專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜晶體管陣列面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列面板。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示器(LCD)是在形成共同電極和濾色器等上部陣列面板和形成薄膜晶體管和像素電極等下部陣列面板之間注入液晶材料，向像素電極和共同電極施加彼此不同電位，以形成電場(chǎng)并改變液晶分子排列，通過(guò)其調(diào)整光透射比，從而顯示圖像的裝置。
薄膜晶體管陣列面板由傳輸掃描信號(hào)的掃描信號(hào)線或柵極線和傳輸圖像信號(hào)的圖像信號(hào)線或數(shù)據(jù)線、與各像素柵極線及數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管、與薄膜晶體管連接的像素電極等組成。
這種液晶顯示器需要保持液晶一定時(shí)間取向的存儲(chǔ)電容。然而，這不能影響液晶取向，可能伴隨產(chǎn)生引發(fā)圖像質(zhì)量變差的寄生電容的弊端。
寄生電容主要在像素電極和數(shù)據(jù)線之間產(chǎn)生，根據(jù)像素電極和數(shù)據(jù)線之間距離形成的寄生電容值不同。因此，當(dāng)調(diào)準(zhǔn)有誤產(chǎn)生較大寄生電容偏差時(shí)，可能降低液晶顯示器的圖像質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于解決上述弊端，提供了一種使調(diào)準(zhǔn)錯(cuò)誤引起的寄生電容變化最小化的高品質(zhì)薄膜晶體管陣列面板。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了下述薄膜晶體管陣列面板。
具體地說(shuō)，該薄膜晶體管陣列面板包括絕緣基片、具有在絕緣基片上形成并具有柵極的柵極線、在柵極線上形成的柵極絕緣層、在柵極絕緣層上形成的半導(dǎo)體層、具有至少一部分與半導(dǎo)體層重疊的源極并與柵極線交叉的數(shù)據(jù)線、至少一部分與半導(dǎo)體層重疊并以柵極為中心與源極保持一定間距的漏極、在漏極及數(shù)據(jù)線上形成的鈍化層、在鈍化層上形成并與漏極電連接的像素電極、像素電極和像素電極連接并與數(shù)據(jù)線重疊的輔助圖案。
該薄膜晶體管陣列面板還包括形成于半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)線之間的歐姆接觸層。此時(shí)，優(yōu)選地，數(shù)據(jù)線、源極、及漏極具有與阻抗性接觸層相同的平面圖案，半導(dǎo)體層除了漏極和源極之間通道之外具有相同平面圖案。
優(yōu)選地，鈍化層由無(wú)機(jī)材料形成。
該薄膜晶體管陣列面板還包括與柵極線并排的存儲(chǔ)電極線。優(yōu)選地，一部分存儲(chǔ)電極線與漏極重疊形成。
優(yōu)選地，輔助圖案寬度比數(shù)據(jù)線寬度窄。


本發(fā)明將通過(guò)參考附圖詳細(xì)地描述實(shí)施例而變得更加顯而易見(jiàn)，其中
圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖2是沿著圖1所示的II-II′線的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖3是具有根據(jù)本發(fā)明的輔助圖案，產(chǎn)生錯(cuò)誤調(diào)準(zhǔn)的薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板布局圖；以及圖5是沿著圖4所示的V-V′線的薄膜晶體管陣列面板截面圖。
具體實(shí)施例方式
為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明，現(xiàn)參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。但是，本發(fā)明可表現(xiàn)為不同形式，它不局限于在此說(shuō)明的實(shí)施例。
在圖中為了明確表現(xiàn)各層及區(qū)域，擴(kuò)大其厚度來(lái)表示，在全篇說(shuō)明書(shū)中對(duì)類(lèi)似部分附上相同圖的符號(hào)，當(dāng)提到層、膜、區(qū)域、板等部分在別的部分“之上”時(shí)，它是指“直接”位于別的部分之上，也包括其間夾有別的部分之情況，反之說(shuō)某個(gè)部分“直接”位于別的部分之上時(shí)，指其間并無(wú)別的部分。
