專利名稱：半絕緣襯底長波長半導(dǎo)體激光器及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半絕緣襯底長波長半導(dǎo)體激光器的器件結(jié)構(gòu)及其制作方法，更確切地說涉及一種在半絕緣銦磷襯底上，采用低壓金屬有機(jī)化合物氣相沉積法外延生長長波長半導(dǎo)體激光器外延片，采用濕法刻蝕工藝制作器件結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
長波長高調(diào)制速率半導(dǎo)體激光器不僅是光纖通信中的重要器件，而且還可用于軍事中進(jìn)行雷達(dá)信號高速傳輸。高速的數(shù)字通信和模擬通信系統(tǒng)是人們不斷追求的目標(biāo)，因此高性能的激光器需要更高的調(diào)制速率，常用-3dB調(diào)制帶寬來衡量激光器的調(diào)制特性。限制激光器調(diào)制帶寬的因素主要來自兩個(gè)方面，一個(gè)是器件張馳振蕩頻率的限制，另一個(gè)是器件寄生參數(shù)的影響。由激光器的速率方程可以推導(dǎo)出張馳振蕩頻率與激光器其它參數(shù)之間的關(guān)系為ωn=g0S0τp---(1)]]>利用S0=τpJ-Jthqd0---(2)]]>
可以變?yōu)?amp;omega;n=g0qd0(J-Jth)---(3)]]>其中ωn為激光器的張馳振蕩頻率，g0為增益系數(shù)，S0為腔內(nèi)光子密度，τp為光子壽命，d0為有源區(qū)厚度，J，Jth分別為注入電流密度和閾值電流密度。從電路元件的觀點(diǎn)來看，電極引線會引起寄生電感，器件的有源區(qū)電容和極間電容會引起寄生電容。這些寄生參數(shù)(電阻R、電容C、電感L)限制了器件帶寬。寄生參數(shù)限制的帶寬f與電阻R、電容C的關(guān)系如下f=50+RLRC---(4)]]>對于一個(gè)器件，真實(shí)測量到的-3dB調(diào)制帶寬由兩者共同作用來決定。當(dāng)器件的寄生參數(shù)太大時(shí)，激光器的-3dB調(diào)制帶寬主要受寄生參數(shù)的帶寬f限制，單純改善器件的有源區(qū)結(jié)構(gòu)成為徒勞，因此只能在解決了寄生參數(shù)限制的前提下，通過對器件的有源區(qū)和結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化才能獲取高的-3dB調(diào)制帶寬。
為了減小寄生參數(shù)的影響要采用特殊結(jié)構(gòu)來使得寄生電容、電感和電阻減小到最低。半絕緣襯底上的器件有著小的寄生電容，這就使得寄生參數(shù)對激光器調(diào)制帶寬的影響小于張馳振蕩的影響，這樣便可以只通過優(yōu)化激光器有源區(qū)特性和器件結(jié)構(gòu)來獲得高速率的半導(dǎo)體激光器。
由于是在半絕緣襯底上制作激光器，所以N面電極的引出是制作難點(diǎn)，解決這一困難常采用低臺面N面電極結(jié)構(gòu)(附
圖1)和孔洞N面電極結(jié)構(gòu)(附圖2)，其中圖1、圖2中的A，B分別為激光器的P面和N面電極。低臺面N面電極結(jié)構(gòu)的管芯，在進(jìn)行高頻特性測試時(shí)，由于N面電極和P面電極存在高度差，會造成不能直接測量，或是測量中電極接觸不好。此外對電極引線也造成不便?？锥碞面電極結(jié)構(gòu)也有其局限性，首先孔洞結(jié)構(gòu)限制了激光器的腔長，這顯然不適用于解理任意腔長的激光器；另外由于N面電極從孔洞中引出，這種結(jié)構(gòu)不僅增加了器件制作過程中腐蝕工藝的難度，同樣造成了測量、電極引線的困難(因?yàn)樵摲N結(jié)構(gòu)中P面、N面電極仍不位于同一平面內(nèi))，更重要的是引線強(qiáng)度和引線的可靠性大打折扣。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種半絕緣襯底長波長半導(dǎo)體激光器的器件結(jié)構(gòu)及其制作方法，其可獲取更高的調(diào)制速率。這種器件的優(yōu)點(diǎn)在于高頻測試方便，電極引線，器件封裝簡單易行。