專利名稱：平面顯示面板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種應(yīng)用超高開(kāi)口率(UHA，ultra high aperture)平面顯示面板的制造技術(shù)，特別是關(guān)于一種在制造平面顯示面板的接觸墊區(qū)時(shí)，利用了半調(diào)光罩(halftone mask)的平面顯示面板的的制造方法。
背景技術(shù)：
TFT(thin film transistor，薄膜晶體管)板與一彩色濾光板共同將液晶分子封裝于其間。TFT板、液晶分子以及彩色濾光板即組成典型的液晶顯示面板，其為目前常見(jiàn)的一種平面顯示面板。
請(qǐng)參照?qǐng)D1A，圖1A所示為典型TFT板上視圖的一部分。每個(gè)單位畫(huà)素111中的薄膜晶體管12，與一導(dǎo)電透光層18電性連接，藉由訊號(hào)線14與閘極線16電訊號(hào)的配合可操作個(gè)別的薄膜晶體管12，以使薄膜晶體管12所連接的導(dǎo)電透光層18可具有不同的特定電位。藉由TFT板10的導(dǎo)電透光層18所具有的特定電位，與彩色濾光板所具有的共同電極(未圖標(biāo))的電位的不同，二者間的電位差可調(diào)控其間的液晶分子的旋轉(zhuǎn)角度，以使液晶顯示面板可顯示不同的灰階。
為了要將電訊號(hào)輸入該些訊號(hào)線14以與閘極線16，如圖1A所示，在TFT板10的周圍部分具有一接觸墊區(qū)(bonding pad region)20，延伸的訊號(hào)線14以與閘極線16在此區(qū)分別形成訊號(hào)線接觸墊(data pad)141以與閘極線接觸墊(gate pad)161，以便于后續(xù)TFT板10與其外部的電路的連接。
請(qǐng)參照?qǐng)D1B，圖1B為圖1A的8→8側(cè)剖面圖。由圖1B可看出閘極12G與閘極線16皆位于基材13上，且具有相同的高度，此二者通常是在同一道光蝕刻步驟(photo-etching process，PEP)中被形成，一般將二者統(tǒng)稱為第一導(dǎo)線圖案21。
第一導(dǎo)線圖案21之上覆蓋有絕緣層121，半導(dǎo)體層122則形成于絕緣層121上，并位于閘極12G正上方。
其后再利用金屬材料制作出第二導(dǎo)線圖案22，以作為訊號(hào)線14，而連接至半導(dǎo)體層122兩側(cè)的第二導(dǎo)線圖案22，則可分別被定義為源極12S以及汲極12D。
沉積保護(hù)層123以覆蓋薄膜晶體管12與第二導(dǎo)線圖案22，之后，對(duì)保護(hù)層123形成預(yù)定的通孔(via)23a、23b、23c與23d，以便沉積導(dǎo)電透光材料，而使導(dǎo)電透光材料分別與第一導(dǎo)線圖案21或第二導(dǎo)線圖案22電性連接。
在畫(huà)素區(qū)11中，導(dǎo)電透光材料形成導(dǎo)電透光層18，其透過(guò)通孔23a而電性連接至源極12D。而在接觸墊區(qū)20中，導(dǎo)電透光材料在通孔23b、23c與23d上形成訊號(hào)線接觸墊141或閘極線接觸墊161。值得一提的是，若第二導(dǎo)線圖案22下方有第一導(dǎo)線圖案21(僅示于圖1B)，則第二導(dǎo)線圖案22間會(huì)有一高度差，訊號(hào)線接觸墊141可因第二導(dǎo)線圖案22的高度差，而形成如通孔23c與通孔23d二種不同深度的訊號(hào)線接觸墊141。
請(qǐng)參照?qǐng)D2，圖2為習(xí)知的液晶顯示面板側(cè)剖面視圖。其利用一透光保護(hù)層19，形成于保護(hù)層123之上而將導(dǎo)電透光層18墊高，以使導(dǎo)電透光層18可在水平方向上與訊號(hào)線14(或圖中未示的閘極線)有部分的重疊，卻不會(huì)帶來(lái)二者之間耦合電容的不良影響。其中，透光保護(hù)層19可為有機(jī)材料或是低介電常數(shù)的材料。藉此，可提高單位畫(huà)素111的開(kāi)口率，其中導(dǎo)電透光層18與保護(hù)層123之間距離約為2～6微米(圖2標(biāo)號(hào)s所示)，而黑矩陣25與導(dǎo)電透光層18具有約3～9微米的重合距離(圖2標(biāo)號(hào)d所示)。
