專利名稱：控制氮化物只讀存儲單元的啟始電壓的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲單元，且特別是有關(guān)于一種以多位階存儲單元(multiple level cell，MLC)操作的控制氮化硅只讀存儲單元的啟始電壓的方法。
背景技術(shù)：
目前氮化硅只讀存儲單元(NROM)已廣泛地應(yīng)用在半導(dǎo)體工業(yè)中。圖1所繪示為公知具有二位存儲能力的氮化硅只讀存儲單元的剖面示意圖。此氮化硅只讀存儲單元100包括一基底110，此基底110上已形成有已摻雜的源極112與漏極114。其中，在基底110上配置有氧化硅層118、120，且在氧化硅層118、120之間配置氮化硅層116。此外，于氧化硅層120上配置有閘導(dǎo)體122，并于氧化硅層118下面以及源極112與漏極114之間形成信道115。
氮化硅只讀存儲單元可進行電子可程序化、數(shù)據(jù)讀取以及抹除等程序。氮化硅只讀存儲單元100的程序化可于信道115中產(chǎn)生熱電子，而其中一部份的熱電子可獲得足夠的能量以越過氧化硅層118的能障，且其會阻陷于氮化硅層116中。上述這些阻陷電荷將會移動至氮化硅層116上靠近漏極114的區(qū)域，由于氮化硅層116為非導(dǎo)電層，因此氮化硅只讀存儲單元100可進行程序化以使熱電子集中在氮化硅層116的兩端，而靠近漏極114的氮化硅層116的右端有一存儲電荷124且靠近源極112的左端有一存儲電荷126。
當?shù)柚蛔x存儲單元進行讀取程序時，存儲電荷的存在與否是決定于感測氮化硅只讀存儲單元的啟始電壓的變化。倘若氮化硅只讀存儲單元已被讀取或被程序化，則其啟始電壓會增加，且可讀到存儲電荷的數(shù)字信息信號”0”，而讀不到存儲電荷的數(shù)字信息信號”1”。如圖1所示，氮化硅只讀存儲單元100在兩側(cè)上都有存儲電荷，因此，氮化硅只讀存儲單元100的雙位的數(shù)字信息信號為”0”與”0”。
此外，氮化硅只讀存儲單元上具有多位階電荷也就是是氮化硅只讀存儲單元具有多位階存儲單元操作的能力。而且，不同的位階電荷會導(dǎo)致不同的啟始電壓，且氮化硅只讀存儲單元的電荷量越多，則本身的啟始電壓會越高。因此，利用以多位階存儲單元操作的控制氮化硅只讀存儲單元可使得存儲單元的體積縮小以及半導(dǎo)體組件的積集度增加。
公知的程序化寫入與讀取提供氮化硅只讀存儲單元為一種單側(cè)程序化、讀取以及刪除的方法。然而，此方法需要更多程序化操作條件以達到多重啟始電壓。
美國專利第6,011,725號所公開為一種具有雙位存儲能力的氮化硅只讀存儲單元的程序化、讀取以及刪除的方法。此發(fā)明的缺點為氮化硅只讀存儲單元為逆向讀取方式，所以氮化硅只讀存儲單元的雙位間只能操作在無交互作用區(qū)，因此限制了啟始電壓操作窗。
美國專利第6,487,114 B2號所公開為一種氮化硅只讀存儲單元可同時讀取雙位信息的方法。但是，此方法只能讀取雙位的氮化硅只讀存儲單元的4種存儲狀態(tài)。
如上述，多位階存儲單元操作需要一個控制氮化硅只讀存儲單元啟始電壓的方法以使得形成多重記憶狀態(tài)所需的程序化條件較少。

發(fā)明內(nèi)容
廣義來說，當右位與左位之間存在交互作用時，本發(fā)明提供一種單側(cè)讀取的雙側(cè)程序化方法給具有不同電荷量的氮化硅只讀存儲單元，以符合其需求。另外，與單側(cè)程序化的方法比較，雙側(cè)程序化的方法可使得氮化硅只讀存儲單元形成多重存儲狀態(tài)所需的程序化條件較少。在雙位的非交互作用區(qū)與交互作用區(qū)中，單側(cè)讀取致能使氮化硅只讀存儲單元進行多位階存儲單元操作。因為氮化硅只讀存儲單元的啟始電壓在交互作用區(qū)較非交互作用區(qū)高，所以氮化硅只讀存儲單元的啟始電壓會增加，因此可控制啟始電壓的操作窗。更進一步地是，通過左位、右位、電荷量與電荷位置的組合，可有效控制啟始電壓的增加，使氮化硅只讀存儲單元達到2位(2個啟始電壓)、4位(4個啟始電壓)、8位(8個啟始電壓)與16位(16個啟始電壓)的存儲狀態(tài)。
