專(zhuān)利名稱(chēng)：線圈部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及線圈部件。
背景技術(shù)：
作為這種線圈部件，在磁性體層間的同一面上配置形成為螺旋狀的第一及第二線圈導(dǎo)體的線圈部件(共模扼流線圈)是已知的。這樣，將第一及第二線圈導(dǎo)體配置在同一面上，在增大了第一線圈導(dǎo)體和第二線圈導(dǎo)體的磁耦合的同時(shí)，能夠進(jìn)行低矮化，從而提高耐電壓。
但是，在具有上述結(jié)構(gòu)的線圈部件中，由于第一及第二線圈導(dǎo)體是沿著規(guī)定間隔設(shè)置的，所以在第一線圈導(dǎo)體和第二線圈導(dǎo)體中其線路長(zhǎng)度有很大的差異。因此，第一線圈導(dǎo)體和第二線圈導(dǎo)體就產(chǎn)生了阻抗差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是為了解決上述問(wèn)題而開(kāi)發(fā)的，其目的在于提供一種線圈部件，該線圈部件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，并且能夠使第一線圈導(dǎo)體和第二線圈導(dǎo)體的阻抗很容易一致。
本發(fā)明的線圈部件是在磁性體層間配置形成為螺旋狀的第一及第二線圈導(dǎo)體的線圈部件，其中，第一及第二線圈導(dǎo)體包括在同一面上互相具有規(guī)定間隔地配置的第一部分；和，互相立體地交叉的第二部分。
在本發(fā)明的線圈部件中，由于第一及第二線圈導(dǎo)體的第二部分是互相立體地交叉的，所以第一及第二線圈導(dǎo)體的螺旋的外側(cè)和內(nèi)側(cè)的位置相交叉的部分是交替的。因此，與第一及第二線圈導(dǎo)體不交叉相比，能夠減小第一線圈導(dǎo)體和第二線圈導(dǎo)體的線路長(zhǎng)度之差。并且，通過(guò)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定交叉的位置，也能夠使第一線圈導(dǎo)體和第二線圈導(dǎo)體的線路長(zhǎng)度相等。其結(jié)果是，在第一及第二線圈導(dǎo)體的第二部分中互相立體地交叉是極簡(jiǎn)易的結(jié)構(gòu)，并且能夠很容易使第一線圈導(dǎo)體和第二線圈導(dǎo)體的阻抗一致。
優(yōu)選還具有與第一及第二線圈導(dǎo)體的一端電連接的引出電極，并且使第一及第二線圈導(dǎo)體的第二部分之中的一方的第二部分和引出電極在同一面上形成。在此情況下，第一及第二線圈導(dǎo)體的第二部分之中的一方的第二部分和引出電極，可以在同一道工序中形成。其結(jié)果是，能夠避免增加線圈部件的制造工序。
第一及第二線圈導(dǎo)體的第二部分優(yōu)選設(shè)置成偶數(shù)對(duì)?？墒?，當(dāng)在第一及第二線圈導(dǎo)體的第二部分上互相立體地交叉時(shí)，如上所述，第一及第二線圈導(dǎo)體的螺旋的外側(cè)和內(nèi)側(cè)的位置交叉的部分是交替的。在將第一及第二線圈導(dǎo)體的第二部分設(shè)置成奇數(shù)對(duì)的情況下，第一及第二線圈導(dǎo)體中一方的端部側(cè)和另一方的端部側(cè)互相交替。因此，與目前的線圈部件相比，在第一及第二線圈導(dǎo)體上連接的端子電極的配置改變了。但是，由于第一及第二線圈導(dǎo)體的第二部分是設(shè)置成偶數(shù)對(duì)的，所以在第一及第二線圈導(dǎo)體中的一方的端部側(cè)和另一方的端部側(cè)，上述端子電極的配置沒(méi)有什么不同。
本發(fā)明的線圈部件是在磁性體層間配置形成為螺旋狀的第一及第二線圈導(dǎo)體的線圈部件，其中，從與磁性體層面相垂直的方向來(lái)看，第一及第二線圈導(dǎo)體在其途中部分進(jìn)行交叉。