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種半絕緣襯底長波長半導(dǎo)體激光器，其特征在于主要包括P面電極部分和N面電極部分以及兩者間的隔離溝道；其中，P面電極部分和N面電極部分主體包括一半絕緣銦磷襯底；一低壓金屬有機(jī)化合物氣相沉積法生長的激光器材料結(jié)構(gòu)，該激光器材料結(jié)構(gòu)制作在半絕緣銦磷襯底上；一二氧化硅介質(zhì)層，該二氧化硅介質(zhì)層蒸發(fā)濺射在材料結(jié)構(gòu)上；一雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)，該雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)采用濕法刻蝕的方法制作在激光器材料結(jié)構(gòu)上；
一P面電極層，該P(yáng)面電極層制作在雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)上；所述的隔離溝道是采用濕法刻蝕的方法形成的，該隔離溝道的外側(cè)為一N面電極區(qū)，該隔離溝道形成有一臺階結(jié)構(gòu)；這種結(jié)構(gòu)保證了激光器的P面電極和N面電極共面。
其中激光器的材料結(jié)構(gòu)由下到上依次為一層N型銦磷緩沖層、N++銦鎵砷N面接觸層、N+型銦磷下包層、銦鎵砷磷下波導(dǎo)層和銦鎵砷磷有源區(qū)、銦鎵砷磷上波導(dǎo)層、P+型銦磷上包層、P++銦鎵砷P面接觸層。
本發(fā)明一種半絕緣襯底長波長半導(dǎo)體激光器的制作方法，其特征在于，其制作步驟為步驟1在半絕緣銦磷襯底上，用低壓金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延生長材料結(jié)構(gòu)；步驟2在材料結(jié)構(gòu)上，采用蒸發(fā)濺射的方法制作一二氧化硅介質(zhì)層；步驟3在材料結(jié)構(gòu)上用刻蝕的方法制作雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)；步驟4在該雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)和N面電極區(qū)之間采用濕法刻蝕形成隔離溝道，在材料結(jié)構(gòu)上用濕法刻蝕的方法制作N面電極區(qū)；步驟5在雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)和N面電極區(qū)上制作激光器電極。
其中激光器的材料結(jié)構(gòu)由下到上依次為一層N型銦磷緩沖層、N++銦鎵砷N面接觸層、N+型銦磷下包層、銦鎵砷磷下波導(dǎo)層和銦鎵砷磷有源區(qū)、銦鎵砷磷上波導(dǎo)層、P+型銦磷上包層、P++銦鎵砷P面接觸層。
其中制作激光器的雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)時(shí)，采用二氧化硅介質(zhì)膜和光刻膠作為阻擋層，腐蝕液為硫酸系腐蝕液，鹽酸系腐蝕液相互配合使用。
其中激光器的N面電極由處于激光器結(jié)構(gòu)下底部的N++銦鎵砷層通過臺階結(jié)構(gòu)引線到上部P++銦鎵砷臺面上；是用硫酸系腐蝕液，鹽酸系腐蝕液，溴系腐蝕液配合使用腐蝕而成。
其中臺階結(jié)構(gòu)，該種臺階結(jié)構(gòu)的引線方法是將臺階結(jié)構(gòu)分成兩個(gè)或是多個(gè)階梯狀臺階，該種方法不僅適用于半絕緣襯底激光器的電極引線，也適用于探測器、垂直腔面激光器等其它存在對高臺面的引線的場合。
其中激光器電極制作過程中通過帶膠剝離電極來獲取N面、P面電極的相互隔離。部分N++銦鎵砷N面接觸層和部分P面脊形波導(dǎo)區(qū)域的鈦鉑金電極被剝離，這樣既可以很好的隔離N面、P面電極，又可以縮小電極面積減小寄生電容對激光器調(diào)制特性的影響。
本發(fā)明采用的制作工藝簡單合理，可以節(jié)約成本，縮短制作周期。
