專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置及制造顯示裝置的方法，更具體涉及液晶顯示裝置和制造液晶顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
一般，液晶顯示裝置(LCD)使用電場(chǎng)控制液晶材料的透光率，以顯示圖像。
圖1是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的LCD裝置的示意性平面圖。在圖1中，LCD裝置包括LCD板5和驅(qū)動(dòng)電路7，LCD板5具有以矩陣結(jié)構(gòu)布置的多個(gè)液晶單元，驅(qū)動(dòng)電路7用于驅(qū)動(dòng)LCD板5。
盡管未示出，多條選通線和數(shù)據(jù)線被布置為在LCD板5內(nèi)彼此交叉。每個(gè)液晶單元位于選通線與數(shù)據(jù)線交叉的每個(gè)區(qū)域處。此外，LCD板5設(shè)有用于把電場(chǎng)施加到每個(gè)液晶單元的像素電極和公共電極。每個(gè)像素電極經(jīng)由薄膜晶體管(TFT)的源極和漏極連接到任意一條數(shù)據(jù)線，薄膜晶體管(TFT)起開關(guān)器件的作用。同樣，TFT的柵電極連接到任意一條選通線，由此允許像素電壓信號(hào)提供給每條數(shù)據(jù)線的像素電極。
TFT響應(yīng)于沿選通線傳輸?shù)倪x通高壓Vgh允許在相應(yīng)的像素電極中充入該像素電壓信號(hào)。由此，當(dāng)TFT由于沿多條選通線順序地提供的選通高壓Vgh而導(dǎo)通時(shí)，液晶單元從數(shù)據(jù)線充入相應(yīng)的像素電壓信號(hào)，且在TFT再次導(dǎo)通之前一直保持任何維持的電荷。由通過(guò)像素電極和前一級(jí)選通線的選通線之間的重疊形成的存儲(chǔ)電容器Cst(未示出)維持的像素電壓信號(hào)被充入某個(gè)第n條選通線的液晶單元中。
一般，對(duì)于每一幀，僅僅在選通線被驅(qū)動(dòng)的時(shí)間段中(即，僅在一個(gè)允許像素電壓信號(hào)被充入像素電極的水平周期1H期間)，將選通高壓Vgh提供給每個(gè)選通線，而在剩余時(shí)段中提供選通低壓Vgl。存儲(chǔ)電容器Cst通過(guò)提供給前一級(jí)選通線的選通線的選通低壓Vgl，保持用充入本級(jí)選通線的像素電極的電壓充電。
在圖1中，驅(qū)動(dòng)電路17包括選通驅(qū)動(dòng)器27、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器17、定時(shí)控制器11和電源(未示出)，選通驅(qū)動(dòng)器27用于驅(qū)動(dòng)選通線，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器17用于驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線，定時(shí)控制器11用于控制選通驅(qū)動(dòng)器27和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器17，電源用于提供LCD板5中使用的各種驅(qū)動(dòng)電壓。定時(shí)控制器11控制選通驅(qū)動(dòng)器27和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器17的驅(qū)動(dòng)定時(shí)，并把像素?cái)?shù)據(jù)信號(hào)提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器17。電源產(chǎn)生各種驅(qū)動(dòng)電壓，例如選通高壓Vgh和選通低壓Vgl。選通驅(qū)動(dòng)器27依次把掃描信號(hào)提供到選通線以一條選通線接一條選通線地依次驅(qū)動(dòng)LCD板5上的液晶單元。每當(dāng)選通信號(hào)被提供給任何一條選通線，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器17就把數(shù)據(jù)電壓信號(hào)提供到每條數(shù)據(jù)線。由此，LCD根據(jù)每個(gè)液晶單元的像素電壓信號(hào)，通過(guò)像素電極和公共電極之間提供的電場(chǎng)控制透光率，且由此顯示圖像。
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器17和選通驅(qū)動(dòng)器27直接連接到LCD板5，且兩者都集成為多個(gè)集成電路(IC’s)。此外，每個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC 15和選通驅(qū)動(dòng)IC 25使用帶式自動(dòng)鍵合(TAB)系統(tǒng)被安裝在待連接到LCD板5的載帶封裝(TCP)中，或通過(guò)玻璃上芯片(COG)系統(tǒng)被安裝在LCD板5上。