在本發(fā)明的線圈部件中，從與磁性體層面相垂直的方向觀察，第一及第二線圈導(dǎo)體在其途中部分交叉，因此在第一及第二線圈導(dǎo)體的螺旋的外側(cè)和內(nèi)側(cè)的位置交叉的途中部分進(jìn)行交替。因此，與第一及第二線圈導(dǎo)體不交叉相比，能夠減小第一線圈導(dǎo)體和第二線圈導(dǎo)體的線路長(zhǎng)度之差。通過(guò)適當(dāng)?shù)卦O(shè)置交叉的位置，能夠使第一線圈導(dǎo)體和第二線圈導(dǎo)體的線路長(zhǎng)度相等。其結(jié)果是，第一及第二線圈導(dǎo)體的途中部分的交叉是極簡(jiǎn)易的結(jié)構(gòu)，并且能夠非常容易使第一線圈導(dǎo)體和第二線圈導(dǎo)體的阻抗一致。
優(yōu)選第一及第二線圈導(dǎo)體進(jìn)行偶數(shù)次交叉?？墒牵?dāng)?shù)谝患暗诙€圈導(dǎo)體交叉時(shí)，如上所述，在第一及第二線圈導(dǎo)體的螺旋的外側(cè)和內(nèi)側(cè)的位置交叉的途中部分進(jìn)行交替。在第一及第二線圈導(dǎo)體進(jìn)行奇數(shù)次交叉的情況下，第一及第二線圈導(dǎo)體中的一方的端部側(cè)與另一方的端部側(cè)交替。因此，與目前的線圈部件相比，在第一及第二線圈導(dǎo)體上連接的端子電極的配置改變了。但是，在本發(fā)明中，由于使第一及第二線圈導(dǎo)體進(jìn)行偶數(shù)次交叉，所以在第一及第二線圈導(dǎo)體中的一方的端部側(cè)和另一方的端部側(cè)，上述端子電極的配置就沒(méi)有什么不同。


圖1是表示本實(shí)施方式的共模扼流線圈陣列的立體圖。
圖2是分解表示本實(shí)施方式的共模扼流線圈陣列的結(jié)構(gòu)圖。
圖3是分解表示本實(shí)施方式的共模扼流線圈陣列的結(jié)構(gòu)圖。
圖4A是用于說(shuō)明第一線圈導(dǎo)體和第二線圈導(dǎo)體立體地交叉的位置的截面結(jié)構(gòu)的圖。
圖4B是用于說(shuō)明第一線圈導(dǎo)體和第二線圈導(dǎo)體立體地交叉的位置的截面結(jié)構(gòu)的圖。
圖5A～5F是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的共模扼流線圈陣列中所包含的第一及第二線圈導(dǎo)體的第一部分和第二部分的一部分的制造方法的一個(gè)例子的圖。
圖6是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的共模扼流線圈陣列中所包含的第一線圈導(dǎo)體和第二線圈導(dǎo)體的形狀的示意圖。
圖7是用于說(shuō)明第一及第二線圈導(dǎo)體的形狀的一個(gè)例子的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。在此說(shuō)明中，同一個(gè)構(gòu)件或具有同一功能的構(gòu)件使用同一個(gè)符號(hào)，省略重復(fù)的說(shuō)明。在本實(shí)施方式中，表示出在共模扼流線圈(共模扼流線圈陣列)中采用本發(fā)明的例子。
圖1是表示本實(shí)施方式的共模扼流線圈陣列的立體圖。圖2和圖3是分解表示本實(shí)施方式的共模扼流線圈陣列的結(jié)構(gòu)圖。圖4A和圖4B是用于說(shuō)明第一線圈導(dǎo)體和第二線圈導(dǎo)體立體地交叉的位置的截面結(jié)構(gòu)的圖。
如圖1所示，共模扼流線圈陣列CA是薄膜型的共模扼流線圈陣列，其包括第一磁性基板MB1(磁性體層)、層構(gòu)造體LS和第二磁性基板MB2(磁性體層)。在第一磁性基板MB1、層構(gòu)造體LS和第二磁性基板MB2的層壓體的外周面上形成有端子電極1。
如圖2所示，層構(gòu)造體LS是利用薄膜成形技術(shù)將多個(gè)層進(jìn)行層壓而形成的，其包括第一絕緣層3、第一線圈導(dǎo)體5、第二線圈導(dǎo)體7、第二絕緣層9、第一引出電極11、第二引出電極13和第三絕緣層15。共模扼流線圈陣列CA是將多組(在本實(shí)施方式中是2組)的第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7并排設(shè)置的結(jié)構(gòu)。
第一磁性基板MB1由燒結(jié)鐵氧體、復(fù)合鐵氧體(含有粉狀鐵氧體的樹(shù)脂)等磁性材料構(gòu)成。