本發(fā)明的目的就是提供一種具有不同電荷量的氮化硅只讀存儲單元是利用單側(cè)讀取的雙側(cè)程序化方法。此實施例是利用關(guān)系圖以說明當?shù)柚蛔x存儲單元進行程序化時，氮化硅只讀存儲單元的雙位的不同的交互作用區(qū)。其中，當雙位的電荷量較低時，在雙位間不存在交互作用，而當雙位的電荷量較高時，于雙位之間存在一交互作用，且其中一個位的電荷量會影響另一個位的電荷量。另外，單側(cè)讀取的雙側(cè)程序化方法可使氮化硅只讀存儲單元于交互作用區(qū)與非交互作用區(qū)進行多位階存儲單元操作，所以，氮化硅只讀存儲單元的啟始電壓并不受限于低啟始電壓范圍，而此低啟始電壓范圍是指在雙位間不存在交互作用時的啟始電壓。
在本發(fā)明的另一較佳實施例中，本發(fā)明的優(yōu)點的一為氮化硅只讀存儲單元可達到低讀取電壓，而此低讀取電壓可減緩氮化硅只讀存儲單元的讀取干涉。值得注意地是，因為沒有逆向讀取用以區(qū)別雙位間的存儲狀態(tài)，所以可使用較小的讀取電壓以感測雙位存儲狀態(tài)。更特別地是，依照本發(fā)明所述，由于其是使用較小的讀取電壓，因此利用雙位間的交互作用以定義記憶狀態(tài)是具有可行性的。
在又一較佳實施例中，通過左位、右位、電荷量與電荷位置的組合以使用單側(cè)讀取的雙側(cè)程序化方法，可使氮化硅只讀存儲單元在不同電荷組合狀態(tài)下具有不同的電荷量。而且也可使用關(guān)系圖以表示氮化硅只讀存儲單元的啟始電壓為讀取電壓的函數(shù)。
在另一較佳實施例中，通過左位、右位、電荷量與電荷位置的組合，可有效控制啟始電壓的增加，以使用單側(cè)讀取的雙側(cè)程序化方法，氮化硅只讀存儲單元可以顯示8種不同的電荷組合狀態(tài)。
在一較佳實施例中，通過左位、右位、電荷量與電荷位置的組合，可有效控制啟始電壓的增加，以使用單側(cè)讀取的雙側(cè)程序化方法，氮化硅只讀存儲單元可以顯示16種不同的電荷組合狀態(tài)。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。


圖1所繪示為公知具有二位存儲能力的氮化物只讀存儲器存儲單元的剖面示意圖。
圖2所繪示為依照本發(fā)明一較佳實施例的氮化硅只讀存儲單元的剖面示意圖。
圖3所繪示為依照圖2的氮化硅只讀存儲單元的存儲電荷量做為程序化時間的函數(shù)的關(guān)系圖。
圖4所繪示為依照本發(fā)明一較佳實施例的供應(yīng)不同的讀取電壓給氮化硅只讀存儲單元的左位與右位對存儲電荷的影響的關(guān)系圖。
圖5A所繪示為依照本發(fā)明一較佳實施例的具有4種不同電荷組合狀態(tài)的氮化硅只讀存儲單元的剖面示意圖。
圖5B所繪示為依照圖5A的具有4種不同電荷組合狀態(tài)的氮化硅只讀存儲單元的對應(yīng)啟始電壓做為讀取電壓函數(shù)的關(guān)系圖。
圖6所繪示為依照本發(fā)明一較佳實施例當?shù)柚蛔x存儲單元的兩側(cè)進行程序化時，氮化硅只讀存儲單元具有不同電荷量的剖面示意圖。
圖7所繪示為依照本發(fā)明一較佳實施例的具有8種不同電荷組合狀態(tài)的氮化硅只讀存儲單元的啟始電壓做為讀取電壓函數(shù)的關(guān)系圖。
符號說明100、200、500、600氮化硅只讀存儲單元110、210基底 112、212源極114、214漏極 115信道116、216氮化硅層 118、120、218、220氧化硅層122、222閘導(dǎo)體 124、126存儲電荷230、232末端 234高電荷236低電荷 238柵極端300、400、500’、700關(guān)系圖 310非交互作用區(qū)320交互作用區(qū) 330左位電荷曲線
340右位電荷曲線 410、420存儲電荷曲線510、520、530、540、610、620、630、640剖面示意圖510’、520’、530’、540’、710、720、730、740、750、760、770、780啟始電壓曲線522、534、546、548電荷702低電荷數(shù)字信息信號區(qū)704高電荷數(shù)字信息信號區(qū)具體實施方式
