專利名稱：一種具有柵電介質(zhì)的場效應(yīng)器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一類新的柵電介質(zhì)材料，它能在深亞微米，高性能的領(lǐng)域獲得更好的器件性能并擴大選擇器件的余地。更具體地講，本發(fā)明涉及用鍺酸鹽材料形成的柵電介質(zhì)。
背景技術(shù)：
目前的集成電路包括大量數(shù)目的器件，而更小的器件是提高性能和改進可靠性的關(guān)鍵。當MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，這是一般的絕緣柵場效應(yīng)晶體管的一個具有歷史性含義的名字)器件正在向更小尺度發(fā)展時，從一代到又一代器件，工藝變得更復雜，并要求新的方法以保持所期望的性能提高。
潛在的器件性能的最主要的標志之一是載流子遷移率。而在深亞微米這一代器件中保持高的載流子遷移率存在巨大的困難。
柵電介質(zhì)是CMOS場效應(yīng)器件減小尺度的主要問題之一。這無論對于常規(guī)的硅器件還是更加先進的(例如Ge，SiGe，GaAs，InGaAs)器件都是對的。對于Si-基器件，常規(guī)的SiO2-基電介質(zhì)正在達到其減小尺度的極限(～1nm)。
在Ge-基器件中，情況甚至更復雜。迄今為止，還沒有找到可靠的高質(zhì)量的柵電介質(zhì)。氧化鍺是具有很差的質(zhì)量并且溶于水。一般講，二元金屬氧化物(例如ZrO2，HfO2)，在把它用作柵電介質(zhì)時，顯示～40％的電子遷移率減小。二元氧化物的另外一個問題是界面的不穩(wěn)定性，也即，一層薄的低-K材料(例如SiO2，SiON，或GeON)會出現(xiàn)在界面上，這也可以是在高-K淀積之前有意在那里生長的，也可能由于高溫下反應(yīng)形成的。這樣一層薄的低-K材料降低了柵的整個電容。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明給出用于半導體場效應(yīng)器件的一類新的柵電介質(zhì)材料，它應(yīng)當比SiO2具有更高的介電常數(shù)，例如大于4。這類材料是鍺酸鹽，也即MezGexOy，其中，Me表示具有高的離子極化率的金屬，如象Hf，Zr，Y，La，Ti，Ta，Gd，Ce，Bi，Dy，Er，Eu，Tb，Pr，Sr，等等以及周期表3，4，和5族的某些其他金屬以及鑭；而x，y和z是非零整數(shù)。
按照上述列出的目的，本發(fā)明描述用于具有鍺酸鹽柵電介質(zhì)的半導體場效應(yīng)器件的一種系統(tǒng)和方法。
本發(fā)明的另外一個目的是給出包含這樣一個芯片的處理器，該芯片包括具有鍺酸鹽柵電介質(zhì)的半導體場效應(yīng)器件。


本發(fā)明的這些特征及其他特征將從所附詳細敘述和附圖變得顯而易見，其中圖1給出具有鍺酸鹽柵電介質(zhì)的半導體場效應(yīng)器件的一張示意截面圖；圖2給出具有鍺酸鹽柵電介質(zhì)和一個夾層的半導體場效應(yīng)器件的一張示意截面圖；圖3給出至少包括一個這樣芯片的處理器的一張象征圖，該芯片包括具有鍺酸鹽柵電介質(zhì)的半導體場效應(yīng)器件。
具體實施例方式
圖1給出具有鍺酸鹽柵電介質(zhì)的半導體場效應(yīng)器件10的一張示意截面圖。鍺酸鹽材料的柵電介質(zhì)100是一個把導體柵110和半導體主體160分開的絕緣體。
