(biāo)的可以用日本Idemitsu公司的叫IDIXO的商品，優(yōu)選地，包括In2O3及ZnO，并且銦和鋅總重量中鋅含量為約15-20atomic％范圍。而且，優(yōu)選地，使接觸電阻變得最小的IZO濺射溫度為250℃以下。IZO可以用草酸等弱酸可以蝕刻。
接觸輔助部件81、82和像素電極190通過接觸孔181、182、185覆蓋露出的柵極線121末端部分129下部層129p及下部導(dǎo)電體174p、柵極絕緣層140。但通過開口部189露出的下部導(dǎo)電體174p部分未被覆蓋而原封不動露出的狀態(tài)。
如圖12A及圖12B所示，用全面蝕刻除去下部導(dǎo)電體174p露出的部分，露出非本征半導(dǎo)體164的同時完成數(shù)據(jù)線171及漏極175的下部層171p、171q。然后用全面蝕刻除去非本征半導(dǎo)體164的露出部分，露出源極173和漏極175之間半導(dǎo)體突起部154部分。為了穩(wěn)定半導(dǎo)體層151露出部分的表面優(yōu)選進行氧等離子處理。
最后，如圖1、圖2A及圖2B所示，在半導(dǎo)體層151露出部分之上形成間隔材料支柱320。當(dāng)用感光層形成間隔材料支柱320時，只用旋轉(zhuǎn)涂布速度可以調(diào)節(jié)感光層厚度，所以容易進行工序。
圖13、圖14A及圖14B中示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的薄膜晶體管陣列面板。這里，與前面示出的圖中符號相同的附圖標(biāo)號表示具有相同功能的相同部件。
本發(fā)明另一實施例中只有間隔材料支柱與本發(fā)明一實施例不同。因此只說明不同部分。
圖13、圖14A及圖14B所示，在鈍化層180及半導(dǎo)體層151突出部154的露出部分上形成第一間隔材料支柱321及第二間隔材料支柱322。間隔材料支柱321、322保持液晶顯示器兩基片之間的距離，是保護露出的半導(dǎo)體層151部分，它可以由感光性有機層類組成。
由柵極線和數(shù)據(jù)線限定的多個像素中在某一個像素上形成第一間隔材料支柱321，在剩余像素中形成第二間隔材料支柱322。
第一間隔材料支柱321對感光層用狹縫圖案進行曝光，從而形成比單元間距低的高度，具有保護半導(dǎo)體層151露出部分的作用。
而且，第二間隔材料支柱322完全曝光感光層，形成與單元間距相同的高度，具有保護半導(dǎo)體層151層露出部分的作用，同時具有保持液晶顯示器單元間距的作用。
為了保護在像素區(qū)域形成的薄膜晶體管半導(dǎo)體層151露出部分需要間隔材料支柱，為了保護在邊緣部為了防止靜電形成的薄膜晶體管半導(dǎo)體層151露出部分需要間隔材料支柱，所以增加了間隔材料支柱。傳統(tǒng)的這種間隔材料支柱與單元間距幾乎以相同高度形成，使其同時具有保持單元間距的作用。
然而，若具有保持單元間距作用的第二間隔材料支柱322數(shù)增加，很難注入液晶，所以優(yōu)選降低第二間隔材料支柱322密度。因此形成比單元間距低高度的第一間隔支柱321，降低第二間隔材料支柱322密度，使覆蓋半導(dǎo)體層151露出的部分具有保護作用，使液晶注入不受妨礙。
降低第二間隔材料支柱322密度的一實施例的圖13中示出了在6個像素中1個像素上形成第二間隔材料322，在其余5個像素上形成第一間隔材料321的薄膜晶體管陣列面板。根據(jù)多種工序條件，可以在9個像素中一個像素上形成第二間隔材料支柱322，可以在12個像素中一個像素上形成良個間隔材料支柱322。
制造這種根據(jù)本發(fā)明另一實施例的液晶顯示器薄膜晶體管陣列面板方法，只有形成間隔材料支柱的工序與本發(fā)明一實施例不同。因此只說明不同部分。
如圖12A及圖12B所示，露出源極173和漏極175之間突出部154部分后，如圖14A及圖14B所示，在半導(dǎo)體層151露出部分上形成第一及第二間隔材料支柱321、322。當(dāng)用感光層形成間隔材料支柱321、322時，只用旋轉(zhuǎn)涂布裝置的旋轉(zhuǎn)速度可以調(diào)節(jié)感光層厚度，所以容易進行工序。