下面，參照附圖更具體地說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板布局圖，而圖2是沿著圖1所示的II-II′線的薄膜晶體管陣列面板截面圖。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板形成多個(gè)柵極線121和存儲(chǔ)電極線131，柵極線121、存儲(chǔ)電極線131在透明絕緣基片110上以一方向形成并彼此分離。
一部分柵極線121或突出部分使用于薄膜晶體管柵極124。而且柵極線121的一側(cè)末端接收來(lái)自驅(qū)動(dòng)電路(未示出)的信號(hào)，其寬度可以比柵極線121寬度寬。當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)電路直接形成于基片上部時(shí)，直接與柵極驅(qū)動(dòng)電路輸出端連接。
存儲(chǔ)電極線131可以具有向上擴(kuò)張寬度的擴(kuò)張部(未示出)。存儲(chǔ)電極線131接收共同電壓等預(yù)定電壓，在像素電極190和存儲(chǔ)電極線131之間形成存儲(chǔ)電容器。而且，當(dāng)存儲(chǔ)電容充分時(shí)不形成存儲(chǔ)電極線131，對(duì)前端柵極線和像素電極進(jìn)行重疊，形成或不形成存儲(chǔ)電容。
柵極線121、124及存儲(chǔ)電極線由鉻、鈦、鉭、鉬、銅、銀、鋁或它們的合金形成。優(yōu)選地，當(dāng)包括銀或鋁時(shí)還包含其它材料，特別是包含與氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)物理、化學(xué)、電接觸特性良好并耐氧化金屬層。例如，由鉻/鋁-釹合金形成。
柵極線121、124、存儲(chǔ)電極線131的側(cè)面呈傾斜狀，其增加了與上部層的緊密性。
在柵極線121、124及存儲(chǔ)電極線131上形成覆蓋柵極線121、124且由氮化硅或氧化硅組成的柵極絕緣層140。
在柵極絕緣層140上形成由非晶硅等組成的多個(gè)線型半導(dǎo)體151。線型半導(dǎo)體151主要與柵極線121交叉的方向延伸，從而突出部154向柵極124延伸。突起部154具有形成薄膜晶體管通道的通道部。
線型半導(dǎo)體151具有源極173和漏極175之間包括在內(nèi)的未被數(shù)據(jù)線171及漏極175遮擋而露出的部分，在大部分處線型半導(dǎo)體151寬度比數(shù)據(jù)線寬度171小。而且，半導(dǎo)體層151強(qiáng)化柵極線121和數(shù)據(jù)線171之間的絕緣，為了增加與上部層的緊密性，與柵極線121相交部分寬度變寬。
在半導(dǎo)體層151、154上形成由硅化物或重?fù)诫sn型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅類(lèi)材料組成的線型及島狀歐姆接觸層161、165。
線型歐姆接觸層161具有突起部163，該突起部163和島狀歐姆接觸層165成對(duì)位于半導(dǎo)體層151的突起部154上。歐姆接觸層161、165只在其下部半導(dǎo)體層151、154和其上部數(shù)據(jù)線171及漏極175之間存在，具有降低接觸電阻的作用。半導(dǎo)體層151、154及歐姆接觸層161、163、165側(cè)面也呈傾斜狀。
在歐姆接觸層161、165及柵極絕緣層上形成多個(gè)數(shù)據(jù)線171和漏極175。每個(gè)數(shù)據(jù)線171與柵極線121交叉并傳輸數(shù)據(jù)電壓。而且數(shù)據(jù)線171具有向漏極175延伸的多條分支，其成為與漏極175一起組成薄膜晶體管的源極173。
源極173和漏極175彼此分離并成對(duì)，以柵極124為中心，位于相互面對(duì)處。漏極175為了提高縱橫比與存儲(chǔ)電極線131重疊但也可以不重疊。
數(shù)據(jù)線171的一側(cè)末端179是接收外部信號(hào)的接觸部，可以擴(kuò)大寬度形成，其擴(kuò)大寬度比數(shù)據(jù)線171寬度寬。
數(shù)據(jù)線171、173及漏極175也如同柵極線121，以單層或多層(未示出)鉻、鈦、鉭、鉬、銀、銅、鋁、或它們的合金組成。而且為了降低它們數(shù)據(jù)線171、172及漏極175的電阻，當(dāng)包括鋁或銀時(shí)，優(yōu)選地，由還包括其它的材料的多層形成，特別是由包括與ITO或IZO接觸特性良好的金屬層的多層形成。