以下結(jié)合附圖對具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，進(jìn)一步說明本發(fā)明的結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)。其中圖1是現(xiàn)有低臺面N面電極結(jié)構(gòu)半絕緣襯底激光器的結(jié)構(gòu)示意圖，其中A區(qū)為P面電極區(qū)，B區(qū)為N面電極區(qū)；圖2是現(xiàn)有孔洞N面電極結(jié)構(gòu)半絕緣襯底激光器的結(jié)構(gòu)示意圖，其中A區(qū)為P面電極區(qū)，B區(qū)為N面電極區(qū)；圖3是本發(fā)明所提出的半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)示意圖，其中A區(qū)為P面電極區(qū)，B區(qū)為N面電極區(qū)，C為兩者間的隔離溝道；圖4是本發(fā)明提出的多臺階結(jié)構(gòu)示意圖(這里是兩個(gè)臺階)，其中標(biāo)注和圖5的標(biāo)注一致，另注(10)為二氧化硅介質(zhì)膜，(20)為P面鈦鉑金電極，(30)為N面鈦鉑金電極，(40)為激光器的雙溝脊形部分，(50)為激光器N面的臺階狀電極；圖5是本發(fā)明采用的激光器的材料結(jié)構(gòu)；圖6是本發(fā)明所提出的激光器制作步驟的示意圖；圖7是本發(fā)明所提出的激光器剖面圖的顯微照片；圖8是本發(fā)明所提出的激光器N面電極臺面處的顯微照片。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明依據(jù)本發(fā)明具體實(shí)施例半絕緣襯底長波長半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)及其制作方法。
1、激光器的器件結(jié)構(gòu)，請參閱圖3、圖4和圖5所示本發(fā)明一種半絕緣襯底長波長半導(dǎo)體激光器，主要包括P面電極部分A和N面電極部分B以及兩者間的隔離溝道C；其中，P面電極部分A和N面電極部分B主體包括一半絕緣銦磷襯底1；一低壓金屬有機(jī)化合物氣相沉積法生長的激光器材料結(jié)構(gòu)60，該激光器材料結(jié)構(gòu)60制作在半絕緣銦磷襯底1上；一二氧化硅介質(zhì)層10，該二氧化硅介質(zhì)層10蒸發(fā)濺射在材料結(jié)構(gòu)60上；該激光器的材料結(jié)構(gòu)60由下到上依次為
一層N型銦磷緩沖層2、N++銦鎵砷N面接觸層3、N+型銦磷下包層4、銦鎵砷磷下波導(dǎo)層5和銦鎵砷磷有源區(qū)6、銦鎵砷磷上波導(dǎo)層7、P+型銦磷上包層8、P++銦鎵砷P面接觸層9。
一雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)40，該雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)40采用濕法刻蝕的方法制作在激光器材料結(jié)構(gòu)60上；一P面電極層20，該P(yáng)面電極層20制作在雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)40上；所述的隔離溝道C是采用濕法刻蝕的方法形成的，該隔離溝道C的外側(cè)為一N面電極區(qū)30，該隔離溝道C形成有一臺階結(jié)構(gòu)50；這種結(jié)構(gòu)保證了激光器的P面電極和N面電極共面；其結(jié)合參閱圖1所示，本發(fā)明一種半絕緣襯底長波長半導(dǎo)體激光器的制作方法，其制作步驟為步驟1在半絕緣銦磷襯底1上，用低壓金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延生長材料結(jié)構(gòu)60；該激光器的材料結(jié)構(gòu)60由下到上依次為一層N型銦磷緩沖層2、N++銦鎵砷N面接觸層3、N+型銦磷下包層4、銦鎵砷磷下波導(dǎo)層5和銦鎵砷磷有源區(qū)6、銦鎵砷磷上波導(dǎo)層7、P+型銦磷上包層8、P++銦鎵砷P面接觸層9；步驟2在材料結(jié)構(gòu)60上，采用蒸發(fā)濺射的方法制作一二氧化硅介質(zhì)層10；步驟3在材料結(jié)構(gòu)60上用刻蝕的方法制作雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)40；制作激光器的雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)40時(shí)，采用二氧化硅介質(zhì)膜和光刻膠作為阻擋層，腐蝕液為硫酸系腐蝕液，鹽酸系腐蝕液相互配合使用；