圖14A是用狹縫曝光形成第一間隔材料的圖，圖14B是用完全曝光形成第二間隔材料的圖。
如圖14A及圖14B所示，在由柵極線和數(shù)據(jù)線限定的多個像素中某像素的半導(dǎo)體層151露出部分上利用形成狹縫的掩膜形成比單元間距高度低的第一間隔材料支柱321，在剩余像素的半導(dǎo)體層151露出部分上用完全曝光形成與單元間距幾乎相同高度的第二間隔材料322。圖14A及圖14B中圖示的間隔材料支柱321、322利用負(fù)感光層形成，但也可以利用正感光層形成。
圖15、圖16A及圖16B中圖示了根據(jù)本發(fā)明又一實施例的薄膜晶體管陣列面板。這里，與前面圖示的圖面符號相同的參照符號表示具有相同功能的相同部件。
圖15是根據(jù)本發(fā)明又一實施例的液晶顯示器薄膜晶體管陣列面板布局圖，圖16A及圖16B是沿著圖15的線XVIa-XVIa′及線XVIb-XVIb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖。
在絕緣基片110上形成傳送柵極信號的多條柵極線121。柵極線121主要以橫向延伸，柵極線121的一部分向上突出形成多個柵極124。
在圖16A及圖16B中，柵極124的下部層和上部層分別由附圖標(biāo)號124p、124q表示，與別的部分接觸的柵極線121末端部分129下部層和上部層分別由圖面符號129p、129q表示，除去末端部分129的上部層129q一部分，露出下部層129p。
在柵極線121上形成由氮化硅類組成的柵極絕緣層140。
在柵極絕緣層140上部上形成由氫氧化非晶硅組成的多個線形半導(dǎo)體層151。線形半導(dǎo)體層151主要以縱向延伸，由此多個突出部154向柵極124延伸。
在半導(dǎo)體層151上部形成由硅化物或重?fù)诫sn型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅類材料組成的多個線形及島狀歐姆接觸部件161、165。線形接觸部件161具有多個突起部163，該突起部163和島狀接觸部件165成雙位于半導(dǎo)體層151突起部154上面。
在歐姆接觸部件161、165上分別形成多條數(shù)據(jù)線171和多個漏極175。
數(shù)據(jù)線171主要以縱向延伸與柵極線121交叉，并傳送數(shù)據(jù)電壓。在各數(shù)據(jù)線171中向漏極175兩側(cè)延伸的多個分支形成源極173。成堆源極173和漏極175被分開。柵極124、源極173及漏極175與半導(dǎo)體突起部154一起形成薄膜晶體管，薄膜晶體管通道在源極173和漏極175之間的突起部154上形成。
由數(shù)據(jù)線171及漏極175還有下部層171p、175p和位于其上面的上部層171q、175q組成。在圖16A及圖16B中源極173下部層和上部層分別用附圖標(biāo)號173p、173q表示，與另外部分接觸的數(shù)據(jù)線171末端部分179下部層和上部層分別用附圖標(biāo)號179p、179q表示，除去末端部分179上部層179q一部分露出下部層179p。
歐姆接觸部件161、165只在其下部半導(dǎo)體層151和其上部數(shù)據(jù)線171及漏極175之間存在，并具有降低它們之間接觸電阻的作用。半導(dǎo)體層151若除了薄膜晶體管所在的突起部154之外，基本上與數(shù)據(jù)線171、漏極175及其下部歐姆接觸部件161、165具有相同的平面形態(tài)。
在數(shù)據(jù)線171及漏極175上部上形成由平坦化特性優(yōu)秀并具有感光性的有機材料、由等離子化學(xué)汽相沉積形成的a-Si:C:O，a-Si:O:F等低電容率絕緣材料、或無機材料的氮化硅類組成的鈍化層180。