在圖1中，驅(qū)動(dòng)IC 15和25通過(guò)TAB系統(tǒng)經(jīng)由TCP 13和23連接到LCD板5，且彼此連接，并接收通過(guò)安裝在連接到TCP 13和23的印刷電路板(PCB)31和33上的信號(hào)線從外部輸入的控制信號(hào)和直流電壓信號(hào)。例如，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC 25經(jīng)由安裝在數(shù)據(jù)PCB上的信號(hào)線串聯(lián)，且公共地接收來(lái)自定時(shí)控制器11的控制信號(hào)和像素?cái)?shù)據(jù)信號(hào)以及來(lái)自電源的驅(qū)動(dòng)電壓。選通驅(qū)動(dòng)IC 25經(jīng)由安裝在選通PCB 33上的信號(hào)線串聯(lián)，且公共地接收來(lái)自定時(shí)控制器的控制信號(hào)和來(lái)自電源的驅(qū)動(dòng)電壓。
圖2是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的具有選通驅(qū)動(dòng)電路的LCD裝置的示意性平面圖。在圖2中，選通驅(qū)動(dòng)電路安裝在用于制造較薄型LCD裝置的LCD板上，由此降低制造成本。
圖3是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的具有選通驅(qū)動(dòng)電路和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路的LCD裝置的示意性平面圖。在圖3中，LCD板包括在LCD板上形成的選通驅(qū)動(dòng)電路以及一部分?jǐn)?shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路。
在美國(guó)專利6,522,768中已提出了可以用于LCD裝置的驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)器件，在此通過(guò)引用將其完整引入。由此，盡管開關(guān)器件，即TFT，具有快的響應(yīng)速度，但是TFT由使用簡(jiǎn)單工藝制造的非晶硅形成且具有較好的均勻性，而不是由使用更困難的工藝(如使用激光束來(lái)晶化硅層)制造的多晶硅形成。
圖4是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的用于驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)器件的示意性平面圖。在圖4中，開關(guān)器件可以由TFT和絕緣膜(未示出)組成，TFT包括柵電極56、源電極60、漏電極72和、半導(dǎo)體層68，柵電極56連接到在下基板上形成的選通線52，源電極60連接到源極線64，漏電極72連接到與源電極60相對(duì)布置的漏極線73，半導(dǎo)體層68在源電極60和漏電極72之間形成溝道。此外，半導(dǎo)體層68具有層疊的有源層結(jié)構(gòu)，該有源層結(jié)構(gòu)包括源電極60、漏電極72以及用于在源電極和漏電極60和72與半導(dǎo)體層68之間提供歐姆接觸的歐姆接觸層。
在圖4中，開關(guān)器件具有用于開關(guān)較高電壓的較寬溝道寬度W1。例如，與在像素區(qū)內(nèi)設(shè)置一個(gè)TFT的結(jié)構(gòu)相反，具有較寬溝道寬度W1的開關(guān)器件被配置為在像素區(qū)內(nèi)設(shè)置多個(gè)TFT，在日本專利申請(qǐng)公開H5-341316中已經(jīng)提出了這種結(jié)構(gòu)。例如，像素區(qū)內(nèi)形成的TFT的溝道寬度W1在幾微米至幾十微米范圍之內(nèi)，驅(qū)動(dòng)電路的溝道寬度在幾千微米至幾萬(wàn)微米的范圍之內(nèi)。
圖5是表示根據(jù)相關(guān)技術(shù)的溝道寬度和電流變化之間的關(guān)系的曲線圖，而圖6則是表示根據(jù)相關(guān)技術(shù)的溝道寬度和電荷遷移率之間的關(guān)系的曲線圖。在圖5和6中，根據(jù)開關(guān)器件的溝道寬度的增加，在開關(guān)器件的溝道內(nèi)的電流變化減小，且電荷遷移率也減小。
例如，盡管用于開關(guān)較高電壓的開關(guān)器件具有較寬的溝道寬度，但是開關(guān)器件的溝道內(nèi)的電流變化的減小取決于開關(guān)器件的溝道寬度的增加。而且，基于溝道寬度的增加，電流效率減小，如圖5所示。此外，由于電流效率的減小取決于溝道寬度的增加，因此電荷遷移率減小，由此減小開關(guān)器件的響應(yīng)速度。
