專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有功率晶體管等大功率功率元件的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
目前已制造出將半導(dǎo)體集成回路(IC)等芯片封裝的半導(dǎo)體裝置，并用于各種電子機(jī)器中。該半導(dǎo)體裝置被封裝成具有用于將半導(dǎo)體芯片主體的端子(pad，焊點(diǎn))與外部的回路連接的外部端子。
在該半導(dǎo)體芯片主體上設(shè)有多個(gè)連接用焊點(diǎn)，將這些焊點(diǎn)分別與外部端子連接。作為向外部端子連接的方法，雖然也利用過以往的管腳，但越來(lái)越多采用球形網(wǎng)格陣列(BGA)結(jié)構(gòu)的連接方法。
采用該BGA結(jié)構(gòu)的連接方法，可實(shí)現(xiàn)與半導(dǎo)體芯片主體幾乎相同的外形尺寸的芯片尺寸封裝(CSP)。在該CSP中，在基板的單面上設(shè)置與半導(dǎo)體芯片主體的各焊點(diǎn)對(duì)向的焊點(diǎn)，在該基板的另一面上設(shè)有形成了二維配置為格子狀(網(wǎng)格狀，grid)的球形形狀的外部電極。在該基板上各端子與各外部電極逐個(gè)連接。
在該CSP中，外部電極由球狀的焊錫凸出部形成，以二維形式配置在半導(dǎo)體裝置下面的幾乎所有區(qū)域。因此，可以形成為接近于芯片尺寸的小型且薄型，而且可以向印刷配線基板進(jìn)行表面安裝。
此外，使用了采用帶式載體的T-BGA結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置(參照專利文獻(xiàn)1)。在該T-BGA結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置中，在矩形的帶式載體上設(shè)置由銅箔形成的導(dǎo)電層和由導(dǎo)電涂料形成的導(dǎo)電層，在該帶式載體中央部上載置IC芯片主體并進(jìn)行導(dǎo)電連接。通過該導(dǎo)電連接，可以在下面的幾乎所有區(qū)域?qū)⑿盘?hào)凸起部排列為二維狀，同時(shí)可以將接地凸起部配置在外緣部。
專利文獻(xiàn)1

特開第3147165號(hào)說明書。
然而，在采用原來(lái)的BGA結(jié)構(gòu)的連接方法的CSP中，由于多個(gè)外部電極配置為格子狀，故接近其中心的外部電極到IC芯片主體的凸起部的配線距離變長(zhǎng)。因此，由于在該配線上增加多余的配線電阻，故成為在功率元件用的大電流流過的外部電極中損失增加，或使功率元件的控制特性惡化的原因。
再者，在專利文獻(xiàn)1的T-BGA結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置中，由于需要在帶式載體上設(shè)置2個(gè)導(dǎo)電層，故導(dǎo)致成本增加。而且，由于可以形成為低電阻的只有接地電路(或功率電路)，故無(wú)法適用于功率元件的輸出回路的低電阻化。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于，在具有功率晶體管等功率元件，且將外部電極配置為格子狀的半導(dǎo)體裝置中，通過減小對(duì)功率元件的配線電阻，來(lái)降低損耗，提高功率元件控制特性。
