專利名稱：事件良率關(guān)聯(lián)分析系統(tǒng)及方法以及計(jì)算機(jī)可讀取儲存媒體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種事件良率關(guān)聯(lián)分析系統(tǒng)及方法，特別是一種使用統(tǒng)計(jì)的假設(shè)檢定方法，進(jìn)行事件良率關(guān)聯(lián)分析的系統(tǒng)及方法。
背景技術(shù)：
關(guān)聯(lián)分析系統(tǒng)通常從一個(gè)充滿大量紀(jì)錄的數(shù)據(jù)庫中，使用多種統(tǒng)計(jì)分析方法，求得兩事物之間的顯著關(guān)聯(lián)，用以提供企業(yè)經(jīng)營者做更有效的決策。
半導(dǎo)體制造是一個(gè)相當(dāng)精密的制造過程，任何出現(xiàn)在材料、機(jī)臺、人員或環(huán)境的瑕疵或偶發(fā)事件，都有可能讓制造中的晶片最終變成失敗的不良品。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，由于制造廠商必須使用昂貴的機(jī)器設(shè)備、無塵室來制作產(chǎn)品，為了降低厚重的固定成本，無不想盡辦法提升制造的良率。因此，對于出現(xiàn)在制造過程中的瑕疵以及不正常的偶發(fā)事件特別需要進(jìn)一步的追蹤與處理。
會造成不良品的不正常事件有很多，通常分為晶片不正常事件，例如，制造步驟不合規(guī)定、等待時(shí)間過長、塵粒、破片或晶片瑕疵等等，以及機(jī)臺不正常事件。當(dāng)這些不正常事件發(fā)生并影響制造中的晶片時(shí)，制造現(xiàn)場人員會先將受影響晶片扣留，之后，確定被影響晶片是否還有補(bǔ)救機(jī)會，倘若有，則服從一失控行動計(jì)劃(Out of Control Action Plan，OCAP)，則進(jìn)行重制或復(fù)原的補(bǔ)救程序，補(bǔ)救這些被影響的晶片。進(jìn)行完補(bǔ)救程序后，制造現(xiàn)場人員便不會再追蹤這些被影響的晶片是否修復(fù)，必須一直到晶片檢查(ChipProb ing；CP)階段，才能知道這些受影響晶片的不良率。因此，制造現(xiàn)場人員也無從了解一復(fù)原或補(bǔ)救程序是否有效，或者是判斷一不正常事件是否可以進(jìn)行補(bǔ)救。
檢索過去有關(guān)半導(dǎo)體制造及利用軟件技術(shù)進(jìn)行不良率診斷分析的現(xiàn)有技術(shù)，美國專利第6,336,086號專利是揭露一計(jì)算機(jī)化制造順序分析技術(shù)，主要用來分析制造程序順序模式(order pattern)與不良率之間的關(guān)聯(lián)。
但是，為克服上述的缺點(diǎn)，還需要一利用統(tǒng)計(jì)分析的事件良率關(guān)聯(lián)檢定技術(shù)，據(jù)以求得事件與補(bǔ)救程序在良率上是否有顯著差異，產(chǎn)生有用的信息讓制造現(xiàn)場人員參考，評估其是否須因應(yīng)一不正常事件進(jìn)行補(bǔ)救程序，或者是評估此補(bǔ)救程序是否有效。
除此之外，由于不正常事件發(fā)生時(shí)，不一定會影響整個(gè)晶片批次(waferlot)，通常，一晶片批次包含25片晶片，因此，為提升分析的精確性，本技術(shù)還需要將分析單元訂定在晶片的層次。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的為提供一種事件良率關(guān)聯(lián)分析系統(tǒng)、方法及計(jì)算機(jī)可讀取儲存媒體，據(jù)以求得事件與補(bǔ)救程序在良率上是否有顯著差異，并由于其分析單元可達(dá)晶片的層次，提高關(guān)聯(lián)檢定的精確性。
