專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使半導(dǎo)體器件高耐壓化的技術(shù)。特別是涉及與把已形成了半導(dǎo)體開關(guān)元件組的中心區(qū)域圍起來的保護(hù)環(huán)有關(guān)的技術(shù)。
背景技術(shù)：
為了在功率控制方面應(yīng)用，人們正在開發(fā)具備MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)構(gòu)造或IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)構(gòu)造等的半導(dǎo)體開關(guān)元件組的半導(dǎo)體器件。圖12例示出了具備半導(dǎo)體開關(guān)元件組的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖中M是中心區(qū)域，是已形成了半導(dǎo)體開關(guān)元件組的區(qū)域。圖中N是周邊區(qū)域，把中心區(qū)域M圍了起來，位于半導(dǎo)體襯底137的周邊。在周邊區(qū)域N中，形成有把半導(dǎo)體開關(guān)元件組圍起來的保護(hù)環(huán)組138。保護(hù)環(huán)組138，是為了提高半導(dǎo)體器件的耐壓而形成的。在中心區(qū)域M內(nèi)，布滿使半導(dǎo)體開關(guān)元件組變成為ON(導(dǎo)通)的柵電極組(省略未畫)，已連接到該柵電極組上的柵布線148橫跨周邊區(qū)域N地延伸。
圖13是圖12的XIII-XIII線剖面圖。該剖面圖模式性地示出了中心區(qū)域M和周邊區(qū)域N的邊界附近。另外，周邊區(qū)域N的保護(hù)環(huán)，一般地說，雖然大多是要形成十幾個(gè)，但是，在圖13中卻僅僅示出了內(nèi)周一側(cè)的3個(gè)保護(hù)環(huán)138a、138b、138c，請(qǐng)留意這一點(diǎn)。
圖13例示出了具備IGBT構(gòu)造的半導(dǎo)體開關(guān)元件組的半導(dǎo)體器件。從下邊開始依次具備集電極電極120；與該集電極電極120接連的第1導(dǎo)電類型(在本例中為p+型)的半導(dǎo)體襯底122；已疊層到該半導(dǎo)體襯底122上邊的第2導(dǎo)電類型(在本例中為n+型)的緩沖層124；已疊層到該緩沖層124上邊的第2導(dǎo)電類型(在本例中為n-型)的漂移層126；在該漂移層126內(nèi)形成的第1導(dǎo)電類型(在本例中為p-型)的體區(qū)域134；在該體區(qū)域134內(nèi)形成的第2導(dǎo)電類型(在本例中為n+型)的發(fā)射極區(qū)域130；在該體區(qū)域134內(nèi)形成的第1導(dǎo)電類型(在本例中為p+型)的體接觸區(qū)域132，與存在于該發(fā)射極區(qū)域130與漂移層126之間的體區(qū)域134中間存在著絕緣層136對(duì)向的柵電極135；與發(fā)射極區(qū)域130和體接觸區(qū)域132接連的發(fā)射極電極144。
漂移層126朝向周邊區(qū)域N地延伸，在該漂移層126內(nèi)形成有保護(hù)環(huán)組138a、138b、138c。
用發(fā)射極區(qū)域130、體區(qū)域134、漂移層126、緩沖層124、中間存在著絕緣層136地與存在于發(fā)射極區(qū)域130與漂移層126之間的體區(qū)域134對(duì)向的柵電極135構(gòu)成作為單位的IGBT構(gòu)造，該作為單位的IGBT構(gòu)造，在圖的左方反復(fù)地進(jìn)行重復(fù)。
保護(hù)環(huán)組138a、138b、138c緩和等電位線過度地集中到最外周的半導(dǎo)體開關(guān)元件的柵絕緣膜136上的現(xiàn)象，要做成為使得等電位線橫切保護(hù)環(huán)組138a、138b、138c與漂移層126的pn結(jié)面的寬廣的范圍。就是說，保護(hù)環(huán)組138a、138b、138c要做成為使得在使耗盡層擴(kuò)展到周邊區(qū)域N內(nèi)，用廣為擴(kuò)展的耗盡層確保耐壓的同時(shí)，還不產(chǎn)生局部的電場集中。
此外，在半導(dǎo)體開關(guān)元件的導(dǎo)通時(shí)，例如在尖峰電壓等的高的電壓施加到半導(dǎo)體器件上的情況下，如圖13中的箭頭所示，存在于漂移層126內(nèi)的剩余的空穴，擊穿了在保護(hù)環(huán)組138a、138b、138c與漂移層126之間的pn結(jié)面的附近形成的耗盡層后流入到保護(hù)環(huán)組138a、138b、138c內(nèi)。流入進(jìn)來的空穴，從最內(nèi)周保護(hù)環(huán)138a經(jīng)由體區(qū)域134和體接觸區(qū)域132向發(fā)射極電極144排出。剩余的空穴則遍及相鄰接的保護(hù)環(huán)地進(jìn)行流動(dòng)。
使得可以順暢地排除空穴那樣地，在與已在最外周上形成的半導(dǎo)體開關(guān)元件的p-型的體區(qū)域134彼此重疊的位置上形成要在最內(nèi)周上形成的p+型的保護(hù)環(huán)138a。柵布線148，中間存在著絕緣層146地，與最外周的半導(dǎo)體開關(guān)元件的p-型的體區(qū)域134和最內(nèi)周的p+型的保護(hù)環(huán)138a的重復(fù)部分對(duì)向。
在該種的半導(dǎo)體器件中，在已給半導(dǎo)體器件施加上尖峰電壓等的高的電壓的情況下，在周邊區(qū)域N中半導(dǎo)體器件就要發(fā)熱，半導(dǎo)體器件常常會(huì)遭受熱破壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于查明在周邊區(qū)域N中發(fā)熱的原因，提供在周邊區(qū)域中不會(huì)招致熱破壞的半導(dǎo)體器件。