方案1的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備IC芯片主體，其包含功率元件，將在一面的外緣部上具有信號(hào)用焊點(diǎn)及所述功率元件連接的功率用焊點(diǎn)的多個(gè)IC側(cè)焊點(diǎn)配置為矩陣狀；和基板，其具有絕緣基體材料；將該絕緣基體材料的多個(gè)貫通孔從一個(gè)側(cè)面到另一個(gè)側(cè)面分別貫通并向上述另一面突出，且配置為格子狀的多個(gè)外部電極；配置在上述絕緣基體材料的上述一面上，分別對(duì)應(yīng)于上述IC側(cè)焊點(diǎn)進(jìn)行電連接，以包圍上述多個(gè)外部電極的多個(gè)基板側(cè)焊點(diǎn)；以及分別連接上述多個(gè)基板側(cè)焊點(diǎn)和上述多個(gè)外部電極的多條配線，上述IC側(cè)焊點(diǎn)中的上述功率用焊點(diǎn)，與連接在所述外部電極中的最外周的外部電極上的所述基板側(cè)焊點(diǎn)接合，以便縮短所述配線的長(zhǎng)度。
方案2的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備IC芯片主體，其包含功率元件，且配置有在一面的外緣部上具有信號(hào)用焊點(diǎn)及所述功率元件連接的功率用焊點(diǎn)的多個(gè)IC側(cè)焊點(diǎn)；和基板，其具有絕緣基體材料；將該絕緣基體材料的多個(gè)連通路從一面?zhèn)鹊搅硪幻鎮(zhèn)确謩e連通并向上述另一面?zhèn)韧怀觯遗渲脼楦褡訝畹亩鄠€(gè)外部電極；配置在上述絕緣基體材料的上述一面?zhèn)壬希謩e對(duì)應(yīng)于上述IC側(cè)焊點(diǎn)進(jìn)行電連接，以包圍上述多個(gè)外部電極的多個(gè)基板側(cè)焊點(diǎn)；以及分別連接上述多個(gè)基板側(cè)焊點(diǎn)和上述多個(gè)外部電極的多條配線，上述IC側(cè)焊點(diǎn)中的上述功率用焊點(diǎn)，與連接在所述外部電極中的最外周的外部電極上的所述基板側(cè)焊點(diǎn)接合，以便縮短所述配線的長(zhǎng)度。
方案3的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在方案1或2的半導(dǎo)體裝置中，從除去位于基板角落的基板側(cè)焊點(diǎn)的基板側(cè)焊點(diǎn)中選擇與上述功率用焊點(diǎn)接合的上述基板側(cè)焊點(diǎn)。
方案4的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在方案1或2的半導(dǎo)體裝置中，上述功率元件是功率晶體管。
方案5的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在方案4的半導(dǎo)體裝置中，上述功率晶體管是用于將功率電壓調(diào)整為規(guī)定輸出電壓的調(diào)整器用晶體管。
方案6的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在方案5的半導(dǎo)體裝置中，將對(duì)應(yīng)于上述調(diào)整用晶體管的輸出端所連接的上述IC側(cè)焊點(diǎn)中的電壓的檢測(cè)電壓，反饋到調(diào)整器用控制回路。
根據(jù)本發(fā)明，由于縮短從IC芯片主體的功率元件到外部電極的配線，故配線電阻變小。由此，可以減少損耗。
再者，由于伴隨大電流的配線上的電壓降減小，故可以提高調(diào)整器的控制特性。而且，通過減小該電壓降，從而能將IC芯片主體的功率用焊點(diǎn)作為讀出用焊點(diǎn)來(lái)共用。因此，可以省略讀出用焊點(diǎn)，可以削減焊點(diǎn)數(shù)。
另外，在將本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置安裝于印刷電路基板時(shí)，由于往同樣安裝的分立元件(例如，電容器、線圈、晶體管等)的配線也從最外周的外部電極引出，故也可以縮短印刷電路板上的配線長(zhǎng)度。
此外，由于角落的基板側(cè)焊點(diǎn)不用于功率元件，故安裝到印刷電路板后，即使絕緣基板因熱應(yīng)力等而彎曲，也可以減小接觸不良或剝離等的影響。