依據(jù)上述目的，本發(fā)明的事件良率關(guān)聯(lián)分析系統(tǒng)、方法及計(jì)算機(jī)可讀取儲存媒體首先設(shè)置一數(shù)據(jù)庫與一紀(jì)錄分析單元。數(shù)據(jù)庫用來儲存事件紀(jì)錄、影響紀(jì)錄以及良率紀(jì)錄。事件紀(jì)錄儲存影響晶片良率的事件；影響紀(jì)錄儲存關(guān)聯(lián)于事件紀(jì)錄在特定時(shí)間點(diǎn)所發(fā)生的事件，以及至少一個(gè)受影響半導(dǎo)體對象；良率紀(jì)錄，用以儲存所有晶片測試后的良率。
紀(jì)錄分析單元用來輸入影響紀(jì)錄以及良率紀(jì)錄，依據(jù)影響紀(jì)錄篩選出受影響半導(dǎo)體對象以及未受影響半導(dǎo)體對象，依據(jù)良率紀(jì)錄，計(jì)算受影響半導(dǎo)體對象的第一平均良率以及未受影響半導(dǎo)體對象的第二平均良率，使用假設(shè)檢定方法，檢定第二平均良率是否顯著大于第一平均良率。


圖1是表示本發(fā)明實(shí)施例的事件良率關(guān)聯(lián)分析系統(tǒng)的系統(tǒng)方塊圖；圖2是表示本發(fā)明實(shí)施例的晶片示意圖；圖3是表示本發(fā)明實(shí)施例的影響資料示意圖；圖4是表示本發(fā)明實(shí)施例的事件良率關(guān)聯(lián)分析方法的方法流程圖；圖5是表示本發(fā)明實(shí)施例的計(jì)算機(jī)可讀取儲存媒體示意圖。
符號說明11～數(shù)據(jù)庫；12～紀(jì)錄輸入單元；13～紀(jì)錄分析單元；14～報(bào)表產(chǎn)生單元；111～事件紀(jì)錄；112～影響紀(jì)錄；113～良率紀(jì)錄；114～設(shè)定比率紀(jì)錄；W1、W2、…、W6～受影響晶片；W7、W8、…、W25～未受影響晶片；31、32、…、35～事件影響紀(jì)錄；S41、S42、…、S46～操作步驟；50～計(jì)算機(jī)可讀取儲存媒體；520～數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)分析計(jì)算機(jī)程序；521～輸入紀(jì)錄邏輯；522～數(shù)據(jù)分群邏輯；523～計(jì)算平均良率邏輯；524～檢定事件影響性邏輯；525～計(jì)算事件影響比率邏輯；526～產(chǎn)生分析報(bào)表邏輯。
具體實(shí)施例方式
圖1是表示本發(fā)明實(shí)施例的事件良率關(guān)聯(lián)分析系統(tǒng)的系統(tǒng)方塊圖。事件良率關(guān)聯(lián)分析系統(tǒng)包括一數(shù)據(jù)庫11、一紀(jì)錄輸入單元12、一紀(jì)錄分析單元13與一報(bào)表產(chǎn)生單元14。數(shù)據(jù)庫11儲存一事件紀(jì)錄111、一影響紀(jì)錄112、一良率紀(jì)錄113與一設(shè)定比率紀(jì)錄151。
數(shù)據(jù)庫11可以實(shí)施于集中式或分布式數(shù)據(jù)庫架構(gòu)的關(guān)聯(lián)性數(shù)據(jù)庫或?qū)ο髷?shù)據(jù)庫，或者是大型主機(jī)的檔案紀(jì)錄系統(tǒng)或其它可以儲存大量數(shù)據(jù)的儲存體中，用來儲存多筆事件紀(jì)錄111、多筆影響紀(jì)錄112、多筆良率紀(jì)錄113與多筆設(shè)定比率紀(jì)錄114。事件紀(jì)錄111、影響紀(jì)錄112、良率紀(jì)錄113與設(shè)定比率紀(jì)錄114在實(shí)施時(shí)，并不限定于使用單一資料表，亦可以是多關(guān)聯(lián)性數(shù)據(jù)表組合而成。
事件紀(jì)錄111記載了事件編碼、事件名稱與事件說明等字段。舉例來說，影響晶片制造的不正常事件可能有制程不正常、等候時(shí)間過長、塵粒(particle)、破片、瑕疵(defect)及其它事件。