此外，當(dāng)由于在制造過(guò)程中產(chǎn)生的火花(sparks)或由于過(guò)電流使得開關(guān)器件被損壞時(shí)，開關(guān)器件的開關(guān)性能退化，由此提供了異常的驅(qū)動(dòng)性能。

發(fā)明內(nèi)容
由此，本發(fā)明旨在提供一種LCD裝置及制造LCD裝置的方法，其基本上避免由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)造成的一個(gè)或更多問(wèn)題。
本發(fā)明的目的是提供一種包括驅(qū)動(dòng)電路的LCD裝置，該驅(qū)動(dòng)電路具有提高的響應(yīng)速度。
本發(fā)明的另一目的是提供一種制造LCD裝置的方法，該L(D裝置包括具有提高的響應(yīng)速度的驅(qū)動(dòng)電路。
本發(fā)明的另一目的是提供一種LCD裝置，該LCD裝置包括具有提高的穩(wěn)定性的驅(qū)動(dòng)電路。
本發(fā)明的另一目的是提供一種制造LCD裝置的方法，該LCD裝置包括具有提高的穩(wěn)定性的驅(qū)動(dòng)電路。
本發(fā)明的附加特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將在下面的說(shuō)明書中闡述，且可以從說(shuō)明書中部分地明白本發(fā)明的附加特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)，或可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)施而獲得。通過(guò)書面的說(shuō)明書和權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的及其他優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的這些及其他優(yōu)點(diǎn)且與本發(fā)明的目的一致，作為具體的和廣泛的描述，一種液晶顯示裝置包括在液晶顯示板上設(shè)有開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)電路，該開關(guān)器件包括多個(gè)并聯(lián)連接的薄膜晶體管且使用柵電極公共地互連。
在另一方面，一種制造液晶顯示裝置的方法，包括在液晶顯示板上形成開關(guān)器件，該開關(guān)器件具有多個(gè)并聯(lián)連接的非晶薄膜晶體管，其中形成開關(guān)器件包括在基板上形成柵電極，形成在其間具有柵電極并且彼此相對(duì)布置的多個(gè)源電極和多個(gè)漏電極，以及形成包括源電極和漏電極之間的多個(gè)溝道的半導(dǎo)體圖形。
應(yīng)當(dāng)理解上述總的描述及隨后的詳細(xì)描述是示例性和說(shuō)明性的，且是用來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明如權(quán)利要求所要求的本發(fā)明的。


本說(shuō)明書中所包括的附圖提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解并被引入本說(shuō)明書且構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分，附示了本發(fā)明的實(shí)施例且與說(shuō)明書一起用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的LCD裝置的示意性平面圖；圖2是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的具有選通驅(qū)動(dòng)電路的LCD裝置的示意性平面圖；圖3是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的具有選通驅(qū)動(dòng)電路和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路的LCD裝置的示意性平面圖；圖4是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的用于驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)器件的示意性平面圖；圖5表示根據(jù)相關(guān)技術(shù)的溝道寬度和電流變化之間的關(guān)系的曲線圖；圖6表示根據(jù)相關(guān)技術(shù)的溝道寬度和電荷遷移率之間的關(guān)系的曲線圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明的LCD裝置的示例性驅(qū)動(dòng)電路的示意性平面圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的LCD裝置的驅(qū)動(dòng)電路的示例性開關(guān)的示意性平面圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明沿圖8的I-I’的截面圖；圖10A至10D是根據(jù)本發(fā)明制造圖9的開關(guān)器件的示例性方法的截面圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明的LCD裝置的驅(qū)動(dòng)電路的另一個(gè)示例性開關(guān)器件的示意性平面圖；
