專利名稱:可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞及其程序化方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種內(nèi)存元件及其程序化方法,特別是涉及一種可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞(Electrically Erasable Programmable ReadOnly Memory Cell,EEPROM Cell)及其程序化方法。
背景技術(shù):
可電性擦除且可程序化的只讀存儲器由于具有可多次進(jìn)行數(shù)據(jù)存入、讀取及快速擦除等動作,且所存入的數(shù)據(jù)在斷電后也不會消失等優(yōu)點,所以已成為個人計算機(jī)和電子設(shè)備所廣泛采用的一種非揮發(fā)性內(nèi)存元件。
氮化硅只讀存儲器是一種常用的可電性擦除且可程序化的只讀存儲器,其記憶胞結(jié)構(gòu)是如圖1所示。請參閱圖1所示,氮化硅只讀記憶胞是由配置于基底100上的氧化硅穿隧介電層102/氮化硅電荷捕捉層104/氧化硅阻擋介電層106的(Oxide-Nitride-Oxide,簡稱ONO)堆疊層108、位于堆疊層108的閘極導(dǎo)電層110,以及位于閘極導(dǎo)電層110兩側(cè)的基底100中的源極/汲極區(qū)112a及112b所構(gòu)成。而且,藉由在源極/汲極區(qū)112a與閘極導(dǎo)電層110施加一偏壓組態(tài),以進(jìn)行一程序化,而使基底100中的電荷可以藉由信道熱電子注入(Channel Hot Electron Injection,CHEI)機(jī)制,注入至鄰近源極/汲極區(qū)112a的電荷捕捉層104的部分區(qū)域114中,而在該處存入一位。同樣地,藉由在源極/汲極區(qū)112b與閘極導(dǎo)電層110施加上述的偏壓組態(tài),以進(jìn)行另一次程序化,而使基底100中的電荷可以藉由信道熱電子注入機(jī)制,注入至鄰近源極/汲極區(qū)112b的電荷捕捉層104的部分區(qū)域116中,而在該處存入一另一位。換言之,藉由不同方向的程序化的操作,可以使得電荷分別儲存在電荷捕捉層104的兩側(cè),即氮化硅只讀記憶胞為一個可以儲存二位的記憶胞(2Bit/Cell)。
然而,若已有一位儲存在區(qū)域114或116中,則在進(jìn)行氮化硅只讀記憶胞的逆向讀取(Reverse Read)操作時,即讀取方向與程序化方向相反時,會產(chǎn)生第二位效應(yīng)(2nd-Bit Effect)。換言之,原先已經(jīng)存在的位會使得能障(Barrier)提高。如此將會導(dǎo)致讀取的啟始電壓(Threshold Voltage,簡稱Vt)提高,進(jìn)而限制電荷捕捉層兩側(cè)所儲存的位其啟始電壓之間的偵測窗口(Sensing Window)。
此外,若對此氮化硅只讀記憶胞進(jìn)行單邊讀取(One-Side Reading)操作時,則鄰近施加電壓端,即鄰近圖1的源極/汲極區(qū)112b之位其啟始電壓位階(Vt Level)會受影響。
請參閱圖2A所示,為讀取電壓與啟始電壓位階之間的關(guān)系圖,其中橫軸是表示讀取電壓(V),縱軸是表示啟始電壓位階(V)。此外,圖2A中的●、■分別表示當(dāng)在右側(cè)的源極/汲極區(qū)施加讀取電壓時,儲存在電荷捕捉層右側(cè)及左側(cè)之位其讀取電壓與啟始電壓位階之間的關(guān)系曲線。由圖2A可知,儲存在電荷捕捉層右側(cè)之位由于右側(cè)的源極/汲極區(qū)施加有電壓,因此其能障會受其影響而降低,從而使得有效啟始電壓下降。所以,儲存在電荷捕捉層右側(cè)之位其啟始電壓位階會小于儲存在電荷捕捉層左側(cè)之位的啟始電壓位階。
接著,請參閱圖2B所示,其與圖2A相似,為一讀取電壓與啟始電壓位階之間的關(guān)系圖。圖2B與圖2A的差異乃在于電荷捕捉層兩側(cè)所儲存電荷數(shù)目,即圖2B較圖2A儲存較多的電荷。由圖2B可知,雖然電荷捕捉層兩側(cè)儲存較多電子,但是其有效啟始電壓仍受到鄰近的源極/汲極區(qū)是否施加電壓的影響。換言之,儲存在電荷捕捉層右側(cè)之位,由于受到右側(cè)的源極/汲極區(qū)的影響,所以有效啟始電壓依舊會下降,從而無法達(dá)到與儲存在電荷捕捉層左側(cè)之位相近的啟始電壓位階。
由此可見,上述現(xiàn)有的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞在結(jié)構(gòu)、程序化方法與使用上,顯然仍存在有不便與缺陷,而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞及其程序化方法存在的問題,相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道,但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成,而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題,此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞及其程序化方法存在的缺陷,本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識,并配合學(xué)理的運(yùn)用,積極加以研究創(chuàng)新,以期創(chuàng)設(shè)一種新的