圖1-A是表示本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的IC芯片主體的構(gòu)成的圖。
圖1-B是表示與IC芯片主體一起利用的基板20的構(gòu)成的圖。
圖2是用于說明由圖1-A、圖1-B構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的示意性剖面圖。
圖3是將本發(fā)明的功率晶體管作為調(diào)整器用的情況的構(gòu)成圖。
圖4是為了對(duì)比而表示的作為原來(lái)的調(diào)整器用的情況的構(gòu)成圖。
圖5是用來(lái)說明作為圖1-A、圖1-B構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的第二實(shí)施例的剖面圖。
圖中10-IC芯片主體，11-功率晶體管(功率元件)，12-控制回路，13-控制線，14-1、14-2-功率配線，15-IC側(cè)焊點(diǎn)，16-突起部，20-基板，21-基板側(cè)焊點(diǎn)，22-配線，23-貫通孔，24、26-外部電極，Rw配線電阻。
具體實(shí)施例方式
以下參照附圖，說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的實(shí)施方式。
圖1-A、圖1-B是表示本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的圖，圖1-A是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體集成電路主體(以下稱IC主體)10的構(gòu)成的圖，圖1-B是表示與IC芯片主體10同時(shí)使用的基板20的構(gòu)成的圖。由該IC芯片主體10和基板20構(gòu)成本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置。
在圖1-A的IC芯片主體10中，在其內(nèi)部制作裝入功率元件11或控制其的控制回路12、或者其他圖示省略的多個(gè)信號(hào)處理回路、輸入輸出回路等。在此，功率元件11只顯示1個(gè)，但可以設(shè)置任意多個(gè)功率元件。再者，以下，作為功率元件，以功率晶體管為例進(jìn)行說明。除了功率晶體管以外，對(duì)于處理大電流的其他功率元件也同樣可以適用。
在IC芯片主體10的外緣部配置有多個(gè)IC側(cè)焊點(diǎn)15。這些IC側(cè)焊點(diǎn)15與功率晶體管11、控制回路12、其他的信號(hào)處理回路、輸入輸出回路等之間以內(nèi)部配線連接。
其中，對(duì)功率晶體管11和IC端子15的連接進(jìn)行說明。為了減少配線產(chǎn)生的電阻，而將功率晶體管鄰接于矩形狀設(shè)在IC芯片主體10的外緣部上的1邊的IC側(cè)焊點(diǎn)15，進(jìn)行設(shè)置。為了對(duì)該1邊的IC側(cè)焊點(diǎn)15進(jìn)行說明，從上側(cè)開始按順序標(biāo)記符號(hào)Pi～Pix。在該圖中，為了便于理解，雖然將1邊的IC側(cè)焊點(diǎn)設(shè)為9個(gè)，但也可以為其他任意數(shù)。
從控制回路12通過信號(hào)線13，由控制信號(hào)控制功率晶體管11。從功率晶體管11引出的功率配線14-1、14-2，與位于間隔開位置的IC側(cè)焊點(diǎn)Piii和IC側(cè)焊點(diǎn)Pv連接。通常，從功率晶體管11引出的功率配線連接于相鄰的IC側(cè)焊點(diǎn)上，但在本發(fā)明中，為了配合基板20上的基板側(cè)焊點(diǎn)和外部電極的連接，盡可能縮短功率晶體管11的配線長(zhǎng)度，而圖1-A那樣地連接。