圖2所繪示為本發(fā)明一較佳實施例的氮化硅只讀存儲單元的剖面示意圖。首先，請參照圖2，氮化硅只讀存儲單元200的右位與左位具有不同的電荷位階。此氮化硅只讀存儲單元200包括一半導(dǎo)體基底210，此基底210內(nèi)已形成已摻雜的源極212與漏極214。而且，在基底210上依序配置有氧化硅層218與220，并在氧化硅層218與220之間配置氮化硅層216，此外，于氧化硅層220上配置有閘導(dǎo)體222。其中，上述的氮化硅只讀存儲單元200中存儲電荷部分的材料例如是氧化鋁(Al2O3)。
上述的氮化硅只讀存儲單元200是利用單側(cè)讀取的雙側(cè)程序化方法以進行程序化。當?shù)柚蛔x存儲單元200的右位進行程序化時，則漏極電壓(Vd)與柵極電壓分別供應(yīng)給末端232與柵極端238，且將末端230接地。同樣地，當?shù)柚蛔x存儲單元200的左位進行程序化時，則漏極電壓與柵極電壓分別供應(yīng)給末端230與柵極端238，且將末端232接地。也就是，上述的氮化硅只讀存儲單元200以雙位具有不同電荷位階以進行程序化，其中氮化硅只讀存儲單元200的左位具有高電荷234以及右位具有低電荷236。為了達到使左位具有高電荷234，因此必須使柵極端238有較高的柵極電壓(Vg)或是使末端230有較高的漏極電壓。而相對于以低電荷236程序化右位的柵極電壓或漏極電壓，則另一個可使位達到較高電荷的方式為耗費相對于其它具有低電荷的位所花費的時間較多的程序化時間。
在一較佳實施例中，氮化硅只讀存儲單元200是從末端232單一側(cè)進行只讀程序。其中，當?shù)柚蛔x存儲單元200進行讀取程序時，讀取電壓(Vread)與柵極電壓(Vg)分別供應(yīng)給末端232與柵極端238，且將末端230接地。
請同時參照圖2與圖3，根據(jù)圖2的實施例，由關(guān)系圖300可知氮化硅只讀存儲單元200的左位與右位上的存儲電荷量為程序化時間的函數(shù)。其中，在圖2中，左位電荷曲線330與右位電荷曲線340被區(qū)分成二個區(qū)域，其分別為交互作用區(qū)320和非交互作用區(qū)310。
如關(guān)系圖300所示，不同的存儲電荷量將導(dǎo)致氮化硅只讀存儲單元200間的不同的交互作用，而且在一開始進行左位程序化操作時，其雙位的電荷量都很低。如非交互作用區(qū)310所示，左位上存儲電荷的增加對右位上的存儲電荷幾乎沒有影響。隨著程序化時間的增加，當左位的存儲電荷量夠高到足以到達交互作用區(qū)320時，則在左位與右位間存在一交互作用。而且，兩個位間的交互作用會產(chǎn)生一個影響，以致于右位存儲電荷因左位存儲電荷的增加而被誘導(dǎo)增加。因此，當右位進行程序化時，本身的程序化或右位的交互作用可使左位的存儲電荷達到較高的電荷量。
上述的單側(cè)讀取的雙側(cè)程序化的方法可使得有不同電荷位階的氮化硅只讀存儲單元200在交互作用區(qū)320和非交互作用區(qū)310可進行操作。如關(guān)系圖300所示，氮化硅只讀存儲單元200的啟始電壓在交互作用區(qū)比非交互作用區(qū)為較高。所以，氮化硅只讀存儲單元200的啟始電壓操作窗可延伸而不限于在非交互作用區(qū)。
在本發(fā)明的另一較佳實施例中，請參照圖4，關(guān)系圖400所示為當供應(yīng)不同的讀取電壓時，氮化硅只讀存儲單元的左位與右位上存儲電荷的影響。
因為高交互作用力會導(dǎo)致讀取感應(yīng)容忍度的降低，所以于氮化硅只讀存儲單元的逆讀取操作過程中，應(yīng)避免二個位間的高交互作用力。如存儲電荷曲線420所示，低讀取電壓1.6伏特(V)將會造成氮化硅只讀存儲單元的二個位間的高交互作用力。換句話說，如存儲電荷曲線410所示，高讀取電壓，例如為2V，將會造成氮化硅只讀存儲單元的二個位間的低交互作用力。雖然，在氮化硅只讀存儲單元的逆讀取操作過程中，通常希望以較高的讀取電壓降低二個位間的交互作用，但是高讀取電壓會引起讀取干涉。而且，因為本發(fā)明是以單側(cè)讀取方式替代逆讀取的方法，所以不會面臨到二個位間的交互作用的限制。更特別地是，本發(fā)明是利用交互作用以定義存儲狀態(tài)，因此可利用較低的讀取電壓以感測雙位上整合的存儲狀態(tài)，而且，本發(fā)明中的氮化硅只讀存儲單元的讀取電壓可以例如是1V的低電壓。
