專利名稱：發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，特別是具有低電阻的厚n型氮化鎵系接觸層的氮化鎵系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
習(xí)知技術(shù)氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)多量子井結(jié)構(gòu)(multiquantumwell，MQW)發(fā)光二極管，是利用n型氮化鎵(GaN)作為n型-接觸層(Contacting layer)。但如果想利用高摻雜濃度(n＞1×1019cm-3)的硅，制造低電阻的厚n型氮化鎵接觸層，在實(shí)際制造過程中發(fā)現(xiàn)，在氮化鎵層內(nèi)部，往往會(huì)因硅(Si)重?fù)诫s的結(jié)果而導(dǎo)致易發(fā)生龜裂或甚至斷裂的現(xiàn)象。此等現(xiàn)象，不僅影響氮化鎵層的制造品質(zhì)，并且因?yàn)辇斄鸦蛏踔翑嗔训默F(xiàn)象，增加在其后一步驟，于其上方制作n型歐姆接觸電極層的困難，使得整體電特性變差或?qū)щ姴涣汲蔀閺U品。影響所及，就會(huì)必然增加整個(gè)元件的操作電壓，使得運(yùn)作時(shí)消耗的電功率增加，或是制造的良率(yield)下降，增加生產(chǎn)成本。此外，硅(Si)重?fù)诫s(n＞1×1019cm-3)于厚n型氮化鎵接觸層的結(jié)果，亦容易形成點(diǎn)缺陷(pin hole)，于元件操作上會(huì)有漏電流產(chǎn)生使得整體二極管特性變差。因此，為了要克服上述的缺陷，我們需要一種新的結(jié)構(gòu)以解決前面所揭示的問題。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)前面所揭示的習(xí)知技術(shù)氮化鎵是多量子井結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管的問題，本發(fā)明首要目的，是提供一種具有短周期超晶格數(shù)字接觸層的氮化鎵系發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明又一目的是于制造高摻雜濃度(n＞1×1019cm-3)且低電阻的厚n型氮化鎵接觸層的同時(shí)，但不會(huì)發(fā)生習(xí)知技術(shù)于厚n型氮化鎵層內(nèi)，因?yàn)橹負(fù)诫s硅而容易龜裂或斷裂現(xiàn)象，得以維持重?fù)诫s氮化鎵接觸層的品質(zhì)，其通過短周期重?fù)诫s硅的氮化鋁鎵銦(n++-Al1-x-yGaxInyN)形成超晶格結(jié)構(gòu)，為具有短周期超晶格數(shù)字接觸層，以作為低電阻值的n型接觸層(Contacting layer)于氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管(InGaN/GaN MQW LEDs)。
本發(fā)明又一目的是提供其后步驟，制作n型歐姆接觸電極層的簡便性，并使得整體電特性變好，降低整體元件的操作電壓，其運(yùn)作時(shí)消耗的電功率減低，及提高生產(chǎn)良率。
本發(fā)明的目的及諸多優(yōu)點(diǎn)將通過下列具體實(shí)施例的詳細(xì)說明，及參照所附附圖，而被完全揭露。


圖1是根據(jù)本發(fā)明氮化鎵系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例。
圖2是根據(jù)本發(fā)明氮化鎵系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的短周期超晶格數(shù)字接觸層示意圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明氮化鎵系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例。
圖4是根據(jù)本發(fā)明氮化鎵系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的短周期超晶格數(shù)字接觸層示意圖。