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞及其程序化方法,能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞及其程序化方法,使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計,并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后,終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于,克服現(xiàn)有的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞存在的缺陷,而提供一種新的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,所要解決的技術(shù)問題是使其儲存在電荷捕捉層兩側(cè)的電荷,具有不對稱的數(shù)量,但在進(jìn)行讀取時,具有相近的啟始電壓位階,從而更加適于實用。
本發(fā)明的另一目的在于,克服現(xiàn)有的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法存在的缺陷,提供一種可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法,所要解決的技術(shù)問題是使其儲存在電荷捕捉層兩側(cè)的電荷,具有不對稱的數(shù)量,但在進(jìn)行讀取時,具有相近的有效啟始電壓位階,從而更加適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。
依據(jù)本發(fā)明提出的一種可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,其包括一堆疊層,配置在一基底上,且該堆疊層是由一穿隧介電層、一電荷捕捉層與一阻擋介電層依序堆疊而成;一閘極導(dǎo)電層,配置在該堆疊層上;一第一源極/汲極區(qū)與一第二源極/汲極區(qū),分別配置在該閘極導(dǎo)電層兩側(cè)的該基底中;一第一口袋植入摻雜區(qū),配置在該堆疊層下方的該基底中,并且與該第一源極/汲極區(qū)鄰接;以及一第二口袋植入摻雜區(qū),配置在該堆疊層下方的該基底中,且與該第二源極/汲極區(qū)鄰接,其中,該第一口袋植入摻雜區(qū)的摻雜濃度不同于該第二口袋植入摻雜區(qū)的摻雜濃度。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。
前述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,其中所述的第一口袋植入摻雜區(qū)及該第二口袋植入摻雜區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)是與該第一源極/汲極區(qū)及該第二源極/汲極區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)相反。
前述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,其中所述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,其特征在于其中所述的第一口袋植入摻雜區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)為p型。
前述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,其中所述的第二口袋植入摻雜區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)為p型。
前述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,其中所述的第一源極/汲極區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)為n型。
前述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,其中所述的第二源極/汲極區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)為n型。
前述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,其中所述的穿隧介電層的材質(zhì)包括氧化硅。
前述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,其中所述的電荷捕捉層的材質(zhì)包括氮化硅。
前述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,其中所述的阻擋介電層的材質(zhì)包括氧化硅。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法,適用于一可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,該可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞至少由一基底、一電荷捕捉層、一閘極導(dǎo)電層、一第一源極/汲極區(qū)、一第二源極/汲極區(qū)、一第一口袋植入摻雜區(qū)與一第二口袋植入摻雜區(qū)所構(gòu)成,其中該第一口袋植入摻雜區(qū)的摻雜濃度大于該第二口袋植入摻雜區(qū)的摻雜濃度;其包括以下步驟對該閘極導(dǎo)電層與該第一源極/汲極區(qū)施加一偏壓組態(tài),進(jìn)行第一程序化,以使該基底中的電荷注入至鄰近該第一源極/汲極區(qū)的部分該電荷捕捉層中;以及對該閘極導(dǎo)電層與該第二源極/汲極區(qū)施加相同的該偏壓組態(tài),進(jìn)行第二程序化,以使該基底中的電荷注入至鄰近該第二源極/汲極區(qū)的部分該電荷捕捉層中,其中該第一程序化所注入的電荷數(shù)目會大于該第二程序化所注入的電荷數(shù)目。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。