在鈍化層180上具有分別露出數(shù)據(jù)線171的末端179及漏極175及與漏極175鄰接的柵極絕緣層140的多個接觸孔182、185，還具有與柵極絕緣層140一起露出柵極線121末端129的多個接觸孔181。鈍化層180具有露出半導(dǎo)體層151的突起部154一部分的開口部189。
接觸孔181、182只露出柵極線121及數(shù)據(jù)線171末端部分129、179的下部層129p、179p、175p，其邊界與上部層129q、179q、175q邊界一致。而且接觸孔185露出漏極下部層175p及鄰接?xùn)艠O絕緣層140。而且，開口部189邊界線與半導(dǎo)體層151突起部154的露出部分邊界線一致。
在鈍化層180上形成多個像素電極190及多個接觸輔助部件81、82，它們由IZO或ITO類透明材料組成。這時，連接漏極175和像素電極的接觸孔185較寬地形成到相鄰的柵極絕緣層140，所以可以防止漏極上部層175q過度蝕刻引起的底切。因此在柵極絕緣層140上形成的像素電極190和漏極下部層175p之間接觸面積也較寬，所以可以防止產(chǎn)生接觸不良。
像素電極190通過接觸孔185與漏極175物理、電連接，接收來自漏極175的數(shù)據(jù)電壓。接收數(shù)據(jù)電壓的像素電極190與接收共同電壓的另外顯示板(未示出)共同電極一起產(chǎn)生電場，以重新排列兩電極之間的液晶分子。
而且，像素電極190和共同電極形成電容器(下面稱為“液晶電容器”)，關(guān)薄膜晶體管之后保持接收電壓，為了加強電壓保持能力形成與液晶電容器并聯(lián)地另外電容器，稱它為存儲電容器。存儲電容器由與該像素電極相鄰的柵極線121或單獨形成的存儲電極重疊等形成。存儲柵極線121與柵極線121相同層組成，并與柵極線121分離接收共同電極等電壓。為了增加存儲電容器靜電容量，即為了增加存儲容量，使重疊面積變大或在鈍化層180下面設(shè)置與像素電極190連接并與前端柵極線或存儲電極重疊的導(dǎo)電體，可使縮短兩之間的距離。
接觸輔助部件81、82通過接觸孔181、182分別與柵極線末端129及數(shù)據(jù)線末端179連接。接觸輔助部件81、82具有補充柵極線121及數(shù)據(jù)線171各末端129、179和外部裝置的接觸粘合性并保護它們的作用，但并非必需，適用與否具有選擇性。
接著，在鈍化層180及半導(dǎo)體層151突起部154的露出部分上形成氮化層70及間隔材料支柱320。間隔材料支柱320保持液晶顯示裝置的兩顯示板之間距離，保護半導(dǎo)體層151露出部分，可以由感光性有機層組成。
根據(jù)本發(fā)明又一實施例的薄膜晶體管陣列面板，在半導(dǎo)體層151露出部分上形成氮化層70，在其上面形成由感光層形成的間隔材料支柱320。
因此，氮化層70及間隔材料320具有覆蓋半導(dǎo)體層151露出部分并保護它的作用，同時具有保持液晶顯示器單元間距的作用。
在半導(dǎo)體層151露出部分和間隔材料支柱320之間形成的氮化層70防止半導(dǎo)體層151和間隔材料支柱320直接接觸所產(chǎn)生的閾值電壓的變動。即，當(dāng)作為感光層形成的間隔材料支柱320和半導(dǎo)體層151直接接觸時，因為降低了邊界的接觸性能，所以容易產(chǎn)生閾值電壓的變動。因此氮化層70在半導(dǎo)體層151露出部分和間隔材料支柱320之間形成，可以提高邊界的接觸性能，防止閾值電壓的變動。
參照圖3至圖12B和圖17A至圖18B詳細(xì)說明圖15、圖16A及圖16B圖示的根據(jù)本發(fā)明一實施例制造液晶顯示器薄膜晶體管陣列面板的方法。
圖17A及圖17B是分別沿著圖10的線XIa-XIa′及線XIb-XIb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖，是圖12A及圖12B下一工序圖，圖18A及圖18B是分別沿著圖10的線XIa-XIa′及線XIb-XIb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖，是圖17A及圖17B下一工序圖。