圖中11 基板 12 雙重緩沖層121 第一緩沖層 122 第二緩沖層13 n型氮化鎵層14 短周期超晶格數(shù)字接觸層141 基礎(chǔ)層 1411第一基層1412第二基層 15 活性發(fā)光層16 p型被覆層 17 接觸層18 電極層 21 基板22 雙重緩沖層 221 第一緩沖層222 第二緩沖層 23 n型氮化鎵層24 短周期超晶格數(shù)字接觸層 240 基礎(chǔ)層2401第一基層 2402第二基層25 活性發(fā)光層 26 p型被覆層27 接觸層 28 電極層
具體實(shí)施例方式
圖1是根據(jù)本發(fā)明氮化鎵系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例。本發(fā)明氮化鎵系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例，其包含基板11，雙重緩沖層(double buffer layer)12，n型氮化鎵(GaN)層13，短周期超晶格數(shù)字接觸層14，活性發(fā)光層15，p型被覆層16，及接觸層17。
基板11的材質(zhì)是氧化鋁單晶(Sapphire)。位于基板11上的雙重緩沖層12，其包含第一緩沖層(first buffer layer)121與第二緩沖層(secondbuffer layer)122。位于基板11上的第一緩沖層121，材質(zhì)是氮化鋁鎵銦(Al1-x-yGaxInyN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1。位于第一緩沖層121上的第二緩沖層122，材質(zhì)是氮化硅(SiN)。n型氮化鎵(GaN)層13位于雙重緩沖層12上。
圖2是根據(jù)本發(fā)明氮化鎵是發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的短周期超晶格數(shù)字接觸層示意圖。位于n型氮化鎵(GaN)層13上的短周期超晶格數(shù)字接觸層14，其包含位于n型氮化鎵(GaN)層13上的復(fù)數(shù)個(gè)基礎(chǔ)層141，可重復(fù)相疊，一般而言，其相疊個(gè)數(shù)不少于5?；A(chǔ)層141包含第一基層1411與第二基層1412。第一基層1411，其材質(zhì)是硅(Si)重?fù)诫s的n型氮化鋁鎵銦(n++-Al1-x-yGaxInyN)，重?fù)诫s濃度不小于每立方公分1019個(gè)(n＞1×1019cm-3)，且其中0≤X＜1，0≤Y＜1。第一基層1411的厚度介于5埃到50埃，形成溫度介于攝氏600度到1200度。位于第一基層1411上的第二基層1412，其材質(zhì)是氮化硅(SiN)。第二基層1412的厚度介于2埃到10埃，形成溫度介于攝氏600度到1200度。因此，第一基層1411可位在n型氮化鎵(GaN)層13或經(jīng)重復(fù)相疊后，位在第二基層1412上。
位于短周期超晶格數(shù)字接觸層14上的活性發(fā)光層15，其材質(zhì)是氮化銦鎵(InGaN)。位于活性發(fā)光層15上的p型被覆層16，其材質(zhì)是鎂摻雜(Mg-doped)氮化鋁鎵銦(Al1-x-yGaxInyN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1。位于p型被覆層16上的接觸層17，其材質(zhì)是鎂摻雜(Mg-doped)p型氮化鋁鎵銦(Al1-x-yGaxInyN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1。
本發(fā)明氮化鎵系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例，進(jìn)一步地包含電極層18，其位于接觸層17或短周期超晶格數(shù)字接觸層14上，且其可形成良好歐姆接觸。電極層18包含Ti/Al，Cr/Au，Cr/Al，Cr/Pt/Au，Ti/Pt/Au，Cr/Pd/Au，Ti/Pd/Au，Ti/Al/Ti/Au，Ti/Al/Pt/Au，Ti/Al/Ni/Au，Ti/Al/Pd/Au，Ti/Al/Cr/Au，Ti/Al/Co/Au，Cr/Al/Cr/Au，Cr/Al/Pt/Au，Cr/Al/Pd/Au，Cr/Al/Ti/Au，Cr/Al/Co/Au，Cr/Al/Ni/Au，Pd/Al/Ti/Au，Pd/Al/Pt/Au，Pd/Al/Ni/Au，Pd/Al/Pd/Au，Pd/Al/Cr/Au，Pd/Al/Co/Au，Nd/Al/Pt/Au，Nd/Al