專利名稱：薄膜晶體管陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器，尤其涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常來說，液晶顯示器(LCD)可以控制液晶的透光率。LCD包括設(shè)有薄膜晶體管陣列的下基板和設(shè)有濾色片陣列的上基板，這兩基板彼此粘結(jié)。在兩基板之間的盒間隙中設(shè)有用于維持兩基板間的盒間隙的襯墊料。在盒間隙的其余部分中填充有液晶。通過利用貫穿設(shè)置在上基板上的像素電極和下基板上的公共電極之間的液晶的電場，能夠顯示圖像。
薄膜晶體管陣列包括設(shè)置在柵線和數(shù)據(jù)線的交叉點(diǎn)上的薄膜晶體管。在薄膜晶體管陣列上涂覆用于排列液晶的定向膜。濾色片陣列由用于提供顏色的濾色片、用于防止漏光的黑矩陣、以及為了使液晶排列而在其上涂覆的定向膜。
圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管陣列結(jié)構(gòu)的平面圖，圖2所示為沿圖1中II-II’線截取的薄膜晶體管陣列的截面圖。參照圖1和圖2，薄膜晶體管陣列包括設(shè)置在下基板1上、彼此交叉排列的柵線2和數(shù)據(jù)線4。柵線2和數(shù)據(jù)線4之間是柵絕緣膜15。在柵線2和數(shù)據(jù)線4的交點(diǎn)上設(shè)置有薄膜晶體管6。柵線2提供柵信號，數(shù)據(jù)線4提供數(shù)據(jù)信號。在由柵線2和數(shù)據(jù)線4限定的像素區(qū)域上設(shè)有像素電極14。
薄膜晶體管6響應(yīng)來自柵線2的柵信號，將數(shù)據(jù)線4的像素信號充入并保持在像素電極14上。薄膜晶體管6包括與柵線2相連的柵極8、與數(shù)據(jù)線4相連的源極10、以及與像素電極14相連的漏極12。柵極8和源極10伸入像素區(qū)域5中。
薄膜晶體管6還包括與柵極8重疊的有源層17。柵絕緣膜15位于有源層17和柵極8之間。有源層17提供了源極10和漏極12之間的溝道。有源層17還與數(shù)據(jù)線4重疊。在有源層17上還設(shè)置了用于與源極10和漏極12形成歐姆接觸的歐姆接觸層19。
在像素區(qū)域5上設(shè)有像素電極14，該像素電極14通過貫穿保護(hù)膜21的接觸孔13與薄膜晶體管6的漏極12接觸。于是，就在通過薄膜晶體管6被施加有像素信號的像素電極6和被施加有參考電壓的公共電極(未示出)之間形成電場。位于具有薄膜晶體管陣列的下基板和具有濾色片陣列的上基板之間的液晶分子因介電各向異性而發(fā)生旋轉(zhuǎn)。透過像素區(qū)域5的光的透射率根據(jù)液晶分子的旋轉(zhuǎn)程度而不同，由此實(shí)現(xiàn)了灰度級。上述現(xiàn)有技術(shù)的薄膜晶體管的問題在于，由于薄膜晶體管6按照這種方式在像素區(qū)域5內(nèi)形成，所以減少了用于透過像素區(qū)域的光的有效像素區(qū)域，從而使得孔徑比減小。

發(fā)明內(nèi)容
于是，本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，它們基本上避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)帶來的一個(gè)以上的問題。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種可以提高孔徑比的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。
本發(fā)明的附加優(yōu)點(diǎn)和特征將在后面的描述中得以闡明，通過以下描述，將使它們在某種程度上顯而易見，或者可通過實(shí)踐本發(fā)明來認(rèn)識它們。本發(fā)明的這些目的和優(yōu)點(diǎn)可通過書面描述及其權(quán)利要求以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和得到。
為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)，按照本發(fā)明的目的，作為具體和廣義的描述，薄膜晶體管陣列基板包括設(shè)置在基板上的柵線；與柵線交叉的數(shù)據(jù)線；以及具有作為與柵線交叉的數(shù)據(jù)線一部分的源極和與柵線重疊的漏極的薄膜晶體管。
在另一方面中，薄膜晶體管陣列基板的制造方法包括以下步驟在基板上形成柵線，形成與柵線交叉的數(shù)據(jù)線，以及形成具有源極和漏極的薄膜晶體管，所述源極是與柵線交叉的數(shù)據(jù)線的一部分，所述漏極與柵線重疊。
要理解的是，前述描述和以下詳細(xì)描述都是示例性和解釋性的，并意欲對所要求保護(hù)的發(fā)明作進(jìn)一步解釋。


通過對本發(fā)明實(shí)施例的詳細(xì)描述，并參照附圖，將使本發(fā)明的這些和其它目的變得顯而易見。
圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖2所示為沿圖1中II-II’線截取的薄膜晶體管陣列基板的截面圖；圖3所示為按照本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)的平面圖；圖4所示為沿圖3中IV-IV’線截取的薄膜晶體管陣列基板的截面圖；圖5所示為按照本發(fā)明第二實(shí)施例薄膜晶體管陣列基板的截面圖；圖6A到6D所示為按照本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示板結(jié)構(gòu)的平面圖和截面圖；圖7所示為按照本發(fā)明實(shí)施例的具有源極延伸部分的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)的平面圖；以及圖8所示為按照本發(fā)明第三實(shí)施例的具有源極延伸部分的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)的平面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)說明在附圖中表示的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。下面將參照圖3到8詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。相同參考數(shù)字將用于相同元件。
圖3所示為按照本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)的平面圖。圖4所示為沿圖3中IV-IV’線截取的薄膜晶體管陣列基板的截面圖。參照圖3和圖4，薄膜晶體管陣列包括在下基板31上設(shè)置的彼此交叉的多條柵線32和多條數(shù)據(jù)線34，且柵線和數(shù)據(jù)線之間有柵絕緣膜45。用于提供柵信號的柵線32和用于提供數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線34限定了用于透光的像素區(qū)域35。薄膜晶體管陣列基板還包括多個(gè)設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的像素電極44。此外，在像素區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有多個(gè)與柵線32重疊的薄膜晶體管36。
薄膜晶體管36響應(yīng)柵線32的柵信號，使數(shù)據(jù)線34的像素信號充入并保持在像素電極44內(nèi)。在薄膜晶體管36中，與柵線32交叉的那部分?jǐn)?shù)據(jù)線32用作源極。一部分漏極42與柵線32重疊。漏極42包括在其與柵線32重疊的區(qū)域上、并與數(shù)據(jù)線34相對的第一漏極42a和從第一漏極42a延伸出來的第二漏極42b，所述第二漏極42b與像素電極44接觸。柵線32是導(dǎo)電金屬，例如鋁族金屬或銅(Cu)。數(shù)據(jù)線34由金屬構(gòu)成，例如鉬(Mo)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、銅(Cu)或者鉻(Cr)等。位于源極40和漏極42之間的那部分柵線32是柵極38。
薄膜晶體管36還包括與柵極38重疊的有源層47，并且在有源層47和柵極38之間設(shè)有柵絕緣膜45。有源層47在源極40和漏極42之間提供有溝道。如圖4所示，與該溝道相對應(yīng)的有源層47和歐姆接觸層49與柵線32重疊。
柵絕緣膜45由無機(jī)絕緣材料構(gòu)成，例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等。有源層47由非晶硅或者多晶硅構(gòu)成。歐姆接觸層49由非晶硅或多晶硅構(gòu)成。
薄膜晶體管36被設(shè)置成僅在形成了用于使漏極42與像素電極44接觸的接觸孔43的部分伸入像素區(qū)域35中。于是，薄膜晶體管36僅在設(shè)有接觸孔43的那部分漏極42伸入像素區(qū)域中，而薄膜晶體管36的其余部分設(shè)置在柵線32上。由此，與現(xiàn)有技術(shù)的有效像素面積相比，像素區(qū)域44的有效像素面積相對較大。
圖4中的像素電極44設(shè)置在像素區(qū)域35內(nèi)。圖4中的接觸孔43以暴露出漏極42的方式貫穿保護(hù)膜51。像素電極通過貫過保護(hù)膜51的接觸孔43與薄膜晶體管36的漏極42的頂面接觸。
圖5所示為按照本發(fā)明第二實(shí)施例薄膜晶體管陣列基板的截面圖。如圖5所示，接觸孔43暴露出漏極42的頂面和側(cè)面、有源層47、歐姆接觸層49和柵絕緣膜45的側(cè)面，由此暴露出基板31。換言之，圖5所示的接觸孔43被刻蝕，以暴露出漏極42的頂面和側(cè)面。于是，像素電極44通過接觸孔43與薄膜晶體管36的漏極42的頂面和側(cè)面接觸。在像素電極44和漏極42之間形成的接觸區(qū)域更寬，以便提高像素電極44的階梯覆蓋度。