圖12是根據(jù)本發(fā)明的LCD裝置的驅(qū)動(dòng)電路的另一個(gè)示例性開關(guān)器件的示意性平面圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明的LCD裝置的驅(qū)動(dòng)電路的另一個(gè)示例性開關(guān)器件的示意性平面圖；圖14是根據(jù)本發(fā)明的示例性數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路的框圖；以及圖15是根據(jù)本發(fā)明的圖14的示例性多路復(fù)用器的示意性電路圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參考附圖中圖示的例子詳細(xì)介紹本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的LCD裝置的示例性驅(qū)動(dòng)電路的示意性平面圖，圖8是根據(jù)本發(fā)明的LCD裝置的驅(qū)動(dòng)電路的示例性開關(guān)的示意性平面圖，以及圖9是根據(jù)本發(fā)明沿圖8的I-I’的截面圖。在圖7中，驅(qū)動(dòng)電路可以包括選通線152、第一漏極線153、以與選通線152并排的結(jié)構(gòu)形成的源極線140、以及具有多個(gè)可以并聯(lián)連接的TFT的開關(guān)器件185。
在圖8和9中，開關(guān)器件185可以包括連接到在下基板102上形成的選通線152的柵電極156、公共地連接到從第一源極線140延伸的第二源極線164的多個(gè)源電極160、面對(duì)源電極160且可以公共地連接到從第一漏極線153延伸的第二漏電極173的多個(gè)漏電極172，以及形成為與柵電極156重疊的半導(dǎo)體層168(二者之間布置有柵絕緣膜)。由此，半導(dǎo)體層168可以包括在源電極160和漏電極172之間形成的多個(gè)溝道。此外，半導(dǎo)體層168可以包括有源層114和歐姆接觸層148。
由此，盡管由于流過(guò)任何一個(gè)TFT的過(guò)電流和/或制造過(guò)程中產(chǎn)生的火花可能損壞開關(guān)器件185之一，但是剩余的那些開關(guān)器件185可以被正常地驅(qū)動(dòng)。因此，在驅(qū)動(dòng)電路中形成的開關(guān)器件185可以具有一個(gè)結(jié)構(gòu)，其中多個(gè)TFT可以電氣地獨(dú)立且互相并聯(lián)，由此增加開關(guān)器件185的穩(wěn)定性。
圖10A至10D是根據(jù)本發(fā)明制造圖9的開關(guān)器件的示例性方法的截面圖。在圖10A中，可以通過(guò)濺射方法在下基板102上淀積柵金屬層。然后，可以通過(guò)使用包括刻蝕掩模的刻蝕工藝的光刻過(guò)程來(lái)構(gòu)圖柵金屬層，由此在下基板102上形成柵電極156。柵金屬可以包括形成為單層或形成為雙層結(jié)構(gòu)的鉻(Cr)、鉬(Mo)、或鋁基金屬。
在圖10B中，可以沿具有柵電極156的下基板102的整個(gè)表面形成柵絕緣膜144。柵絕緣膜144可以包括無(wú)機(jī)絕緣材料，如硅氧化物SiOx或硅氮化物SiNx。
然后，可以使用淀積方法(如PECVD和濺射)在具有柵絕緣膜144的下基板102上順序地形成非晶硅層和N+非晶硅層。接下來(lái)，可以通過(guò)使用掩模的光刻工藝和刻蝕工藝來(lái)構(gòu)圖非晶硅層和N+非晶硅層。然后，半導(dǎo)體圖形168可以形成為具有多種窄溝道寬度，其中半導(dǎo)體圖形168可以具有包括有源層114和歐姆接觸層148的雙層結(jié)構(gòu)。
在圖10C中，可以通過(guò)淀積方法(如PECVD和濺射)沿具有半導(dǎo)體圖形168的下基板102的整個(gè)表面形成源/漏金屬層。接下來(lái)，可以通過(guò)使用掩模的光刻工藝在源/漏金屬層上形成光刻膠圖形。然后，可以通過(guò)使用光刻膠圖形的濕法刻蝕工藝來(lái)構(gòu)圖源/漏金屬層。由此，可以形成包括連接到數(shù)據(jù)線的多個(gè)源電極160和多個(gè)漏電極172的源/漏圖形。
