專利名稱：低阻值芯片電阻器的制程及其結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種芯片電阻器的制程及結(jié)構(gòu)，特別是關(guān)于低阻值芯片電阻器的制程及其結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
芯片電阻器已廣泛使用在各種電子設(shè)備、儀器設(shè)備及通訊設(shè)備中。芯片電阻器大致分為厚膜芯片電阻器及薄膜芯片電阻器兩種型態(tài)，其中該厚膜芯片電阻器的電極及電阻層是通過印刷(Printing)或燒成(Baking)的技術(shù)予以制作，而薄膜芯片電阻器的電極及電阻層是藉由濺鍍(Sputtering)的技術(shù)予以制作。
在典型的芯片電阻器制程中(參閱圖1所示)，其主要是在一基板1的下表面設(shè)有一對背面導(dǎo)電層21、22，以及在該基板1的上表面形成一對表面導(dǎo)電層31、32。在完成該背面導(dǎo)電層21、22及表面導(dǎo)電層31、32之后，予以燒成，再于該基板1的表面上印刷形成一電阻層4，并再予燒成。該電阻層4的兩端連接于表面導(dǎo)電層31、32。在完成該電阻層4的燒成之后，即在該電阻層4上再印刷形成一第一絕緣保護(hù)層61，并進(jìn)行燒成。例如在中國臺灣發(fā)明專利公告編號第436820號中所揭露的片形電阻器及其制造方法中，即屬此類技術(shù)。
而在前述的芯片電阻器制作技術(shù)中，為了要達(dá)到調(diào)整該芯片電阻器的電阻值的目的，故會在完成該電阻層4及第一絕緣保護(hù)層61之后，以雷射修整的方式在該電阻層4及第一絕緣保護(hù)層61的適當(dāng)區(qū)段處形成一電阻調(diào)節(jié)修整槽5。最后，再于該第一絕緣保護(hù)層61上再印刷形成一第二絕緣保護(hù)層62。在完成上述制程后，在該芯片電阻器的兩端部再形成一導(dǎo)電層71、一鎳層72、一錫層73。
例如在中國臺灣發(fā)明專利公告編號第394962號中所揭露的芯片電阻器的技術(shù)中，即是以雷射修整的方式來進(jìn)行芯片電阻器的電阻調(diào)整，其是在基板上形成電阻層與第一絕緣保護(hù)層之后，以激光束照射該電阻層與第一絕緣保護(hù)層以形成電阻調(diào)節(jié)修整槽于該電阻層與第一絕緣保護(hù)層內(nèi)。
又例如在中國臺灣發(fā)明專利公告編號第344826號中所揭露的芯片電阻器的技術(shù)中，亦是在基板上形成電阻層與第一絕緣保護(hù)層之后，在該電阻層與第一絕緣保護(hù)層中形成帶狀微調(diào)溝于該電阻層與第一絕緣保護(hù)層。
然而，在采用上述公知的技術(shù)時(shí)，由于電阻調(diào)節(jié)修整槽是在完成該電阻層及第一絕緣保護(hù)層之后，再以雷射光集束的方式在該電阻層及第一絕緣保護(hù)層的適當(dāng)區(qū)段處形成一電阻調(diào)節(jié)修整槽，故需選用具有較高功率的雷射光，如此將造成產(chǎn)業(yè)利用時(shí)的限制。再者，該形成的電阻調(diào)節(jié)修整槽是在該電阻層及第一絕緣保護(hù)層中，故其較容易會有修整后阻抗精度變異的問題，且當(dāng)該芯片電阻器在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，較容易有受熱產(chǎn)生阻抗變化的狀況。這些缺失對于產(chǎn)業(yè)的利用及產(chǎn)制出的芯片電阻器品質(zhì)而言，皆亟待改善。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所欲解決的技術(shù)問題是提供一種低阻值芯片電阻器的結(jié)構(gòu)，藉由改進(jìn)該芯片電阻器的電阻層的電阻調(diào)節(jié)修整槽結(jié)構(gòu)，使修整后的阻抗精度得以改善及控制，且使得該芯片電阻器在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，較不會有受熱產(chǎn)生阻抗變化的缺失。
本發(fā)明要解決的另一技術(shù)問題是提供一種低阻值芯片電阻器的制程，其藉由制程的改進(jìn)，使得在實(shí)際的芯片電阻生產(chǎn)過程中，可選用具有較低功率的雷射光集束形成該芯片電阻器的電阻調(diào)節(jié)修整槽。
為此，本發(fā)明提出一種低阻值芯片電阻器的制程，包括下列步驟(a)制備一基板；(b)在該基板的至少一表面形成一對導(dǎo)電層；
(c)將該基板連同導(dǎo)電層予以燒成；(d)該基板的表面介于該導(dǎo)電層之間形成一電阻層，并予燒成；(e)在該電阻層形成有一電阻調(diào)節(jié)修整槽，以修整該電阻器的阻抗；(f)在該電阻層及電阻調(diào)節(jié)修整槽上形成一絕緣保護(hù)層。