/Ti/Au，Nd/Al/Ni/Au，Nd/Al/Cr/Au，Nd/Al/Co/Au，Hf/Al/Ti/Au，Hf/AI/Pt/Au，Hf/Al/Ni/Au，Hf/Al/Pd/Au，Hf/Al/Cr/Au，Hf/Al/Co/Au，Zr/Al/Ti/Au，Zr/Al/Pt/Au，Zr/Al/Ni/Au，Zr/Al/Pd/Au，Zr/Al/Cr/Au，Zr/Al/Co/Au，TiNx/Ti/Au，TiNx/Pt/Au，TiNx/Ni/Au，TiNx/Pd/Au，TiNx/Cr/Au，TiNx/Co/Au，TiWNx/Ti/Au，TiWNx/Pt/Au，TiWNx/Ni/Au，TiWNx/Pd/Au，TiWNx/Cr/Au，TiWNx/Co/Au，NiAl/Pt/Au，NiAl/Cr/Au，NiAl/Ni/Au，NiAl/Ti/Au，Ti/NiAl/Pt/Au，Ti/NiAl/Ti/Au，Ti/NiAl/Ni/Au，Ti/NiAl/Cr/Au，或任何其它上述材料形成的化合物。
圖3是根據(jù)本發(fā)明氮化鎵系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例。本發(fā)明氮化鎵系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例，其包含基板21，雙重緩沖層(double buffer layer)22，n型氮化鎵(GaN)層23，短周期超晶格數(shù)字接觸層24，活性發(fā)光層25，p型被覆層26，及接觸層27。
基板21的材質(zhì)是氧化鋁單晶(Sapphire)。位于基板21上的雙重緩沖層(double buffer layer)22，包含第一緩沖層(first buffer layer)221與第二緩沖層(second buffer layer)222。位于基板21上的第一緩沖層(firstbuffer layer)221，其材質(zhì)是氮化鋁鎵銦(Al1-x-yGaxInyN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1。位于第一緩沖層221的第二緩沖層(second buffer layer)222，其材質(zhì)是氮化硅(SiN)。n型氮化鎵(GaN)層23，是位于雙重緩沖層22上。
圖4是根據(jù)本發(fā)明氮化鎵系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的短周期超晶格數(shù)字接觸層示意圖。位于n型氮化鎵(GaN)層23上的短周期超晶格數(shù)字接觸層24，包含位于n型氮化鎵(GaN)層23上的復(fù)數(shù)個(gè)基礎(chǔ)層240?；A(chǔ)層240可重復(fù)相疊，一般而言，其相疊個(gè)數(shù)不少于5?；A(chǔ)層240包含第一基層2401，與第二基層2402。第一基層2401，其材質(zhì)是硅(Si)重?fù)诫sn型氮化鋁鎵銦(n++-Al1-x-yGaxInyN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1。第一基層2401的重?fù)诫s濃度不小于每立方公分1019個(gè)(n＞1×1019cm-3)。第一基層2401的厚度介于5埃到50埃。第一基層2401的形成溫度介于攝氏600度到1200度。
位于第一基層2401上的第二基層2402，其材質(zhì)是未摻雜(undoped)氮化銦鎵(InuGauN)，其中0≤u＜1。第二基層2402的厚度介于5埃到50埃。第二基層2402的形成溫度介于攝氏600度到1200度。第一基層2401可位在n型氮化鎵(GaN)層23上，或經(jīng)重復(fù)相疊后，位在第二基層2402上。
位于短周期超晶格數(shù)字接觸層24上活性發(fā)光層25，其材質(zhì)是氮化銦鎵(InGaN)。位于活性發(fā)光層25上的p型被覆層26，其材質(zhì)是鎂摻雜(Mg-doped)氮化鋁鎵銦(Al1-x-yGaxInyN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1。位于p型被覆層26上的接觸層27，其材質(zhì)是鎂摻雜(Mg-doped)p型氮化鋁鎵銦(Al1-x-yGaxInyN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1。