在圖10C中，可以通過(guò)使用源電極160和漏電極172作為掩模的刻蝕除去對(duì)應(yīng)于溝道區(qū)的歐姆接觸層148，以露出有源層114的溝道區(qū)。用于形成源電極/漏電極的金屬可以包括Mo、Ti、Ta以及Mo合金。
在圖10D中，可以使用刻蝕法(如PECVD)沿具有源/漏圖形的下基板102的整個(gè)表面形成鈍化層150。
圖11是根據(jù)本發(fā)明的LCD裝置的驅(qū)動(dòng)電路的另一個(gè)示例性開關(guān)器件的示意性平面圖。由于圖8和9中所示的部件可以與圖11中所示的部件相似，因此為了簡(jiǎn)化省略了相似部件的說(shuō)明。但是，圖11中所示的相似部件可以具有相同的參考標(biāo)記。
在圖11中，開關(guān)器件的每個(gè)半導(dǎo)體圖形可以形成為具有在多個(gè)源電極160中的任何一個(gè)和與該源電極160相對(duì)布置的漏電極172之間的溝道。例如，可以形成半導(dǎo)體圖形，以致各個(gè)半導(dǎo)體圖形168的溝道寬度W2的總和可以等于TFT的單個(gè)溝道寬度。由此，可以形成具有多個(gè)溝道的TFT器件，該多個(gè)溝道彼此平行地形成并且分別具有溝道寬度W2。因此，通過(guò)組合每個(gè)溝道寬度W2可以獲得寬溝道寬度TFT器件的優(yōu)點(diǎn)。而且，由于每個(gè)溝道195彼此可以電氣地隔開，因此在工作過(guò)程中，每個(gè)TFT彼此互不影響。由于溝道寬度W2的加寬減小了電流效率的退化，因此可以增加電荷遷移率，由此提高TFT器件的響應(yīng)速度。
圖12是根據(jù)本發(fā)明的LCD裝置的驅(qū)動(dòng)電路的另一個(gè)示例性開關(guān)器件的示意性平面圖。圖12的開關(guān)器件可以具有與圖8所示相似的部件，除了源電極/漏電極的結(jié)構(gòu)之外。由此，類似于圖8所示的部件可以使用相同的參考標(biāo)記，因此其中省略了其詳細(xì)描述。
在圖12中，可以在半導(dǎo)體圖形168內(nèi)形成多個(gè)孔190，以及可以在孔190之間設(shè)置的區(qū)域形成溝道195。此外，第二源極線164和漏極線173之間可以形成為相對(duì)較窄的區(qū)域，其中源電極164和164可以形成為凹凸結(jié)構(gòu)并且兩者可以公共地連接到第二源極線164。類似地，漏電極172和172可以形成為凹凸結(jié)構(gòu)且兩者可以公共地連接到第二漏極線173。例如，可以在第二源極線164上形成的源電極164的凸出部分和第二漏極線173上形成的漏電極172的凹入部分之間以及在第二源極線164上形成的源電極16A的凹入部分和漏電極172的凸出部分之間分別形成溝道195。
半導(dǎo)體圖形168的有效溝道寬度可以按照半導(dǎo)體圖形168上形成的多個(gè)窄溝道195的每個(gè)溝道寬度W2的總和形成。由此，LCD板的驅(qū)動(dòng)電路中的每個(gè)開關(guān)器件可以電氣地隔開且并聯(lián)連接。因此，通過(guò)增加每個(gè)窄溝道寬度W2可以獲得寬溝道寬度的效果。而且，由于每個(gè)溝道195彼此可以電氣地隔開，因此在工作過(guò)程中，每個(gè)TFT彼此互不影響。由于通過(guò)加寬溝道寬度可以減小電流效率的退化，因此可以增加電荷遷移率，由此提高TFT器件的響應(yīng)速度。此外，由于每個(gè)開關(guān)器件可以形成為彼此電氣地獨(dú)立，因此損壞某些TFT不會(huì)影響LCD板的正常驅(qū)動(dòng)。此外，由于第二源極線164和第二漏極線173之間的間距形成得較窄，因此可以減小開關(guān)器件的總尺寸，由此減小制造成本。
圖13是根據(jù)本發(fā)明的LCD裝置的驅(qū)動(dòng)電路的另一個(gè)示例性開關(guān)器件的示意性平面圖。在圖13中，盡管由于工藝變化可能不能適當(dāng)?shù)匦纬砷_關(guān)器件的源極和漏極金屬層，但是可以在源電極164和漏電極172之間形成溝道區(qū)。換句話說(shuō)，盡管可能不能適當(dāng)?shù)匦纬稍措姌O和漏電極，但是由于可以在源電極和漏電極之間形成溝道，因此開關(guān)器件仍可以被正常地驅(qū)動(dòng)。
圖14是根據(jù)本發(fā)明的示例性數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路的框圖。