本發(fā)明人等，在在中心區(qū)域中形成了MOS構(gòu)造或IGBT構(gòu)造等的半導(dǎo)體開關(guān)元件組，在周邊區(qū)域中形成了保護(hù)環(huán)組的半導(dǎo)體器件中，詳細(xì)地研究了在其周邊區(qū)域中發(fā)熱的現(xiàn)象后，發(fā)現(xiàn)發(fā)熱最劇烈的部分，是最外周的半導(dǎo)體開關(guān)元件的體區(qū)域與最內(nèi)周的保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域。還發(fā)現(xiàn)其中，在中間存在著絕緣層與柵布線對(duì)向的重復(fù)區(qū)域中，發(fā)熱最為劇烈。
于是，在追尋其原因時(shí)，發(fā)現(xiàn)在最外周的體區(qū)域和最內(nèi)周的保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域的剖面上，存在著深度局部地變淺的區(qū)域，空穴不能通過的截面積減少，是一個(gè)重要因素。此外，還發(fā)現(xiàn)當(dāng)給柵布線施加上電壓后，在與柵布線對(duì)向的區(qū)域的上部形成反型層，空穴可以通過的截面積進(jìn)一步減少，是另外一個(gè)重要因素。已經(jīng)確認(rèn)在現(xiàn)實(shí)的半導(dǎo)體器件中，由于柵布線延伸為橫切最外周的體區(qū)域和最內(nèi)周的保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域，故在與柵布線對(duì)向的重復(fù)區(qū)域中2個(gè)重要因素重疊地產(chǎn)生，這就會(huì)帶來劇烈的發(fā)熱。
本發(fā)明人等，由于得到了上述的新的見解，故成功地防止了半導(dǎo)體器件在周邊區(qū)域中因發(fā)熱而遭受破壞的情況的發(fā)生。
在本發(fā)明中所創(chuàng)制的半導(dǎo)體器件，具有已形成了半導(dǎo)體開關(guān)元件組的中心區(qū)域，和已形成了把該中心區(qū)域圍起來的保護(hù)環(huán)組的周邊區(qū)域。具備在最外周上形成的半導(dǎo)體開關(guān)元件的體區(qū)域，和在最內(nèi)周形成的保護(hù)環(huán)重疊起來地形成，已連接到半導(dǎo)體開關(guān)元件組的柵電極上的柵布線，中間存在著絕緣層地與體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域?qū)ο虻臉?gòu)造。
在本發(fā)明中所創(chuàng)制的一個(gè)半導(dǎo)體器件，其特征在于體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域的寬度(正確地說指的是從中心區(qū)域朝向周邊區(qū)域地測定半導(dǎo)體區(qū)域的表面已露出來的重復(fù)區(qū)域的寬度)是體區(qū)域的深度和保護(hù)環(huán)的深度之內(nèi)的深的一方的深度的1/3以上。
在現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件中，最外周的體區(qū)域和最內(nèi)周的保護(hù)環(huán)也進(jìn)行重復(fù)。但是，在現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件中，最外周的體區(qū)域和最內(nèi)周的保護(hù)環(huán)只要接觸即可，由于并未認(rèn)識(shí)到使之特意地重復(fù)得大的必要性，故不過是即便存在著掩模對(duì)準(zhǔn)的偏差也會(huì)進(jìn)行接觸那種程度地進(jìn)行重復(fù)。
至少不是那種認(rèn)識(shí)到在與柵布線對(duì)向的部分上形成反型層，載流子的通過截面積將會(huì)減少的情況后使之進(jìn)行重復(fù)。
因此，在現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件中重復(fù)是不充分的，體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域的寬度達(dá)不到體區(qū)域的深度和保護(hù)環(huán)的深度之內(nèi)的深的一方的深度的1/3以上。為此，在與柵布線對(duì)向的重復(fù)區(qū)域中，歸因于上邊所說的2個(gè)重要因素而發(fā)生了劇烈的發(fā)熱。
根據(jù)本發(fā)明人等的研究，已經(jīng)確認(rèn)如果把體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域的寬度做成為體區(qū)域的深度和保護(hù)環(huán)的深度之內(nèi)的深的一方的深度的1/3以上，則對(duì)于第1重要因素就可以有效地應(yīng)對(duì)，即便是假定載流子的通過截面積因在與柵布線對(duì)向的區(qū)域上形成了反型層而變窄，也可以在體區(qū)域和保護(hù)環(huán)之間確保充分的載流子的通過截面積，可以抑制劇烈的發(fā)熱。
這里所說的深度指的是擴(kuò)散深度，指的是從半導(dǎo)體區(qū)域的表面到導(dǎo)電類型反型的深度為止的距離。
體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域的最小深度是體區(qū)域的深度的1/2以上，是理想的。
如果把體區(qū)域與保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域做成為剖面視圖，則在體區(qū)域和保護(hù)環(huán)之間局部性地存在著變淺的區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明人等的研究，已經(jīng)確認(rèn)如果確保最淺的深度就是說最小深度在體區(qū)域的深度的1/2以上，則可以充分地確保載流子的導(dǎo)通路徑，可以抑制劇烈的發(fā)熱。
根據(jù)通常的擴(kuò)散條件，若把體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域的寬度做成為體區(qū)域的深度和保護(hù)環(huán)的深度之內(nèi)的深的一方的深度的1/3以上，則可以確保體區(qū)域的深度的1/2以上的最小深度。