前述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法,其中所述的偏壓組態(tài)包括對該閘極導(dǎo)電層施加10伏特(V)的電壓,并且對該第一源極/汲極區(qū)或第二源極/汲極區(qū)施加5伏特(V)的電壓。
前述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法,其中所述的第一口袋植入摻雜區(qū)及該第二口袋植入摻雜區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)是與該第一源極/汲極區(qū)及該第二源極/汲極區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)相反。
前述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法,其中所述的第一口袋植入摻雜區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)為p型。
前述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法,其中所述的第二口袋植入摻雜區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)為p型。
前述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法,其中所述的第一源極/汲極區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)為n型。
前述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法,其中所述的第二源極/汲極區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)為n型。
前述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法,其中所述的電荷捕捉層的材質(zhì)包括氮化硅。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上技術(shù)方案可知本發(fā)明一種可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞及其程序化方法,此可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞是由堆疊層、閘極導(dǎo)電層、第一源極/汲極區(qū)、第二源極/汲極區(qū)、第一口袋植入摻雜區(qū)與第二口袋植入摻雜區(qū)所構(gòu)成。其中,堆疊層配置在基底上。此外,閘極導(dǎo)電層配置在堆疊層上。另外,第一源極/汲極區(qū)與第二源極/汲極區(qū),分別配置在閘極導(dǎo)電層兩側(cè)的基底中。此外,第一口袋植入摻雜區(qū)配置在堆疊層下方的基底中,且與第一源極/汲極區(qū)鄰接。另外,第二口袋植入摻雜區(qū)配置在堆疊層下方的基底中,且與第二源極/汲極區(qū)鄰接,而且第一口袋植入摻雜區(qū)的摻雜濃度不同于第二口袋植入摻雜區(qū)的摻雜濃度。
借由上述技術(shù)方案,本發(fā)明可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞及其程序化方法提供一種可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,使得儲存在電荷捕捉層兩側(cè)的電荷,具有不對稱的數(shù)量,但在進(jìn)行讀取時,具有相近的啟始電壓位階。同時本發(fā)明還提供一種可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法,以使儲存在電荷捕捉層兩側(cè)的電荷,具有不對稱的數(shù)量,但在進(jìn)行讀取時,具有相近的有效啟始電壓位階。其具有上述諸多的優(yōu)點及實用價值,并在同類產(chǎn)品及程序化方法中未見有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計及程序化方法公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新,其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、程序化方法或功能上皆有較大的改進(jìn),在技術(shù)上有較大的進(jìn)步,并產(chǎn)生了好用及實用的效果,且較現(xiàn)有的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞及其程序化方法具有增進(jìn)的多項功效,從而更加適于實用,誠為一新穎、進(jìn)步、實用的新設(shè)計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段,而可依照說明書的內(nèi)容予以實施,并為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂,以下特舉一個較佳實施例,并配合附圖,詳細(xì)說明如下。