典型的制程步驟介紹如圖3A～圖3E。請(qǐng)參照?qǐng)D3A，在基材13上沉積金屬材質(zhì)之后，第一道光蝕刻可對(duì)沉積的金屬材質(zhì)形成第一導(dǎo)線圖案21，以作為閘極12G與閘極線16。接著在沉積絕緣層121后，以第二道光蝕刻來(lái)形成半導(dǎo)體層122于閘極12G正上方。隨后的第三道光蝕刻可形成第二導(dǎo)線圖案22，以作為源極12S、汲極12D與訊號(hào)線14。
請(qǐng)參照至圖3B，其在沉積保護(hù)層123之后，對(duì)于保護(hù)層123或絕緣層121形成通孔23a、23b、23c與23d，以曝露出部分的第二導(dǎo)線圖案22與部分的第一導(dǎo)線圖案21，此為其第四道光蝕刻。
第五道光蝕刻首先沉積透光保護(hù)層19(圖3C)，在畫(huà)素區(qū)11對(duì)透光保護(hù)層19形成通孔23a，以曝露汲極12D；并將接觸墊區(qū)20中的透光保護(hù)層19予以移除(圖3D)。
第六道光蝕刻用以沉積導(dǎo)電透光材料(圖3E)，以作為導(dǎo)電透光層28、訊號(hào)線接觸墊141與閘極線接觸墊161。在畫(huà)素區(qū)11中，導(dǎo)電透光層28與汲極12D電性連接，用以調(diào)控液晶分子的旋轉(zhuǎn)角度；而在接觸墊區(qū)20中，導(dǎo)電透光材料與第一導(dǎo)線圖案層21、第二導(dǎo)線圖案22電性連接，以作為訊號(hào)線接觸墊141或閘極線接觸墊161。
圖4A至圖4F是表示另一習(xí)知TFT板的制程步驟，此習(xí)知技術(shù)中應(yīng)用了半調(diào)光罩27(示于圖4D)于TFT板10的接觸墊區(qū)20的制造過(guò)程。
其中圖4A表示其前三道光蝕刻，與圖3A相同。圖4B～圖4E則為第四道光蝕刻制程。不同于圖3B的是，此處并不需先對(duì)畫(huà)素區(qū)11和接觸墊區(qū)20的保護(hù)層123或絕緣層121形成通孔23a、23b、23c與23d，而是直接在沉積保護(hù)層123(圖4B)之后，繼續(xù)沉積透光保護(hù)層19(圖4C)，接著利用半調(diào)光罩(halftonemask)27，以曝光定義部分的透光保護(hù)層19(圖4D)，而留下部分透光保護(hù)層19來(lái)當(dāng)作下一次蝕刻的光阻層，以在下一次蝕刻時(shí)形成通孔23a、23b、23c與23d，而曝露出部分的第一導(dǎo)線圖案層21、第二導(dǎo)線圖案層22(圖4E)。
其第五道光蝕刻，是沉積導(dǎo)電透光材料(圖4F)，并對(duì)導(dǎo)電透光材料蝕刻而形成導(dǎo)電透光層28、訊號(hào)線接觸墊141與閘極線接觸墊161。在畫(huà)素區(qū)11中，導(dǎo)電透光層18與汲極12D電性連接，用以調(diào)控液晶分子的旋轉(zhuǎn)角度；而在接觸墊區(qū)20中，導(dǎo)電透光材料與第一導(dǎo)線圖案層21、第二導(dǎo)線圖案22電性連接，以作為訊號(hào)線接觸墊141或閘極線接觸墊161。