影響紀(jì)錄112則記載了一特定事件影響制造晶片的相關(guān)信息，其紀(jì)錄中包括制造領(lǐng)域、事件、受影響晶片集合、機(jī)臺、補(bǔ)救措施、肇因原因與制程階段等字段，其中事件字段可使用主鍵-外來鍵(PK-FK)關(guān)系及其它相似關(guān)聯(lián)，相應(yīng)于事件紀(jì)錄111。一影響紀(jì)錄舉例如下，$$ETEP，7PCS，ID＝1-5，9，10；CT＝CDFNF2，CS＝PO1_DP，CC＝DITH，AC＝ETRE上述紀(jì)錄中，ETEP代表此為一于蝕刻時(shí)的終端點(diǎn)錯(cuò)誤(End Point failinETch area；ETEP)事件；5PCS代表此事件共影響一晶片批次其中的七片晶片；ID＝1-5，9，10代表受影響的晶片編號分別為1，2，3，4，5，9，10；CT＝CDFNF2代表產(chǎn)生事件的機(jī)臺為CDFNF2；CS＝PO1_DP代表產(chǎn)生事件的制程階段為PO1_DP；CC＝DITH代表產(chǎn)生原因編碼為DITH；以及AC＝ETRE代表后續(xù)補(bǔ)救措施為重新蝕刻(RE-ETch；REET)。
良率紀(jì)錄113記載了所有晶片經(jīng)晶片檢查后所得到的的良率(yield)，其紀(jì)錄中包括晶片及良率等字段。
設(shè)定比率紀(jì)錄114用以儲存初始設(shè)定比率(default hit factor)或相應(yīng)一事件的多個(gè)事件設(shè)定比率(event hit factor)，設(shè)定比率為一百分比數(shù)值，其范圍大于0并小于1。
紀(jì)錄輸入單元12，用以提供一輸入接口讓操作人員輸入影響紀(jì)錄112，此操作接口可以為一指令操作接口、文字操作接口、圖形化使用者操作接口(Graphic User Interface，GUI)、因特網(wǎng)網(wǎng)頁或其它可進(jìn)行數(shù)據(jù)輸入的操作接口。當(dāng)一不正常事件發(fā)生時(shí)，操作人員利用紀(jì)錄輸入單元12，挑選或輸入制造領(lǐng)域、事件、受影響晶片集合、機(jī)臺、補(bǔ)救措施、肇因原因與制程階段等字段數(shù)據(jù)。
圖2是表示本發(fā)明實(shí)施例的晶片范例的示意圖，假設(shè)發(fā)生一不正常事件影響了一晶片批次，經(jīng)檢查后發(fā)現(xiàn)，晶片W1至W6受到此事件影響，但是晶片W7至W25不受影響，因此，晶片W1至W6隨即服從失控行動計(jì)劃，進(jìn)行補(bǔ)救措施，之后，繼續(xù)未完成的晶片制作。一直到整個(gè)晶片制作完成，于晶片檢查階段，得到各晶片的良率。
紀(jì)錄分析單元13連結(jié)到數(shù)據(jù)庫11，用以輸入影響紀(jì)錄112及良率紀(jì)錄113，之后，使用統(tǒng)計(jì)的假設(shè)檢定方法，進(jìn)行良率檢定。首先，在既定的事件下，讀取影響紀(jì)錄112，分離出受事件影響的晶片集合Geffected＝{W1，W2，W3，W4，W5，W6}；未受事件影響的晶片集合Gnormal＝{W7，W8，W9，…，W24，W25}。依據(jù)良率紀(jì)錄113中所紀(jì)錄各晶片的良率，分別計(jì)算出Geffected與Gnormal的良率平均數(shù)Meffected與Mnormal。使用一假設(shè)檢定公式，可以為Z檢定、t檢定，或其它可能的群組假設(shè)檢定公式，檢定其假設(shè)Mnormal是否顯著大于Meffected，其檢定條件Mnormal＞Meffected有可能放在H0或H1進(jìn)行左尾或右尾假設(shè)檢定，其因考量檢定解釋力而產(chǎn)生的檢定細(xì)節(jié)變化并不會脫離本發(fā)明的范疇。如果檢定結(jié)果Mnormal大于Meffected，則從設(shè)定比率紀(jì)錄114中讀取初始設(shè)定比率或相應(yīng)于檢定事件的設(shè)定比率F，計(jì)算并驗(yàn)證Mnormal*F是否大于Meffected，若是，則此事件為一影響事件，此事件發(fā)生時(shí)，會對良率產(chǎn)生嚴(yán)重影響，亦即隱含了補(bǔ)救措施無效的訊息。