在數(shù)據(jù)線171及漏極175和露出的半導(dǎo)體層154部分上形成由平坦化特性良好并具有感光性的有機(jī)材料、通過(guò)等離子汽相沉積形成的a-Si:C:O、a-Si:O:F等低電容率絕緣材料或無(wú)機(jī)材料的氮化硅類(lèi)組成的鈍化層180。在鈍化層180形成接觸孔182、185。接觸孔182露出數(shù)據(jù)線的一側(cè)末端179，而接觸孔185露出漏極175。
此外，在鈍化層180上形成由ITO或IZO等透明材料組成的像素電極190。像素電極190通過(guò)接觸孔185與漏極175物理、電連接，從漏極175接收數(shù)據(jù)電壓。接收數(shù)據(jù)電壓的像素電極190與另外陣列面板的共同電極(未示出)一起產(chǎn)生電場(chǎng)，從而重新排列兩個(gè)電極之間的液晶分子。
像素電極190為了使像素電極190和數(shù)據(jù)線171之間的寄生電容Cdp1～Cdp4變得最小，以一定距離隔開(kāi)形成。而且像素電極190具有以分支形態(tài)延伸并與數(shù)據(jù)線171重疊的輔助圖案901。輔助圖案901寬度比數(shù)據(jù)線171寬度窄，與數(shù)據(jù)線171重疊形成寄生電容Cdp5。
參照?qǐng)D3，更具體地說(shuō)明輔助圖案901的作用。圖3是具有根據(jù)本發(fā)明的輔助圖案，產(chǎn)生錯(cuò)誤整列(調(diào)準(zhǔn))的薄膜晶體管陣列面板布局圖。為了便于說(shuō)明，在圖3中只示出了柵極線121、數(shù)據(jù)線171、像素電極190、及輔助圖案901。
如圖3所示，在數(shù)據(jù)線171a、171b、171c和柵極線121a、121b限定的像素區(qū)域形成像素電極190a、190b。而且像素電極190a、190b具有與相鄰的數(shù)據(jù)線171a、171b、171c重疊的輔助圖案901。
像素電極190a、190b在形成其工序中，由于錯(cuò)誤整列(失調(diào)準(zhǔn))在像素區(qū)域中的位置各不相同，所以數(shù)據(jù)線171a、171b、171c和像素電極190邊緣距離不均勻。因此，在數(shù)據(jù)線171a、171b、171c及像素電極190之間形成的各寄生電容Cdp1～Cdp4就不相同。這種寄生電容Cdp1～Cdp4導(dǎo)致不均勻的圖像質(zhì)量。
然而，在本發(fā)明中，與像素電極190連接的輔助圖案901與數(shù)據(jù)線171a、171b、171c重疊，形成寄生電容Cdp5。在輔助圖案901和數(shù)據(jù)線171之間形成的寄生電容Cdp5比在數(shù)據(jù)線171和像素電極190的邊緣之間形成的寄生電容Cdp1～Cdp4具有數(shù)十至數(shù)百倍大的值，所以可以忽略在數(shù)據(jù)線171和像素電極190邊緣之間形成的寄生電容Cdp1～Cdp4。而且輔助圖案901由相同大小和圖案形成，所以寄生電容Cdp5在全部陣列面板中均等，因此可以得到均勻的圖像質(zhì)量。
用輔助圖案901面積可以調(diào)整在輔助圖案901和數(shù)據(jù)線171a、171b、171c之間形成的寄生電容Cdp5值。若寄生電容Cdp5值變大，由數(shù)據(jù)線171a、171b、171c電阻值增加現(xiàn)象，使通過(guò)數(shù)據(jù)線171a、171b、171c傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號(hào)失真。然而，這種現(xiàn)象可以通過(guò)用電阻值小的金屬形成數(shù)據(jù)線171a、171b、171c或增加數(shù)據(jù)線171a、171b、171c寬度，減少電阻值來(lái)解決。
在鈍化層180上形成通過(guò)數(shù)據(jù)線一側(cè)末端179和接觸孔182連接的接觸輔助部件82。當(dāng)柵極線121末端也如同數(shù)據(jù)線末端179具有與驅(qū)動(dòng)電路連接的結(jié)構(gòu)時(shí)，在鈍化層180上形成柵極接觸輔助部件(未示出)。
然而，與薄膜晶體管一起可以形成在柵極驅(qū)動(dòng)電路基片110上，此時(shí)直接與柵極線121和薄膜晶體管連接，因此不需要接觸輔助部件等。
接觸輔助部件82通過(guò)接觸孔182與數(shù)據(jù)線一側(cè)末端179連接。接觸輔助部件82增加與外部電路裝置接觸性并保護(hù)末端，但其并非必需，因而使用與否具有選擇性。