在圖1-B的基板20中，采用印刷電路基板、薄膜基板、帶式載體等基板材料。該基板20具有設(shè)有基板側(cè)焊點(diǎn)21的一面?zhèn)?、和設(shè)有外部電極的另一面?zhèn)?。該一面?zhèn)鹊幕鍌?cè)焊點(diǎn)21，配置為與IC芯片主體10的IC側(cè)焊點(diǎn)15分別對(duì)應(yīng)，各基板側(cè)焊點(diǎn)21由凸起部等與各IC側(cè)焊點(diǎn)15接合。
基板側(cè)焊點(diǎn)21，在該例中與IC側(cè)焊點(diǎn)15相同，每邊為9個(gè)，合計(jì)在外緣部設(shè)有36個(gè)。在被外緣部的基板側(cè)焊點(diǎn)21圍繞的區(qū)域內(nèi)，多個(gè)外部電極24配置為格子狀(網(wǎng)格狀)。該外部電極24與基板側(cè)焊點(diǎn)21對(duì)應(yīng)，在該例中是36個(gè)(＝6×6)。
各外部電極24，在格子狀的各個(gè)位置上設(shè)有電極，以便從一面?zhèn)认蛄硪幻鎮(zhèn)蓉炌ㄍ诳战^緣基體材料的貫通孔，且在另一面?zhèn)壬峡梢赃M(jìn)行與外部的連接。作為該電極，最好使用球狀電極。在為球狀電極的情況下，格子狀的外部電極成為球形網(wǎng)格狀陣列(BGA)。當(dāng)然，也可以是球狀電極以外的突起電極等其他外部電極。
該外部電極24和各基板側(cè)焊點(diǎn)21分別由配線22在一面?zhèn)然ハ噙B接。各配線22如圖1-B所示，通過外側(cè)的外部電極間連接到更內(nèi)側(cè)的外部電極，以便不接觸外部電極24且配線容易。因此，與該配線是信號(hào)用還是功率用無(wú)關(guān)，以經(jīng)由容易配線的路線的方式設(shè)置各配線22。
圖2是用來(lái)說明圖1-A、圖1-B的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的示意性剖面圖。在圖2中，在IC芯片主體10的內(nèi)部制作裝入圖1-A所示的功率晶體管11、控制回路12等各構(gòu)成要素。在該IC芯片主體10的表面上形成IC側(cè)焊點(diǎn)15，設(shè)置突起部16，以使其與該IC側(cè)焊點(diǎn)15電連接。而且，基板20的焊點(diǎn)21通過突起部16，與IC芯片主體10的IC側(cè)焊點(diǎn)15連接。該各焊點(diǎn)21與各外部電極24以配線22互相連接。外部電極24從一面?zhèn)鹊搅硪幻鎮(zhèn)鹊刎灤┴炌?3。
而且，對(duì)于外部電極24與貫通孔23的位置關(guān)系，也能使兩者的位置偏移地進(jìn)行配置。這種情況下，外部電極可以從貫通孔開始，沿著基板20的另一面?zhèn)鹊谋砻鎭?lái)延伸電極。
在基板20上，如前所述，由于各配線22以經(jīng)由容易配線的路線的方式設(shè)于配置為格子狀的外部電極24上，故各基板側(cè)焊點(diǎn)21連接的外部電極24位于格子狀的哪個(gè)位置，通常無(wú)法自由選擇。即，若參照?qǐng)D1-B的示例，則端子P1、P3、P5…等與配置為格子狀的外部電極24中的最外周的外部電極連接，而端子P2、P4、P6…與配置為格子狀的外部電極24中更內(nèi)側(cè)的外部電極連接。
功率晶體管用的配線，當(dāng)連接于配置為格子狀的外部電極24中的更內(nèi)側(cè)的外部電極時(shí)，其間的配線電阻變大。由此造成的損耗變大，而且電壓降也變大。
在本發(fā)明中，進(jìn)行各種考慮，以便縮短到功率晶體管11的外部電極24的配線距離。
首先，(1)在IC芯片主體中，將功率晶體管11配置為鄰近IC側(cè)焊點(diǎn)15。由此，縮短功率配線14-1、14-2的配線長(zhǎng)度。
(2)選擇使功率配線14-1、14-2在基板側(cè)的配線長(zhǎng)度變短的IC側(cè)焊點(diǎn)15，并連接于其IC側(cè)焊點(diǎn)。以往，從功率晶體管11引出的功率配線通常連接于相鄰的IC側(cè)焊點(diǎn)上，而在本發(fā)明中，考慮基板側(cè)的配線狀況來(lái)選擇連接功率配線的IC側(cè)焊點(diǎn)。