除一事件會影響一晶片批次中部分晶片的情況外，另一種情況為一事件影響了一整個(gè)晶片批次，在此情況中，上述的假設(shè)檢定方式會有些許不同。紀(jì)錄分析單元13一樣連結(jié)到數(shù)據(jù)庫11，用以輸入影響紀(jì)錄112及良率紀(jì)錄113，之后，使用統(tǒng)計(jì)的假設(shè)檢定方法，進(jìn)行良率檢定。當(dāng)其讀取影響紀(jì)錄112時(shí)，必須分離出受事件影響的晶片批次，而非晶片集合，成為Geffected，另外未受事件影響的晶片批次集合Gnormal為由同一型號產(chǎn)品的一定數(shù)量晶片批次組合或者是同一型號產(chǎn)品近一個(gè)月的晶片批次組合，而隨后的計(jì)算方式同上述一事件影響一晶片批次中部分晶片情況所示。
利用上述檢定分析，判定特定不正常事件中，受影響與未受影響的晶片，在良率上是否有顯著差異，除檢定一事件是否影響良率外，由于被影響晶片在受到影響后會進(jìn)行補(bǔ)救，因此，亦可以從分析結(jié)果推論出其進(jìn)行補(bǔ)救措施的有效性。
以上所述的分析，僅是檢定一事件在一時(shí)間中的檢定，除進(jìn)行假設(shè)檢定外，紀(jì)錄分析單元13亦根據(jù)多個(gè)事件的假設(shè)檢定結(jié)果，計(jì)算事件影響性Hr，Hr為一范圍從0到1的比率，代表一事件發(fā)生時(shí)，對晶片良率的影響，數(shù)字越大，其影響也越大。其公式為
Hr＝Neffected/Ntotal……………………………………(1)Neffected代表一事件下，被檢定出具顯著影響的總數(shù)，Ntotal代表一事件下，所有事件總數(shù)。
圖3是表示本發(fā)明實(shí)施例的影響資料示意圖，倘若存在一破片事件，分別于t1、t2、t 3、t4及t5時(shí)間發(fā)生，經(jīng)上述的檢定分析結(jié)果，紀(jì)錄31、33及34被判定其事件產(chǎn)生顯著影響。故其為Neffected為3，Ntotal為5，經(jīng)公式(1)計(jì)算后，Hr為3/5＝0.6。
報(bào)表產(chǎn)生單元14會根據(jù)紀(jì)錄分析單元13所得的結(jié)果產(chǎn)生分析報(bào)表，例如事件匯總表(event count report)、事件影響性報(bào)表(hit rate report)、事件機(jī)臺交叉分析報(bào)表、命中率機(jī)臺事件交叉分析報(bào)表，或其它相關(guān)分析報(bào)表。
圖4是表示本發(fā)明實(shí)施例的事件良率關(guān)聯(lián)分析方法的方法流程圖。首先，如步驟S41，紀(jì)錄分析單元13從數(shù)據(jù)庫11輸入影響紀(jì)錄112、良率紀(jì)錄112。影響紀(jì)錄112則記載了一特定事件影響制造晶片的相關(guān)信息，其紀(jì)錄中包括制造領(lǐng)域、事件、受影響晶片集合、機(jī)臺、補(bǔ)救措施、肇因原因與制程階段等字段。良率紀(jì)錄113記載了所有晶片經(jīng)晶片檢查后所得到的的良率(yield)，其紀(jì)錄中包括晶片及良率等字段。
如步驟S42，進(jìn)行數(shù)據(jù)分群，在既定事件下，從影響紀(jì)錄112中，篩選出受影響晶片集合以及未受影響晶片集合。其篩選的方法是使用使用數(shù)據(jù)庫查詢語言(Standard Query Language；SQL)或其它可以從大量結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)中篩選數(shù)據(jù)的程序指令。此步驟所篩選出的集合基本單位，會隨事件影響范圍不同而有所不同。如果事件的影響范圍是一晶片批次的部分晶片，則受影響晶片集合為一晶片批次的部分晶片，未受影響晶片集合為同一晶片批次的其它晶片。如果事件的影響范圍是一整個(gè)晶片批次，則受影響晶片集合為一晶片批次，未受影響晶片集合為同一型號產(chǎn)品的一定數(shù)量晶片批次，例如，前30批、前50批，或同一型號產(chǎn)品一段時(shí)間內(nèi)的晶片批次，例如，最近一周、最近一個(gè)月。