第一絕緣層3由聚酰亞胺樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂等電絕緣性和磁絕緣性都優(yōu)異、且加工性能良好的樹(shù)脂材料構(gòu)成。此第一絕緣層3用于緩和第一磁性基板MB1的凸凹，提高與第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7等導(dǎo)體的緊貼性。第一絕緣層3的厚度例如可以設(shè)定為0.1～10μm。
如圖3所示，在第一絕緣層3上設(shè)置有開(kāi)口(也包括缺口)3a和缺口3b。在開(kāi)口3a中配置有用于在第一磁性基板MB1和第二磁性基板MB2之間形成閉磁路的磁性體17。在缺口3b中露出有第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7的端部。開(kāi)口3a形成于第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7的中央?yún)^(qū)域和外周區(qū)域。磁性體17由復(fù)合鐵氧體等磁性材料構(gòu)成。
第一絕緣層3是如下這樣形成的。首先，在第一磁性基板MB1上涂布上述樹(shù)脂材料。作為涂布樹(shù)脂材料的方法來(lái)說(shuō)，有旋涂法、浸涂法、噴涂法等。然后，將已涂布的樹(shù)脂材料進(jìn)行曝光、顯影，在規(guī)定的位置上形成開(kāi)口3a和缺口3b等的狀態(tài)下進(jìn)行固化。
第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7呈螺旋狀，包含具有導(dǎo)電性的金屬材料(例如Cu等)。如圖4A和圖4B所示，第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7包括第一部分5a、7a和第二部分5b、7b。第一部分5a、7a配置在第一絕緣層3上，彼此之間具有規(guī)定間隔(例如50μm左右)。第二部分5b、7b互相立體地交叉。第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7的第二部分5b、7b，設(shè)置成偶數(shù)對(duì)(在本實(shí)施方式中是2對(duì))。第一線圈導(dǎo)體5的第一部分5a，在其途中位置被中途切斷，使得第二線圈導(dǎo)體7的第二部分7b橫著穿過(guò)。另外，第二線圈導(dǎo)體7的第一部分7a，在其途中位置被中途切斷，使得第一線圈導(dǎo)體5的第二部分5b橫著穿過(guò)。第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7的厚度，例如可以設(shè)定為3～20μm。第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7的寬度，例如可以設(shè)定為5～30μm。
第一線圈導(dǎo)體5的第一部分5a及第二部分5b的一部分、和第二線圈導(dǎo)體7的第一部分7a及第二部分7b的一部分是如圖5A～5F所示那樣形成的。圖5A～5F是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的共模扼流線圈陣列中所包含的第一及第二線圈導(dǎo)體的第一部分和第二部分的一部分的制造方法的一個(gè)例子的圖。
首先，如圖5A所示，利用真空成膜法(濺鍍等方法)在第一絕緣層3上形成底層導(dǎo)體膜21。此時(shí)，考慮到與第一絕緣層3的緊貼性和電鍍性，底層導(dǎo)體膜21優(yōu)選為Cr/Cu(面向第一絕緣層3一側(cè)是Cr)或Ti/Cu(面向第一絕緣層3一側(cè)是Ti)的多層膜構(gòu)造。
接著，如圖5B所示，在底層導(dǎo)體膜21上涂布保護(hù)層23。此時(shí)，保護(hù)層23優(yōu)選涂布成比通過(guò)電鍍形成的導(dǎo)電性金屬材料25的厚度厚。