步驟4在該雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)40和N面電極區(qū)30之間采用濕法刻蝕形成隔離溝道C，在材料結(jié)構(gòu)60上用濕法刻蝕的方法制作N面電極區(qū)30；步驟5在雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)40和N面電極區(qū)30上制作激光器電極，該激光器的N面電極區(qū)30由處于激光器結(jié)構(gòu)下底部的N++銦鎵砷層通過臺階結(jié)構(gòu)50引線到上部P++銦鎵砷臺面上20；是用硫酸系腐蝕液，鹽酸系腐蝕液，溴系腐蝕液配合使用腐蝕而成。
其中激光器的N面電極區(qū)30由處于激光器結(jié)構(gòu)下底部的N++銦鎵砷層通過臺階結(jié)構(gòu)50引線到上部P++銦鎵砷臺面上20；是用硫酸系腐蝕液，鹽酸系腐蝕液，溴系腐蝕液配合使用腐蝕而成；該臺階結(jié)構(gòu)50的引線方法是將臺階結(jié)構(gòu)50分成兩個(gè)或是多個(gè)階梯狀臺階，該種方法不僅適用于半絕緣襯底激光器的電極引線，也適用于探測器、垂直腔面激光器等其它存在對高臺面的引線的場合。
其中激光器電極制作過程中通過帶膠剝離電極來獲取N面、P面電極的30、20相互隔離；部分N++銦鎵砷N面接觸層3和部分P面脊形波導(dǎo)區(qū)40域的鈦鉑金電極被剝離，這樣既可以很好的隔離N面、P面電極區(qū)30、20，又可以縮小電極面積減小寄生電容對激光器調(diào)制特性的影響。
實(shí)施例本實(shí)施例的半絕緣襯底長波長半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)主要包括P面電極部分A和N面電極部分B以及兩者間的隔離溝道C(圖3中)。A主體包括P面電極層20，其下是雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)40，再下面是低壓金屬有機(jī)化合物氣相沉積法生長的激光器材料結(jié)構(gòu)60，最下面是半絕緣銦磷襯底1；B主體是N面電極區(qū)30，它從N++銦鎵砷N面接觸層3開始，通過臺階結(jié)構(gòu)50連接到P++銦鎵砷形成的臺面上9。這種結(jié)構(gòu)特點(diǎn)保證了激光器的P面電極和N面電極共面(圖4中)。
2.材料結(jié)構(gòu)的金屬有機(jī)化合物氣相沉積法生長請參閱圖5所示，采用低壓金屬有機(jī)化合物氣相沉積法外延生長技術(shù)在半絕緣銦磷襯底1生長出一層N型銦磷緩沖層2，接著生長N++銦鎵砷N面接觸層3，N+型銦磷下包層4，銦鎵砷磷下波導(dǎo)層5和銦鎵砷磷有源區(qū)6，然后在有源區(qū)上繼續(xù)生長，銦鎵砷磷上波導(dǎo)層7，P+型銦磷上包層8，P++銦鎵砷P面接觸層9。
3.雙溝脊形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的制作請參閱圖6a、6b所示，首先在外延生長的激光器結(jié)構(gòu)60上蒸發(fā)濺射一層二氧化硅介質(zhì)層10，采用-50/500光刻版(周期為500μm，條寬為50μm，為陰版)光刻出50μm的窗口；在該結(jié)構(gòu)上采用5/500光刻版(周期為500μm，條寬為5μm，為陽版)套刻光刻出5μm光刻膠腐蝕阻擋窗口；最后選用硫酸系(H2SO4、H2O、H2O2)腐蝕液，鹽酸系(HCl、H2O)腐蝕液選擇性腐蝕出雙溝脊形結(jié)構(gòu)(40)。