如步驟S43，依據(jù)步驟S42所得的受影響晶片集合以及未受影響晶片集合，檢索良率紀(jì)錄113，算出兩集合的平均良率，平均良率的計(jì)算公式為(Σi=1nYi)/n---(2)]]>n代表集合中的晶片或批次總數(shù)，Yi代表一晶片或一批次的良率(Yield)。
如圖2所示，受影響晶片集合的平均良率為(∑i=16Yi)/6,]]>未受影響晶片集合的平均良率為平均良率為(∑i=725Yi)/19.]]>如步驟S44，依據(jù)步驟S43所產(chǎn)生兩集合的平均良率及兩集合的樣本數(shù)量，使用一假設(shè)檢定公式，可以為Z檢定、t檢定，或其它可能的群組假設(shè)檢定公式，檢定其假設(shè)未受影響晶片集合的平均良率是否顯著大于受影響晶片集合的平均良率。如果檢定結(jié)果未受影響晶片集合的平均良率顯著大于受影響晶片集合的平均良率，則從設(shè)定比率紀(jì)錄114中讀取初始設(shè)定比率或相應(yīng)于檢定事件的設(shè)定比率F，計(jì)算并驗(yàn)證未受影響晶片集合的平均良率*F是否大于受影響晶片集合的平均良率，若是，則此事件為一影響事件，此事件發(fā)生時(shí)，會對良率產(chǎn)生嚴(yán)重影響，如步驟S45，根據(jù)多個(gè)事件的假設(shè)檢定結(jié)果，計(jì)算事件影響性Hr，Hr為一范圍從0到1的比率，代表一事件發(fā)生時(shí)，對晶片良率的影響，數(shù)字越大，其影響也越大，其計(jì)算公式如公式(1)所示。
最后，如步驟S46，依據(jù)步驟S45所得的計(jì)算結(jié)果產(chǎn)生分析報(bào)表，例如事件匯總表(event count report)、事件影響性報(bào)表(hit rate report)、事件機(jī)臺交叉分析報(bào)表、命中率機(jī)臺事件交叉分析報(bào)表，或其它相關(guān)分析報(bào)表。
本發(fā)明并不限定此方法要由以上順序循序執(zhí)行，只要能達(dá)到本發(fā)明所揭露的功效，任何有可能的順序調(diào)換都在本發(fā)明的范圍中。
再者，本發(fā)明提出一種計(jì)算機(jī)可讀取儲存媒體，用以儲存一計(jì)算機(jī)程序，上述計(jì)算機(jī)程序用以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)分析方法，此方法會執(zhí)行如上所述的步驟。
圖5是表示本發(fā)明實(shí)施例的計(jì)算機(jī)可讀取儲存媒體示意圖。此計(jì)算機(jī)可讀取儲存媒體50，用以儲存一計(jì)算機(jī)程序520，用以實(shí)現(xiàn)事件良率關(guān)聯(lián)分析方法。其計(jì)算機(jī)程序包含六個(gè)邏輯，分別為輸入紀(jì)錄邏輯521、數(shù)據(jù)分群邏輯522、計(jì)算平均良率邏輯523、檢定事件影響性邏輯524、計(jì)算事件影響比率邏輯525與產(chǎn)生分析報(bào)表邏輯526。
因此，藉由本發(fā)明所提供的數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)分析系統(tǒng)及方法，利用統(tǒng)計(jì)分析的事件良率關(guān)聯(lián)檢定技術(shù)，據(jù)以求得事件與補(bǔ)救程序在良率上是否有顯著差異，產(chǎn)生有用的信息讓制造現(xiàn)場人員參考。除此之外，由于不正常事件發(fā)生時(shí)，不一定會影響整個(gè)晶片批次(wafer lot)，而是一晶片批次的部分晶片，本發(fā)明將分析單元以晶片為最小分析單元，提升分析的精確性。