請同時參照圖5A與圖5B，在本發(fā)明的一較佳實施例中，氮化硅只讀存儲單元500具有4種不同的電荷組合狀態(tài)與對應(yīng)的啟始電壓曲線。圖5A所繪示為具有4種不同電荷組合狀態(tài)的氮化硅只讀存儲單元500的剖面示意圖。氮化硅只讀存儲單元500是利用單側(cè)讀取的雙側(cè)程序化的方法以進行程序化，如圖5A所示，氮化硅只讀存儲單元500只在右側(cè)進行讀取操作。圖5B所繪示為依照圖5A的較佳實施例中，具有4種不同電荷組合狀態(tài)的氮化硅只讀存儲單元500的對應(yīng)啟始電壓做為讀取電壓函數(shù)的關(guān)系圖。其中，在圖5B中，關(guān)系圖500’所示為讀取電壓，其可設(shè)定如1V的低電壓以降低讀取干涉。當然，通過有效地運用右位與左位的電荷量也可控制操作窗。
如圖5A所示，剖面示意圖510為氮化硅只讀存儲單元500的雙位上沒有任何電荷。因此，如圖5B的啟始電壓曲線510’所示，其最初的啟始電壓較低(約2V)。其中，剖面示意圖520為氮化硅只讀存儲單元500的右位上有電荷522，其例如是在讀取側(cè)，根據(jù)局部漏極引起的能障降低現(xiàn)象(drain-inducedbarrier lowering，DIBL)，于讀取側(cè)的存儲電荷522的啟始電壓約4.5V左右。另外，如剖面示意圖530所示為于氮化硅只讀存儲單元500的左位上有電荷534(約6.5V)，因為電荷534存儲在氮化硅只讀存儲單元500的左側(cè)，所以當從右側(cè)進行讀取時，并不存在局部的DIBL現(xiàn)象。因此，如圖5B的啟始電壓曲線530’所示，其對應(yīng)的啟始電壓約6.5V。此外，剖面示意圖540所示為于氮化硅只讀存儲單元500的右位上有電荷546，而左位上有電荷548，其中電荷546約6.5V，電荷548大于6.5V。因為左位與右位間的交互作用，其可達到一較高的啟始電壓，如啟始電壓曲線540’所示，其對應(yīng)的啟始電壓約為8.5V。
接著，請參照圖6，在本發(fā)明的一較佳實施例中，當?shù)柚蛔x存儲單元600的兩側(cè)進行程序化時，氮化硅只讀存儲單元600的四種剖面示意圖說明了四個可能的左位與右位間交互作用的電荷程序化設(shè)計。
如從左側(cè)算起的第一個剖面示意圖610所示，氮化硅只讀存儲單元600在左側(cè)上有一低電荷與在右側(cè)上有一高電荷以進行程序化。而下一個剖面示意圖620為在左側(cè)有一高電荷以及在右側(cè)有一低電荷。另外，氮化硅只讀存儲單元600的剖面示意圖630為兩側(cè)都是低電荷，而剖面示意圖640為兩側(cè)都是高電荷。在其它實例中，圖6顯示當?shù)柚蛔x存儲單元600的兩側(cè)進行程序化時，可有許多組合的例子。因此，氮化硅只讀存儲單元只有一側(cè)進行程序化時，則存儲電荷不是低就是高。另外，由于啟始電壓的增加，經(jīng)由右位、左位、電荷量與電荷位置的組合，并通過利用單側(cè)讀取的雙側(cè)的程序化方法，則特定的氮化硅只讀存儲單元可達到16種不同的電荷組合狀態(tài)。
然后，請參照圖7，在本發(fā)明的一較佳實施例中，關(guān)系圖700所示為具有8種不同電荷組合狀態(tài)的氮化硅只讀存儲單元的啟始電壓(Vt)做為讀取電壓函數(shù)的關(guān)系圖。其中，經(jīng)由右位、左位、電荷量與電荷位置的組合，通過利用單側(cè)讀取的雙側(cè)程序化方法，關(guān)系圖700可達到8種不同的電荷組合狀態(tài)。