4.N面電極臺面的制作請參閱圖6c所示，對上面的實(shí)驗(yàn)結(jié)果處理后帶膠生長二氧化硅介質(zhì)層，帶膠剝離出P面電極窗口。采用-100/500光刻版錯(cuò)位套刻光刻出100μm二氧化硅介質(zhì)層窗口；選用硫酸系(H2SO4、H2O、H2O2)腐蝕液，鹽酸系(HCl、H2O)腐蝕液，溴系(Br，HBr，H2O)腐蝕液相互配合，多次腐蝕得出圖6c的結(jié)構(gòu)，其中N面電極所在的隔離溝道停止在N++銦鎵砷N面接觸層內(nèi)。采用多步腐蝕得出N++銦鎵砷層到P++銦鎵砷層的階梯狀臺面，首先是采用選用硫酸系腐蝕液將表層的P++銦鎵砷接觸層腐蝕掉，再利用鹽酸系腐蝕液腐蝕P+型銦磷上包層，用溴系腐蝕液腐蝕掉銦鎵砷磷波導(dǎo)層和銦鎵砷磷有源區(qū)，此時(shí)再用硫酸系腐蝕液腐蝕，由于硫酸系腐蝕液不腐蝕銦磷材料，所以它不會腐蝕N+型銦磷下包層，利用硫酸系腐蝕液會輕微腐蝕邊沿處光刻膠的特點(diǎn)便可在P++銦鎵砷P面接觸層處腐蝕出臺階。最后再用鹽酸系腐蝕液腐蝕，便可以腐蝕掉N+型銦磷下包層和臺階處的P+型銦磷上包層，形成本發(fā)明中所述的臺階狀結(jié)構(gòu)。
5.激光器電極的制作請參閱圖6d所示，由于上面的結(jié)構(gòu)中P面，N面電極處于同一側(cè)，所以如何保證兩者很好的隔離也是一工藝技巧，同時(shí)還應(yīng)在不影響工藝復(fù)雜度的前提下盡量減小電極的面積。選用50/-180/70/-200光刻版(周期為500μm，50μm、70μm為陽，180μm、200μm為陰)套刻，帶膠生長鈦鉑金電極，帶膠剝離掉不需要的電極最終得到電極(20)、(30)，如圖6d所示結(jié)構(gòu)。部分N++銦鎵砷N面接觸層和部分P面脊形波導(dǎo)區(qū)域的鈦鉑金電極被剝離，這樣既可以很好的隔離N面、P面電極，又可以縮小電極面積減小寄生電容對激光器調(diào)制特性的影響。
6.其它后繼工藝對4步所得出的片子進(jìn)行磨拋襯底，解理管芯和腔面鍍膜，最后封裝測試。
附圖7為實(shí)驗(yàn)制成的半絕緣襯底激光器剖面圖的顯微照片，圖8為半絕緣襯底激光器N面電極臺面處的顯微照片。
權(quán)利要求
1.一種半絕緣襯底長波長半導(dǎo)體激光器，其特征在于主要包括P面電極部分和N面電極部分以及兩者間的隔離溝道；其中，P面電極部分和N面電極部分主體包括一半絕緣銦磷襯底；一低壓金屬有機(jī)化合物氣相沉積法生長的激光器材料結(jié)構(gòu)，該激光器材料結(jié)構(gòu)制作在半絕緣銦磷襯底上；一二氧化硅介質(zhì)層，該二氧化硅介質(zhì)層蒸發(fā)濺射在材料結(jié)構(gòu)上；一雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)，該雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)采用濕法刻蝕的方法制作在激光器材料結(jié)構(gòu)上；一P面電極層，該P(yáng)面電極層制作在雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)上；所述的隔離溝道是采用濕法刻蝕的方法形成的，該隔離溝道的外側(cè)為一N面電極區(qū)，該隔離溝道形成有一臺階結(jié)構(gòu)；這種結(jié)構(gòu)保證了激光器的P面電極和N面電極共面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半絕緣襯底長波長半導(dǎo)體激光器，其特征在于，其中激光器的材料結(jié)構(gòu)由下到上依次為一層N型銦磷緩沖層、N++銦鎵砷N面接觸層、N+型銦磷下包層、銦鎵砷磷下波導(dǎo)層和銦鎵砷磷有源區(qū)、銦鎵砷磷上波導(dǎo)層、P+型銦磷上包層、P++銦鎵砷P面接觸層。