根據(jù)本發(fā)明又一實施例的制造薄膜晶體管陣列面板的方法與根據(jù)本發(fā)明一實施例的制造薄膜晶體管陣列面板的方法一直到圖12A及圖12B圖示的工序相同。
在圖12A及圖12B圖示的工序之后，如圖17A及圖17B所示，沉積氮化層70，覆蓋半導(dǎo)體層151露出部分。
如圖18A及圖18B所示，在氮化層70上涂布感光層，并曝光及顯像感光層，使其在覆蓋半導(dǎo)體層151露出部分的氮化層70上只留下感光層，在覆蓋半導(dǎo)體層151露出部分的氮化層70上形成間隔材料支柱320。當(dāng)用感光層形成間隔材料支柱320時，只用旋轉(zhuǎn)涂布速度就可以調(diào)整感光層厚度，所以工序變得容易。
最后，如圖15、圖16A及圖16B所示，將間隔材料支柱320作為蝕刻防止層，對氮化層70進行蝕刻，只留下覆蓋半導(dǎo)體層151露出部分的氮化層70。
根據(jù)本發(fā)明的制造薄膜晶體管陣列面板的方法，利用鈍化層及像素電極、接觸輔助部件分離源極和漏極，以減少光學(xué)蝕刻工序次數(shù)，使工序簡單，降低制造成本，提高合格率。
而且，將連接漏極和像素電極的接觸孔擴大至形成柵極絕緣層的部分，以防止底切漏極上部層，產(chǎn)生與像素電極的接觸不良。為了形成連接漏極和像素電極的接觸孔，對相應(yīng)部位鈍化層用狹縫圖案進行曝光，可以防止相應(yīng)部位柵極絕緣層被蝕刻。
而且，根據(jù)本發(fā)明的制造薄膜晶體管陣列面板的方法具有，在數(shù)個像素中的某個像素的半導(dǎo)體層露出部分上形成高度低的第一間隔材料支柱，在另外像素半導(dǎo)體層的露出部分上形成高度高的第二間隔材料支柱，以調(diào)整具有保持單元間距作用的第二間隔材料支柱密度，從而容易進行液晶注入的優(yōu)點。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制造薄膜晶體管陣列面板的方法，包括以下工序在基片上形成柵極線；在所述柵極線上連續(xù)沉積柵極絕緣層和半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上沉積下部導(dǎo)電層和上部導(dǎo)電層；光學(xué)蝕刻所述上部導(dǎo)電層、所述下部導(dǎo)電層、及所述半導(dǎo)體層；沉積鈍化層；光學(xué)蝕刻所述鈍化層露出所述上部導(dǎo)電層第一部分和第二部分；除去所述上部導(dǎo)電層第一及第二部分，露出所述下部導(dǎo)電層第一部分和第二部分；形成覆蓋所述下部導(dǎo)電層第一部分的像素電極；除去所述下部導(dǎo)電層第二部分，露出所述半導(dǎo)體層一部分；以及在所述半導(dǎo)體層露出部分上形成間隔材料支柱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述鈍化層光學(xué)蝕刻工序中一起露出所述上部導(dǎo)電層第一部分和與其相鄰的柵極絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述像素電極的工序中一起覆蓋所述下部導(dǎo)電層第一部分和漏出的所述柵極絕緣層，形成像素電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在光學(xué)蝕刻所述鈍化層的工序中露出所述上部導(dǎo)電層第三部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在除去所述上部導(dǎo)電層的工序中除去所述上部導(dǎo)電層第三部分，露出所述下部導(dǎo)電層第三部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述柵極線包括下部層和上部層