在大多數(shù)的情況下，保護(hù)環(huán)這一方比體區(qū)域更深。在保護(hù)環(huán)這一方比體區(qū)域更深的情況下，理想的是把體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域的寬度做成為體區(qū)域的深度的2/3以上，做成為保護(hù)環(huán)的深度的1/3以上倘滿足上述條件，則可以確保載流子的導(dǎo)通路徑，可以抑制劇烈的發(fā)熱。
根據(jù)本發(fā)明，發(fā)現(xiàn)重要的是在已給柵布線施加上柵導(dǎo)通電壓時(shí)的、柵布線正下邊的重復(fù)區(qū)域的電阻率，要在20Ω·cm以下。
當(dāng)給柵布線施加上柵導(dǎo)通電壓時(shí)，體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域上部(與柵布線對(duì)向的區(qū)域)上就要形成反型層，重復(fù)區(qū)域的電阻就要增大。即便是在電阻增大后的狀態(tài)下，如果滿足把體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域的電阻率抑制到20Ω·cm以下的條件，則可以充分地確保載流子的導(dǎo)通路徑，可以抑制劇烈的發(fā)熱。
若采用本發(fā)明，則可以提供在柵布線正下邊的重復(fù)區(qū)域中確保載流子的導(dǎo)通路徑的其它的各種各樣的手法。
在本發(fā)明中所創(chuàng)制的一個(gè)半導(dǎo)體器件，其特征在于在包括與柵布線對(duì)向的體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域的區(qū)域的上部，形成有高濃度地含有與體區(qū)域和保護(hù)環(huán)同一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的層。
該高濃度層，作為抑制或禁止在體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的表面附近(與柵布線對(duì)向的部分)進(jìn)行反型的層發(fā)揮作用。由于柵布線的電壓抑制或禁止在體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的表面附近形成反型層，故可以抑制載流子的導(dǎo)通路徑變窄的現(xiàn)象的發(fā)生。該高濃度層，理想的是在與柵布線對(duì)向，此外，還包括體區(qū)域和保護(hù)環(huán)進(jìn)行重復(fù)的區(qū)域的區(qū)域上形成。
另外，由于若利用該高濃度層則可以抑制或禁止體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的表面附近進(jìn)行反型，故可以緩和體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)范圍的制約，因此，在要利用該高濃度層的情況下，即便是重復(fù)區(qū)域的寬度小于體區(qū)域和保護(hù)環(huán)中的深的一方的深度的1/3，仍可以充分地確保載流子的導(dǎo)通路徑，可以抑制劇烈的發(fā)熱。
在本發(fā)明中所創(chuàng)制的一個(gè)半導(dǎo)體器件，其特征在于在包括與柵布線對(duì)向的體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域的區(qū)域的上部，形成有含有與體區(qū)域和保護(hù)環(huán)不同的導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的層。
該相反導(dǎo)電類型的雜質(zhì)層，本來可以評(píng)價(jià)為已進(jìn)行了反型的層。因此，即便是給柵布線施加上了電壓，也可以限制反型層一直延伸到其下方。因此只要預(yù)先形成相反導(dǎo)電類型的雜質(zhì)層。由于柵布線的電壓可以限制在體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的表面附近超過設(shè)想的反型層的形成。故可以抑制載流子的導(dǎo)通路徑變窄的事項(xiàng)的發(fā)生。該相反導(dǎo)電類型的雜質(zhì)層，理想的是與柵布線對(duì)向，而且在包括體區(qū)域和保護(hù)環(huán)進(jìn)行重復(fù)的區(qū)域的區(qū)域上形成。
另外，由于若利用該相反導(dǎo)電類型的雜質(zhì)層，則可以限制體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的表面附近進(jìn)行超過設(shè)想的反型，故可以緩和體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)范圍的制約。即便是重復(fù)區(qū)域的寬度小于體區(qū)域和保護(hù)環(huán)中的深的一方的深度的1/3，也可以充分地確保載流子的導(dǎo)通路徑，可以抑制劇烈的發(fā)熱。
本發(fā)明，在應(yīng)用于具有可以排出多量的載流子的構(gòu)造的半導(dǎo)體開關(guān)元件的半導(dǎo)體器件時(shí)，則將實(shí)現(xiàn)特別有用的結(jié)果。該半導(dǎo)體器件所具備的半導(dǎo)體開關(guān)元件，具有集電極電極；與該集電極電極接連的第1導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底；疊層到該半導(dǎo)體襯底上邊的第2導(dǎo)電類型的漂移層；在該漂移層內(nèi)形成的第1導(dǎo)電類型的體區(qū)域；在該體區(qū)域內(nèi)形成的第2導(dǎo)電類型的發(fā)射極區(qū)域；中間存在著絕緣層地與存在于該發(fā)射極區(qū)域和漂移層之間的體區(qū)域?qū)ο虻臇烹姌O；與發(fā)射極區(qū)域接連的發(fā)射極電極。其特征在于漂移層朝向周邊區(qū)域延伸，在該漂移層內(nèi)形成有第1導(dǎo)電類型的保護(hù)環(huán)組。另外，根據(jù)需要，還可以在半導(dǎo)體襯底與漂移層之間形成第2導(dǎo)電類型的高濃度的緩沖層。具備該緩沖層的IGBT構(gòu)造，一般地說叫做PT(穿通)型。