藉由上述圖3與圖4兩種習(xí)知TFT板制造技術(shù)的比較，未使用半調(diào)光罩(圖4D標(biāo)號(hào)27)時(shí)，是需要六道光蝕刻(6PEP)，而使用半調(diào)光罩則可使制程步驟縮減成為五道光蝕刻(5PEP)，因此可節(jié)省一張蝕刻光罩的成本。然而，在習(xí)知技術(shù)中，亦發(fā)現(xiàn)不少使用半調(diào)光罩的制程的缺點(diǎn)，茲敘述如下請(qǐng)參照?qǐng)D4D及圖4E，圖4D至圖4E的過(guò)程中，將殘留在接觸墊區(qū)20的透光保護(hù)層19移除，并形成通孔23b、23c與23d，其中制程的標(biāo)準(zhǔn)需求如下1.通孔23b、23c與23d必須蝕刻完全，不可有保護(hù)層123或絕緣層121殘留，否則將會(huì)造成后續(xù)接觸墊(141、161)接合不良或斷路。
2.接觸墊區(qū)20中的透光保護(hù)層19殘留厚度不可太厚，或可如圖4E所示將接觸墊區(qū)20的透光保護(hù)層19完全去除。否則在后續(xù)若需進(jìn)行接觸墊(141、161)接合的重工(bonding rework)時(shí)，易造成訊號(hào)線接觸墊141或閘極線接觸墊161的損壞。
3.蝕刻之后，于圖4E中殘留的保護(hù)層123需要具有一定的厚度，以保護(hù)第一導(dǎo)線圖案層21、第二導(dǎo)線圖案層22，以避免受到外界例如水氣等物質(zhì)的侵害。
面對(duì)上述的制程的標(biāo)準(zhǔn)需求，使用半調(diào)光罩的制程在去除透光保護(hù)層19時(shí)，且同時(shí)對(duì)保護(hù)層123形成通孔23b、23c與23d。但由于有機(jī)透光材料對(duì)保護(hù)層123的SiNx材料的蝕刻率選擇比低，而且通孔23b、23c與23d的深度不一，因此經(jīng)常不易同時(shí)符合上述的制程標(biāo)準(zhǔn)需求。舉例而言，當(dāng)圖4E中通孔23b能夠符合上述第1點(diǎn)(通孔蝕刻完全)的標(biāo)準(zhǔn)需求時(shí)，則通孔23d可能因?yàn)槲g刻過(guò)度，而不能滿足上述第3點(diǎn)(保護(hù)層123具有一定厚度)的標(biāo)準(zhǔn)需求。反之，若考慮到通孔23d的保護(hù)層123厚度需求，則又容易造成通孔23b的蝕刻不完全。
如此說(shuō)來(lái)，如何克服習(xí)知使用半調(diào)光罩的制程中有機(jī)透光材料對(duì)SiNx材料的蝕刻率選擇比低的難題，以同時(shí)能使制程容易同時(shí)滿足上述的制程標(biāo)準(zhǔn)需求，為習(xí)知技術(shù)所缺乏。
因此，對(duì)于從事液晶顯示器相關(guān)領(lǐng)域的研發(fā)人員而言，莫不致力于解決習(xí)知技術(shù)所仍然具有的缺點(diǎn)，以期能夠更進(jìn)一步提高產(chǎn)品的品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種平面顯示面板的制造方法，其利用一半調(diào)光罩以制造平面顯示面板的接觸墊區(qū)，以縮減制程、節(jié)省生產(chǎn)成本。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提出了一種平面顯示面板的制造方法，該方法至少包括下列步驟提供一底材；均勻形成一第一金屬層于該底材上；圖案化第一金屬層以形成一第一導(dǎo)線圖案及一墊高圖案；均勻形成一絕緣層于底材上，以覆蓋第一導(dǎo)線圖案以及墊高圖案；均勻形成一第二金屬層于底材上，以覆蓋絕緣層；圖案化第二金屬層以形成第二導(dǎo)線圖案，其中，相對(duì)于第一導(dǎo)線圖案上方及墊高圖案上方的第二導(dǎo)線圖案位于底材上同一預(yù)定高度的位置。
如上所述的制造方法，更包括形成一保護(hù)層于該底材上，以覆蓋該第二導(dǎo)線圖案與該絕緣層；以及形成一透光保護(hù)層于該保護(hù)層上。
如上所述的制造方法，該絕緣層及/或該第一金屬層及/或該第二金屬層是以沉積方式形成。