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在所述鈍化層光學(xué)蝕刻工序中一起蝕刻所述柵極絕緣層，露出所述柵極線上部層一部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在除去所述上部導(dǎo)電層的工序中一起除去所述柵極線上部層露出部分，露出所述柵極線下部層一部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，還包括形成覆蓋所述下部導(dǎo)電層第三部分和所述柵極線下部層露出部分的接觸輔助部件工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述柵極線上部層和所述上部導(dǎo)電層由相同材料組成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述柵極線的上部層和所述上部導(dǎo)電層由Cr組成，所述柵極線下部層和所述下部導(dǎo)電層由Al或Al-Nd合金組成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層包括本征半導(dǎo)體層和非本征半導(dǎo)體層，且所述方法還包括以下工序除去所述下部導(dǎo)電層之后，除去所述非本征半導(dǎo)體層露出部分。
13.一種薄膜晶體管陣列面板，包括基片；柵極線，在所述基片上形成并包含下部層和上部層；柵極絕緣層，在所述柵極線上形成；半導(dǎo)體層，在所述柵極絕緣層上形成；歐姆接觸部件，在所述半導(dǎo)體層上形成；源極及漏極，在所述歐姆接觸部件上形成，并包含下部層和上部層；鈍化層，具有在所述源極及所述漏極上形成并露出所述漏極下部層一部分及相鄰柵極絕緣層的第一接觸孔及露出所述半導(dǎo)體層第一部分的開口部；像素電極，在所述鈍化層上形成并通過所述第一接觸孔與所述漏極下部層接觸；以及間隔材料支柱，在所述半導(dǎo)體層露出部分上形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，所述開口部的至少一部分邊界與所述半導(dǎo)體層第一部分一部分邊界一致。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，所述漏極上部層的至少一部分邊界與所述第一接觸孔一部分一致。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，所述柵極線下部層第一部分向上部層外面露出，所述鈍化層還具有露出所述柵極線下部層第一部分的第二接觸孔，所述第一部分邊界與所述第二接觸孔邊界一致。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，還包括覆蓋所述柵極線下部層的第一部分的接觸輔助部件。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，所述柵極線及所述數(shù)據(jù)線的下部層由Cr組成，所述柵極線及所述下數(shù)據(jù)線上部層由Al組成。
19.一種制造薄膜晶體管陣列面板的方法，包括以下工序在基片上形成柵極線；在所述柵極線上連續(xù)沉積柵極絕緣層和半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上沉積下部導(dǎo)電層和上部導(dǎo)電層；光學(xué)蝕刻所述上部導(dǎo)電層、所述下部導(dǎo)電層、及所述半導(dǎo)體層；沉積鈍化層；光學(xué)蝕刻所述鈍化層露出所述上部導(dǎo)電層第一部分和第二部分；除去所述上部導(dǎo)電層第一及第二部分，露出所述下部導(dǎo)電層第一部分和第二部分；形成覆蓋所述下部導(dǎo)電層第一部分的像素電極；除去所述下部導(dǎo)電層第二部分，露出所述半導(dǎo)體層一部分，由柵極線和數(shù)據(jù)線限定的多個像素中在某一個像素的半導(dǎo)體層露出部分上用狹縫曝光形成第一間隔材料支柱，在另外像素的半導(dǎo)體露出部分上用完全曝光形成第二間隔材料支柱。