鍺酸鹽材料具有MezGexOy的化學組成，其中x，y和z是非零整數(shù)，可以有許許多多種可能的組合?！癕e”表示一種具有高離子極化率的金屬，它導致鍺酸鹽材料的高介電常數(shù)。這種金屬的一張非完整的列表包括Hf，Zr，Y，La，Ti，Ta，Gd，Ce，Bi，Dy，Er，Eu，Tb，Pr，Sr等以及周期表的3、4、5族中某些其他金屬和鑭。本技術(shù)領(lǐng)域中金屬的極化率是已知的，例如各種元素的極化率在J.of AppLiedPhysics，V.73，P.348(1993)的文章“在氧化物和氟化物中離子的介電極化率”中已給出。在化學領(lǐng)域內(nèi)鍺酸鹽材料是熟知的，而它們的某些基本材料性質(zhì)在，例如，Spectrochemica Acta，V.45 P.721(1989)，M.T.Vaudeubore et al的文章中被列出。
鍺酸鹽有許多性質(zhì)，這些性質(zhì)使它們獨特地適合作為高性能場效應(yīng)器件中的柵電介質(zhì)。
鍺酸鹽一般地具有高的介電常數(shù)，這意味著超過大約4。根據(jù)在晶格中金屬(Me)的濃度和類型的不同，典型的也是優(yōu)選的介電常數(shù)的范圍是在8和40之間。例如鍺酸鉍Bi12GeO20具有強的介電常數(shù)。在制造柵電介質(zhì)時，人們要按照Me的極化率來選擇鍺酸鹽材料。因為較高的Me極化率通常導致較高的介電常數(shù)，雖然最后的選擇還依賴于與其他材料性質(zhì)的權(quán)衡。
鍺酸鹽能夠有一個高的勢壘，也即對電荷穿透顯示高的阻止能力。當為了增加柵-溝道電容而減小柵電介質(zhì)的厚度時，阻止電荷穿透柵電介質(zhì)的能力就變成一個重要的問題。典型的柵電介質(zhì)材料是SiO2(介電常數(shù)為3.9)，它可以作為比較的對象。因為鍺酸鹽的介電常數(shù)大于SiO2的介電常數(shù)，因而具有和SiO2層相同的單位面積電容的鍺酸鹽層要比SiO2層厚。另外，因為阻止穿透的電阻與層厚度有指數(shù)依賴關(guān)系，因而鍺酸鹽層趨向于具有更高的阻止電荷穿透的能力。因為有許多種鍺酸鹽可供選擇，就可能找到一種鍺酸鹽，它對電子和空穴的電極穿透都具有阻止能力。在制造柵電介質(zhì)時，人們將按照勢壘高度來選擇鍺酸鹽材料，因為勢壘高度影響阻止電荷穿透的能力。一般講，具有較高勢壘高度的鍺酸鹽材料將是優(yōu)先采用的，雖然最終的選擇將依賴于與其他材料性質(zhì)的權(quán)衡。
在半導體場效應(yīng)器件10的溝道區(qū)130中的電荷遷移率(或載流子遷移率)是決定器件性能的最重要參數(shù)之一。人們知道選擇作為柵電介質(zhì)的材料的種類影響著在溝道中的電荷遷移率。這種影響包括在器件溝道中的電荷的載流子和在柵電介質(zhì)材料中的聲子(晶格振動)的耦合。按照溝道遷移率的軟-聲子圖象，例如在“具有高K絕緣體的MOS系統(tǒng)中硅反型層中的有效電子遷移率遠聲子散射的作用”，(J.of Appliedphysics，v.90 P.4587(2001)，作者M.Fischctti)許多具有低能聲子模式的高K材料顯示減小的遷移率。因為鍺酸鹽具有復雜的材料結(jié)構(gòu)并涉及重的化學元素，如象Ge及所考慮的的多數(shù)Me原子，鍺酸鹽的特征聲子譜大概不會容易地與溝道中的加速載流子耦合，從而導致電介質(zhì)是鍺酸鹽材料的溝道中高的載流子遷移率。在制造柵電介質(zhì)時，人們將按照使載流子遷移率最大化的目的來選擇鍺酸鹽材料，雖然最終的選擇將依賴于與其他材料性質(zhì)的權(quán)衡。