圖1是現(xiàn)有習(xí)知的一種氮化硅只讀記憶胞的剖面示意圖。
圖2A與圖2B是現(xiàn)有習(xí)知的一種可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞其讀取電壓與啟始電壓位階之間的關(guān)系圖。
圖3是依照本發(fā)明的一較佳實施例的一種可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的剖面示意圖。
圖4A至圖4D分別是依照本發(fā)明的一較佳實施例的一種程序化狀態(tài)的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的剖面示意圖。
100、300基底102、310穿隧介電層104、312電荷捕捉層106、314阻擋介電層108、302堆疊層110、304閘極導(dǎo)電層112a、112b、306a、306b源極/汲極區(qū)114、116、316、318區(qū)域308a、308b口袋植入摻雜區(qū)320通道區(qū)具體實施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效,以下結(jié)合附圖及較佳實施例,對依據(jù)本發(fā)明提出的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞及其程序化方法其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、方法、步驟、特征及其功效,詳細(xì)說明如后。
請參閱圖3所示,是依照本發(fā)明一較佳實施例的一種可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的剖面示意圖。
如圖3所示,本發(fā)明的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞是由基底300、堆疊層302、閘極導(dǎo)電層304、源極/汲極區(qū)306a、306b、口袋植入摻雜區(qū)308a與308b所構(gòu)成。
其中,基底300例如是硅基底,其可為具有p型摻質(zhì)的硅基底或具有n型摻質(zhì)的硅基底。此外,堆疊層302是配置在基底300上,且此堆疊層302是由穿隧介電層310、電荷捕捉層312與阻擋介電層314依序堆疊而成。其中,穿隧介電層310的材質(zhì)例如是氧化硅或是其它合適的介電材料。此外,電荷捕捉層312的材質(zhì)例如是氮化硅或是其它合適的材料。另外,阻擋介電層314的材質(zhì)例如是氧化硅或是其它合適的介電材料。
此外,閘極導(dǎo)電層304是配置在堆疊層302上。其中,閘極導(dǎo)電層304的材質(zhì)例如是多晶硅、摻雜多晶硅或是其它合適的導(dǎo)電材料。另外,源極/汲極區(qū)306a與306b是分別配置在閘極導(dǎo)電層304兩側(cè)的基底300中。其中,源極/汲極區(qū)306a與306b例如是摻質(zhì)型態(tài)為n型或是p型的源極/汲極區(qū),其端視不同摻質(zhì)型態(tài)的基底而定。
除此之外,口袋植入摻雜區(qū)308a是配置在堆疊層302下方的基底300中,且與源極/汲極區(qū)306a鄰接。另外,口袋植入摻雜區(qū)308b是配置在堆疊層302下方的基底300中,且與源極/汲極區(qū)306a鄰接。
特別是,口袋植入摻雜區(qū)308a的摻雜濃度是不同于(例如大于)口袋植入摻雜區(qū)308b的摻雜濃度,即形成一不對稱的口袋植入(AsymmetricalPocket Implant)摻雜區(qū),如此當(dāng)后續(xù)在對此可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞進(jìn)行程序化時,可以在鄰近口袋植入摻雜區(qū)308a的電荷捕捉層312的部分區(qū)域儲存較多的電荷,進(jìn)而提高儲存在該區(qū)域之位的啟始電壓。其中,口袋植入摻雜區(qū)308a與308b其不同的摻質(zhì)濃度是藉由不同的摻質(zhì)劑量或是不同的植入能量來達(dá)成。此外,在一較佳實施例中,口袋植入摻雜區(qū)308a及308b的摻質(zhì)型態(tài)是與源極/汲極區(qū)306a及306b的摻質(zhì)型態(tài)相反,其例如是p型或是n型的摻質(zhì)型態(tài),其端視不同摻質(zhì)型態(tài)的源極/汲極區(qū)306a及306b而定。如此當(dāng)后續(xù)于源極/汲極區(qū)306a或306b施加電壓時,源極/汲極區(qū)306a(或306b)與口袋植入摻雜區(qū)308a(或308b)二者的pn接合(Junction)界面處產(chǎn)生的空乏區(qū)(Depletion Region),其電場強(qiáng)度可以增強(qiáng),而使得電荷可以較易注入電荷捕捉層312中。