本發(fā)明氮化鎵系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例，進(jìn)一步地包含電極層28，其可位于接觸層27或短周期超晶格數(shù)字接觸層24上，且其可形成良好歐姆接觸。電極層28包含Ti/Al，Cr/Au，Cr/Al，Cr/Pt/Au，Ti/Pt/Au，Cr/Pd/Au，Ti/Pd/Au，Ti/Al/Ti/Au，Ti/Al/Pt/Au，Ti/Al/Ni/Au，Ti/Al/Pd/Au，Ti/Al/Cr/Au，Ti/Al/Co/Au，Cr/Al/Cr/Au，Cr/Al/Pt/Au，Cr/Al/Pd/Au，Cr/Al/Ti/Au，Cr/Al/Co/Au，Cr/Al/Ni/Au，Pd/Al/Ti/Au，Pd/Al/Pt/Au，Pd/Al/Ni/Au，Pd/Al/Pd/Au，Pd/Al/Cr/Au，Pd/Al/Co/Au，Nd/Al/Pt/Au，Nd/Al/Ti/Au，Nd/Al/Ni/Au，Nd/Al/Cr/Au，Nd/Al/Co/Au，Hf/Al/Ti/Au，Hf/AI/Pt/Au，Hf/Al/Ni/Au，Hf/Al/Pd/Au，Hf/Al/Cr/Au，Hf/Al/Co/Au，Zr/Al/Ti/Au，Zr/Al/Pt/Au，Zr/Al/Ni/Au，Zr/Al/Pd/Au，Zr/Al/Cr/Au，Zr/Al/Co/Au，TiNx/Ti/Au，TiNx/Pt/Au，TiNx/Ni/Au，TiNx/Pd/Au，TiNx/Cr/Au，TiNx/Co/Au，TiWNx/Ti/Au，TiWNx/Pt/Au，TiWNx/Ni/Au，TiWNx/Pd/Au，TiWNx/Cr/Au，TiWNx/Co/Au，NiAl/Pt/Au，NiAl/Cr/Au，NiAl/Ni/Au，NiAl/Ti/Au，Ti/NiAl/Pt/Au，Ti/NiAl/Ti/Au，Ti/NiAl/Ni/Au，Ti/NiAl/Cr/Au，或任何其它上述材料形成的化合物。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用以限定本發(fā)明的申請(qǐng)專利范圍，任何其它不脫離本發(fā)明所揭示精神而完成的改變或修飾，均應(yīng)包括在本發(fā)明的申請(qǐng)專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種氮化鎵系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含一基板，其材質(zhì)是氧化鋁單晶(Sapphire)；一雙重緩沖層(double buffer layer)，位于該基板上，其包含一第一緩沖層(first buffer layer)，其材質(zhì)是氮化鋁鎵銦(Al1-x-yGaxInyN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1，位于該基板上；一第二緩沖層(second buffer layer)，其材質(zhì)是氮化硅(SiN)，位于該第一緩沖層上；一n型氮化鎵(GaN)層，是位于該雙重緩沖層上；一短周期超晶格數(shù)字接觸層，是位于該n型氮化鎵(GaN)層上，其包含復(fù)數(shù)個(gè)基礎(chǔ)層，是位于該n型氮化鎵(GaN)層上，該基礎(chǔ)層包含一第一基層，其材質(zhì)是硅(Si)重?fù)诫s的n型氮化鋁鎵銦(n++-Al1-x-yGaxInyN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1；及一第二基層，位于該第一基層上，其材質(zhì)是氮化硅(SiN)；一活性發(fā)光層，其材質(zhì)是氮化銦鎵(InGaN)，是位于該短周期超晶格數(shù)字接觸層上；一p型被覆層，其材質(zhì)是鎂摻雜(Mg-doped)氮化鋁鎵銦(Al1-x-yGaxInyN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1，且位于該活性發(fā)光層上；及一接觸層，其材質(zhì)是鎂摻雜(Mg-doped)p型氮化鋁鎵銦(Al1-x-yGaxInyN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1，是位于該p型被覆層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一基層可位在該n型氮化鎵(GaN)層或該第二基層