在圖1中對半導體場效應(yīng)器件的描繪幾乎是象征性的，這么講是因為，雖然它實表示一個MOS器件，但它只是表示任意一類場效應(yīng)器件。這種器件的唯一共同的特性是該器件電流被一個柵110所控制，該柵把其電場作用在絕緣體，即所謂柵電介質(zhì)100上。相應(yīng)地，每一個場效應(yīng)器件有一個(至少一個)柵和一個柵絕緣體。這是本發(fā)明的核心，因為一類新的柵電介質(zhì)的引入將影響每一種場效應(yīng)器件。
圖1示意的描繪一個MOS場效應(yīng)器件，它具有源/漏區(qū)150，器件體160，和溝道區(qū)130。器件體可以是塊狀的，如圖1所示那樣，也可以是在絕緣體上的一薄膜。溝道可以是單一的溝道，或(如在雙柵的或FINFET器件上的)多溝道。器件的基本材料能夠是各式各樣的。它能夠是當前電子學的支柱材料Si?；蚋毡榈刂v，它能夠是所謂Si基材料。器件體能夠是一種SiGe化合物，或者基本上由純Ge組成。后面這些材料是較新出現(xiàn)的技術(shù)并隨著器件尺寸和使用電壓的減小，變得日益重要。
鍺酸鹽電介質(zhì)柵對于獲得高性能的SiGe和Ge器件來講是特別有利的。當人們企圖在Si上用一種所謂高K材料時，通常出現(xiàn)這樣的問題，既由于Si很容易氧化成SiO2而在高K材料和Si的界面上出現(xiàn)一層SiO2界面層。對于Ge基器件，該鍺酸鹽電介質(zhì)解決二個問題。首先，它是在Ge基材料，或Ge上的一種好的穩(wěn)定的絕緣體，而這是難于去找到的。第二，因為Ge沒有一種穩(wěn)定的氧化物，如象SiO2對于Si那樣，因而Ge基材料(或Ge)和鍺酸鹽界面上沒有氧化物，從而將有較高的電容和較好的載流子遷移率。這樣一種鍺酸鹽柵電介質(zhì)將是實現(xiàn)高質(zhì)量最高遷移率SiGe，Ge器件的一個關(guān)鍵因素。
鍺酸鹽材料對于用III-V族半導體化合物，如象GaAs，InAs，InGaAs和其他化合物做成的器件可以是有用的。這種III-V族器件傳統(tǒng)地缺乏一種好的柵電介質(zhì)?，F(xiàn)在用鍺酸鹽這一類新的電介質(zhì)，這些器件也能夠做成常規(guī)的MOS器件。
因為在絕大多數(shù)高性能器件中的鍺酸鹽電介質(zhì)將和器件的溝道區(qū)密切接觸(與溝道區(qū)相接界)，相互的界面性質(zhì)，諸如相互的穩(wěn)定性，在選擇合適的鍺酸鹽時是重要的考慮內(nèi)容。在制造柵電介質(zhì)時，要按照其界面穩(wěn)定性來選擇鍺酸鹽材料，雖然最終選擇將依賴于與其他材料性質(zhì)的權(quán)衡。
在大多數(shù)情況下，鍺酸鹽柵材料100在一個復合柵電介質(zhì)中能夠只是一種組份，這復合柵電介質(zhì)或者以一種分層的形式，或甚至以一個混合物的形式。在一個具有代表性的實施方案中，即使對于復合柵電介質(zhì)的情況，通常讓鍺酸鹽材料組成一層。而在另一個具有代表性的實施方案中，柵電介質(zhì)只是鍺酸鹽材料，也即，它基本上只包括鍺酸鹽材料。對于柵電介質(zhì)應(yīng)用，鍺酸鹽層最好具有約1.5nm到50nm之間的厚度。這些數(shù)值由以下兩個要求決定，即對高電容的要求需要薄的層，而對好的材料質(zhì)量以及對電荷穿透的抵抗寧愿較厚的層。
圖2給出具有鍺酸鹽柵電介質(zhì)的半導體場效應(yīng)器件的另外一個具有代表性的實施方案，該方案具有中間層210的示意截面圖。該柵電介質(zhì)包括中間層210，它與溝道區(qū)形成界面，而鍺酸鹽層100在中間層210的頂上。這種中間層的優(yōu)點在于提供與溝道區(qū)的一個高質(zhì)量的界面。它們典型地小于約1nm厚，并包含如像化學氧化物或氮氧化物這樣的材料。在授予A.Ballantiue etal的美國專利6,444,592，名稱“對于高K柵電介質(zhì)過程集成的界面氧化過程”中講述了中間層，此文在此引入以供參考。