如上所述的制造方法，更包括蝕刻一預(yù)定部分的該透光保護(hù)層與該保護(hù)層，以移除該透光保護(hù)層，并形成復(fù)數(shù)個(gè)通孔以暴露出對(duì)應(yīng)該預(yù)定部分的該第二導(dǎo)線圖案；以及形成一導(dǎo)電透光圖案于該保護(hù)層上表面并經(jīng)由該通孔與該第二導(dǎo)線圖案電性連接。
如上所述的制造方法，更包括蝕刻一預(yù)定部分的該透光保護(hù)層與該保護(hù)層，并形成復(fù)數(shù)個(gè)通孔以暴露出對(duì)應(yīng)該預(yù)定部分的該第二導(dǎo)線圖案；以及形成一導(dǎo)電透光圖案于該透光保護(hù)層上并經(jīng)由該通孔與該第二導(dǎo)線圖案電性連接。
如上所述的制造方法，該形成上述該些通孔以曝露出該預(yù)定部分的該第二導(dǎo)線圖案的步驟，為一利用半調(diào)光罩的光蝕刻步驟(photo-etchingprocess，PEP)。
如上所述的制造方法，該半調(diào)光罩的光蝕刻步驟，是移除預(yù)定將形成該些通孔位置的部分該透光保護(hù)層，并殘留另一部分的透光保護(hù)層，以作為后續(xù)的一蝕刻阻擋層。
如上所述的制造方法，形成一導(dǎo)電透光圖案于部分該透光保護(hù)層上并經(jīng)由該通孔與該第二導(dǎo)線圖案電性連接的步驟更包括將該導(dǎo)電透光圖案同時(shí)形成于部分該透光保護(hù)層上并經(jīng)由該通孔與該第一導(dǎo)線圖案電性連接。
如上所述的制造方法，形成一導(dǎo)電透光圖案于該保護(hù)層上表面并經(jīng)由該通孔與該第二導(dǎo)線圖案電性連接的步驟更包括沉積導(dǎo)電材料于該通孔。
如上所述的制造方法，形成一導(dǎo)電透光圖案于該透光保護(hù)層上并經(jīng)由該通孔與該第一導(dǎo)線圖案電性連接的步驟更包括沉積導(dǎo)電材料于該通孔。
如上所述的制造方法，將該導(dǎo)電透光圖案同時(shí)形成于部分該透光保護(hù)層上并經(jīng)由該通孔與該第二導(dǎo)線圖案電性連接的步驟更包括沉積導(dǎo)電材料于該通孔。
本發(fā)明還進(jìn)一步提出了一種平面顯示面板，其是使用一透光保護(hù)層來(lái)墊高導(dǎo)電透光圖案，以使得導(dǎo)電透光圖案與其下方的第一與第二導(dǎo)線圖案可有水平方向上的重疊，進(jìn)而增加單位畫(huà)素的開(kāi)口率。且本發(fā)明使用半調(diào)光罩的光蝕刻步驟，以在平面顯示面板的接觸墊區(qū)部分可以節(jié)省一張光罩的使用而降低成本。更重要的是，本發(fā)明藉由對(duì)平面顯示面板接觸墊區(qū)中的第一、第二導(dǎo)線圖案進(jìn)行三維的設(shè)計(jì)，使接觸墊形成于同一高度導(dǎo)線圖案上，因此在進(jìn)行半調(diào)光罩的光蝕刻步驟時(shí)，制程較習(xí)知技術(shù)變得容易控制，且可提升合格率。透光保護(hù)層可為有機(jī)材料，例如壓克力系的有機(jī)光阻或是低介電常數(shù)的材料。此外，本發(fā)明對(duì)于第一、第二導(dǎo)線圖案的三維設(shè)計(jì)方式，可使部分第一、第二導(dǎo)線圖案的電性連接是藉由垂直面板平面的方向，而使得平面顯示面板平面上二維的導(dǎo)線圖案設(shè)計(jì)不需做大幅的變更，因此，本發(fā)明平面顯示面板的制造方法并且可以快速地融入既有的制程之中，有利于產(chǎn)業(yè)的實(shí)際應(yīng)用。


圖1A所示為典型TFT板上視圖的一部分；圖1B為圖1A的8→8側(cè)剖面圖；圖2為習(xí)知的液晶顯示面板側(cè)剖面視圖；圖3A至圖3E為典型的TFT板的制程步驟；圖4A至圖4F表示另一習(xí)知TFT板的制程步驟；圖5A至圖5F表示本發(fā)明高開(kāi)口率平面顯示面板的制造方法各步驟；及圖6為本發(fā)明平面顯示面板一實(shí)施例側(cè)剖面圖。