(3)在基板側(cè)，連接于功率晶體管11的基板側(cè)焊點(diǎn)21，成為到外部電極24的配線長(zhǎng)度變短的格子狀的外部配線中最外周的基板側(cè)焊點(diǎn)21。
這樣，在本發(fā)明中，將IC側(cè)焊點(diǎn)15中的功率用焊點(diǎn)Piii、Pv與連接于基板20的外部電極21中的最外周的外部電極的基板側(cè)焊點(diǎn)P3、P5相接合，以使配線長(zhǎng)度變短。
因此，根據(jù)本發(fā)明，由于從IC芯片主體的功率元件到外部電極的配線長(zhǎng)度縮短，故配線電阻變小。由此，可以降低損耗。
再者，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，與IC側(cè)焊點(diǎn)中的功率用焊點(diǎn)接合的基板側(cè)焊點(diǎn)采用矩形狀的整體基板側(cè)焊點(diǎn)中的角落部的基板側(cè)焊點(diǎn)以外的基板側(cè)焊點(diǎn)。換言之，將位于配置為四邊形的基板側(cè)焊點(diǎn)21的各邊的中央部分，且配線距離短的最外周的焊點(diǎn)P3、P5用做功率配線。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置多安裝利用于印刷電路基板。這種情況下，為了進(jìn)行軟溶處理等而實(shí)施熱處理，但會(huì)受到由熱應(yīng)力引起的基板20彎曲變形的影響。該變形尤其在基板20的角落比中央部大。
在本發(fā)明中，由于將角落部的基板側(cè)焊點(diǎn)以外的基板側(cè)焊點(diǎn)用于功率，故即使由熱應(yīng)力引起基板20彎曲，產(chǎn)生印刷配線基板和基板20的外部電極間的接觸不良或剝離、或者基板20的基板側(cè)焊點(diǎn)21和IC芯片主體10的IC側(cè)焊點(diǎn)15間的接觸不良或剝離的概率也會(huì)變小。因此，可以減少由接觸不良引起的電阻值增大的影響。
另外，將本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置安裝在印刷電路基板上時(shí)，如果同樣由最外周的外部電極引出向安裝在印刷電路基板上的分立元件(例如電容器、線圈、晶體管等)的配線，則印刷電路基板上的配線長(zhǎng)度也可以縮短。
圖3是在將本發(fā)明的功率晶體管11作為調(diào)整器用控制晶體管的情況下，用來(lái)和原來(lái)情況的圖4進(jìn)行比較表示的構(gòu)成圖。
在圖3中，功率晶體管11是P溝道型MOS晶體管，控制回路12將基準(zhǔn)電壓Vref與對(duì)應(yīng)于輸出電壓Vo的檢測(cè)電壓Vdet進(jìn)行比較，控制功率晶體管11，以使輸出電壓Vo成為對(duì)應(yīng)于基準(zhǔn)電壓Vref的規(guī)定值。
功率晶體管11，一端連接于IC側(cè)焊點(diǎn)15a(例如，對(duì)應(yīng)于圖1-A的Piii)，且通過配線Wa(對(duì)應(yīng)于圖1-A的配線14-1及圖1-B的規(guī)定配線22)連接于外部電極24a。功率電壓Vc供給到該外部電極24a。功率晶體管11的另一端連接于IC側(cè)焊點(diǎn)15b(例如，對(duì)應(yīng)于圖1A的Pv)，且通過配線Wb(對(duì)應(yīng)于圖1-A的配線14-2及圖1-B的規(guī)定配線22)連接于外部電極24b。該外部電極24b連接于負(fù)載30，供給輸出電壓Vo及負(fù)載電流Io。此外，連接于該外部電極24a、24b的印刷電路基板上的配線，只通過例如外部電極的大小以上、粗的配線，與功率電壓Vcc或負(fù)載30連接。