上述的啟始電壓曲線710所示為氮化硅只讀存儲單元的啟始電壓做為讀取電壓的函數(shù)，且沒有電荷存在雙位間(Vt約為2V)。另外，上述啟始電壓曲線720所示為氮化硅只讀存儲單元的啟始電壓做為讀取電壓的函數(shù)，且有電荷存在于左位(單側(cè)讀取的Vt約為2.6V)。此外，上述啟始電壓曲線730所示為氮化硅只讀存儲單元的啟始電壓做為讀取電壓的函數(shù)，且有電荷存在右位(單側(cè)讀取的Vt約為3.9V)。另外，上述啟始電壓曲線740所示為氮化硅只讀存儲單元的啟始電壓做為讀取電壓的函數(shù)，且有電荷存在左位(單側(cè)讀取的Vt約為5.5V)。此外，上述啟始電壓曲線750所示為氮化硅只讀存儲單元的啟始電壓做為讀取電壓的函數(shù)，且有電荷存在右位(單側(cè)讀取的Vt約為7V)。另外，上述啟始電壓曲線760所示為氮化硅只讀存儲單元的啟始電壓做為讀取電壓的函數(shù)，且有電荷存在右位(單側(cè)讀取的Vt約為8.4V)。此外，上述啟始電壓曲線770所示為氮化硅只讀存儲單元的啟始電壓做為讀取電壓的函數(shù)，且有電荷存在左位(單側(cè)讀取的Vt約為9.2V)。另外，上述啟始電壓曲線780所示為氮化硅只讀存儲單元的啟始電壓做為讀取電壓的函數(shù)，且有電荷存在左位(單側(cè)讀取的Vt約為10.6V)。
上述啟始電壓曲線710、720、730和740所示為具有4種不同低電荷組合狀態(tài)的氮化硅只讀存儲單元的啟始電壓做為讀取電壓函數(shù)。而且通常存在于啟始電壓曲線710、720、730和740的低電荷是不同的低電荷值。另外，啟始電壓曲線750、760、770和780所示為具有4種不同高電荷組合狀態(tài)的氮化硅只讀存儲單元的啟始電壓做為讀取電壓函數(shù)。而且通常存在于啟始電壓曲線750、760、770和780的高電荷是不同的高電荷值。在低電荷數(shù)字信息信號區(qū)702中，當?shù)柚蛔x存儲單元的電荷較低時，左位的數(shù)字信息信號為″1″。在高電荷數(shù)字信息信號區(qū)704中，當?shù)柚蛔x存儲單元的電荷較高時，左位的數(shù)字信息信號為″0″。因此，由于啟始電壓操作窗的增加，通過左位、右位、電荷量與電荷位置的組合可使得有雙位的氮化硅只讀存儲單元能夠具有8種不同單側(cè)讀取時的Vt。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當根據(jù)本發(fā)明權(quán)利要求中所界定的為準。
權(quán)利要求
1.一種操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于包括從每一存儲單元的一右側(cè)與一左側(cè)進行程序化，該右側(cè)可存儲一右位，且該左側(cè)可存儲一左位，當該右位與該左位之間存在交互作用時，則設(shè)定用于該存儲單元的程序化的一電荷量；以及從該存儲單元的一單一側(cè)讀取該存儲單元的一電荷位階。
2.如權(quán)利要求1所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于從該單一側(cè)讀取該電荷位階限制從存儲單元的一側(cè)讀取以致能電荷位階的識別。
3.如權(quán)利要求1所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于當供應(yīng)一讀取電壓在存儲單元的單一側(cè)的擴散端以及供應(yīng)一接地電壓在單一側(cè)的相對側(cè)的一擴散端時，該讀取可致能電荷位階的識別。
4.如權(quán)利要求3所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于該讀取電壓維持在2伏特以下。
5.如權(quán)利要求1所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于當在存儲單元中存儲相對于不會引起該右位與左位間的交互作用的較低電荷的一較高電荷時，右位與左位間存在交互作用。
6.如權(quán)利要求5所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于通過該右位、左位、電荷量以及電荷位置的組合，可達到存儲單元的2位、4位、8位和16位的存儲狀態(tài)。