鍺酸鹽材料是很溫度穩(wěn)定的，能夠承受在器件制造過程中遇到的溫度，典型地至少800℃，可能接近1000℃。因為這種溫度穩(wěn)定性，場效應(yīng)器件的標淮的制造過程能夠沒有困難地引入鍺酸鹽材料柵電介質(zhì)的使用。鍺酸鹽材料既可以在常規(guī)的“先做柵”的過程，也可以在“最后做柵”的取代過程中形成。在“先做柵”過程中，柵電介質(zhì)在制造源和漏以前被淀積。而在取代柵，“最后做柵”的情況下，在柵電介質(zhì)被淀積以前制造源和漏。在淀積以后，所選擇的鍺酸鹽能容忍的溫度愈高，則愈有利，在進一步處理器件時有更多的選擇。在制造柵電介質(zhì)時，人們選擇具有高的溫度穩(wěn)定性的鍺酸鹽材料，雖然最終的選擇依賴于與其他材料性質(zhì)的權(quán)衡。
鍺酸鹽材料能夠用各種各樣的方法來淀積，如象物理蒸氣淀積(PVD)，濺射，分子束淀積(MBE)，金屬有機化學蒸氣淀積(MOCVD)，原子層淀積(ALD)和其他已知技術(shù)。本發(fā)明的一個方面廣泛地涉及鍺酸鹽的CVD和ALD。
在一個具有代表性的實施方案中，鍺酸鹽中的Me是鉿。在進行淀積中，鉿和鍺的原始化合物是由束縛在至少一個配位體上的金屬組成，該配位體選自由氫化物，烷基，鏈烯基，環(huán)烯基，芳香基，炔，羰基，酰氨基，亞氨基，酰肼(hydrazido)，磷化物(phosphido)，亞硝?；?，硝酰，硝酸鹽，腈，鹵化物，疊氮化物，烷氧基甲硅烷氧基，和/或甲硅烷基組成的組。鉿和鍺的原始化合物可以用凈的，也可以用溶于，乳化于或懸浮于一種惰性液體中的，這惰性液體選自由脂族碳氫化合物，芳香族碳氫化合物，醇類，醚類，醛類，酮類，酸類，酚類，酯類，胺類，烷基腈，鹵化碳氫化合物，甲硅烷基化碳氫化合物，硫醚，氰酸鹽，異氰酸鹽，硫氰酸鹽，硅油，硝基烷，硝酸烷基脂，和/或上述n個的混合物組成的組。用鉿和鍺原始化合物來生長膜的化學蒸氣淀積工藝和原子層淀積工藝包括把原始化合物蒸發(fā)，把汽化的原始化合物引入化學蒸汽淀積或原子層淀積反應(yīng)器，以及淀積汽化的原始化合物的某個組份于基片上以形成膜。做選的鉿原始化合物包括醇鉿，更具體地講，異丙醇鉿，仲丁醇鉿，乙醇鉿，異丁醇鉿，甲醇鉿，丙醇鉿，丁醇鉿，叔丁醇鉿或酚鉿。優(yōu)選的鍺原始化合物包括四乙氧基鍺，四甲氧基鍺烷，四甲基鍺烷，四乙基鍺烷，三乙基鍺烷，二乙基鍺烷，二乙基二乙氧基鍺烷，三(三甲基硅)鍺烷，四氯化鍺和鍺烷。
化學蒸汽淀積(CVD)涉及把多種反應(yīng)物同時引進一個反應(yīng)器。原子層淀積(ALD)涉及把多種反應(yīng)物順序引入一個反應(yīng)器，它包括，但不限于原子層外延，數(shù)字化學蒸氣淀積，脈沖化學蒸氣淀積和其他類似的方法。
在鍺酸鉿(氧化鉿鍺)的一個示例性的實施方案中，用了下述CVD過程。在裝有1×3×8英寸石英氣流池的一個石英水平熱壁CVD反應(yīng)器中淀積鉿氧化膜。用一種ATMI(Advauced Technology and Materials，Inc.Dakbury，CT)的LDS 300B液體傳送系統(tǒng)和汽化器把原始化合物引入反應(yīng)器。該LDS 300B用一個Porter液體質(zhì)量流控制器予以改型以控制原始化合物進入反應(yīng)器的傳送速率。該鉿的原始化合物是0.1摩爾的叔丁醇鉿Hf(t-OC4H9)4溶解在一升辛烷中。鍺的原始化合物包含0.1摩爾的乙氧基鍺溶解在一升辛烷中。在淀積膜中鉿和鍺的比值是用在LDS300B中混合不同比例的鉿和鍺的原始化合物來加以控制。在硅片上在生長氧化鉿鍺之前先淀積一薄層SiOxNy(＜2nm)。蒸發(fā)器溫度約50-150℃，最好約120℃。脫水氮以約20-2000sccm，最好約200sccm被作為對于揮發(fā)了的鉿鍺原始化合物的荷載氣體被引入蒸發(fā)器。約1000sccm的氧氣通過一個單獨入口作為反應(yīng)氣體被引入。系統(tǒng)在生長時的壓力約2Torr?；猛獠扛邚姸鹊募t外燈加熱而感受器由哈斯合金構(gòu)成。感受器的溫度由插入感受器的熱電偶所監(jiān)視。氧化鉿在約300-700℃的溫度下淀積，最好大于400℃。