然后，如圖5C所示，將保護(hù)層23曝光、顯影，在保護(hù)層23上進(jìn)行成形，使之成為相當(dāng)于第一部分5a、7a按著規(guī)定間隔來(lái)配置的螺旋形狀導(dǎo)體圖案的模具。也就是說(shuō)，與螺旋狀導(dǎo)體圖案相對(duì)應(yīng)地露出底層導(dǎo)體膜21。曝光和顯影是使用具有與上述螺旋狀導(dǎo)體圖案相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口的光掩模，通過(guò)光刻技術(shù)來(lái)進(jìn)行的。
然后，如圖5D所示，通過(guò)以底層導(dǎo)體膜21作為電極、將導(dǎo)電性金屬材料25電鍍至模具內(nèi)，進(jìn)行成長(zhǎng)，形成螺旋形狀導(dǎo)體圖案?？紤]到電鍍性、成本和導(dǎo)電性，導(dǎo)電性金屬材料25優(yōu)選是銅。此時(shí)，通過(guò)設(shè)定電鍍條件，使得按照?qǐng)D案的寬度來(lái)改變導(dǎo)電性金屬材料25的成長(zhǎng)速度，能夠制造出如圖3所示的部分厚度不同的導(dǎo)體圖案。
然后，如圖5E所示，除去保護(hù)層23。由此在底層導(dǎo)體膜21上殘留下按照上述螺旋形狀導(dǎo)體圖案制造出來(lái)的導(dǎo)電性金屬材料25。
然后，如圖5F所示，以導(dǎo)電性金屬材料25作為掩模，利用蝕刻等方法除去露出的底層導(dǎo)體膜21。由此，在第一絕緣層3上，就形成了互相具有規(guī)定間隔來(lái)配置的第一線圈導(dǎo)體5的第一部分5a及第二部分5b的一部分、和第二線圈導(dǎo)體7的第一部分7a及第二部分7b的一部分。考慮到耐腐蝕性和與第二絕緣層9的緊貼性等，也可以在導(dǎo)電性金屬材料25上進(jìn)行鍍鎳。
第二絕緣層9與第一絕緣層3同樣，由聚酰亞胺樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂等電絕緣性和磁絕緣性都優(yōu)異的、加工性能良好的樹(shù)脂材料來(lái)制成。第二絕緣層9的厚度，例如可以設(shè)定為1～20μm。
在第二絕緣層9上設(shè)置有用來(lái)配置磁性體17的開(kāi)口(也包括缺口)9a和用來(lái)使第一引出電極11和第二引出電極13的端部露出的缺口9b。開(kāi)口9a與開(kāi)口3a相對(duì)應(yīng)，形成在第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7的中央?yún)^(qū)域和外周區(qū)域上。
也如圖4A所示，第一線圈導(dǎo)體5的第二部分5b，與第一線圈導(dǎo)體5的第一部分5a被中途切斷(第二線圈導(dǎo)體7的第二部分7b橫切第一線圈導(dǎo)體5的第一部分5a)的位置相對(duì)應(yīng)，在第二絕緣層9上形成。由此，在第二絕緣層9上形成的第一線圈導(dǎo)體5的第二部分5b和在第一絕緣層3上形成的第二線圈導(dǎo)體7的第二部分7b立體地交叉。第一線圈導(dǎo)體5的第二部分5b，其一端與第一線圈導(dǎo)體5的第一部分5a被中途切斷的一端電連接，另一端與第一線圈導(dǎo)體5的第一部分5a被中途切斷的另一端電連接。
也如圖4B所示，第二線圈導(dǎo)體7的第二部分7b，與第二線圈導(dǎo)體7的第一部分7a被中途切斷(第一線圈導(dǎo)體5的第二部分5b橫切第二線圈導(dǎo)體7的第一部分7a)的位置相對(duì)應(yīng)，在第二絕緣層9上形成。由此，在第二絕緣層9上形成的第二線圈導(dǎo)體7的第二部分7b和在第一絕緣層3上形成的第一線圈導(dǎo)體5的第二部分5b立體地交叉。第二線圈導(dǎo)體7的第二部分7b，其一端與第二線圈導(dǎo)體7的第一部分7a被中途切斷的一端電連接，另一端與第二線圈導(dǎo)體7的第一部分7a被中途切斷的另一端電連接。
如圖6所示，由于第一線圈導(dǎo)體5的第二部分5b和第二線圈導(dǎo)體7的第二部分7b在兩個(gè)部位立體地交叉，所以，第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7，從與第一磁性基板MB1(第二磁性基板MB2)的主面相垂直的方向來(lái)看，在其途中部分要交叉兩次。圖6是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的共模扼流線圈陣列中所包含的第一及第二線圈導(dǎo)體的形狀的示意圖。