此外，本發(fā)明還提出一種低阻值芯片電阻器的結(jié)構(gòu)，包括一基板；一對導(dǎo)電層，形成在該基板的至少一表面上；一電阻層，形成在該基板及導(dǎo)電層的表面上，該電阻層的兩端分別電連接于該導(dǎo)電層；一電阻調(diào)節(jié)修整槽，形成在該電阻層位在該兩個(gè)導(dǎo)電層之間的區(qū)段；一絕緣保護(hù)層，覆設(shè)在該電阻層及電阻調(diào)節(jié)修整槽上。
本發(fā)明的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)如下本發(fā)明的低阻值芯片電阻器包括有一基板、一對導(dǎo)電層、一電阻層、一電阻調(diào)節(jié)修整槽、以及形成在該電阻層及電阻調(diào)節(jié)修整槽上的絕緣保護(hù)層。本發(fā)明在制作該低阻值芯片電阻器時(shí)，首先在一制備的基板上至少形成一對導(dǎo)電層，該基板連同導(dǎo)電層予以燒成后，在該基板的表面介于該導(dǎo)電層之間形成一電阻層，并予燒成，以及在該電阻層形成有一電阻調(diào)節(jié)修整槽，以修整該電阻器的阻抗，最后在該電阻層及電阻調(diào)節(jié)修整槽上形成一絕緣保護(hù)層。
本發(fā)明對照先前技術(shù)的功效相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明有效克服了傳統(tǒng)技術(shù)中必需選用具有較高功率的雷射光來形成電阻調(diào)節(jié)修整槽的問題，且經(jīng)由本發(fā)明的結(jié)構(gòu)改進(jìn)，使得修整后的阻抗精度得以改善及控制，并能使芯片電阻器在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，有效克服了受熱產(chǎn)生阻抗變化的缺失。而在采行本發(fā)明的制程時(shí)，可達(dá)到量產(chǎn)化使用的有效制程。
圖1是顯示依據(jù)先前技術(shù)的制程所完成的芯片電阻器的結(jié)構(gòu)剖視圖；
圖2是顯示依據(jù)本發(fā)明的制程所完成的芯片電阻器的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖3是顯示本發(fā)明的制作流程圖；圖4A至圖4F是顯示本發(fā)明在制作芯片電阻器時(shí)各制程的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖標(biāo)號說明1基板 71導(dǎo)電層21、22背面導(dǎo)電層72鎳層31、32表面導(dǎo)電層73錫層4電阻層 8絕緣保護(hù)層5電阻調(diào)節(jié)修整槽 91導(dǎo)電層61第一絕緣保護(hù)層92鎳層62第二絕緣保護(hù)層93錫層具體實(shí)施方式
本發(fā)明所采用的具體方法及控制流程，將藉由以下的實(shí)施例及附圖作進(jìn)一步的說明。
參閱圖2所示，其是顯示依據(jù)本發(fā)明的制程所完成的芯片電阻器的結(jié)構(gòu)剖視圖。其顯示本發(fā)明制程所完成的芯片電阻器主要包括有一基板1，該基板1可為氧化鋁材料所制成。在該基板1的背面印刷形成一對背面導(dǎo)電層21、22，而在該基板1的上表面印刷形成一對表面導(dǎo)電層31、32。
在該基板1的表面且介于表面導(dǎo)電層31、32之間印刷形成有一電阻層4，電阻層4的兩端電連接于該表面導(dǎo)電層31、32。而在該電阻層4的適當(dāng)區(qū)段位置處形成有一電阻調(diào)節(jié)修整槽5。在該電阻層4上再形成有一絕緣保護(hù)層8，該絕緣保護(hù)層8例如可為玻璃或樹脂等材料。最后，在該芯片電阻器的兩端部順序地形成一導(dǎo)電層91、一鎳層92、及一錫層93。
參閱圖3所示，其是顯示本發(fā)明的制作流程圖，而圖4A至圖4F是顯示本發(fā)明在制作芯片電阻器時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。茲同時(shí)配合圖3及圖4A至圖4F，對本發(fā)明的制程及結(jié)構(gòu)作進(jìn)一步的說明。
本發(fā)明的制程是首先于步驟101中，制備出一氧化鋁基板1，再于步驟102中，在該基板1的背表面印刷形成一對背面導(dǎo)電層21、22(如圖4A所示)，之后于步驟103中，在該基板1的上表面印刷形成一對表面導(dǎo)電層31、32(如圖4B所示)。
在完成該背面導(dǎo)電層21、22及表面導(dǎo)電層31、32之后，于步驟104中予以燒成，再于步驟105中，于該基板1的表面上印刷形成一電阻層4，并予燒成(如圖4C所示)。
完成該電阻層4之后，即于步驟106中進(jìn)行雷射修整的步驟，以在該電阻層4中形成一電阻調(diào)節(jié)修整槽5(如圖4D所示)。該電阻調(diào)節(jié)修整槽5的形成可以雷射光集束的方式在該電阻層4中形成一道寬度約15-45μm的槽體結(jié)構(gòu)，如此可據(jù)以調(diào)整該電阻層4的阻抗值。