上述的半導(dǎo)體器件，利用了IGBT構(gòu)造的半導(dǎo)體開關(guān)元件，當(dāng)施加上高的電壓時(shí)，就會(huì)向最外周的體區(qū)域排出多量的載流子。若采用上邊所說的任何一種構(gòu)造，由于可以在最內(nèi)周的保護(hù)環(huán)和最外周的體區(qū)域之間確保寬的排出路徑，故可以抑制半導(dǎo)體器件因在周邊區(qū)域中發(fā)熱而招致破壞。
本發(fā)明，此外，還產(chǎn)生出了制造耐壓高的半導(dǎo)體器件的新的方法。在該方法中，要實(shí)施向包括體區(qū)域和保護(hù)環(huán)進(jìn)行重復(fù)，同時(shí)與柵布線對(duì)向的區(qū)域的半導(dǎo)體區(qū)域的上部，比形成體區(qū)域和保護(hù)環(huán)時(shí)的注入深度淺地注入雜質(zhì)離子并使之?dāng)U散的工序。
如果實(shí)施上述工序，則可以制造可以形成禁止或限制體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的表面附近進(jìn)行反型的反型防止層或反型限制層，使得在周邊區(qū)域中不會(huì)因發(fā)熱而招致破壞的半導(dǎo)體器件。
倘采用本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，則可以抑制半導(dǎo)體器件在周邊區(qū)域中因發(fā)熱而招致熱破壞的事項(xiàng)的發(fā)生，可以提高半導(dǎo)體器件的耐壓。


圖1示出了本發(fā)明的實(shí)施例1的主要部分斜視圖。
圖2示出了重疊比與寄生MOS的電阻率的關(guān)系。
圖3示出了本發(fā)明的實(shí)施例1的制造工序(1)。
圖4示出了本發(fā)明的實(shí)施例1的制造工序(2)。
圖5示出了本發(fā)明的實(shí)施例1的制造工序(3)。
圖6示出了本發(fā)明的實(shí)施例2的主要部分斜視圖。
圖7示出了本發(fā)明的實(shí)施例2的制造工序(1)。
圖8示出了本發(fā)明的實(shí)施例2的制造工序(2)。
圖9示出了本發(fā)明的實(shí)施例2的制造工序(3)。
圖10示出了本發(fā)明的實(shí)施例2的制造工序(4)。
圖11示出了本發(fā)明的實(shí)施例3的主要部分斜視圖。
圖12示出了現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的平面圖。
圖13示出了現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的主要部分剖面圖。
具體實(shí)施例方式
以下所述的實(shí)施例的主要的特征列舉如下。
(形態(tài)1)，是一種具有已形成了半導(dǎo)體開關(guān)元件組的中心區(qū)域，和已形成了把該中心區(qū)域圍起來的保護(hù)環(huán)組的周邊區(qū)域的半導(dǎo)體器件，其特征在于
每一個(gè)的半導(dǎo)體開關(guān)元件，都具有集電極電極；與該集電極電極接連的第1導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底；疊層到該半導(dǎo)體襯底上邊的第2導(dǎo)電類型的緩沖層；在該緩沖層上疊層的第2導(dǎo)電類型的漂移層；在該漂移層內(nèi)形成的第1導(dǎo)電類型的體區(qū)域；在該體區(qū)域內(nèi)形成的第2導(dǎo)電類型的發(fā)射極區(qū)域；在該體區(qū)域內(nèi)形成的第1導(dǎo)電類型的體接觸區(qū)域；中間存在著絕緣層地與存在于該發(fā)射極區(qū)域和漂移層之間的體區(qū)域?qū)ο虻臇烹姌O；與發(fā)射極區(qū)域和體接觸區(qū)域接連的發(fā)射極電極，上述漂移層朝向周邊區(qū)域地延伸，第1導(dǎo)電類型的保護(hù)環(huán)組，在該漂移層內(nèi)形成，在最外周上形成的半導(dǎo)體開關(guān)元件的體區(qū)域，和在最內(nèi)周上形成的保護(hù)環(huán)重疊地形成，已連接到半導(dǎo)體開關(guān)元件組的柵電極上的柵布線，中間存在著絕緣層地與體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域?qū)ο颉?br> (形態(tài)2)是形態(tài)1的半導(dǎo)體器件，其特征在于體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域的寬度，在體區(qū)域和保護(hù)環(huán)中的深的一方的深度的1/3以上。
(形態(tài)3)是形態(tài)1的半導(dǎo)體器件，其特征在于體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域的最小深度，在體區(qū)域的深度的1/2以上。
(形態(tài)4)是形態(tài)1的半導(dǎo)體器件，其特征在于體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域的寬度，在體區(qū)域的深度的2/3以上。
(形態(tài)5)是形態(tài)1的半導(dǎo)體器件，其特征在于在給柵布線施加上柵導(dǎo)通電壓時(shí)的柵布線正下邊的體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域的電阻率在20Ω·cm以下。
(形態(tài)6)是形態(tài)1的半導(dǎo)體器件，其特征在于在包括與柵布線對(duì)向的體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域的區(qū)域的上部，形成有高濃度地含有與體區(qū)域和保護(hù)環(huán)同一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的層。
(形態(tài)7)是形態(tài)1的半導(dǎo)體器件，其特征在于在包括與柵布線對(duì)向的體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域的區(qū)域的上部，形成有含有與體區(qū)域和保護(hù)環(huán)不同導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的層。