在本發(fā)明中，由于外部電極24a、24b是最外周的外部電極，故配線Wa、Wb的配線長(zhǎng)度短，其電阻值Rw小。因?yàn)橛稍撆渚€Wa、Wb引起的電壓降小的幾乎可以忽略，所以用于將輸出電壓Vo反饋到控制回路12的檢測(cè)電壓Vdet可從IC側(cè)焊點(diǎn)15b取得。
另一方面，在圖4中表示將原來(lái)的功率晶體管11作為調(diào)整器用的控制晶體管的情況。在圖4中，對(duì)與本發(fā)明的圖3相同的部件賦予相同的符號(hào)。而且，對(duì)于雖然對(duì)應(yīng)、但一部分功能或結(jié)構(gòu)不同的內(nèi)容在相同的符號(hào)上加[′]。
在原來(lái)的圖4的情況下，功率晶體管11，一端連接IC側(cè)焊點(diǎn)15a′，且通過配線Wa′連接于外部電極24a′。功率晶體管11的另一端連接于IC側(cè)焊點(diǎn)15b’，且通過配線Wb′連接于外部電極24b′。大多配線Wa′、Wb′的配線長(zhǎng)度長(zhǎng)，其電阻值Rw′是比較大的值。由該配線Wa′、Wb′引起的電壓降大的不能忽略。因此，由于該電阻Rw′引起的功耗大，故若與圖3的情況相同，從IC側(cè)端子15b′取得檢測(cè)電壓Vdet，則由于配線電壓降部分的電壓施加在負(fù)載上，故電壓控制特性惡化。
為了抑制該電壓特性的惡化，需要構(gòu)成為另外設(shè)置電壓檢測(cè)用的IC側(cè)焊點(diǎn)15c，通過IC側(cè)焊點(diǎn)15c將外部端子24b′的電壓作為檢測(cè)電壓Vdet反饋到控制回路12。
這樣，在本發(fā)明中，在構(gòu)成調(diào)整器的情況下，由于伴隨大電流的配線的電壓降減少，故可以提高電壓控制特性。而且，通過減少其電壓降，而可以將IC芯片主體的功率用焊點(diǎn)15b作為讀出用焊點(diǎn)共用。因此，可省略讀出用焊點(diǎn)，從而減少焊點(diǎn)數(shù)。
接著，以下利用圖5，對(duì)作為本發(fā)明的第二實(shí)施例的構(gòu)成進(jìn)行說明。
圖5是用來(lái)說明作為第二實(shí)施例的上述圖1-A、圖1-B的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖面圖。在圖5中，與第一實(shí)施例同樣，在IC芯片主體10的內(nèi)部組裝入圖1-A所示的功率晶體管11、控制電路12等各構(gòu)成要素。在該IC芯片主體10的表面上形成IC側(cè)焊點(diǎn)15，以電接觸的方式在該IC側(cè)焊點(diǎn)15上設(shè)有突起16。而且，基板20的焊點(diǎn)21通過突起16而與IC芯片主體10的IC側(cè)焊點(diǎn)15連接著。
在這里，第二實(shí)施例在基板20的構(gòu)成上具有特征，更具體地說，如圖5所示，在IC芯片主體10的一面上，沿垂直的方向?qū)盈B多個(gè)絕緣層20a、20b、20c，以形成基板20。根據(jù)該構(gòu)成，多個(gè)外部電極從上述層疊基板朝向另一面，貫通通過多個(gè)絕緣層而與各外部電極對(duì)應(yīng)地形成的連通路來(lái)形成。因此，如圖5所示，這些連通路在從剖面看的情況下，形成為曲柄(crank)形狀。
由配線22互相連接各焊點(diǎn)21與各外部電極26，外部電極26從一面?zhèn)认蛄硪幻鎮(zhèn)蓉炌ㄟB通路25而連接著。
再有，雖然對(duì)其他方面的記載進(jìn)行省略，但從外部電極26向各基板側(cè)焊點(diǎn)21的連接方法等和圖1-B所說明的同樣。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，IC芯片主體，其包含功率元件，將在一面的外緣部上具有信號(hào)用焊點(diǎn)及所述功率元件連接的功率用焊點(diǎn)的多個(gè)IC側(cè)焊點(diǎn)配置為矩陣狀；和基板，其具有絕緣基體材料；將該絕緣基體材料的多個(gè)貫通孔從一面?zhèn)鹊搅硪幻鎮(zhèn)确謩e貫通并向上述另一面?zhèn)韧怀?