在第二絕緣層9上，形成有使在第二絕緣層9上形成的第一線圈導(dǎo)體5的第二部分5b與第一線圈導(dǎo)體5的第一部分5a相接觸而電連接用的開(kāi)口(接觸孔)9c。并且，在第二絕緣層9上，形成有使在第二絕緣層9上形成的第二線圈導(dǎo)體7的第二部分7b與第二線圈導(dǎo)體7的第一部分7a相接觸而電連接用的開(kāi)口(接觸孔)9d。
在第二絕緣層9上形成第一引出電極11和第二引出電極13。其一端與第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7的螺旋的內(nèi)側(cè)端部電連接，另一端露出到外面。第一引出電極11和第二引出電極13的厚度，例如可以設(shè)定為1～10μm。第一引出電極11和第二引出電極13的寬度，例如可以設(shè)定為1～25μm。
在第二絕緣層9上，形成有使在第二絕緣層9上形成的第一引出電極11與第一線圈導(dǎo)體5的第一部分5a相接觸而電連接用的開(kāi)口(接觸孔)9e。并且，在第二絕緣層9上，形成有使在第二絕緣層9上形成的第二引出電極13與第二線圈導(dǎo)體7的第一部分7a相接觸而電連接用的開(kāi)口(接觸孔)9f。
在第二絕緣層9上，與在第一絕緣層3上形成的缺口3b相對(duì)應(yīng)地形成缺口9g，在此缺口9g上設(shè)置有與第一線圈導(dǎo)體5及第二線圈導(dǎo)體7的端部接觸而電連接的電極19。并且，在第一絕緣層3上，與在第二絕緣層9上形成的缺口9b相對(duì)應(yīng)地形成缺口3c，在此缺口3c上設(shè)置有與第一引出電極11及第二引出電極13的端部接觸而電連接的電極20。
第二絕緣層9與第一絕緣層3同樣，是在第一絕緣層3、第一線圈導(dǎo)體5的第一部分5a及第二線圈導(dǎo)體7的第一部分7a上形成的。而在第一線圈導(dǎo)體5的第一部分5a及第二線圈導(dǎo)體7的第一部分7a上進(jìn)行鍍鎳的情況下，優(yōu)選通過(guò)蝕刻等除去從起著接觸孔作用的開(kāi)口9c～9f中露出的鍍鎳層。
第一線圈導(dǎo)體5的第二部分5b、第二線圈導(dǎo)體7的第二部分7b、第一引出電極11以及第二引出電極13，與第一線圈導(dǎo)體5的第一部分5a及第二線圈導(dǎo)體7的第一部分7a同樣，是在第二絕緣層9上形成的。
第三絕緣層15與第一絕緣層3及第二絕緣層9同樣，是由聚酰亞胺樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂等電絕緣性和磁絕緣性?xún)?yōu)異的、加工性良好的樹(shù)脂材料制成的。第三絕緣層15的厚度，例如可以設(shè)定為0.1～10μm。在第三絕緣層15上設(shè)置有用于配置磁性體17的開(kāi)口(也包括缺口)15a。
第三絕緣層15與第一絕緣層3及第二絕緣層9同樣，是在第二絕緣層9、第一線圈導(dǎo)體5的第二部分5b、第二線圈導(dǎo)體7的第二部分7b、第一引出電極11和第二引出電極13之上形成的。
在形成第三絕緣層15時(shí)，將在環(huán)氧樹(shù)脂等樹(shù)脂材料中混合了鐵氧體粉所制作的糊狀復(fù)合鐵氧體涂布在第三絕緣層15上，并進(jìn)行固化。此時(shí)，在開(kāi)口15a、9a、3a構(gòu)成的凹坑部?jī)?nèi)填充糊狀的復(fù)合鐵氧體。由此，可以將磁性體17配置在開(kāi)口15a、9a、3a中。在圖2和圖3中，與各絕緣層3、9、15相對(duì)應(yīng)地分解圖示磁性體17。對(duì)在第三絕緣層15上涂布、固化的復(fù)合鐵氧體的表面進(jìn)行研磨，使之平滑化。
第二磁性基板MB2與第一磁性基板MB1同樣，由燒結(jié)鐵氧體、復(fù)合鐵氧體等磁性材料構(gòu)成。通過(guò)粘接層(圖中未顯示)將第二磁性基板MB2貼附在表面已經(jīng)過(guò)研磨的上述復(fù)合鐵氧體上。粘接層可以由例如環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂等粘接劑構(gòu)成。粘接層的厚度，例如可以設(shè)定為1～5μm。就第二磁性基板MB2來(lái)說(shuō)，也可以通過(guò)將上述復(fù)合鐵氧體加厚，用上述固化了的復(fù)合鐵氧體來(lái)代替。