實(shí)施例以下，參看圖1～圖11，說明各個(gè)實(shí)施例。
(實(shí)施例1)實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件，具有已形成了IGBT構(gòu)造的半導(dǎo)體開關(guān)元件組的中心區(qū)域，和已形成了把該中心區(qū)域圍起來的保護(hù)環(huán)組的周邊區(qū)域。
圖1斜視地模式性地示出了位于中心區(qū)域M的最外周上的IGBT33，和在周邊區(qū)域N上形成的最內(nèi)周保護(hù)環(huán)38重疊起來的區(qū)域(叫做重復(fù)區(qū)域)的附近。
作為單位的IGBT33，具備在背面上形成氧化鋁制的集電極電極20；與該集電極電極20接連的第1導(dǎo)電類型(在本例中為p+型)的半導(dǎo)體襯底22；已疊層到該半導(dǎo)體襯底22上邊的第2導(dǎo)電類型(在本例中為n+型)的緩沖層24；已疊層到該緩沖層24上邊的第2導(dǎo)電類型(在本例中為n-型)的漂移層26；在該漂移層26內(nèi)形成的第1導(dǎo)電類型(在本例中為p-型)的體區(qū)域34；在該體區(qū)域34內(nèi)形成的第2導(dǎo)電類型(在本例中為n+型)的發(fā)射極區(qū)域30；在該體區(qū)域34內(nèi)形成的第1導(dǎo)電類型(在本例中為p+型)的體接觸區(qū)域32，與存在于該發(fā)射極區(qū)域30與漂移層26之間的體區(qū)域34a中間存在著絕緣層36對(duì)向的柵電極35；與發(fā)射極區(qū)域30和體接觸區(qū)域32接連的發(fā)射極電極。發(fā)射極電極雖然未畫出來，利用圖1所示的柵電極35的切缺部分，電連到發(fā)射極區(qū)域30和體接觸區(qū)域32上。
漂移層26朝向周邊區(qū)域N延伸，在延伸到該周邊區(qū)域N上的漂移層26內(nèi)形成有第1導(dǎo)電類型(在本例中為p+型)的保護(hù)環(huán)38。在中心區(qū)域M內(nèi)的最外周形成的IGBT33的體區(qū)域34，和在周邊區(qū)域N的最內(nèi)周上形成的保護(hù)環(huán)38重疊地形成。把該重疊的部分叫做重復(fù)區(qū)域39。
已連接到IGBT33的柵電極35上的柵布線48，中間存在著絕緣層46地，與最外周的體區(qū)域34和最內(nèi)周的保護(hù)環(huán)38的重復(fù)區(qū)域39對(duì)向(與圖12所示的現(xiàn)有技術(shù)的平面構(gòu)造類似，這一點(diǎn)請(qǐng)參看圖12)。體區(qū)域34已摻入了硼，該雜質(zhì)濃度典型地說是1×1015～1×1018cm-3，其深度方向的厚度為3～6微米。另外，實(shí)施例1的體區(qū)域34的雜質(zhì)濃度是1×1018cm-3，其深度被設(shè)定為6微米。
圖1雖然例示的是用平面柵電極35進(jìn)行開關(guān)的類型。但是也可以是溝槽柵型。柵電極35，可以用金屬或多晶硅形成。
在把半導(dǎo)體器件畫成俯視圖時(shí)，在周邊區(qū)域N內(nèi)形成有在周邊區(qū)域N內(nèi)繞一圈的多個(gè)保護(hù)環(huán)，圖1為了方便起見僅僅示出了其中的最內(nèi)周的p+型的保護(hù)環(huán)38。保護(hù)環(huán)38，已摻入了硼，其雜質(zhì)濃度典型地說為1×1016～1×1020cm-3，其深度方向的厚度為4～8微米。另外，實(shí)施例1的保護(hù)環(huán)38的雜質(zhì)濃度是4×1018cm-3，其深度被設(shè)定為8微米。在保護(hù)環(huán)38上邊，中間存在著絕緣層46地配設(shè)有柵布線48，柵布線48已連接到柵電極35上。在實(shí)施例1中，在柵電極35與柵布線48之間未畫出區(qū)域劃分。在做成為俯視圖時(shí)，則可以明確地區(qū)分柵電極35和柵布線48。
如圖1所示，最外周的體區(qū)域34和最內(nèi)周的保護(hù)環(huán)38彼此重疊。在重復(fù)區(qū)域39中用假想線示出了體區(qū)域34和最內(nèi)周的保護(hù)環(huán)38的輪廓線。所謂重復(fù)區(qū)域39，指的是要形成體區(qū)域34的雜質(zhì)和要形成保護(hù)環(huán)38的雜質(zhì)都存在的區(qū)域，指的是位于2條假想線之間的區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明人等的研究，已經(jīng)判明為了提高半導(dǎo)體器件的耐壓，最佳地設(shè)計(jì)重復(fù)區(qū)域39是重要的。
所謂重復(fù)區(qū)域39的寬度，指的是要在半導(dǎo)體區(qū)域的表面41上露出來的重復(fù)區(qū)域39的寬度V。換句話說，指的是圖1所示的2條假想線在半導(dǎo)體區(qū)域的表面41上露出來的間隔。寬度V的方向，要評(píng)價(jià)為使之與從中心區(qū)域M朝向周邊區(qū)域N前進(jìn)的方向一致。此外，所謂重復(fù)區(qū)域39的最小深度W，指的是從半導(dǎo)體區(qū)域的表面41到體區(qū)域34的輪廓線與保護(hù)環(huán)38的輪廓線進(jìn)行交叉的位置為止的距離。
在實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件中，保護(hù)環(huán)38比體區(qū)域34形成得更深。在圖1中把保護(hù)環(huán)38的深度表示為X。
在實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件中，重復(fù)區(qū)域39的半導(dǎo)體區(qū)域的表面41的寬度V用保護(hù)環(huán)38的深度X的1/3以上形成。