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一基層的厚度介于5埃到50埃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一基層的形成溫度介于攝氏600度到1200度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一基層的重?fù)诫s濃度不小于每立方公分1019個(gè)(n＞1×1019cm-3)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二基層的厚度介于2埃到10埃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二基層的形成溫度介于攝氏600度到1200度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基礎(chǔ)層的個(gè)數(shù)不少于5。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步地包含一電極層，其位于該接觸層或該短周期超晶格數(shù)字接觸層上，且其可形成良好歐姆接觸，該電極層包含Ti/Al，Cr/Au，Cr/Al，Cr/Pt/Au，Ti/Pt/Au，Cr/Pd/Au，Ti/Pf/Au，Ti/Al/Ti/Au，Ti/Al/Pt/Au，Ti/Al/Ni/Au，Ti/Al/Pd/Au，Ti/Al/Cr/Au，Ti/Al/Co/Au，Cr/Al/Cr/Au，Cr/Al/Pt/Au，Cr/Al/Pd/Au，Cr/Al/Ti/Au，Cr/Al/Co/Au，Cr/Al/Ni/Au，Pd/Al/Ti/Au，Pd/Al/Pt/Au，Pd/Al/Ni/Au，Pd/Al/Pd/Au，Pd/Al/Cr/Au，Pd/Al/Co/Au，Nd/Al/Pt/Au，Nd/Al/Ti/Au，Nd/Al/Ni/Au，Nd/Al/Cr/Au，Nd/Al/Co/Au，Hf/Al/Ti/Au，Hf/Al/Pt/Au，Hf/Al/Ni/Au，Hf/Al/Pd/Au，Hf/Al/Cr/Au，Hf/Al/Co/Au，Zr/Al/Ti/Au，Zr/Al/Pt/Au，Zr/Al/Ni/Au，Zr/Al/Pd/Au，Zr/Al/Cr/Au，Zr/Al/Co/Au，TiNx/Ti/Au，TiNx/Pt/Au，TiNx/Ni/Au，TiNx/Pd/Au，TiNx/Cr/Au，TiNx/Co/Au，TiWNx/Ti/Au，TiWNx/Pt/Au，TiWNx/Ni/Au，TiWNx/Pd/Au，TiWNx/Cr/Au，TiWNx/Co/Au，NiAl/Pt/Au，NiAl/Cr/Au，NiAl/Ni/Au，NiAl/Ti/Au，Ti/NiAl/Pt/Au，Ti/NiAl/Ti/Au，Ti/NiAl/Ni/Au，Ti/NiAl/Cr/Au，或任何其它上述材料形成的化合物。
10.一種氮化鎵是發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包含一基板，其材質(zhì)是氧化鋁單晶(Sapphire)；一雙重緩沖層(double buffer layer)，位于該基板上，其包含一第一緩沖層(first buffer layer)，其材質(zhì)是氮化鋁鎵銦(Al1-x-yGaxInyN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1，位于該基板上；一第二緩沖層(second buffer layer)，其材質(zhì)是氮化硅(SiN)，位于該第一緩沖層上；一n型氮化鎵(GaN)層，是位于該雙重緩沖層上；一短周期超晶格數(shù)字接觸層，是位于該n型氮化鎵(GaN)層上，其包含復(fù)數(shù)個(gè)基礎(chǔ)層，是位于該n型氮化鎵(GaN)層上，該基礎(chǔ)層包含一第一基層，其材質(zhì)是硅(Si)重?fù)诫sn型氮化鋁鎵銦(n++-Al1-x-yGaxInyN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1；及一第二基層，位于該第一基層上，其材質(zhì)是未摻雜(undoped)氮化銦鎵(InuGauN)，其中0≤u＜1；一活性發(fā)光層，其材質(zhì)是氮化銦鎵(InGaN)，是位于該短周期超晶格數(shù)字接觸層上；一p型被覆層，其材質(zhì)是鎂摻雜(Mg-doped)氮化