，且配置為格子狀的多個(gè)外部電極；配置在上述絕緣基體材料的上述一面?zhèn)壬希謩e對(duì)應(yīng)于上述IC側(cè)焊點(diǎn)進(jìn)行電連接，以包圍上述多個(gè)外部電極的多個(gè)基板側(cè)焊點(diǎn)；以及分別連接上述多個(gè)基板側(cè)焊點(diǎn)和上述多個(gè)外部電極的多條配線，上述IC側(cè)焊點(diǎn)中的上述功率用焊點(diǎn)，與連接在所述外部電極中的最外周的外部電極上的所述基板側(cè)焊點(diǎn)接合，以便縮短所述配線的長(zhǎng)度。
2.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，IC芯片主體，其包含功率元件，且配置有在一面的外緣部上具有信號(hào)用焊點(diǎn)及所述功率元件連接的功率用焊點(diǎn)的多個(gè)IC側(cè)焊點(diǎn)；和基板，其具有絕緣基體材料；將該絕緣基體材料的多個(gè)連通路從一面?zhèn)鹊搅硪幻鎮(zhèn)确謩e連通并向上述另一面?zhèn)韧怀觯遗渲脼楦褡訝畹亩鄠€(gè)外部電極；配置在上述絕緣基體材料的上述一面?zhèn)壬?，分別對(duì)應(yīng)于上述IC側(cè)焊點(diǎn)進(jìn)行電連接，以包圍上述多個(gè)外部電極的多個(gè)基板側(cè)焊點(diǎn)；以及分別連接上述多個(gè)基板側(cè)焊點(diǎn)和上述多個(gè)外部電極的多條配線，上述IC側(cè)焊點(diǎn)中的上述功率用焊點(diǎn)，與連接在所述外部電極中的最外周的外部電極上的所述基板側(cè)焊點(diǎn)接合，以便縮短所述配線的長(zhǎng)度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，從除去位于基板角落的基板側(cè)焊點(diǎn)的基板側(cè)焊點(diǎn)中選擇與上述功率用焊點(diǎn)接合的上述基板側(cè)焊點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述功率元件是功率晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述功率晶體管是用于將功率電壓調(diào)整為規(guī)定輸出電壓的調(diào)整器用晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，將對(duì)應(yīng)于上述調(diào)整用晶體管的輸出端所連接的上述IC側(cè)焊點(diǎn)中的電壓的檢測(cè)電壓，反饋到調(diào)整器用晶體管的控制回路。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具備功率晶體管，且將外部電極配置為格子狀的BGA型半導(dǎo)體裝置，通過減小到功率晶體管的配線電阻，而降低損耗，提高功率晶體管的控制特性。具有包含功率晶體管的IC芯片主體；和具有多個(gè)從一面?zhèn)认蛄硪幻鎮(zhèn)蓉灤┙^緣基材的多個(gè)貫通孔，并向另一面?zhèn)韧怀觯遗渲脼楦褡訝畹亩鄠€(gè)外部電極的BGA型基板。IC芯片主體的IC側(cè)焊點(diǎn)中的功率用焊點(diǎn)，與連接于基板的外部電極中的最外周的外部電極的基板側(cè)焊點(diǎn)相接合，以便縮短配線長(zhǎng)度。
文檔編號(hào)H01L23/12GK1595647SQ200410077110
公開日2005年3月16日 申請(qǐng)日期2004年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月11日
發(fā)明者堀本昌志 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司