附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明TFT板10 畫(huà)素區(qū)11、51單位畫(huà)素111 薄膜晶體管12閘極12G、52G 源極12S、52S汲極12D、52D 絕緣層121、521半導(dǎo)體層122、522 保護(hù)層123、523基材13、53訊號(hào)線14訊號(hào)線接觸墊141 閘極線16閘極線接觸墊161 導(dǎo)電透光層18、28透光保護(hù)層19、59 接觸墊區(qū)20、60第一導(dǎo)線圖案21、61第二導(dǎo)線圖案22、62通孔23a、23b、23c、23d黑矩陣25半調(diào)光罩27、67平面顯示面板50
通孔511、512通孔63a、63b、63c、63d墊高圖案66 區(qū)塊70a、70b、70c、70d具體實(shí)施方式
請(qǐng)參照?qǐng)D5A至圖5E，圖5A至圖5E表示本發(fā)明高開(kāi)口率平面顯示面板的制造方法各步驟。
如圖5A所示，平面顯示面板50的制造首先需要提供一底材53，并將所需的結(jié)構(gòu)與元件制造于底材53上，底材53是采用透光材質(zhì)，例如玻璃或硅化合物。而平面顯示面板50可區(qū)分為一畫(huà)素區(qū)51與一接觸墊區(qū)60，接觸墊區(qū)60位于畫(huà)素區(qū)51周圍。
本發(fā)明平面顯示面板50的制造方法首先均勻形成一第一金屬層(例如鋁)于底材53上，接著則圖案化該第一金屬層以形成一第一導(dǎo)線圖案61及一墊高圖案66。其中，圖案化的方式可為一光蝕刻步驟。于畫(huà)素區(qū)51中，部分的第一導(dǎo)線圖案61是作為后續(xù)將形成的薄膜晶體管的閘極52G。
請(qǐng)參照?qǐng)D5B，完成第一導(dǎo)線圖案61與墊高圖案66之后，接著均勻形成一絕緣層521于底材53上，以覆蓋第一導(dǎo)線圖案61以及墊高圖案66。其中可以例如沉積的方式以均勻形成絕緣層521；而絕緣層521可采用例如氮化硅(SiNx)的材質(zhì)。
之后則形成一半導(dǎo)體層522于絕緣層521上，在上述畫(huà)素區(qū)51中，半導(dǎo)體層522位于第一導(dǎo)線圖案61的上方。接續(xù)是均勻形成一第二金屬層(例如鋁)于底材53上，以覆蓋半導(dǎo)體層522與絕緣層521，其中可以例如沉積的方式以形成該第二金屬層。并圖案化該第二金屬層以形成一第二導(dǎo)線圖案62，其中，圖案化的方式可為一光蝕刻步驟。
在畫(huà)素區(qū)51中，部分的第二導(dǎo)線圖案62是連接至半導(dǎo)體層522的二側(cè)，以作為薄膜晶體管的源極52S與汲極52D。在接觸墊區(qū)60中，相對(duì)于第一導(dǎo)線圖案61上方及墊高圖案66上方的第二導(dǎo)線圖案62位于底材53上同一預(yù)定高度的位置。
請(qǐng)參照?qǐng)D5C，接續(xù)的步驟為形成一保護(hù)層523于底材53上，以覆蓋第二導(dǎo)線圖案62與絕緣層521，絕緣層521的材料可采用例如氮化硅(SiNx)的材質(zhì)。
接著則形成一透光保護(hù)層59于該保護(hù)層523上，以覆蓋保護(hù)層523。在本發(fā)明一實(shí)施例中，保護(hù)層523的厚度介于2000-4000埃，而透光保護(hù)層59的厚度介于20000-60000埃，透光保護(hù)層59可為有機(jī)材料(例如壓克力系的有機(jī)光阻)或是低介電常數(shù)的材料。
如圖5D，在透光保護(hù)層59形成之后，進(jìn)行一光蝕刻步驟，其中是使用一半調(diào)光罩以對(duì)于接觸墊區(qū)60曝光定義出如圖5D所示的圖案。