圖2示出了在實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件中在使體區(qū)域34和保護(hù)環(huán)38的重復(fù)區(qū)域39的寬度V變化時(shí)的柵布線48正下邊的重復(fù)區(qū)域39的電阻率的測定結(jié)果。在這里，電阻率是在已給柵布線48施加上柵導(dǎo)通電壓的狀態(tài)下測定的。圖2的橫軸是用保護(hù)環(huán)的深度X除重復(fù)區(qū)域39的寬度V所得到的值(在本說明書中定義為重疊比)。圖2的縱軸，是重復(fù)區(qū)域39的電阻率。該電阻率是采用在體接觸區(qū)域32和保護(hù)環(huán)38的外周一側(cè)端部上形成一對(duì)的電極，給該一對(duì)的電極間施加規(guī)定的電壓的辦法測定的值。在該情況下，一對(duì)電極間的電阻率以重復(fù)區(qū)域39的電阻率為主要成分，所以就可以把一對(duì)的電極間的電阻率評(píng)價(jià)為重復(fù)區(qū)域39的電阻率。
如圖2所示，可知重疊比越大，則重復(fù)區(qū)域39的電阻率就越低。另外，圖2所示的虛線，是在半導(dǎo)體器件中產(chǎn)生熱破壞的臨界點(diǎn)。在重復(fù)區(qū)域39的電阻率比虛線更高的情況下，在半導(dǎo)體器件中就會(huì)產(chǎn)生熱破壞。如果在已給柵布線48施加上柵導(dǎo)通電壓的狀態(tài)下測定的重復(fù)區(qū)域39的電阻率在20Ω·cm以下，在半導(dǎo)體器件中就不會(huì)產(chǎn)生熱破壞。由圖2可知如果確保1/3以上的重疊比就可以把電阻率形成為20Ω·cm以下。這被認(rèn)為是即便因在與柵布線48對(duì)向的區(qū)域上形成了反型層而使得空穴的通過截面積變窄，如果確保1/3以上的重疊比，也可以在體區(qū)域34和保護(hù)環(huán)38之間確保充分的空穴的通過截面積，故可以使電阻率做成為20Ω·cm以下。
用圖3～圖5說明在半導(dǎo)體器件中制作重復(fù)區(qū)域39的方法。
圖3示出了制造工序的半導(dǎo)體區(qū)域的剖面。該剖面示出的是在n-型的漂移層26的上部形成了p+型的保護(hù)環(huán)38，在保護(hù)環(huán)38與漂移層23的表面上形成了氧化膜50的狀態(tài)。所圖示的保護(hù)環(huán)38，是最內(nèi)周的保護(hù)環(huán)38。另外可以利用一般的外延生長方法或離子注入方法或其它的制造方法形成而在迄今為止的制造工序中利用的制造技術(shù)不受特別限定。
其次，如圖4所示，涂敷形成抗蝕劑膜52，在規(guī)定位置上形成開口使之圖形化。其次，從該開口離子注入硼。要注入的硼的量或深度要與基于熱處理的擴(kuò)散特性相一致地決定。例如，在要使用的離子為硼的情況下，其擴(kuò)散特性，相對(duì)于向縱向方向上進(jìn)行擴(kuò)散的擴(kuò)散距離向橫向方向上擴(kuò)散的擴(kuò)散距離約為0.8倍。考慮這種情況，實(shí)施離子注入，在所希望的區(qū)域上形成擴(kuò)散距離。
其次，如圖5所示，實(shí)施熱處理，使離子注入進(jìn)來的硼擴(kuò)散。擴(kuò)散后的硼進(jìn)入到體區(qū)域34內(nèi)，形成重復(fù)區(qū)域39。重復(fù)區(qū)域39主要采用使所注入的硼向橫向方向擴(kuò)散的辦法形成。
另外，在這種的半導(dǎo)體器件中，一般地說，把保護(hù)環(huán)38形成得比體區(qū)域34更深。為此，當(dāng)使體區(qū)域34進(jìn)行擴(kuò)散，形成為與保護(hù)環(huán)38重疊時(shí)，該重復(fù)區(qū)域39的最小深度W，就會(huì)追隨著重復(fù)區(qū)域39的表面的寬度V的增大而增大。如果使體區(qū)域34一直擴(kuò)散到使得重復(fù)區(qū)域39的表面的寬度V變成為保護(hù)環(huán)38的深度X的1/3以上為止，則重復(fù)區(qū)域39的最小深度W，大多就會(huì)變成為體區(qū)域34的深度Y的1/2以上。另外，重復(fù)區(qū)域39表面的寬度V多成為體區(qū)域34的深度2/3以上。在該情況下，重復(fù)區(qū)域39的電阻率就會(huì)變成為20Ω·cm以下，在半導(dǎo)體器件中就不會(huì)產(chǎn)生熱破壞。
(實(shí)施例2)圖6模式性地示出了實(shí)施例2的半導(dǎo)體器件的主要部分斜視圖。實(shí)施例2的特征在于在包括在中心區(qū)域M的最外周的半導(dǎo)體開關(guān)元件上形成的體區(qū)域34，和周邊區(qū)域N的最內(nèi)周的保護(hù)環(huán)38之間的重復(fù)區(qū)域39的區(qū)域的上部，具備含有與體區(qū)域34和保護(hù)環(huán)38同一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的高濃度的層60。
在現(xiàn)有的這種的半導(dǎo)體器件(在不具備高濃度的層60的情況下)中，存在著與要施加到柵電極35上的柵導(dǎo)通電壓相對(duì)應(yīng)地，在與柵布線35對(duì)向的體區(qū)域34和保護(hù)環(huán)38的重復(fù)區(qū)域39上形成反型層的問題。特別是在已施加上高的柵導(dǎo)通電壓的情況下，由于除從周邊區(qū)域N一側(cè)的漏層22供給經(jīng)由重復(fù)區(qū)域39向體接觸區(qū)域32排出的空穴要增加之外，在重復(fù)區(qū)域39上形成的反型層的寬度也要與高的柵導(dǎo)通電壓相對(duì)應(yīng)地變寬，故該重復(fù)區(qū)域39中的空穴的導(dǎo)通路徑就會(huì)變窄。為此，在現(xiàn)有的這種的半導(dǎo)體器件中，就要顯著地發(fā)生這樣的現(xiàn)象在該重復(fù)區(qū)域39中產(chǎn)生空穴的過度集中，半導(dǎo)體器件遭受破壞。
在實(shí)施例2的半導(dǎo)體器件中，與要在柵布線48正下邊的反型層形成的區(qū)域相對(duì)應(yīng)地形成與體區(qū)域34和保護(hù)環(huán)38同一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)濃度高的層60。得益于該層60，即便是在已施加上高的柵導(dǎo)通電壓的情況下，也可以抑制或禁止在該區(qū)域上反型層的形成。由于反型層的形成被抑制或被禁止，故可以充分地確?？昭ǖ膶?dǎo)通路徑，可以減少因空穴的過度集中所產(chǎn)生的元件破壞。
另外，至于形成高濃度的層60的位置或形狀，并沒有什么特別限定，只要至少在包括重復(fù)區(qū)域39的上部的位置上形成即可。只要至少在該位置上形成，就可以抑制或禁止成為熱破壞的原因的反型層的形成。