以下說明上述可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法。請參閱圖4A所示,本發(fā)明的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法是對閘極導(dǎo)電層304與源極/汲極區(qū)306a施加一偏壓組態(tài),進(jìn)行第一次的程序化,以使基底300中的電荷藉由信道熱電子注入機(jī)制,注入至鄰近源極/汲極區(qū)306a的電荷捕捉層312的部分區(qū)域316中。詳細(xì)的說明是,在閘極導(dǎo)電層304施加的電壓,可以使得源極/汲極區(qū)306a與306b之間的通道區(qū)320打開,當(dāng)源極/汲極區(qū)306a與306b之間的偏壓相當(dāng)大時,通道區(qū)320上便會產(chǎn)生過多的熱電子,此時部分的熱電子會穿越穿隧介電層310,由其邊緣進(jìn)入電荷捕捉層312中的區(qū)域316,而在該處存入一位。在一較佳實施例中,偏壓組態(tài)例如是在閘極導(dǎo)電層304上施加10伏特(V)的電壓,并且在源極/汲極區(qū)306a上施加5伏特(V)的電壓。
接著,進(jìn)行第二次的程序化,對閘極導(dǎo)電層304與源極/汲極區(qū)306b施加與上述相同的偏壓組態(tài),以使基底300中的電荷藉由信道熱電子注入機(jī)制,注入至鄰近源極/汲極區(qū)306b的電荷捕捉層312的部分區(qū)域318中,而在該處存入另一位。當(dāng)然,上述程序化的順序并無特別的限制,換言之,可先在區(qū)域318存入一位后,再在區(qū)域316存入另一位。此外,本發(fā)明的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞亦可僅在區(qū)域316或318存入電荷(如圖4B與圖4C所示),或者在這兩區(qū)域316及318都不存入電荷(如圖4D所示),而形成一具有二位、四階的記憶胞。
特別值得一提的是,由于本發(fā)明的口袋植入摻雜區(qū)308a的摻質(zhì)濃度會大于口袋植入摻雜區(qū)308b的摻質(zhì)濃度,而形成一不對稱口袋植入摻雜區(qū),因此存入?yún)^(qū)域316的電荷量會大于存入?yún)^(qū)域318的電荷量,即區(qū)域316會具有較高的啟始電壓。如此一來,當(dāng)在源極/汲極區(qū)306a施加電壓,以對可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞進(jìn)行讀取操作時,雖然區(qū)域316的有效啟始電壓仍會下降,但是由于在程序化時,區(qū)域316的啟始電壓已藉由摻質(zhì)濃度較高的口袋植入摻雜區(qū)308a而提升。因此,在源極/汲極區(qū)306a進(jìn)行讀取操作時,區(qū)域316下降之后的有效啟始電壓仍可近似區(qū)域318的有效啟始電壓,即具有近似的啟始電壓位階。
此外,相較于藉由增加程序化電壓或是增加程序化時間以增加區(qū)域316的啟始電壓,本發(fā)明可以在相同的偏壓組態(tài)下進(jìn)行程序化,并且在其中存入不同量的電荷。因此,本發(fā)明的程序化方法較為簡便,且所需的程序化時間較短,從而可以提升程序化的效率。
另外,雖然本發(fā)明在上述實施例中,僅以二位的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞來說明,但是本發(fā)明亦可應(yīng)用于三位、甚至是四位的多階內(nèi)存元件。
以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實施例而已,并非對本發(fā)明作任何形式上的限制,雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上,然而并非用以限定本發(fā)明,任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi),當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例,但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,其特征在于其包括一堆疊層,配置在一基底上,且該堆疊層是由一穿隧介電層、一電荷捕捉層與一阻擋介電層依序堆疊而成;一閘極導(dǎo)電層,配置在該堆疊層上;一第一源極/汲極區(qū)與一第二源極/汲極區(qū),分別配置在該閘極導(dǎo)電層兩側(cè)的該基底中;一第一口袋植入摻雜區(qū),配置在該堆疊層下方的該基底中,且與該第一源極/汲極區(qū)鄰接;以及一第二口袋植入摻雜區(qū),配置在該堆疊層下方的該基底中,且與該第二源極/汲極區(qū)鄰接,其中,該第一口袋植入摻雜區(qū)的摻雜濃度不同于該第二口袋植入摻雜區(qū)的摻雜濃度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,其特征在于其中所述的第一口袋植入摻雜區(qū)及第二口袋植入摻雜區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)是與該第一源極/汲極區(qū)及該第二源極/汲極區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)相反。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,其特征在于其中所述的第一口袋植入摻雜區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)為p型。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,其特征在于其中所述的第二口袋植入摻雜區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)為p型。