請(qǐng)參照?qǐng)D5D的接觸墊區(qū)60，在上述半調(diào)光罩的光蝕刻步驟之后，利用半調(diào)光罩光蝕刻步驟后所殘余的透光保護(hù)層59R作為蝕刻阻擋層，以在接續(xù)的蝕刻步驟時(shí)，可同時(shí)形成接觸墊區(qū)60中的通孔63b、63c以及63d，并可將上述殘余的透光保護(hù)層59R移除(如圖5E)，以曝露出預(yù)定部分的第二導(dǎo)線圖案62。且如圖5E所示，此時(shí)并可同時(shí)在畫(huà)素區(qū)51中形成通孔63a，以曝露出用以作為汲極52D的部分第二導(dǎo)線圖案62。
值得一提的是，此處可將本發(fā)明圖5D至圖5E所示的步驟與習(xí)知技術(shù)所述的圖4D至圖4E步驟相比較。本發(fā)明的第二導(dǎo)電圖案62的各個(gè)部分，因?yàn)榉謩e位于第一導(dǎo)線圖案61或墊高圖案66正上方，且因?yàn)閴|高圖案66的墊高作用而具有相同的高度。藉此，在形成通孔63b、63c以及63d時(shí)，因?yàn)榫哂邢嗤牡奈g刻深度，所以不會(huì)像圖4D至圖4E的習(xí)知制程步驟會(huì)有因?yàn)橥咨疃鹊牟煌a(chǎn)生其中一通孔蝕刻完全時(shí)，另一通孔可能蝕刻過(guò)度或蝕刻不足的問(wèn)題。如此說(shuō)來(lái)，本發(fā)明在此處不但利用半調(diào)光罩的技術(shù)帶來(lái)節(jié)省光罩成本的好處，并且改善了習(xí)知技術(shù)中通孔(如圖4E標(biāo)號(hào)23b、23c與23d)深度不一所造成的制程不易控制的缺點(diǎn)。
請(qǐng)參照?qǐng)D5F，在通孔63a、63b、63c與63d形成之后，可沉積導(dǎo)電透光材料(如ITO，氧化銦錫)于底材53上，并對(duì)其進(jìn)行光蝕刻，以形成導(dǎo)電透光圖案。導(dǎo)電透光圖案包括復(fù)數(shù)個(gè)區(qū)塊70a、70b、70c與70d，每個(gè)區(qū)塊分別經(jīng)由上述通孔63a、63b、63c與63d與第二導(dǎo)線圖案62電性連接。
在畫(huà)素區(qū)51中，部分的導(dǎo)電透光圖案(例如區(qū)塊70a)，是形成于透光保護(hù)層59上表面，以作為畫(huà)素電極，藉由透光保護(hù)層59將區(qū)塊70a墊高，區(qū)塊70a可與其下方的第一或第二導(dǎo)線圖案61、62間隔足夠的距離，因此可以有水平方向上的重合，而不會(huì)因彼此間的耦合電容而影響區(qū)塊70a應(yīng)具有的預(yù)定電位。而在接觸墊區(qū)60中，另一部分的導(dǎo)電透光圖案(例如區(qū)塊70b、70c與70d)形成于保護(hù)層523上表面，以作為訊號(hào)線接觸墊或是閘極線接觸墊，用來(lái)使平面顯示面板50可與外部的電路進(jìn)行連接。
在此需要說(shuō)明的是，本發(fā)明為了使平面顯示面板50大量生產(chǎn)的制程容易達(dá)到習(xí)知技術(shù)說(shuō)明中所述及的制程標(biāo)準(zhǔn)需求，是以對(duì)接觸墊區(qū)60的導(dǎo)線圖案加以設(shè)計(jì)，以在進(jìn)行形成通孔63b、63c與63d的蝕刻步驟時(shí)，各通孔的蝕刻的深度一致，如此一來(lái)，各通孔形成的蝕刻步驟變得容易控制，而不會(huì)出現(xiàn)其中一通孔蝕刻完全時(shí)，另一通孔的蝕刻可能不足或過(guò)深的習(xí)知缺點(diǎn)，大幅地提升了制程的合格率。
請(qǐng)參照?qǐng)D6，圖6為本發(fā)明一實(shí)施例側(cè)剖面圖。如圖6所示，接觸墊區(qū)60的通孔63b、63c與63d的深度相同，而每一通孔中的區(qū)塊70b、70c與70d分別與其下方的第二導(dǎo)線圖案62連接。然而如圖6所示，在通孔63b之中，其連接的第二導(dǎo)線圖案62進(jìn)一步與下方的第一導(dǎo)線圖案61電性連接。實(shí)施上可采用例如圖6所示的方式，在畫(huà)素區(qū)51中分別形成通孔511、512，以分別曝露此第一導(dǎo)線圖案61、第二導(dǎo)線圖案62的一部分，而其后再沉積導(dǎo)電材料以電性連接此第一導(dǎo)線圖案61、第二導(dǎo)線圖案62。