3.一種半絕緣襯底長波長半導(dǎo)體激光器的制作方法，其特征在于，其制作步驟為步驟1在半絕緣銦磷襯底上，用低壓金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延生長材料結(jié)構(gòu)；步驟2在材料結(jié)構(gòu)上，采用蒸發(fā)濺射的方法制作一二氧化硅介質(zhì)層；步驟3在材料結(jié)構(gòu)上用刻蝕的方法制作雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)；步驟4在該雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)和N面電極區(qū)之間采用濕法刻蝕形成隔離溝道，在材料結(jié)構(gòu)上用濕法刻蝕的方法制作N面電極區(qū)；步驟5在雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)和N面電極區(qū)上制作激光器電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半絕緣襯底長波長半導(dǎo)體激光器的制作方法，其特征在于，其中激光器的材料結(jié)構(gòu)由下到上依次為一層N型銦磷緩沖層、N++銦鎵砷N面接觸層、N+型銦磷下包層、銦鎵砷磷下波導(dǎo)層和銦鎵砷磷有源區(qū)、銦鎵砷磷上波導(dǎo)層、P+型銦磷上包層、P++銦鎵砷P面接觸層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半絕緣襯底長波長半導(dǎo)體激光器的制作方法，其特征在于，其中制作激光器的雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)時(shí)，采用二氧化硅介質(zhì)膜和光刻膠作為阻擋層，腐蝕液為硫酸系腐蝕液，鹽酸系腐蝕液相互配合使用。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半絕緣襯底長波長半導(dǎo)體激光器的制作方法，其特征在于，其中激光器的N面電極由處于激光器結(jié)構(gòu)下底部的N++銦鎵砷層通過臺階結(jié)構(gòu)引線到上部P++銦鎵砷臺面上；是用硫酸系腐蝕液，鹽酸系腐蝕液，溴系腐蝕液配合使用腐蝕而成。
7.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的半絕緣襯底長波長半導(dǎo)體激光器的制作方法，其特征在于，其中臺階結(jié)構(gòu)，該種臺階結(jié)構(gòu)的引線方法是將臺階結(jié)構(gòu)分成兩個(gè)或是多個(gè)階梯狀臺階，該種方法不僅適用于半絕緣襯底激光器的電極引線，也適用于探測器、垂直腔面激光器等其它存在對高臺面的引線的場合。
8.根據(jù)根據(jù)權(quán)利要求3所述的半絕緣襯底長波長半導(dǎo)體激光器的制作方法，其特征在于，其中激光器電極制作過程中通過帶膠剝離電極來獲取N面、P面電極的相互隔離。部分N++銦鎵砷N面接觸層和部分P面脊形波導(dǎo)區(qū)域的鈦鉑金電極被剝離，這樣既可以很好的隔離N面、P面電極，又可以縮小電極面積減小寄生電容對激光器調(diào)制特性的影響。
全文摘要
一種半絕緣襯底長波長半導(dǎo)體激光器，主要包括P面電極部分和N面電極部分以及兩者間的隔離溝道；其中，P面電極部分和N面電極部分主體包括一半絕緣銦磷襯底；一低壓金屬有機(jī)化合物氣相沉積法生長的激光器材料結(jié)構(gòu)，該激光器材料結(jié)構(gòu)制作在半絕緣銦磷襯底上；一二氧化硅介質(zhì)層，該二氧化硅介質(zhì)層蒸發(fā)濺射在材料結(jié)構(gòu)上；一雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)，該雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)采用濕法刻蝕的方法制作在激光器材料結(jié)構(gòu)上；一P面電極層，該P(yáng)面電極層制作在雙溝脊形波導(dǎo)區(qū)上；所述的隔離溝道是采用濕法刻蝕的方法形成的，該隔離溝道的外側(cè)為一N面電極區(qū)，該隔離溝道形成有一臺階結(jié)構(gòu)；這種結(jié)構(gòu)保證了激光器的P面電極和N面電極共面。
文檔編號H01S5/32GK1756010SQ200410080410
公開日2006年4月5日 申請日期2004年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月29日
發(fā)明者林濤, 江李, 陳芳, 劉素平, 馬驍宇 申請人:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所