第一線圈導(dǎo)體5、第二線圈導(dǎo)體7、第一引出電極11以及第二引出電極13，分別與所對(duì)應(yīng)的端子電極1連接來(lái)進(jìn)行電連接。
在如上所述結(jié)構(gòu)的共模扼流線圈陣列CA中，第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7進(jìn)行磁耦合。在第一線圈導(dǎo)體5及第二線圈導(dǎo)體7上流過(guò)差模電流(逆相電流)時(shí)，磁通就相互抵消使阻抗減小。反之，當(dāng)在第一線圈導(dǎo)體5及第二線圈導(dǎo)體7中流過(guò)共模電流(同相電流)時(shí)，磁通相加使阻抗增大。
如上所述，在本實(shí)施方式中，由于第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7，在第二部分5b及第二部分7b處互相立體地交叉，所以第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7的螺旋的外側(cè)和內(nèi)側(cè)的位置交叉的部分(第二部分5b和第二部分7b)互相交替。因此，與第一線圈導(dǎo)體5及第二線圈導(dǎo)體7不交叉的情形相比，能夠減小第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7的線路長(zhǎng)度之差。通過(guò)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定交叉的位置，也能夠使第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7的線路長(zhǎng)度相等。其結(jié)果，一方面是在第一線圈導(dǎo)體5的第二部分5b及第二線圈導(dǎo)體7的第二部分7b處互相立體地交叉這樣的極簡(jiǎn)易的結(jié)構(gòu)，另一方面還能夠使第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7的阻抗很容易一致。在本實(shí)施方式中，將第一線圈導(dǎo)體5的線路長(zhǎng)度設(shè)定為23mm，將第二線圈導(dǎo)體7的線路長(zhǎng)度設(shè)定為23mm。
可是，當(dāng)在第一線圈導(dǎo)體5及第二線圈導(dǎo)體7的第二部分5b、7b處互相立體地交叉時(shí)，如上所述，第一線圈導(dǎo)體5及第二線圈導(dǎo)體7的螺旋的外側(cè)和內(nèi)側(cè)的位置交叉的部分互相交替。在將第一線圈導(dǎo)體5及第二線圈導(dǎo)體7的第二部分5b、7b設(shè)定為奇數(shù)對(duì)(例如1對(duì))的情況下，如圖7所示，第一線圈導(dǎo)體5及第二線圈導(dǎo)體7中的一方的端部側(cè)和另一方的端部側(cè)是互相交替的。因此，與第一線圈導(dǎo)體5及第二線圈導(dǎo)體7相連接的端子電極的配置改變了。但是，在本實(shí)施方式中，由于將第一線圈導(dǎo)體5及第二線圈導(dǎo)體7的第二部分5b、7b設(shè)定為偶數(shù)對(duì)(2對(duì))，所以在第一線圈導(dǎo)體5及第二線圈導(dǎo)體7中的一方的端部側(cè)和另一方的端部側(cè)，端子電極1的配置就沒(méi)有什么不同。
在本實(shí)施方式中，具有第一引出電極11和第二引出電極13，第一線圈導(dǎo)體5的第二部分5b及第二線圈導(dǎo)體7的第二部分7b和第一引出電極11及第二引出電極13是在同一面上(第二絕緣層9上)形成的。在這樣構(gòu)成的情況下，可以在相同的工序中形成第一線圈導(dǎo)體5的第二部分5b及第二線圈導(dǎo)體7的第二部分7b和第一引出電極11及第二引出電極13。其結(jié)果是，能夠防止共模扼流線圈陣列CA的制造工序增加。