7.如權(quán)利要求1所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于增加該左位的程序化電荷會引起右位與左位間的交互作用，以致于該右位因增加左位的程序化電荷而相依存地被誘導(dǎo)增加。
8.如權(quán)利要求1所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于當存儲單元的右位與左位之間存在著交互作用時，則該存儲單元可達到較高的啟始電壓，該較高的啟始電壓相對于當存儲單元的右位與左位之間不存在交互作用時存儲單元的較低啟始電壓為較高。
9.如權(quán)利要求1所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于存儲單元是一只讀存儲單元。
10.如權(quán)利要求1所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于存儲單元中存儲電荷部分的材料包括氧化鋁。
11.一種操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于包括從存儲單元的第一側(cè)與第二側(cè)進行程序化，而第一側(cè)可存儲一第一位，且該第二側(cè)可存儲一第二位，當?shù)谝晃慌c第二位之間存在交互作用時，則設(shè)定用于存儲單元程序化的一電荷量；以及從存儲單元的一單一側(cè)讀取該存儲單元的一電荷位階。
12.如權(quán)利要求11所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于第一側(cè)是一右側(cè)且該第一位是一右位，而第二側(cè)是一左側(cè)且該第二位是一左位。
13.如權(quán)利要求12所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于從該單一側(cè)讀取該電荷位階限制從存儲單元的一側(cè)的讀取以致能該電荷位階的識別。
14.如權(quán)利要求12所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于當供應(yīng)一讀取電壓于該存儲單元的單一側(cè)的一擴散端以及供應(yīng)一接地電壓于該單一側(cè)的相對側(cè)的一擴散端時，該讀取可致能該電荷位階的識別。
15.如權(quán)利要求14所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于該讀取電壓維持在2伏特以下。
16.如權(quán)利要求12所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于當在存儲單元中存儲相對于不會引起該右位與左位間的交互作用的較低電荷的一較高電荷時，該右位與左位間存在交互作用。
17.如權(quán)利要求16所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于通過該右位、左位、電荷量以及電荷位置的組合，可達到存儲單元的2位、4位、8位和16位的存儲狀態(tài)。
18.如權(quán)利要求12所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于增加右位的程序化電荷會引起右位與左位間的交互作用，以致于左位因增加右位的程序化電荷而相依存地被誘導(dǎo)增加。
19.如權(quán)利要求12所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于當存儲單元的右位與左位之間存在著交互作用時，則存儲單元可達到較高的啟始電壓，較高的啟始電壓相對于當存儲單元的右位與左位之間不存在交互作用時該存儲單元的較低啟始電壓為較高。
20.如權(quán)利要求12所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于該存儲單元是一氮化硅只讀存儲單元。