在圖3所示的薄膜晶體管陣列基板中，在通過薄膜晶體管36被施加像素信號的像素電極44和被施加參考電壓的公共電極(未示出)之間形成電場。位于具有薄膜晶體管陣列的下基板和具有濾色片陣列的上基板之間的液晶分子在該電場的作用下，因介電各向異性而旋轉(zhuǎn)。透過像素區(qū)域35的光的透光率依據(jù)液晶分子的旋轉(zhuǎn)程度而不同，由此實(shí)現(xiàn)了灰度級。
如上所述，在按照本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管中，與柵線交叉的那部分?jǐn)?shù)據(jù)線用作源極。漏極與源極隔開，一部分漏極與柵線重疊。于是，源極和漏極之間的柵線作為柵極。結(jié)果，薄膜晶體管僅在形成使漏極與像素電極相接觸的接觸孔的部分伸入像素區(qū)域中，而薄膜晶體管的其余部分在柵線上形成。于是，按照本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管以與柵線重疊的方式形成，于是與現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管所占的面積相比，前者提高了孔徑比。換言之，限定出像素區(qū)域的上基板的黑矩陣以能夠遮擋與薄膜晶體管重疊的柵線和數(shù)據(jù)線的方式形成，于是與現(xiàn)有技術(shù)中以遮擋薄膜晶體管、柵線和數(shù)據(jù)線的方式形成的黑矩陣相比，前者可以減小像素區(qū)域內(nèi)被占的面積。
圖6A到圖6D所示為按照本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示板結(jié)構(gòu)的平面圖和截面圖。參照圖6A，在下基板上設(shè)有包括柵線32的第一導(dǎo)電圖案。具體而言，在下基板31上通過諸如濺射等沉積技術(shù)形成柵金屬層。然后，通過光刻法和刻蝕工序?qū)沤饘賹舆M(jìn)行構(gòu)圖，從而形成包括柵極38的柵線32。柵金屬層例如由鋁族金屬構(gòu)成。
參照圖6B，在具有第一導(dǎo)電圖案組的下基板31上涂覆柵絕緣膜45。此外，通過第二掩模工序在柵絕緣膜45上形成包括有源層47和歐姆接觸層49的半導(dǎo)體圖形、包括數(shù)據(jù)線34、和漏極42的第二導(dǎo)電圖形組。具體而言，在具有第一導(dǎo)電圖形的下基板31上通過諸如等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)或者濺射沉積技術(shù)順序地形成非晶硅層、摻雜的非晶硅層和源極/漏極金屬層。柵絕緣膜45由無機(jī)絕緣材料構(gòu)成，例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等。源極/漏極金屬由諸如由鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)和鉬合金構(gòu)成。
接著，在漏極/源極金屬層上利用第二掩模通過光刻法形成光刻膠圖案。該情況下，將在薄膜晶體管的溝道部分具有衍射曝光部分的衍射曝光掩模用作第二掩模。因此，溝道部分處的光刻膠圖案的高度比源極/漏極圖案的其余部分的高度相對要低。
接著，利用光刻膠圖案通過濕刻工序?qū)υ礃O/漏極金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，由此提供了具有源極40的數(shù)據(jù)線34和具有與數(shù)據(jù)線34平行的漏極42的第二導(dǎo)電圖案組。之后，利用同樣的光刻膠圖案通過干刻工序?qū)诫s的非晶硅層和非晶硅層同時(shí)進(jìn)行構(gòu)圖，從而形成歐姆接觸層49和有源層47。
然后，利用灰化工藝從溝道部分去除高度相對較低的光刻膠圖案，接著利用干刻工序?qū)系啦糠值脑礃O/漏極金屬圖案和歐姆接觸層49進(jìn)行刻蝕。于是，暴露出溝道部分的有源層47，從而使數(shù)據(jù)線34和漏極42斷開連接。然后，通過剝離工序去除留在第二導(dǎo)電圖案組上的光刻膠圖案。
參照圖6C，在具有第二導(dǎo)電圖案組的柵絕緣膜45上通過第三掩模工藝形成具有接觸孔43的保護(hù)膜51。更具體來說，通過沉積技術(shù)如PECVD在具有第二導(dǎo)電圖案組的柵絕緣模45上整體地形成保護(hù)膜51。然后，利用光刻法和刻蝕工序?yàn)楸Ｗo(hù)膜51進(jìn)行構(gòu)圖，以形成接觸孔43。接觸孔43貫穿保護(hù)膜51或者保護(hù)膜51和柵絕緣膜45，以暴露出漏極42或基板。如果利用具有高干刻蝕比的金屬如鉬(Mo)作為源極/漏極金屬，那么接觸孔43就貫穿到漏極42為止，以暴露出其側(cè)面。保護(hù)膜51由與柵絕緣膜45類似的無機(jī)絕緣材料構(gòu)成，或者由介電常數(shù)低的有機(jī)絕緣材料如丙烯酸有機(jī)化合物構(gòu)成。