在鍺酸鉿(氧化鉿鍺)的一個示例性實施方案中，用了下述ALD過程。在此實施方案中，基片置于一個適當?shù)挠糜谠訉拥矸e的反應(yīng)器之內(nèi)，例如由Microchemistry制造的商品F-200反應(yīng)器內(nèi)，并淀積一層氧化鉿膜。原子層淀積以順序改變蒸氣化氯化鉿，四氯化鍺，水和清洗氣體脈沖的循環(huán)方式得以實現(xiàn)。
反應(yīng)物按照如下順序被引入ALD反應(yīng)器1.水2.清洗，3.氯化鉿，4.清洗，5.水，6.清洗，7.氯化鍺8.清洗；氯化鉿，氯化鍺和水脈沖(步驟1、3、5、7)持續(xù)約0.1-1秒，最好約0.5秒。惰性氣體清洗脈沖(步驟2、4、6、8)持續(xù)約0.2-5秒，最好約2秒。步驟1-8完成一個循環(huán)，完成一個循環(huán)導致0.4-2鍺氧化鉿的單原子層，或大致0.1nm。例如，如果被淀積的氧化鉿鍺膜的優(yōu)選厚度是50nm，即以要完成約400次如上所述的氣體開關(guān)循環(huán)。
圖3給出處理器900的一張象征性圖，該處理器包括至少一個包括有鍺酸鹽柵電介質(zhì)的半導體場效應(yīng)器件的芯片。該處理器有至少一個芯片901，該芯片包括至少一個有鍺酸鹽柵電介質(zhì)的場效應(yīng)器件10。該處理器900可以是任何一個由于用了鍺酸鹽柵電介質(zhì)場效應(yīng)器件而受益的處理器。在一片或更多片芯片901上的這些器件的群體構(gòu)成處理器的一個組成部份。以鍺酸鹽柵電介質(zhì)場效應(yīng)器件制造的處理器的代表性的實體是數(shù)字處理器，它典型地用于計算機的中央處理系統(tǒng)；混合數(shù)字/模擬處理器，它顯著得益于在鍺酸鹽柵電介質(zhì)場效應(yīng)器件中的載流子高遷移率；以及一般地，任意一種通訊處理器，如象把存貯器連接到處理器，路由器，雷達系統(tǒng)，高性能的可視電話的組件，游戲組件和其他。
借助于以上所述，可以對本發(fā)明作各種修改和變化，這對本領(lǐng)域的技術(shù)人員是顯而易見的。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求書所確定。
權(quán)利要求
1.一種具有柵電介質(zhì)的場效應(yīng)器件，其中柵電介質(zhì)包括鍺酸鹽材料。
2.權(quán)利要求1的場效應(yīng)器件，其中鍺酸鹽材料組成一層。
3.權(quán)利要求2的場效應(yīng)器件，其中鍺酸鹽材料層具有大于4的介電常數(shù)。
4.權(quán)利要求3的場效應(yīng)器件，其中鍺酸鹽材料層具有約8到40的介電常數(shù)。
5.權(quán)利要求2的場效應(yīng)器件，其中鍺酸鹽材料層具有約1.5nm到50nm的厚度。
6.權(quán)利要求1的場效應(yīng)器件，還包括一個溝道區(qū)，其中柵電介質(zhì)還包括一個安置在溝道區(qū)和鍺酸鹽材料層之間的中間層。
7.權(quán)利要求6的場效應(yīng)器件，其中中間層小于約1nm厚。
8.權(quán)利要求1的場效應(yīng)器件，其中柵電介質(zhì)基本上由鍺酸鹽材料組成。