在圖14中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路可以包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC 300，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC 300包括移位寄存器271、第一和第二鎖存器272和273、電平移位器274以及數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器275，移位寄存器271用于采樣一數(shù)據(jù)控制信號(hào)的點(diǎn)時(shí)鐘，第一和第二鎖存器272和273可以響應(yīng)于來(lái)自移位寄存器的時(shí)鐘信號(hào)，用于逐行地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和同時(shí)逐行地輸出所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，電平移位器274用于對(duì)來(lái)自第二鎖存器273的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)電壓進(jìn)行電平移位，而數(shù)/模轉(zhuǎn)換器275用于選擇對(duì)應(yīng)于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的正/負(fù)伽馬(gamma)電壓。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路還可以包括多路復(fù)用器280和輸出緩沖器276，多路復(fù)用器280用于選擇向哪條數(shù)據(jù)線255提供由正/負(fù)伽馬電壓轉(zhuǎn)換的模擬數(shù)據(jù)，輸出緩沖器276連接在多路復(fù)用器208和數(shù)據(jù)線255之間。
圖15是根據(jù)本發(fā)明的圖14的示例性多路復(fù)用器的示意性電路圖。在圖15中，每個(gè)多路復(fù)用器280(在圖14中)可以連接到多個(gè)數(shù)據(jù)線DLk 1至DLk 3。由此，每個(gè)多路復(fù)用器280可以把來(lái)自數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC 300的視頻信號(hào)順序地提供到三個(gè)數(shù)據(jù)線DLk 1至DLk 3。因此，每個(gè)多路復(fù)用器280可以包括在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC 300和三個(gè)數(shù)據(jù)線DLk 1至DLk 3之間連接的三個(gè)開關(guān)器件SW1至SW3。此外，每個(gè)多路復(fù)用器280中包括的開關(guān)器件可以應(yīng)用于一種結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，多個(gè)TFT可以彼此電氣地隔開且可以并聯(lián)連接。例如，圖7-13中所示的示例性開關(guān)器件可以用作圖15中的開關(guān)器件SW1、SW2和SW3。另選地，圖7-13中所示的示例性開關(guān)器件的組合可以用作圖15中的開關(guān)器件SW1、SW2和SW3。而且，圖7-13中所示的示例性開關(guān)器件可以用作包括移位寄存器的選通驅(qū)動(dòng)部件的開關(guān)器件。
所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的條件下，可以對(duì)本發(fā)明的LCD裝置和制造LCD裝置的方法進(jìn)行各種改進(jìn)和變化。因此，本發(fā)明意在覆蓋本發(fā)明的所附權(quán)利要求書及等同物范圍內(nèi)的本發(fā)明的改進(jìn)和變化。
本發(fā)明要求2003年8月20日在韓國(guó)申請(qǐng)的韓國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)朠2003-57518的權(quán)益，因此通過(guò)引用將其并入。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括在液晶顯示板上設(shè)有開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)電路，所述開關(guān)器件包括并聯(lián)連接并且使用柵電極公共地互連的多個(gè)薄膜晶體管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中所述開關(guān)器件包括彼此面對(duì)布置的多個(gè)源電極和多個(gè)漏電極，其間具有所述柵電極；包括多個(gè)溝道的半導(dǎo)體圖形，每個(gè)溝道位于相應(yīng)的源電極和漏電極之間；公共地連接到所述多個(gè)源電極的源極線；以及公共地連接到所述多個(gè)漏電極的漏極線。
3.權(quán)利要求2的裝置，其中所述半導(dǎo)體圖形的所述多個(gè)溝道中的每一個(gè)溝道串聯(lián)連接。
4.權(quán)利要求2的裝置，其中所述多個(gè)源電極包括交替布置的凸出源電極部分和凹入源電極部分。
5.權(quán)利要求4的裝置，其中所述多個(gè)漏電極包括交替地布置的凹入漏電極部分和凸出漏電極部分，所述凹入漏電極部分布置為與所述凸出源電極部分相對(duì)，所述凸出漏電極部分布置與所述凹入源電極部分相對(duì)。