因此，本發(fā)明雖然將接觸墊區(qū)60中的第二導(dǎo)線圖案62設(shè)計(jì)成具有相同高度，并在相同的第二導(dǎo)線圖案62上制作接觸墊，但是并非忽略了第一導(dǎo)線圖案61的接觸墊需求，而是利用對(duì)部分的第一導(dǎo)線圖案61、第二導(dǎo)線圖案62上方形成通孔(例如通孔511、512)而后利用導(dǎo)電材料(例如導(dǎo)電透光圖案其中的一區(qū)塊70E)以橋接上述部分的第一導(dǎo)線圖案61、第二導(dǎo)線圖案62，以使得平面顯示面板50的第一導(dǎo)線圖案61、第二導(dǎo)線圖案62分別具有與外部電路連接之用的接觸墊。
綜合以上所述，本發(fā)明所提供的平面顯示面板，其使用一透光保護(hù)層來(lái)墊高導(dǎo)電透光圖案，以使得導(dǎo)電透光圖案與其下方的第一與第二導(dǎo)線圖案可有水平方向上的重疊，進(jìn)而增加單位畫(huà)素的開(kāi)口率。且本發(fā)明使用半調(diào)光罩的光蝕刻步驟，以在平面顯示面板的接觸墊區(qū)部分可以節(jié)省一張光罩的使用而降低成本。更重要的是，本發(fā)明藉由對(duì)平面顯示面板接觸墊區(qū)中的第一、第二導(dǎo)線圖案進(jìn)行三維的設(shè)計(jì)，使接觸墊形成于同一高度導(dǎo)線圖案上，因此在進(jìn)行半調(diào)光罩的光蝕刻步驟時(shí)，制程較習(xí)知技術(shù)變得容易控制，且可提升合格率。此外，本發(fā)明對(duì)于第一、第二導(dǎo)線圖案的三維設(shè)計(jì)方式，可使部分第一、第二導(dǎo)線圖案的電性連接藉由垂直平面顯示面板平面的方向，而使得平面顯示面板平面上二維的導(dǎo)線圖案設(shè)計(jì)不需做大幅的變更，如此說(shuō)來(lái)，本發(fā)明平面顯示面板的制造方法并且可以快速地融入既有的制程中，有利于產(chǎn)業(yè)的實(shí)際應(yīng)用。
本發(fā)明雖以較佳實(shí)例闡明如上，然其并非用以限定本發(fā)明精神與發(fā)明實(shí)體，僅止于上述實(shí)施例爾。對(duì)熟悉此項(xiàng)技術(shù)者，當(dāng)可輕易了解并利用其它組件或方式來(lái)產(chǎn)生相同的功效。是以，在不脫離本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)所作的修改，均應(yīng)包含在申請(qǐng)專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種平面顯示面板的制造方法，該方法至少包括下列步驟提供一底材；均勻形成一第一金屬層于該底材上；圖案化該第一金屬層以形成一第一導(dǎo)線圖案及一墊高圖案；均勻形成一絕緣層于該底材上，以覆蓋該第一導(dǎo)線圖案以及該墊高圖案；均勻形成一第二金屬層于該底材上，以覆蓋該絕緣層；以及圖案化該第二金屬層以形成一第二導(dǎo)線圖案，相對(duì)于該第一導(dǎo)線圖案上方及該墊高圖案上方的該第二導(dǎo)線圖案位于該底材上同一預(yù)定高度的位置。
2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征是，更包括形成一保護(hù)層于該底材上，以覆蓋該第二導(dǎo)線圖案與該絕緣層；以及形成一透光保護(hù)層于該保護(hù)層上。
3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征是，該絕緣層及/或該第一金屬層及/或該第二金屬層是以沉積方式形成。