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,其特征在于其中所述的第一源極/汲極區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)為n型。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,其特征在于其中所述的第二源極/汲極區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)為n型。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,其特征在于其中所述的穿隧介電層的材質(zhì)包括氧化硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,其特征在于其中所述的電荷捕捉層的材質(zhì)包括氮化硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,其特征在于其中所述的阻擋介電層的材質(zhì)包括氧化硅。
10.一種可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法,適用于一可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞,該可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞至少由一基底、一電荷捕捉層、一閘極導(dǎo)電層、一第一源極/汲極區(qū)、一第二源極/汲極區(qū)、一第一口袋植入摻雜區(qū)與一第二口袋植入摻雜區(qū)所構(gòu)成,其中該第一口袋植入摻雜區(qū)的摻雜濃度大于該第二口袋植入摻雜區(qū)的摻雜濃度,其特征在于其包括以下步驟對該閘極導(dǎo)電層與該第一源極/汲極區(qū)施加一偏壓組態(tài),進(jìn)行第一程序化,以使該基底中的電荷注入至鄰近該第一源極/汲極區(qū)的部分該電荷捕捉層中;以及對該閘極導(dǎo)電層與該第二源極/汲極區(qū)施加相同的該偏壓組態(tài),進(jìn)行第二程序化,以使該基底中的電荷注入至鄰近該第二源極/汲極區(qū)的部分該電荷捕捉層中,其中該第一程序化所注入的電荷數(shù)目會大于該第二程序化所注入的電荷數(shù)目。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法,其特征在于其中所述的偏壓組態(tài)包括對該閘極導(dǎo)電層施加10伏特(V)的電壓,并且對該第一源極/汲極區(qū)或第二源極/汲極區(qū)施加5伏特(V)的電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法,其特征在于其中所述的第一口袋植入摻雜區(qū)及該第二口袋植入摻雜區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)是與該第一源極/汲極區(qū)及該第二源極/汲極區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)相反。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法,其特征在于其中所述的第一口袋植入摻雜區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)為p型。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法,其特征在于其中所述的第二口袋植入摻雜區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)為p型。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法,其特征在于其中所述的第一源極/汲極區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)為n型。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法,其特征在于其中所述的第二源極/汲極區(qū)的摻質(zhì)型態(tài)為n型。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞的程序化方法,其特征在于其中所述的電荷捕捉層的材質(zhì)包括氮化硅。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞及其程序化方法,該可電性擦除且可程序化的只讀記憶胞是由堆疊層、閘極導(dǎo)電層、第一源極/汲極區(qū)、第二源極/汲極區(qū)、第一口袋植入摻雜區(qū)與第二口袋植入摻雜區(qū)所構(gòu)成。其中,堆疊層配置在基底上。此外,閘極導(dǎo)電層配置在堆疊層上。另外,第一源極/汲極區(qū)與第二源極/汲極區(qū),分別配置在閘極導(dǎo)電層兩側(cè)的基底中。此外,第一口袋植入摻雜區(qū)配置在堆疊層下方的基底中,且與第一源極/汲極區(qū)鄰接。另外,第二口袋植入摻雜區(qū)配置在堆疊層下方的基底中,且與第二源極/汲極區(qū)鄰接,而且第一口袋植入摻雜區(qū)的摻雜濃度不同于第二口袋植入摻雜區(qū)的摻雜濃度。
文檔編號H01L21/8247GK1770458SQ20041008855
公開日2006年5月10日 申請日期2004年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月5日
發(fā)明者吳昭誼, 李明修 申請人:旺宏電子股份有限公司