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種事件良率關(guān)聯(lián)分析系統(tǒng)，包括一數(shù)據(jù)庫，是用以儲存至少一個(gè)事件紀(jì)錄、至少一個(gè)影響紀(jì)錄以及至少一個(gè)良率紀(jì)錄，該事件紀(jì)錄用以儲存影響晶片良率的至少一個(gè)事件類型，該影響紀(jì)錄用以儲存關(guān)聯(lián)于該事件類型在特定時(shí)間點(diǎn)所發(fā)生的事件以及至少一個(gè)受影響半導(dǎo)體對象，該良率紀(jì)錄用以儲存經(jīng)測試后的多個(gè)晶片良率，包括該受影響半導(dǎo)體對象的良率；以及一紀(jì)錄分析單元，耦接于該數(shù)據(jù)庫，用以輸入該影響紀(jì)錄以及該良率紀(jì)錄，依據(jù)該影響紀(jì)錄篩選出該受影響半導(dǎo)體對象以及至少一個(gè)未受影響半導(dǎo)體對象，依據(jù)該良率紀(jì)錄，計(jì)算該受影響半導(dǎo)體對象的一第一平均良率以及該未受影響半導(dǎo)體對象的一第二平均良率，使用一假設(shè)檢定方法，檢定該第二平均良率是否大于該第一平均良率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的事件良率關(guān)聯(lián)分析系統(tǒng)，其中該受影響半導(dǎo)體對象為一晶片或一晶片批次。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的事件良率關(guān)聯(lián)分析系統(tǒng)，其中該未受影響半導(dǎo)體對象為該晶片或該晶片批次。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的事件良率關(guān)聯(lián)分析系統(tǒng)，其中該數(shù)據(jù)庫中，更包括一設(shè)定比率紀(jì)錄，用以儲存一初始設(shè)定比率或至少一個(gè)相應(yīng)于該事件類型的事件設(shè)定比率。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的事件良率關(guān)聯(lián)分析系統(tǒng)，其中該紀(jì)錄分析單元中，若該第二平均良率大于該第一平均良率，則輸入相應(yīng)于該事件類型的該設(shè)定比率紀(jì)錄，計(jì)算該第二平均良率與該設(shè)定比率的乘積是否大于該第一平均良率。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的事件良率關(guān)聯(lián)分析系統(tǒng)，其中該紀(jì)錄分析單元中，計(jì)算相應(yīng)于該事件類型的一事件發(fā)生比率。該事件發(fā)生比率為相應(yīng)于該事件類型的該第二平均良率大于該第一平均良率的次數(shù)加總，除以相應(yīng)于該事件類型的次數(shù)加總。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的事件良率關(guān)聯(lián)分析系統(tǒng)，更包括一報(bào)表產(chǎn)生單元，耦接于該紀(jì)錄分析單元，是用以由該紀(jì)錄分析單元輸入分析結(jié)果，產(chǎn)生分析報(bào)表。
8.一種事件良率關(guān)聯(lián)分析方法，其方法可被一計(jì)算機(jī)加載執(zhí)行，包括下列步驟該計(jì)算機(jī)從一數(shù)據(jù)庫中輸入一個(gè)事件紀(jì)錄、至少一個(gè)相應(yīng)于該事件紀(jì)錄的影響紀(jì)錄，該事件紀(jì)錄用以儲存影響晶片良率的至少一個(gè)事件類型，該影響紀(jì)錄用以儲存關(guān)聯(lián)于該事件類型在特定時(shí)間點(diǎn)所發(fā)生的事件以及至少一個(gè)受影響半導(dǎo)體對象；該計(jì)算機(jī)依據(jù)該影響紀(jì)錄篩選出該受影響半導(dǎo)體對象以及至少一個(gè)未受影響半導(dǎo)體對象；該計(jì)算機(jī)依據(jù)該良率紀(jì)錄，計(jì)算該受影響半導(dǎo)體對象的一第一平均良率以及該未受影響半導(dǎo)體對象的一第二平均良率；以及該計(jì)算機(jī)使用一假設(shè)檢定方法，檢定該第二平均良率是否大于該第一平均良率。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的事件良率關(guān)聯(lián)分析方法，其中該受影響半導(dǎo)體對象為一晶片或一晶片批次。