根據(jù)上述實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板用掩膜蝕刻工序制造彼此不同的感光層圖案，但薄膜晶體管陣列面板也可以根據(jù)另外的實(shí)施例的制造方法完成。此時(shí)，薄膜晶體管陣列面板具有與上述實(shí)施例不同的結(jié)構(gòu)，對(duì)此將參照附圖具體說(shuō)明。
圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板布局圖，而圖5是沿著圖4所示的V-V′線的薄膜晶體管陣列面板截面圖。
在根據(jù)圖4及圖5示出的實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板中大部分單層結(jié)構(gòu)與圖1及圖2相同。即，在絕緣基片110上形成柵極線121，形成柵極絕緣層140覆蓋柵極線121，在柵極絕緣層140上形成半導(dǎo)體層154、歐姆接觸層161、165，在歐姆接觸層161、165上形成數(shù)據(jù)線171及漏極175，為了覆蓋數(shù)據(jù)線171、漏極175形成鈍化層180，在鈍化層180上形成與漏極175連接的像素電極190。
然而，數(shù)據(jù)線171及漏極175與歐姆接觸層161、165相同的平面圖案，半導(dǎo)體層154除了連接源極173和漏極175之間通道部之外具有與歐姆接觸層161、165相同的平面圖案。
像這樣形成輔助圖案，均勻地保持形成于各像素區(qū)域的寄生電容值，提供了一種高品質(zhì)的薄膜晶體管陣列面板。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列面板，包括絕緣基片；柵極線，在所述絕緣基片上形成且具有柵極；柵極絕緣層，在所述柵極線上形成；半導(dǎo)體層，在所述柵極絕緣層上形成；數(shù)據(jù)線，具有至少一部分與所述半導(dǎo)體層重疊的源極且與所述柵極線交叉；漏極，至少一部分與所述半導(dǎo)體層重疊，且以所述柵極為中心與所述源極保持一定間距；鈍化層，在所述漏極和所述數(shù)據(jù)線上形成；以及像素電極，在所述鈍化層上形成且與所述漏極電連接，其中所述像素電極具有與所述像素電極連接并與所述數(shù)據(jù)線重疊的輔助圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，還包括在所述半導(dǎo)體層和所述數(shù)據(jù)線之間形成的歐姆接觸層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線、所述源極、和所述漏極與所述歐姆接觸層具有相同的平面圖案；并且所述半導(dǎo)體層除了所述漏極和所述源極之間通道之外，與所述歐姆接觸層具有相同平面圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，所述鈍化層由無(wú)機(jī)材料形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，還包括與所述柵極線并排的存儲(chǔ)電極線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，一部分所述電極線與所述漏極重疊形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，所述輔助圖案寬度比所述數(shù)據(jù)線寬度窄。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管陣列面板，其包括絕緣基片、在該絕緣基片上形成并具有柵極的柵極線、在該柵極線上形成的柵極絕緣層、在該柵極絕緣層上形成的半導(dǎo)體層、具有至少一部分與半導(dǎo)體層重疊的源極且與柵極線交叉的數(shù)據(jù)線、至少一部分與半導(dǎo)體層重疊且以柵極為中心與源極保持一定間距的漏極、在漏極及數(shù)據(jù)線上形成的鈍化層、在鈍化層上形成且與漏極電連接的像素電極。像素電極具有與像素電極連接且與數(shù)據(jù)線重疊的輔助圖案。
文檔編號(hào)H01L27/12GK1591147SQ20041007373
公開(kāi)日2005年3月9日 申請(qǐng)日期2004年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月4日
發(fā)明者樸明在, 孔香植, 李榮埈, 樸亨俊 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社