參照圖6D，在保護(hù)膜51上形成具有像素電極44的第三導(dǎo)電圖案組。具體而言，在保護(hù)膜51上通過如濺射的沉積法涂覆透明導(dǎo)電膜。然后，利用第四掩模通過光刻法和刻蝕工序?qū)ν该鲗?dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖，從而提供具有像素電極44的第三導(dǎo)電圖案組。透明導(dǎo)電膜由氧化銦錫(ITO)、氧化錫(TO)、氧化銦錫鋅(ITZO)和氧化銦鋅(IZO)之一構(gòu)成。
圖7所示為按照本發(fā)明實(shí)施例的具有源極延伸部分的薄膜晶體管陣列基板結(jié)構(gòu)的平面圖。參照圖7，薄膜晶體管陣列包括多條柵線32和多條數(shù)據(jù)線45。用于提供柵信號的柵線32和用于提供數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線45限定了用于透光的像素區(qū)域35。薄膜晶體管陣列基板還包括多個(gè)設(shè)置在像素區(qū)域中的像素電極44。此外，在像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有與柵線32重疊的多個(gè)薄膜晶體管46。
每個(gè)薄膜晶體管46都包括與柵線32重疊的漏極52和源極60。漏極52包括在其與柵線32重疊的區(qū)域上、與數(shù)據(jù)線45相對的第一漏極52a、從第一漏極52a伸出、并與像素電極44接觸的第二漏極52b。源極60從數(shù)據(jù)線45伸出，并至少部分地環(huán)繞著第一漏極52a。位于源極60與漏極52之間的那部分柵線32是柵極48。
形成薄膜晶體管46，使其僅有用于使漏極52與像素電極44接觸的接觸孔43形成的部分伸入像素區(qū)域35中。于是，薄膜晶體管46僅在設(shè)有漏極52的接觸孔43的部分處伸入像素區(qū)域35，而薄膜晶體管46的其余部分設(shè)置在柵線32上。此外，通過至少部分地環(huán)繞第一漏極52a的源極60，薄膜晶體管46的溝道長度增大。增大后的溝道長度提高了薄膜晶體管的電流容量以及導(dǎo)通速度。于是，與相關(guān)技術(shù)相比，像素區(qū)域35的有效像素面積也變大，并且能更迅速地將電壓施加給像素電極44。
圖8所示為按照本發(fā)明第三實(shí)施例的具有源極延伸部分的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)的平面圖。參照圖8，薄膜晶體管陣列包括多條柵線32和多條數(shù)據(jù)線54。用于提供柵信號的柵線32和用于提供數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線54限定了用于透光的像素區(qū)域35。薄膜晶體管陣列基板還包括多個(gè)設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的像素電極44。此外，在像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有與柵線32重疊的多個(gè)薄膜晶體管56。
每個(gè)薄膜晶體管56包括漏極62和與柵線32重疊的源極70a、70b。漏極62包括在其與柵線32重疊的區(qū)域上、并與數(shù)據(jù)線54相對的第一漏極62a、從第一漏極62a伸出、并與像素電極44接觸的第二漏極62b、以及從第一漏極62a伸向數(shù)據(jù)線54的第三漏極62c。源極70a和70b從數(shù)據(jù)線54伸出，并分別沿著第三漏極62c的相對兩側(cè)設(shè)置。位于源極70a、70b和漏極62之間的那部分柵線32是柵極58。
薄膜晶體管56被設(shè)置成僅在使漏極62與像素電極44接觸的接觸孔43形成的部分伸到像素區(qū)域35內(nèi)。于是，薄膜晶體管56僅在設(shè)有漏極62的接觸孔43的部分伸入像素區(qū)域，而薄膜晶體管56的其余部分設(shè)置在柵線32上。此外，薄膜晶體管56的溝道長度因分別沿著第三漏極62c的相對兩側(cè)設(shè)置的源極70a和70b而增加。增加后的溝道長度增大了薄膜晶體管的電流容量以及導(dǎo)通速度。于是，與相關(guān)技術(shù)相比，像素區(qū)域35的有效像素面積變大，而且能更快速地將電壓施加給像素電極44。
如上所述，按照本發(fā)明的實(shí)施例，在柵線上形成薄膜晶體管，這樣可以防止像素區(qū)域內(nèi)有效像素面積的減小，進(jìn)而提高了孔徑比。