9.權(quán)利要求1的場效應(yīng)器件，其中包含鍺酸鹽的柵電介質(zhì)具有比SiO2柵電介質(zhì)更大的抵抗電荷穿透的能力，以及該包含鍺酸鹽材料的柵電介質(zhì)的單位面積電容至少和SiO2柵電介質(zhì)的單位面積電容一樣大。
10.權(quán)利要求1的場效應(yīng)器件，其中鍺酸鹽材料是氧化鉿鍺。
11.權(quán)利要求1的場效應(yīng)器件，其中場效應(yīng)器件是一個Si MOS晶體管。
12.權(quán)利要求1的場效應(yīng)器件，其中場效應(yīng)器件是一個SiGe基MOS晶體管。
13.權(quán)利要求1的場效應(yīng)器件，其中場效應(yīng)器件是一個Ge MOS晶體管。
14.權(quán)利要求1的場效應(yīng)器件，其中場效應(yīng)器件是一個III-V族材料基MOS晶體管。
15.一種制造半導體場效應(yīng)器件的方法，包括以下步驟形成包含鍺酸鹽材料的柵電介質(zhì)，該鍺酸鹽材料具有MezGexOy的化學組成，其中Me是一種金屬，而x，y和z是非零整數(shù)。
16.權(quán)利要求15的方法，還包括選擇承受至少800℃溫度的鍺酸鹽材料的步驟。
17.權(quán)利要求15的方法，還包括以這樣方式選擇鍺酸鹽材料的步驟，使得該柵電介質(zhì)具有比SiO2柵電介質(zhì)更大的抵抗電荷穿透的能力以及單位面積電容至少和SiO2柵電介質(zhì)單位面積電容一樣大。
18.權(quán)利要求15的方法，還包括提供一個與鍺酸鹽材料相交界的溝道區(qū)，以及選擇與溝道區(qū)具有界面穩(wěn)定性的鍺酸鹽材料的步驟。
19.權(quán)利要求15的方法，還包括提供一個與鍺酸鹽材料相接的溝道區(qū)，以及選擇鍺酸鹽材料以使溝道區(qū)中的載流子遷移率最大化的步驟。
20.權(quán)利要求15的方法，還包括提供源和漏，其中形成柵電介質(zhì)的步驟是在提供源和漏的步驟以前進行的。
21.權(quán)利要求15的方法，還包括提供源和漏，其中形成柵電介質(zhì)的步驟是在提供源和漏的步驟之后進行的。
22.權(quán)利要求15的方法，其中鍺酸鹽材料是用化學蒸氣淀積工藝形成的。
23.權(quán)利要求22的方法，其中化學蒸汽淀積是在約300℃到約700℃之間的溫度范圍內(nèi)進行的。
24.權(quán)利要求15的方法，其中鍺酸鹽材料是用原子層淀積形成的。
25.權(quán)利要求24的方法，其中原子層淀積包括約10到500個層淀積周期。
26.一種處理器，包括至少一個芯片，其中該芯片至少包括一個有柵電介質(zhì)的半導體場效應(yīng)器件，其中柵電介質(zhì)包括鍺酸鹽材料。
27.權(quán)利要求26的處理器，其中處理器是數(shù)字處理器。
28.權(quán)利要求26的處理器，其中處理器至少包括一個模擬電路。
全文摘要
對于高性能半導體場效應(yīng)器件，本發(fā)明提供一種結(jié)構(gòu)和制造方法。該器件具有包括一種鍺酸鹽材料的柵電介質(zhì)。在具有代表性的實施方案中，該柵電介質(zhì)基本上是一層鍺酸鹽材料。這種材料的化學組成是Me
文檔編號H01L21/02GK1610128SQ20041008501
公開日2005年4月27日 申請日期2004年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月20日
發(fā)明者艾弗格尼·果瑟夫, 阿萊桑多·瑟薩利·卡勒加利, 戴安尼·L·蕾斯, 黛博拉·安·紐梅爾, 尚慧玲 申請人:國際商業(yè)機器公司