此外，如果利用該高濃度的層60，由于可以抑制或禁止在體區(qū)域34和保護(hù)環(huán)38的表面附近的反型，故可以緩和體區(qū)域34與保護(hù)環(huán)38的重復(fù)范圍的制約。因此，在利用高濃度的層60的情況下，即便是不考慮與重復(fù)區(qū)域39的寬度等有關(guān)的制約，也可以充分地確保載流子的導(dǎo)通路徑，可以抑制劇烈的發(fā)熱。
用圖7～圖9說明實(shí)施例2的半導(dǎo)體器件的制造方法。
圖7示出了制造工序的半導(dǎo)體區(qū)域的剖面。該剖面示出的是在n-型的漂移層26的上部形成了p+型的體區(qū)域34和p+型的保護(hù)環(huán)38，在其表面上形成氧化膜50，再在該氧化膜50上邊疊層多晶硅膜47后的狀態(tài)。另外，保護(hù)環(huán)38，是最內(nèi)周的保護(hù)環(huán)38。此外，可以利用一般的外延生長方法或離子注入方法或其它的制造方法形成而在迄今為止的制造工序中利用的制造技術(shù)不受特別限定。
首先，如圖7所示，采用向多晶硅膜47內(nèi)摻入雜質(zhì)使之低電阻化的辦法形成柵布線。這時(shí)使用的雜質(zhì)，典型地說可以使用磷。磷由于具有擴(kuò)散系數(shù)高，難于向外方擴(kuò)散的特征，故可以使之均一地向多晶硅內(nèi)部擴(kuò)散。因此，在中心區(qū)域的柵電極是溝槽型的情況下，在想要使雜質(zhì)一直擴(kuò)散到深的區(qū)域的情況下，可以滿意地使用磷。如圖8所示，多晶硅47可用通常的離子注入法變成為柵布線48。
其次，如圖9所示，涂敷形成抗蝕劑膜54，在規(guī)定位置上形成開口使之圖形化。其次，對(duì)該開口離子注入硼。
其次，如圖10所示，實(shí)施熱處理使所注入的硼進(jìn)行熱擴(kuò)散。借助于此，就可以在所希望的位置上形成高濃度的層60。
如果利用上邊所說的制造方法制作高濃度的層60，則抑制或禁止在柵布線48的正下邊形成反型層是特別有效的。
如圖7所示，在使多晶硅47低電阻化的工序中，要用磷對(duì)多晶硅內(nèi)進(jìn)行離子注入。該所注入的磷的一部分就越過多晶硅47被注入到其下方的體區(qū)域34或保護(hù)環(huán)38內(nèi)。在現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件中，由于在該階段制造就結(jié)束了，故僅僅體區(qū)域34或保護(hù)環(huán)38的表面部分上才殘存有少量的磷(n型雜質(zhì))。因此，在已給柵布線48施加上柵導(dǎo)通電壓的情況下，就易于在該柵布線48正下邊形成反型層，結(jié)果是產(chǎn)生了使空穴的導(dǎo)通路徑變窄的現(xiàn)象。
但是，倘采用本發(fā)明的制造方法，在體區(qū)域34或保護(hù)環(huán)38內(nèi)殘存的少量的磷(n型雜質(zhì))歸因于在形成p+型的雜質(zhì)濃度高的層60時(shí)注入的硼實(shí)質(zhì)上進(jìn)行相反的注入而消失。因此，由于在與高濃度的層60對(duì)應(yīng)的區(qū)域中難于形成反型層，可以充分地確保空穴的導(dǎo)通路徑，故可以得到高耐壓的半導(dǎo)體器件。
(實(shí)施例3)圖11模式性地示出了實(shí)施例3的半導(dǎo)體器件的主要部分斜視圖。
實(shí)施例3的特征在于在包括要在中心區(qū)域M的最外周上形成的體區(qū)域34和周邊區(qū)域N的最內(nèi)周的保護(hù)環(huán)38的重復(fù)區(qū)域的位置的上部，配置有與體區(qū)域34和保護(hù)環(huán)38不同的導(dǎo)電類型的高濃度的層62。
就如實(shí)施例3的半導(dǎo)體器件那樣，采用與要形成柵布線48正下邊的反型層的區(qū)域相對(duì)應(yīng)地形成與體區(qū)域34和保護(hù)環(huán)38不同的導(dǎo)電類型的雜質(zhì)濃度高的層62的辦法，形成電子的導(dǎo)通路徑。在采用限制電子的導(dǎo)通路徑的辦法，給柵布線48施加上高的柵導(dǎo)通電壓的情況下，就可以限制形成的反型層向比高濃度的層62更下方延伸。因此，空穴的導(dǎo)通路徑不會(huì)變窄。由于可以充分地確?？昭ǖ膶?dǎo)通路徑，故可以減少因空穴的過度集中而形成的元件破壞。
另外，形成高濃度的層62的位置或形狀，并沒有什么特別限定，只要至少在包括重復(fù)區(qū)域39的上部的位置上形成即可。只要至少在該位置上形成，就可以抑制或禁止成為熱破壞的原因的反型層的形成。
此外，如果利用該高濃度的層62，由于可以抑制或禁止在體區(qū)域34和保護(hù)環(huán)38的表面附近的反型，故可以緩和體區(qū)域34與保護(hù)環(huán)38的重復(fù)范圍的制約。因此，在利用高濃度的層69的情況下，即便是不考慮與重復(fù)區(qū)域39的寬度等有關(guān)的制約，也可以充分地確保載流子的導(dǎo)通路徑，可以抑制劇烈的發(fā)熱。
在以上的實(shí)施例中雖然講述的是IGBT半導(dǎo)體元件，但是對(duì)于別的元件(可控硅，雙極晶體管、功率MOS)等也可以得到同樣的效果。
以上雖然詳細(xì)地說明了本發(fā)明的具體例，但是這些具體例不過是一種例示，并不是對(duì)技術(shù)方案的范圍的限定。在技術(shù)方案的范圍內(nèi)所講述的技術(shù)中，包括使以上所例示的具體例進(jìn)行了各種各樣的變形、變更的技術(shù)。