4.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征是，更包括蝕刻一預(yù)定部分的該透光保護(hù)層與該保護(hù)層，以移除該透光保護(hù)層，并形成復(fù)數(shù)個(gè)通孔以暴露出對(duì)應(yīng)該預(yù)定部分的該第二導(dǎo)線圖案；以及形成一導(dǎo)電透光圖案于該保護(hù)層上表面并經(jīng)由該通孔與該第二導(dǎo)線圖案電性連接。
5.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征是，更包括蝕刻一預(yù)定部分的該透光保護(hù)層與該保護(hù)層，并形成復(fù)數(shù)個(gè)通孔以暴露出對(duì)應(yīng)該預(yù)定部分的該第二導(dǎo)線圖案；以及形成一導(dǎo)電透光圖案于該透光保護(hù)層上并經(jīng)由該通孔與該第二導(dǎo)線圖案電性連接。
6.如權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征是，該形成上述該些通孔以曝露出該預(yù)定部分的該第二導(dǎo)線圖案的步驟，為一利用半調(diào)光罩的光蝕刻步驟。
7.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征是，該半調(diào)光罩的光蝕刻步驟，是移除預(yù)定將形成該些通孔位置的部分該透光保護(hù)層，并殘留另一部分的透光保護(hù)層，以作為后續(xù)的一蝕刻阻擋層。
8.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征是，形成一導(dǎo)電透光圖案于部分該透光保護(hù)層上并經(jīng)由該通孔與該第二導(dǎo)線圖案電性連接的步驟更包括將該導(dǎo)電透光圖案同時(shí)形成于部分該透光保護(hù)層上并經(jīng)由該通孔與該第一導(dǎo)線圖案電性連接。
9.如權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征是，形成一導(dǎo)電透光圖案于該保護(hù)層上表面并經(jīng)由該通孔與該第二導(dǎo)線圖案電性連接的步驟更包括沉積導(dǎo)電材料于該通孔。
10.如權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征是，形成一導(dǎo)電透光圖案于該透光保護(hù)層上并經(jīng)由該通孔與該第一導(dǎo)線圖案電性連接的步驟更包括沉積導(dǎo)電材料于該通孔。
11.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征是，將該導(dǎo)電透光圖案同時(shí)形成于部分該透光保護(hù)層上并經(jīng)由該通孔與該第二導(dǎo)線圖案電性連接的步驟更包括沉積導(dǎo)電材料于該通孔。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種平面顯示面板的制造方法，該方法首先形成一第一導(dǎo)線圖案及一墊高圖案于一底材上表面；接著形成一絕緣層以覆蓋第一導(dǎo)線圖案及墊高圖案；之后則形成一第二導(dǎo)線圖案，部分第二導(dǎo)線圖案是位于第一導(dǎo)線圖案正上方，另一部分第二導(dǎo)線圖案位于墊高圖案正上方，藉由墊高圖案的墊高作用，使該二部分第二導(dǎo)線圖案位于同一預(yù)定高度。
文檔編號(hào)H01L21/82GK1610095SQ20041008057
公開(kāi)日2005年4月27日 申請(qǐng)日期2004年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月28日
發(fā)明者鄭國(guó)興, 劉柏源, 吳昭憲 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司