鋁鎵銦(Al1-x-yGaxInyN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1，且位于該活性發(fā)光層上；及一接觸層，其材質(zhì)是鎂摻雜(Mg-doped)p型氮化鋁鎵銦(Al1-x-yGaxInyN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1，是位于該p型被覆層上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一基層可位在該n型氮化鎵(GaN)層或該第二基層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一基層的厚度介于5埃到50埃。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一基層的形成溫度介于攝氏600度到1200度。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一基層的重?fù)诫s濃度不小于每立方公分1019個(gè)(n＞1×1019cm-3)。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二基層的厚度介于5埃到50埃。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二基層的形成溫度介于攝氏600度到1200度。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基礎(chǔ)層的個(gè)數(shù)不少于5。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步地包含一電極層，其位于該接觸層或該短周期超晶格數(shù)字接觸層上，且其可形成良好歐姆接觸，該電極層包含Ti/Al，Cr/Au，Cr/Al，Cr/Pt/Au，Ti/Pt/Au，Cr/Pd/Au，Ti/Pd/Au，Ti/Al/Ti/Au，Ti/Al/Pt/Au，Ti/Al/Ni/Au，Ti/Al/Pd/Au，Ti/Al/Cr/Au，Ti/Al/Co/Au，Cr/Al/Cr/Au，Cr/Al/Pt/Au，Cr/Al/Pd/Au，Cr/Al/Ti/Au，Cr/Al/Co/Au，Cr/Al/Ni/Au，Pd/Al/Ti/Au，Pd/Al/Pt/Au，Pd/Al/Ni/Au，Pd/Al/Pd/Au，Pd/Al/Cr/Au，Pd/Al/Co/Au，Nd/Al/Pt/Au，Nd/Al/Ti/Au，Nd/Al/Ni/Au，Nd/Al/Cr/Au，Nd/Al/Co/Au，Hf/Al/Ti/Au，Hf/AI/Pt/Au，Hf/Al/Ni/Au，Hf/Al/Pd/Au，Hf/Al/Cr/Au，Hf/Al/Co/Au，Zr/Al/Ti/Au，Zr/Al/Pt/Au，Zr/Al/Ni/Au，Zr/Al/Pd/Au，Zr/Al/Cr/Au，Zr/Al/Co/Au，TiNx/Ti/Au，TiNx/Pt/Au，TiNx/Ni/Au，TiNx/Pd/Au，TiNx/Cr/Au，TiNx/Co/Au，TiWNx/Ti/Au，TiWNx/Pt/Au，TiWNx/Ni/Au，TiWNx/Pd/Au，TiWNx/Cr/Au，TiWNx/Co/Au，NiAl/Pt/Au，NiAl/Cr/Au，NiAl/Ni/Au，NiAl/Ti/Au，Ti/NiAl/Pt/Au，Ti/NiAl/Ti/Au，Ti/NiAl/Ni/Au，Ti/NiAl/Cr/Au，或任何其它上述材料形成的化合物。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有短周期超晶格數(shù)字接觸層的氮化鎵是發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，包含基板，雙重緩沖層，n型氮化鎵層，短周期超晶格數(shù)字接觸層，活性發(fā)光層，p型被覆層，及接觸層。在制造高摻雜濃度(n＞1×10
文檔編號(hào)H01L33/00GK1747185SQ20041007392
公開日2006年3月15日 申請(qǐng)日期2004年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月6日
發(fā)明者涂如欽, 武良文, 游正璋, 溫子稷, 簡奉任 申請(qǐng)人:璨圓光電股份有限公司