此外，在本說明書或圖面中所說明的技術(shù)要素，可以單獨(dú)或借助于各種的組合發(fā)揮技術(shù)上的有用性，并不限定于申請(qǐng)時(shí)技術(shù)方案所述的組合。此外，在本說明書或圖面中所例示的技術(shù)，既可以是那種同時(shí)實(shí)現(xiàn)多個(gè)目的的技術(shù)，也可以是那種在實(shí)現(xiàn)其中的一個(gè)目的這件事本身中具有技術(shù)上的有用性的技術(shù)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，具有形成了半導(dǎo)體開關(guān)元件組的中心區(qū)域，和形成了把該中心區(qū)域圍起來的保護(hù)環(huán)組的周邊區(qū)域，其特征在于在最外周上形成的半導(dǎo)體開關(guān)元件的體區(qū)域，和在最內(nèi)周形成的保護(hù)環(huán)重疊地形成，連接到半導(dǎo)體開關(guān)元件組的柵電極上的柵布線，中間存在著絕緣層地與體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域?qū)ο?，上述重?fù)區(qū)域的寬度，是體區(qū)域與保護(hù)環(huán)中的深度深的一方的深度的1/3或1/3以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述重復(fù)區(qū)域的最小深度是體區(qū)域的深度的1/2或1/2以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述重復(fù)區(qū)域的寬度，是體區(qū)域的深度的2/3或2/3以上。
4.一種半導(dǎo)體器件，具有形成了半導(dǎo)體開關(guān)元件組的中心區(qū)域，和形成了把該中心區(qū)域圍起來的保護(hù)環(huán)組的周邊區(qū)域，其特征在于在最外周上形成的半導(dǎo)體開關(guān)元件的體區(qū)域，和在最內(nèi)周形成的保護(hù)環(huán)重疊地形成，連接到半導(dǎo)體開關(guān)元件組的柵電極上的柵布線，中間存在著絕緣層地與體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域?qū)ο颍诮o柵布線施加上柵導(dǎo)通電壓時(shí)的柵布線正下方的重復(fù)區(qū)域的電阻率在20Ω·cm或其以下。
5.一種半導(dǎo)體器件，具有形成了半導(dǎo)體開關(guān)元件組的中心區(qū)域，和形成了把該中心區(qū)域圍起來的保護(hù)環(huán)組的周邊區(qū)域，其特征在于在最外周上形成的半導(dǎo)體開關(guān)元件的體區(qū)域，和在最內(nèi)周形成的保護(hù)環(huán)重疊地形成，連接到半導(dǎo)體開關(guān)元件組的柵電極上的柵布線，中間存在著絕緣層地與體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域?qū)ο?，在包括與柵布線對(duì)向的上述重復(fù)區(qū)域的區(qū)域的上部，形成有高濃度地含有與體區(qū)域和保護(hù)環(huán)同一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的層。
6.一種半導(dǎo)體器件，具有形成了半導(dǎo)體開關(guān)元件組的中心區(qū)域，和形成了把該中心區(qū)域圍起來的保護(hù)環(huán)組的周邊區(qū)域，其特征在于在最外周上形成的半導(dǎo)體開關(guān)元件的體區(qū)域，和在最內(nèi)周形成的保護(hù)環(huán)重疊地形成，連接到半導(dǎo)體開關(guān)元件組的柵電極上的柵布線，中間存在著絕緣層地與體區(qū)域和保護(hù)環(huán)的重復(fù)區(qū)域?qū)ο颍诎ㄅc柵布線對(duì)向的上述重復(fù)區(qū)域的區(qū)域的上部，形成有含有與體區(qū)域和保護(hù)環(huán)不同的導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中的任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于半導(dǎo)體開關(guān)元件，具有集電極電極；與該集電極電極接連的第1導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底；疊層到該半導(dǎo)體襯底上邊的第2導(dǎo)電類型的漂移層；在該漂移層內(nèi)形成的第1導(dǎo)電類型的體區(qū)域；在該體區(qū)域內(nèi)形成的第2導(dǎo)電類型的發(fā)射極區(qū)域；中間存在著絕緣層地與存在于該發(fā)射極區(qū)域和漂移層之間的體區(qū)域?qū)ο虻臇烹姌O；與發(fā)射極區(qū)域接連的發(fā)射極電極，上述漂移層朝向周邊區(qū)域延伸，在該漂移層內(nèi)形成有第1導(dǎo)電類型的保護(hù)環(huán)組。
8.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括在包括體區(qū)域和保護(hù)環(huán)進(jìn)行重復(fù)并且與柵布線對(duì)向的區(qū)域的半導(dǎo)體區(qū)域的上部，比形成體區(qū)域和保護(hù)環(huán)時(shí)的注入深度淺地注入雜質(zhì)離子并使之?dāng)U散的工序。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件及制造方法，是防止在周邊區(qū)域中發(fā)生的半導(dǎo)體器件的熱破壞，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的高耐壓化。是一種具有已形成了半導(dǎo)體開關(guān)元件組的中心區(qū)域(M)，和已形成了把該中心區(qū)域圍起來的保護(hù)環(huán)(38)組的周邊區(qū)域N的半導(dǎo)體器件，在最外周上形成的半導(dǎo)體開關(guān)元件的體區(qū)域(34)，和在最內(nèi)周形成的保護(hù)環(huán)(38)重疊起來地形成，已連接到半導(dǎo)體開關(guān)元件組的柵電極(35)上的柵布線(48)中間存在著絕緣層(46)地與體區(qū)域(34)和保護(hù)環(huán)(38)的重復(fù)區(qū)域(39)對(duì)向，上述重復(fù)區(qū)域(39)的寬度，是體區(qū)域(34)與保護(hù)環(huán)(38)中的深的一方的深度的1/3以上。
文檔編號(hào)H01L29/02GK1591897SQ20041007419
公開日2005年3月9日 申請(qǐng)日期2004年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月1日
發(fā)明者堀田幸司, 河路佐智子, 杉山隆英, 莊司智幸, 石子雅康 申請(qǐng)人:豐田自動(dòng)車株式會(huì)社