21.如權(quán)利要求12所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于該存儲單元中存儲電荷部分的材料包括氧化鋁。
22.如權(quán)利要求11所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于第一側(cè)是一左側(cè)且第一位是一左位，而第二側(cè)是一右側(cè)且第二位是一右位。
23.如權(quán)利要求22所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于從該單一側(cè)讀取該電荷位階限制從存儲單元的一側(cè)的讀取以致能電荷位階的識別。
24.如權(quán)利要求22所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于當供應(yīng)一讀取電壓于存儲單元的單一側(cè)的一擴散端以及供應(yīng)一接地電壓于單一側(cè)的該相對側(cè)的一擴散端時，則讀取可致能該電荷位階的識別。
25.如權(quán)利要求24所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于該讀取電壓維持在2伏特以下。
26.如權(quán)利要求22所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于當存儲單元中存儲相對于不會引起該右位與左位間的交互作用的較低電荷的一較高電荷時，該右位與左位間存在交互作用。
27.如權(quán)利要求26所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于通過該右位、該左位、該電荷量以及電荷位置的組合，可達到存儲單元的2位、4位、8位和16位的存儲狀態(tài)。
28.如權(quán)利要求22所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于增加右位的程序化電荷會引起該右位與左位間的交互作用，以致于左位因增加右位的程序化電荷而相依存地被誘導(dǎo)增加。
29.如權(quán)利要求22所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于當該存儲單元的該右位與左位之間存在著交互作用時，則存儲單元可達到較高的啟始電壓，該較高的啟始電壓相對于當該存儲單元的右位與左位之間不存在交互作用時存儲單元的較低啟始電壓為較高。
30.如權(quán)利要求22所述的操作可存儲多位階電荷的存儲單元的方法，其特征在于該存儲單元是一氮化硅只讀存儲單元。
31.一種半導(dǎo)體存儲單元，其特征在于存儲單元可存儲多位階電荷，該半導(dǎo)體存儲單元包括一第一程序化側(cè)，其經(jīng)由對該存儲單元的一第一側(cè)供應(yīng)程序化電壓與對該存儲單元的一第二側(cè)的接地所定義；一第二程序化側(cè)，其經(jīng)由對該存儲單元的該第二側(cè)供應(yīng)程序化電壓與對該存儲單元的該第一側(cè)的接地所定義；以及一單一讀取側(cè)，其經(jīng)由對該存儲單元的該第一側(cè)供應(yīng)讀取電壓與對該存儲單元的該第二側(cè)的接地所定義。
全文摘要
一種具有單側(cè)讀取的雙側(cè)程序化的方法，此方法提供具有不同儲存電荷量的氮化硅只讀存儲單元，并利用雙位間不同的交互作用控制啟始電壓的操作窗。由于氮化硅只讀存儲器的啟始電壓操作窗的增加，并通過左位、右位、電荷量以及其雙位的電荷位置的組合，可使氮化硅只讀存儲達到2位、4位、8位與16位的存儲狀態(tài)。
文檔編號H01L21/8246GK1661794SQ20041010148
公開日2005年8月31日 申請日期2004年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月26日
發(fā)明者吳昭誼 申請人:旺宏電子股份有限公司