20.一種薄膜晶體管陣列面板，包括基片；柵極線，在所述基片上形成并包含下部層和上部層；柵極絕緣層，在所述柵極線上形成；半導(dǎo)體層，在所述柵極絕緣層上形成；歐姆接觸部件，在所述半導(dǎo)體層上形成；源極及漏極，在所述歐姆接觸部件上形成，并包含下部層和上部層；鈍化層，具有在所述源極及所述漏極上形成并露出所述漏極下部層一部分及相鄰柵極絕緣層的第一接觸孔及露出所述半導(dǎo)體層第一部分的開口部；以及像素電極，在所述鈍化層上形成并通過所述第一接觸孔與所述漏極下部層接觸，其中由柵極線和數(shù)據(jù)線限定的多個像素中在某一個像素的半導(dǎo)體層露出部分上形成第一間隔材料支柱，在另外像素的半導(dǎo)體露出部分上形成第二間隔材料支柱。
21.一種制造薄膜晶體管陣列面板的方法，包括以下工序在基片上形成柵極線；在所述柵極線上連續(xù)沉積柵極絕緣層和半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上沉積下部導(dǎo)電層和上部導(dǎo)電層；光學(xué)蝕刻所述上部導(dǎo)電層、所述下部導(dǎo)電層及所述半導(dǎo)體層；沉積鈍化層；光學(xué)蝕刻所述鈍化層露出所述上部導(dǎo)電層第一部分和第二部分；除去所述上部導(dǎo)電層第一及第二部分，露出所述下部導(dǎo)電層第一部分和第二部分；形成覆蓋所述下部導(dǎo)電層第一部分的像素電極；除去所述下部導(dǎo)電層第二部分，露出所述半導(dǎo)體層一部分；沉積氮化層覆蓋所述半導(dǎo)體層露出部分；以及在覆蓋所述半導(dǎo)體層露出部分的氮化層上形成間隔材料支柱。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，將所述間隔材料支柱作為蝕刻防止層蝕刻所述氮化層，只留下覆蓋所述半導(dǎo)體層露出部分的氮化層。
23.一種薄膜晶體管陣列面板，包括基片；柵極線，在所述基片上形成并包含下部層和上部層；柵極絕緣層，在所述柵極線上形成；半導(dǎo)體層，在所述柵極絕緣層之上形成；歐姆接觸部件，在所述半導(dǎo)體層上形成；源極及漏極，在所述歐姆接觸部件上形成，并包含下部層和上部層；鈍化層，具有在所述源極及所述漏極上形成并露出所述漏極下部層一部分及相鄰柵極絕緣層的第一接觸孔及露出所述半導(dǎo)體層第一部分的開口部；像素電極，在所述鈍化層上形成并通過所述第一接觸孔與所述漏極下部層接觸；間隔材料支柱，在所述半導(dǎo)體層露出部分上形成；以及氮化層，在所述半導(dǎo)體層露出部分和所述間隔材料支柱之間形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種制造薄膜晶體管陣列面板的方法，包括以下工序在基片上形成柵極線；在柵極線上連續(xù)沉積柵極絕緣層和半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上沉積下部導(dǎo)電層和上部導(dǎo)電層；光學(xué)蝕刻上部導(dǎo)電層、下部導(dǎo)電層、及半導(dǎo)體層；沉積鈍化層；光學(xué)蝕刻鈍化層露出上部導(dǎo)電層第一部分和第二部分；除去上部導(dǎo)電層第一及第二部分，露出下部導(dǎo)電層第一部分和第二部分；形成覆蓋下部導(dǎo)電層第一部分的像素電極；除去下部導(dǎo)電層第二部分，露出半導(dǎo)體層一部分；在半導(dǎo)體層露出部分上形成間隔材料支柱。
文檔編號H01L23/52GK1580917SQ200410062409
公開日2005年2月16日 申請日期2004年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月2日
發(fā)明者李正榮, 柳世桓, 全相鎮(zhèn), 樸旻昱 申請人:三星電子株式會社