在本實(shí)施方式中，由于第一線圈導(dǎo)體5的第一部分5a和第二線圈導(dǎo)體7的第一部分7a是在同一面上(第一絕緣層3上)形成的，所以與通過(guò)絕緣層將第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7進(jìn)行層壓構(gòu)成的共模扼流線圈相比，能夠進(jìn)行低矮化。再者，其結(jié)果是，縮短了磁路長(zhǎng)度，在高頻區(qū)域也能夠獲得優(yōu)異的阻抗特性。
在本實(shí)施方式中，由于第一線圈導(dǎo)體5的第一部分5a和第二線圈導(dǎo)體7的第一部分7a是在同一面上(第一絕緣層3上)形成的，所以能夠在很大程度上維持第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7的磁耦合度。
本發(fā)明并不限于上述的實(shí)施方式。例如，雖然使第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7在兩個(gè)部位進(jìn)行立體地交叉，但并不限于此，使第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7在一個(gè)部位進(jìn)行立體地交叉的結(jié)構(gòu)也是可以的，并且，也可以是在三個(gè)以上的部位進(jìn)行立體地交叉的結(jié)構(gòu)。并且，使第一線圈導(dǎo)體5和第二線圈導(dǎo)體7進(jìn)行立體地交叉的位置，也不限于上述實(shí)施方式中的位置。
在本實(shí)施方式中，雖然第一線圈導(dǎo)體5的第二部分5b及第二線圈導(dǎo)體7的第二部分7b是在同一面上(第二絕緣層9上)形成的，但并不限于此，在不同的面上形成也是可以的。
本發(fā)明并不限于共模扼流線圈陣列CA，也可以適用于具有一組第一線圈導(dǎo)體5及第二線圈導(dǎo)體7的共模扼流線圈、變壓器等線圈部件。
權(quán)利要求
1.一種線圈部件，在磁性體層間配置形成為螺旋狀的第一及第二線圈導(dǎo)體，其特征在于所述第一及第二線圈導(dǎo)體包括在同一面上互相具有規(guī)定間隔地配置的第一部分；和，互相立體地交叉的第二部分。
2.如權(quán)利要求1所述的線圈部件，其特征在于還具有與所述第一及第二線圈導(dǎo)體的端部電連接的引出電極，并且使所述第一及第二線圈導(dǎo)體的所述第二部分之中的一方的第二部分和所述引出電極在同一面上形成。
3.如權(quán)利要求1所述的線圈部件，其特征在于將所述第一及第二線圈導(dǎo)體的所述第二部分設(shè)置成偶數(shù)對(duì)。
4.如權(quán)利要求1所述的線圈部件，其特征在于所述第一及第二線圈導(dǎo)體，是多個(gè)并列配置的。
5.一種線圈部件，在磁性體層間配置形成為螺旋狀的第一及第二線圈導(dǎo)體，其特征在于所述第一及第二線圈導(dǎo)體，從與所述磁性體層面相垂直的方向來(lái)看，在其途中部分進(jìn)行交叉。
6.如權(quán)利要求5所述的線圈部件，其特征在于所述第一線圈導(dǎo)體和所述第二線圈導(dǎo)體進(jìn)行偶數(shù)次交叉。
7.如權(quán)利要求5所述的線圈部件，其特征在于所述第一及第二線圈導(dǎo)體，是多個(gè)并列配置的。
全文摘要
第一線圈導(dǎo)體及第二線圈導(dǎo)體，呈螺旋形狀，配置在第一磁性基板和第二磁性基板之間。第一線圈導(dǎo)體及第二線圈導(dǎo)體包括在第一絕緣層上互相具有規(guī)定間隔地配置的第一部分和互相立體地交叉的第二部分。第一線圈導(dǎo)體及第二線圈導(dǎo)體，從與第一磁性基板(第二磁性基板)的主面相垂直的方向來(lái)看，在其途中部分進(jìn)行交叉。
文檔編號(hào)H01F17/00GK1581376SQ200410070288
公開(kāi)日2005年2月16日 申請(qǐng)日期2004年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月7日
發(fā)明者吉田誠(chéng), 伊藤知一, 今野忠重, 奧澤信之 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社