完成該電阻調(diào)節(jié)修整槽5之后，接著在步驟107中，于該電阻層4的表面形成一絕緣保護(hù)層8，并予以燒成(如圖4E所示)。
在完成上述制程后，再于步驟108中，在該芯片電阻器的兩端部順序地形成一導(dǎo)電層91、一鎳層92、及一錫層93(如圖4F所示)，如此即完成該芯片電阻器的制作。
藉由上述的本發(fā)明實(shí)施例可知，透過本發(fā)明的制程改進(jìn)，確可達(dá)到降低雷射修整功率、降低產(chǎn)品受熱產(chǎn)生的阻抗變化、可量產(chǎn)化使用的有效制程、降低修整后阻抗精度變異等效果，故本發(fā)明極具產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。
雖然本發(fā)明已以具體實(shí)施例揭示，但其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的構(gòu)思和范圍的前提下所作出的等同組件的置換，或依本發(fā)明專利保護(hù)范圍所作的等同變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本專利涵蓋之范疇。
權(quán)利要求
1.一種低阻值芯片電阻器的制程，包括下列步驟(a)制備一基板；(b)在該基板的至少一表面形成一對導(dǎo)電層；(c)將該基板連同導(dǎo)電層予以燒成；(d)該基板的表面介于該導(dǎo)電層之間形成一電阻層，并予燒成；(e)在該電阻層形成有一電阻調(diào)節(jié)修整槽，以修整該電阻器的阻抗；(f)在該電阻層及電阻調(diào)節(jié)修整槽上形成一絕緣保護(hù)層。
2.如權(quán)利要求1所述的低阻值芯片電阻器的制程，其中步驟(b)中包括在該基板的背表面印刷形成一對背面導(dǎo)電層、以及在該基板的上表面印刷形成一對表面導(dǎo)電層的步驟。
3.如權(quán)利要求1所述的低阻值芯片電阻器的制程，其中步驟(b)中的導(dǎo)電層是以印刷方式形成在該基板的表面，再予以燒成而形成。
4.如權(quán)利要求1所述的低阻值芯片電阻器的制程，其中步驟(d)中的電阻層是以印刷方式形成在該基板的表面，再予以燒成而形成。
5.如權(quán)利要求1所述的低阻值芯片電阻器的制程，其中步驟(f)之后，更包括在該芯片電阻器的兩端部順序地形成一導(dǎo)電層、一鎳層、及一錫層的步驟。
6.一種低阻值芯片電阻器的結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板；至少一對導(dǎo)電層，形成在該基板的至少一表面上；一電阻層，形成在該基板及導(dǎo)電層的表面上，該電阻層的兩端分別電連接于該導(dǎo)電層；一電阻調(diào)節(jié)修整槽，形成在該電阻層位在該兩個(gè)導(dǎo)電層之間的區(qū)段；一絕緣保護(hù)層，覆設(shè)在該電阻層及電阻調(diào)節(jié)修整槽上。
7.如權(quán)利要求6所述的低阻值芯片電阻器的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電層包括有一對形成在該基板的背表面的背面導(dǎo)電層；一對形成在該基板的上表面的表面導(dǎo)電層。
8.如權(quán)利要求6所述的低阻值芯片電阻器的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板為氧化鋁基板。
9.如權(quán)利要求6所述的低阻值芯片電阻器的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該芯片電阻器的兩端部更包括順序形成的一導(dǎo)電層、一鎳層、及一錫層。
全文摘要
一種低阻值芯片電阻器，包括有一基板、一對導(dǎo)電層、一電阻層、一電阻調(diào)節(jié)修整槽、以及形成在該電阻層及電阻調(diào)節(jié)修整槽上的絕緣保護(hù)層。在制作該低阻值芯片電阻器時(shí)是在一制備的基板上至少形成一對導(dǎo)電層，該基板連同導(dǎo)電層予以燒成后，在該基板的表面介于該導(dǎo)電層之間形成一電阻層，并予燒成，以及在該電阻層形成有一電阻調(diào)節(jié)修整槽，以修整該電阻器的阻抗，最后在該電阻層及電阻調(diào)節(jié)修整槽上形成一絕緣保護(hù)層。本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，達(dá)到降低雷射修整功率、降低產(chǎn)品受熱產(chǎn)生的阻抗變化、可量產(chǎn)化使用的有效制程、降低修整后阻抗精度變異等效果。
文檔編號H01C7/00GK1728292SQ200410070778
公開日2006年2月1日 申請日期2004年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月26日
發(fā)明者徐松宏, 甄文均, 蔡燕山 申請人:信昌電子陶瓷股份有限公司