本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說顯而易見的是，可在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下對本發(fā)明作各種改進(jìn)和變化。因此，本發(fā)明意欲覆蓋落入所附權(quán)利要求的范圍或其等效范圍內(nèi)的本發(fā)明的這些改進(jìn)和變化。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列基板，其包括設(shè)置在基板上的柵線；與所述柵線交叉的數(shù)據(jù)線；以及薄膜晶體管，其具有作為與所述柵線交叉的所述數(shù)據(jù)線的一部分的源極和與所述柵線重疊的漏極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，還包括與所述薄膜晶體管相連的像素電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述漏極包括第一漏極部分，其設(shè)置在與所述柵線重疊的區(qū)域上、并與所述數(shù)據(jù)線相對；第二漏極部分，其從所述第一漏極伸出、并與所述像素電極接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括在所述數(shù)據(jù)線和所述第一漏極部分之間限定溝道的有源層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，與所述溝道對應(yīng)的所述有源層與所述柵線重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述有源層設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線和所述第一漏極部分下方。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述像素電極通過貫穿保護(hù)膜的接觸孔與所述薄膜晶體管的漏極頂面相接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極的頂面和側(cè)面接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述漏極與所述數(shù)據(jù)線平行。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括從所述數(shù)據(jù)線伸出的源極延伸部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述源極延伸部分直接位于所述柵線上方。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述源極延伸部分部分地環(huán)繞著所述漏極。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括從所述數(shù)據(jù)線伸出的第一和第二延伸部分，所述第一和第二延伸部分分別沿著所述漏極的相對兩側(cè)設(shè)置。
14.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括以下步驟在基板上形成柵線；形成與所述柵線交叉的數(shù)據(jù)線；以及形成具有源極和漏極的薄膜晶體管，所述源極是與所述柵線交叉的所述數(shù)據(jù)線的一部分，所述漏極與所述柵線重疊。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，還包括以下步驟形成具有接觸孔的保護(hù)膜，所述接觸孔暴露出所述漏極；以及在所述保護(hù)膜上形成像素電極，所述像素電極通過所述接觸孔與所述薄膜晶體管相連。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，形成漏極的步驟包括形成漏極，所述漏極在其與所述柵線重疊的區(qū)域上、并與所述數(shù)據(jù)線相對的第一漏極部分和從所述第一漏極伸出、并與所述像素電極接觸的第二漏極部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述形成薄膜晶體管的步驟包括形成有源層，所述有源層在所述數(shù)據(jù)線和所述第一漏極部分之間限定溝道。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述形成有源層的步驟包括形成與所述柵線重疊的溝道。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述形成有源層的步驟包括在與所述柵線重疊的所述柵絕緣層上形成所述有源層。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，還包括以下步驟形成從所述數(shù)據(jù)線伸出的源極延伸部分。
全文摘要
一種薄膜晶體管陣列基板包括設(shè)置在基板上的柵線；與柵線交叉的數(shù)據(jù)線；以及具有源極和漏極的薄膜晶體管，所述源極是與柵線交叉的數(shù)據(jù)線的一部分，而所述漏極與柵線重疊。
文檔編號H01L27/12GK1629703SQ20041009670
公開日2005年6月22日 申請日期2004年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月17日
發(fā)明者樸宰弘 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社