6.權(quán)利要求5的裝置，其中在與所述凸出源電極部分相對(duì)布置的所述凹入漏電極部分的多個(gè)區(qū)域之間和在與所述凹入源電極部分相對(duì)布置的所述凸出漏電極部分的多個(gè)區(qū)域之間形成所述多個(gè)溝道中的每一個(gè)溝道。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的裝置，還包括穿透所述多個(gè)源電極和所述多個(gè)漏電極之間的所述半導(dǎo)體圖形的多個(gè)孔，以使每個(gè)所述溝道隔開一定間隔。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中所述驅(qū)動(dòng)電路形成在液晶顯示板上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中所述開關(guān)器件形成在所述液晶顯示板的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)區(qū)的多路復(fù)用器上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的裝置，其中所述驅(qū)動(dòng)電路包括選通驅(qū)動(dòng)電路。
11.一種制造液晶顯示裝置的方法，包括在液晶顯示板上形成開關(guān)器件，所述開關(guān)器件具有多個(gè)并聯(lián)連接的非晶薄膜晶體管，其中形成所述開關(guān)器件的步驟包括在基板上形成柵電極；形成彼此相對(duì)的多個(gè)源電極和多個(gè)漏電極，二者之間具有所述柵電極；以及形成包括所述源電極和所述漏電極之間的多個(gè)溝道的半導(dǎo)體圖形。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，還包括形成公共地連接到所述源電極的源極線；以及形成公共地連接到所述漏電極的漏極線。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中所述半導(dǎo)體圖形的每個(gè)所述溝道串聯(lián)連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中形成所述半導(dǎo)體圖形的步驟包括形成多個(gè)半導(dǎo)體圖形，以隔開所述多個(gè)溝道中的每一個(gè)溝道。
15.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中形成所述源電極和所述漏電極的步驟包括形成交替布置的多個(gè)凸出源電極部分和多個(gè)凹入源電極部分；以及形成交替布置的多個(gè)凹入漏電極部分和多個(gè)凸出漏電極部分，所述凹入漏電極部分與所述凸出源電極部分相對(duì)，所述凸出漏電極部分與所述凹入源電極部分相對(duì)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中在與所述凸出源電極部分相對(duì)布置的所述凹入漏電極部分的多個(gè)區(qū)域之間和在與所述凹入源電極部分相對(duì)布置的所述凸出漏電極部分的多個(gè)區(qū)域之間形成所述多個(gè)溝道中的每一個(gè)溝道。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中形成所述半導(dǎo)體圖形的步驟包括形成穿透所述多個(gè)源電極和所述多個(gè)漏電極之間的所述半導(dǎo)體圖形的多個(gè)孔，以使每個(gè)所述溝道隔開一定間隔。
18.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，還包括在所述液晶顯示板上形成驅(qū)動(dòng)電路。
19.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中所述開關(guān)器件形成在所述液晶顯示板的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)區(qū)的多路復(fù)用器中。
全文摘要
液晶顯示裝置及其制造方法。一種包括驅(qū)動(dòng)電路的液晶顯示裝置，該驅(qū)動(dòng)電路在液晶顯示板上設(shè)有開關(guān)器件，該開關(guān)器件包括并聯(lián)連接且使用柵電極公共地互連的多個(gè)薄膜晶體管。
文檔編號(hào)H01L21/00GK1584721SQ200410063269
公開日2005年2月23日 申請(qǐng)日期2004年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月20日
發(fā)明者張容豪, 尹洙榮 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社