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的事件良率關(guān)聯(lián)分析方法，其中該未受影響半導(dǎo)體對象為一晶片或一晶片批次。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的事件良率關(guān)聯(lián)分析方法，更包括下列步驟該計(jì)算機(jī)偵測若該第二平均良率大于該第一平均良率，則輸入一設(shè)定比率，計(jì)算該第二平均良率與該設(shè)定比率的乘積是否大于該第一平均良率。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的事件良率關(guān)聯(lián)分析方法，該設(shè)定比率為一初始設(shè)定比率或相應(yīng)于該事件類型的事件設(shè)定比率。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的事件良率關(guān)聯(lián)分析方法，更包括下列步驟該計(jì)算機(jī)計(jì)算相應(yīng)于該事件類型的一事件發(fā)生比率，該事件發(fā)生比率為相應(yīng)于該事件類型的該第二平均良率大于該第一平均良率的次數(shù)加總，除以相應(yīng)于該事件類型的次數(shù)加總。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的事件良率關(guān)聯(lián)分析方法，更包括輸入分析結(jié)果，產(chǎn)生分析報(bào)表的步驟。
15.一種計(jì)算機(jī)可讀取儲存媒體，用以儲存一計(jì)算機(jī)程序，該計(jì)算機(jī)程序被加載到一計(jì)算機(jī)，用以實(shí)現(xiàn)事件良率關(guān)聯(lián)分析方法，其方法包括下列步驟該計(jì)算機(jī)從一數(shù)據(jù)庫中輸入一個(gè)事件紀(jì)錄、至少一個(gè)相應(yīng)于該事件紀(jì)錄的影響紀(jì)錄，該事件紀(jì)錄用以儲存影響晶片良率的至少一個(gè)事件類型，該影響紀(jì)錄用以儲存關(guān)聯(lián)于該事件類型在特定時(shí)間點(diǎn)所發(fā)生的事件以及至少一個(gè)受影響半導(dǎo)體對象；該計(jì)算機(jī)依據(jù)該影響紀(jì)錄篩選出該受影響半導(dǎo)體對象以及至少一個(gè)未受影響半導(dǎo)體對象；該計(jì)算機(jī)依據(jù)該良率紀(jì)錄，計(jì)算該受影響半導(dǎo)體對象的一第一平均良率以及該未受影響半導(dǎo)體對象的一第二平均良率；以及該計(jì)算機(jī)使用一假設(shè)檢定方法，檢定該第二平均良率是否大于該第一平均良率。
全文摘要
一種事件良率關(guān)聯(lián)分析系統(tǒng)及方法以及計(jì)算機(jī)可讀取儲存媒體，其系統(tǒng)包括一數(shù)據(jù)庫與一紀(jì)錄分析單元。數(shù)據(jù)庫用來儲存事件紀(jì)錄、影響紀(jì)錄以及良率紀(jì)錄。紀(jì)錄分析單元依據(jù)影響紀(jì)錄篩選出受影響半導(dǎo)體對象以及未受影響半導(dǎo)體對象，依據(jù)良率紀(jì)錄，計(jì)算受影響半導(dǎo)體對象的第一平均良率以及未受影響半導(dǎo)體對象的第二平均良率，使用假設(shè)檢定方法，檢定第二平均良率是否大于第一平均良率。
文檔編號H01L21/66GK1783065SQ20041009658
公開日2006年6月7日 申請日期2004年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月3日
發(fā)明者邱文仁, 蕭維勤, 藍(lán)玉潔, 祈孝麟, 陳信雄, 吳冠良, 許嘉慧, 游明蒼 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司